一、戰(zhàn)略收縮：巨頭的理性“止損”與資產(chǎn)優(yōu)化

2025年下半年，兩大行業(yè)巨頭的動(dòng)作揭示了資本對(duì)射頻氮化鎵市場(chǎng)的重新定價(jià)。

1、恩智浦：5G夢(mèng)醒后的決斷

近期，隨著分析機(jī)構(gòu)EJL Wireless Research在Linkedin上的一則爆料，#恩智浦 正式確認(rèn)將關(guān)閉其位于美國(guó)亞利桑那州錢(qián)德勒（Chandler）的“Echo”晶圓廠，該廠定于2027年第一季度生產(chǎn)最后一批晶圓后謝幕。

“Echo”晶圓廠并非泛泛之輩，它是恩智浦于2020年9月高調(diào)投產(chǎn)的旗艦項(xiàng)目。彼時(shí)，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理保羅·哈特（Paul Hart）曾對(duì)其寄予厚望，豪言該廠將于當(dāng)年底達(dá)到滿(mǎn)負(fù)荷生產(chǎn)。為此，恩智浦在2018至2020年間投入約1億美元（超7億人民幣），專(zhuān)門(mén)打造6英寸GaN-on-SiC產(chǎn)線，意圖主宰5G基站射頻功率放大器（PA）市場(chǎng)。

然而，僅僅運(yùn)行不到五年，該工廠便黯然落幕。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)揭示了背后的無(wú)奈：2024年，恩智浦“通信基礎(chǔ)設(shè)施及其他”業(yè)務(wù)收入下滑近20%，不足17億美元；進(jìn)入2025年，前九個(gè)月收入同比進(jìn)一步暴跌25%，僅余9.62億美元。

嚴(yán)酷的現(xiàn)實(shí)表明，在復(fù)蘇前景黯淡的射頻市場(chǎng)空耗現(xiàn)金流已不合時(shí)宜。恩智浦選擇向“Fab-Lite”（輕晶圓廠）模式轉(zhuǎn)型，關(guān)閉老舊產(chǎn)線，將資源聚焦于核心的汽車(chē)電子與工業(yè)控制，或通過(guò)參與德國(guó)ESMC等合資項(xiàng)目獲取更具成本優(yōu)勢(shì)的300mm產(chǎn)能。

2、臺(tái)積電：AI浪潮下的“戰(zhàn)略性斷舍離”

作為晶圓代工霸主，#臺(tái)積電 在2025年7月做出逐步退出GaN代工業(yè)務(wù)的決定，同樣震動(dòng)了業(yè)界。臺(tái)積電明確表示，將在2027年中前完全停止GaN代工服務(wù)，并將原本負(fù)責(zé)該業(yè)務(wù)的新竹Fab 5廠逐步轉(zhuǎn)型為先進(jìn)封裝（CoWoS）產(chǎn)能。

這一決策背后是極致的資源博弈。在AI芯片需求井噴的當(dāng)下，先進(jìn)制程與封裝產(chǎn)能“寸土寸金”。雖然GaN業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，但其基于6英寸晶圓的營(yíng)收貢獻(xiàn)與利潤(rùn)率，遠(yuǎn)無(wú)法與服務(wù)于英偉達(dá)（NVIDIA）等客戶(hù)的12英寸AI產(chǎn)線相提并論。臺(tái)積電的退出，實(shí)質(zhì)上是先進(jìn)邏輯制程對(duì)特色功率工藝的一次資源擠出。

此舉迫使供應(yīng)鏈迅速重構(gòu)：格芯（GlobalFoundries）借機(jī)承接了溢出的商業(yè)與國(guó)防訂單，利用美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》資金強(qiáng)化本土制造；而力積電則利用其在存儲(chǔ)制造中的成本控制經(jīng)驗(yàn)，開(kāi)發(fā)基于180nm節(jié)點(diǎn)的200mm GaN-on-Si工藝，成為了Fabless（無(wú)晶圓設(shè)計(jì)）廠商新的避風(fēng)港。

二、陣痛與洗牌：Fabless模式邁入調(diào)整期

臺(tái)積電的離場(chǎng)，將高度依賴(lài)代工服務(wù)的Fabless廠商推向了風(fēng)口浪尖，其中納微半導(dǎo)體（Navitas）的遭遇尤為典型。

受臺(tái)積電業(yè)務(wù)調(diào)整影響，納微被迫在2025年宣布將其主要晶圓代工方轉(zhuǎn)移至力積電。在半導(dǎo)體行業(yè)，更換晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)大、耗時(shí)長(zhǎng)，涉及長(zhǎng)達(dá)12-24個(gè)月的重新認(rèn)證周期與良率爬坡風(fēng)險(xiǎn)，期間極易被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手搶占市場(chǎng)份額。

供應(yīng)鏈危機(jī)疊加業(yè)績(jī)壓力，引發(fā)了納微管理層的劇烈動(dòng)蕩。聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Gene Sheridan于2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辭去高管職務(wù)。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)的集體淡出，標(biāo)志著納微“創(chuàng)業(yè)講故事”時(shí)代的終結(jié)，公司被迫進(jìn)入由職業(yè)經(jīng)理人主導(dǎo)的“止血求生”階段。

與此同時(shí)，美國(guó)獨(dú)立IDM陣營(yíng)在2024-2025年間也經(jīng)歷了劇烈整合。Wolfspeed為了全力押注碳化硅（SiC），以1.25億美元的“白菜價(jià)”將射頻GaN業(yè)務(wù)剝離給MACOM，以支撐其莫霍克谷工廠的巨額開(kāi)支；曾被視為技術(shù)標(biāo)桿的Transphorm則被日本瑞薩電子收購(gòu)，標(biāo)志著美國(guó)本土又失去了一家獨(dú)立的GaN技術(shù)持有者。

三、西線反擊：歐美IDM巨頭的差異化進(jìn)擊

與代工業(yè)務(wù)的收縮相反，擁有垂直整合能力（IDM）的歐美巨頭正在通過(guò)差異化路線瘋狂擴(kuò)張。

1、MACOM：吃下CHIPS法案紅利的軍工巨鱷

MACOM走了一條“去商業(yè)化”的軍工高端路線。在收購(gòu)Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)后，MACOM于今年1月宣布了高達(dá)3.45億美元的五年投資計(jì)劃，借助CHIPS法案資金，對(duì)其馬薩諸塞州和北卡羅來(lái)納州的工廠進(jìn)行現(xiàn)代化改造，核心是將產(chǎn)線升級(jí)為6英寸GaN-on-SiC。

2、德州儀器（TI）：95%自造率的成本碾壓

模擬芯片之王TI則試圖用“硅的邏輯”重塑GaN市場(chǎng)。2024年底，TI在日本會(huì)津工廠量產(chǎn)GaN器件，產(chǎn)能瞬間翻了兩番。更具威懾力的是，TI正在達(dá)拉斯總部利用12英寸產(chǎn)線進(jìn)行GaN試點(diǎn)。一旦導(dǎo)入成功，其成本將呈指數(shù)級(jí)下降。TI明確提出2030年實(shí)現(xiàn)95%芯片內(nèi)部制造的目標(biāo)，意圖通過(guò)超大規(guī)模制造壓低邊際成本，從而占領(lǐng)更大份額市場(chǎng)。

3、英飛凌（Infineon）：打造虛擬超級(jí)工廠

德國(guó)巨頭#英飛凌 正在執(zhí)行“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來(lái)西亞居林的產(chǎn)能。One Virtual Fab是一種先進(jìn)的制造模式，旨在通過(guò)數(shù)字技術(shù)將不同地理位置的生產(chǎn)基地緊密連接，實(shí)現(xiàn)技術(shù)、流程和產(chǎn)能的協(xié)同優(yōu)化，以提升效率和快速響應(yīng)市場(chǎng)需求。

2025年，投資高達(dá)50億歐元的居林第三工廠啟動(dòng)擴(kuò)建，重點(diǎn)生產(chǎn)8英寸GaN和SiC晶圓。英飛凌正試圖確立“硅+碳化硅+氮化鎵”的全能霸權(quán)，在AI數(shù)據(jù)中心急需的鈦金級(jí)電源市場(chǎng)構(gòu)筑防線。

四、東線崛起：中國(guó)力量的全產(chǎn)業(yè)鏈突圍

在中國(guó)市場(chǎng)，一條從設(shè)計(jì)到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈正在快速發(fā)展，并展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)穿透力。

1、英諾賽科：產(chǎn)能怪獸的資本首秀

作為全球最大的8英寸硅基氮化鎵IDM廠商，#英諾賽科 被視為逼退臺(tái)積電消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)的重要推手。2024年底至2025年初，英諾賽科成功登陸港股，募資約14億港元。其招股書(shū)披露的計(jì)劃顯示，產(chǎn)能將從2024年的1.25萬(wàn)片/月狂飆至2029年的7萬(wàn)片/月。

基石投資者意法半導(dǎo)體（ST）的出現(xiàn)，更暗示了“歐洲設(shè)計(jì)+中國(guó)制造”的新聯(lián)盟可能。2025年上半年，英諾賽科營(yíng)收大漲43%并首次實(shí)現(xiàn)毛利轉(zhuǎn)正，證明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由于持續(xù)的高額研發(fā)投入和產(chǎn)線折舊，公司在凈利潤(rùn)層面仍處于虧損狀態(tài)，這在IDM企業(yè)的擴(kuò)張初期屬于典型特征。

2、三安集成與芯聯(lián)集成：車(chē)規(guī)與射頻的雙輪驅(qū)動(dòng)

三安集成在射頻與功率領(lǐng)域雙線并進(jìn)。其與意法半導(dǎo)體在重慶的合資工廠預(yù)計(jì)于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準(zhǔn)卡位中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)。同時(shí)，其射頻GaN業(yè)務(wù)在5G-A基站和低軌衛(wèi)星領(lǐng)域保持了穩(wěn)定的現(xiàn)金流。

前身為中芯集成的#芯聯(lián)集成，則利用IGBT和SiC的車(chē)規(guī)經(jīng)驗(yàn)，將“零缺陷”管理引入GaN制造，并提供“系統(tǒng)代工”服務(wù)。其車(chē)規(guī)功率模塊收入在2024年實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，成功實(shí)現(xiàn)EBITDA轉(zhuǎn)正，成為汽車(chē)Tier 1廠商的重要合作伙伴。

此外，潤(rùn)新微憑借D-Mode技術(shù)實(shí)現(xiàn)差異化發(fā)展，新微半導(dǎo)體在硅光與射頻SOI領(lǐng)域進(jìn)行工藝孵化，氮矽科技在驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)上取得突破，他們共同構(gòu)成了中國(guó)GaN產(chǎn)業(yè)豐富而堅(jiān)韌的生態(tài)底色。

五、結(jié)語(yǔ)：產(chǎn)業(yè)邏輯的深刻嬗變

縱觀2025年的產(chǎn)業(yè)全景，我們可以提煉出驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)變革的三大底層邏輯。

首先，射頻與功率徹底分道揚(yáng)鑣。NXP和Wolfspeed退出的皆是射頻GaN，而英飛凌、TI與英諾賽科爭(zhēng)奪的則是功率GaN。前者回歸軍工與特種應(yīng)用，后者則在AI與汽車(chē)?yán)顺敝杏瓉?lái)爆發(fā)。

其次，IDM模式加冕，F(xiàn)abless日漸式微。臺(tái)積電的退出與納微的危機(jī)證明，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，器件性能高度依賴(lài)材料與工藝的耦合。無(wú)法掌控生產(chǎn)流程的Fabless模式，在成本與良率上難以與IDM抗衡。

最后，供應(yīng)鏈邏輯正在深刻重構(gòu)。在追求自主可控與供應(yīng)穩(wěn)定的趨勢(shì)下，氮化鎵產(chǎn)業(yè)正從單一的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，轉(zhuǎn)向以區(qū)域化布局為特征的深度深耕。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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化合物半導(dǎo)體在列，韓國(guó)重金投向四大芯片領(lǐng)域

韓國(guó)計(jì)劃將位于京畿道龍仁市正在建設(shè)的大型半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群拓展為一個(gè)引領(lǐng)人工智能驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新的全球中心，并將加快下一代半導(dǎo)體領(lǐng)域研究，涉及AI芯片、存儲(chǔ)技術(shù)、先進(jìn)封裝以及化合物半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域。

韓國(guó)將在2032年前投資2159億韓元用于下一代存儲(chǔ)器，在2030年前投資1.2676萬(wàn)億韓元用于人工智能專(zhuān)用半導(dǎo)體，在2031年前投資3606億韓元用于先進(jìn)封裝，韓國(guó)計(jì)劃在2031年前為化合物半導(dǎo)體投入2601億韓元。

業(yè)界指出，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖中，韓國(guó)憑借存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)在全球占據(jù)重要地位。近年，各國(guó)爭(zhēng)相推出芯片利好政策，推動(dòng)本土芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇。

與此同時(shí)，AI浪潮之下，全球芯片產(chǎn)業(yè)正從傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片向AI芯片、化合物半導(dǎo)體與先進(jìn)封裝等下一代技術(shù)轉(zhuǎn)型，上述背景下，韓國(guó)如果想維持半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)并實(shí)現(xiàn)新一輪發(fā)展，擁抱AI，積極發(fā)力下一代技術(shù)勢(shì)在必行。化合物半導(dǎo)體在新能源、5G通信等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，先進(jìn)封裝則是提升芯片性能、降低成本的關(guān)鍵技術(shù)路徑。韓國(guó)的這一系列資金布局，既能夠快速響應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)需求，又有望為未來(lái)10-20年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

從碳化硅到氧化鎵，韓國(guó)化合物半導(dǎo)體布局成績(jī)顯著

化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，通過(guò)長(zhǎng)期政策扶持以及半導(dǎo)體大廠頻繁布局，韓國(guó)已經(jīng)建起涵蓋碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等核心材料的產(chǎn)業(yè)體系。

今年11月，韓國(guó)SK keyfoundry重磅宣布，已完成SK Powertech的收購(gòu)，正加速開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)，目標(biāo)在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術(shù)，并于2026年上半年啟動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。

圖片來(lái)源：SK keyfoundry官網(wǎng)新聞稿截圖

資料顯示，SK Powertech前身為YesPowerTechnics，2022年5月被SKInc.納入SK集團(tuán)旗下，其掌握SiC核心單元工藝等批量生產(chǎn)技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)SiC功率半導(dǎo)體的穩(wěn)定量產(chǎn)與研發(fā)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器、家用電器、工業(yè)傳動(dòng)以及智能電網(wǎng)等場(chǎng)景。

此外，在第四代半導(dǎo)體氧化鎵領(lǐng)域，韓國(guó)也有所布局。今年12月，據(jù)媒體報(bào)道，韓國(guó)企業(yè)PowerCubeSemi計(jì)劃于2026年上市。

資料顯示，PowerCubeSemi成立于2013年，專(zhuān)注于基于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氧化鎵（Ga?O?）的化合物半導(dǎo)體器件，運(yùn)營(yíng)全球首家專(zhuān)門(mén)用于大規(guī)模生產(chǎn)氧化鎵的晶圓廠。目前，PowerCubeSemi已經(jīng)獲得了60億韓元的IPO前融資。

業(yè)界認(rèn)為，PowerCubeSemi氧化鎵生產(chǎn)能力使韓國(guó)能夠在未來(lái)半導(dǎo)體材料經(jīng)濟(jì)中占據(jù)一席之地，與韓國(guó)正在進(jìn)行的SiC、GaN和以人工智能為中心的芯片基礎(chǔ)設(shè)施方面的國(guó)家投資形成互補(bǔ)。

結(jié)語(yǔ)

韓國(guó)此次投入巨額資金發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尤其是在化合物半導(dǎo)體等下一代技術(shù)領(lǐng)域的布局，展現(xiàn)出其在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中積極進(jìn)取的姿態(tài)。隨著各項(xiàng)計(jì)劃的推進(jìn)，韓國(guó)有望在未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中占據(jù)更有利地位，其發(fā)展成果也值得全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)關(guān)注。

（文/集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：芯上微裝

AST6200光刻機(jī)是芯上微裝基于多年光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)、精密運(yùn)動(dòng)控制與半導(dǎo)體工藝?yán)斫夥e淀，傾力打造的高性能、高可靠性、全自主可控的步進(jìn)式光刻設(shè)備，專(zhuān)為功率、射頻、光電子及Micro LED等先進(jìn)制造場(chǎng)景量身定制。核心性能亮點(diǎn)包括：

高分辨率成像滿(mǎn)足先進(jìn)工藝需求，搭載大數(shù)值孔徑投影物鏡，結(jié)合多種照明模式與可變光瞳技術(shù)，實(shí)現(xiàn)350nm高分辨率，滿(mǎn)足當(dāng)前主流化合物半導(dǎo)體芯片的光刻工藝要求。

高精度套刻配置高精度對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)正面套刻80nm，背面套刻500nm，確保多層圖形精準(zhǔn)套刻，提升器件良率。

高產(chǎn)率設(shè)計(jì)，顯著降低擁有成本（COO）

• 高照度I-line光源（365nm）
• 高速直線電機(jī)基底傳輸系統(tǒng)，支持2/3/4/6/8英寸多種規(guī)格基片快速切換
• 高速高精度運(yùn)動(dòng)臺(tái)系統(tǒng)，最大加速度1.5g，大幅提升單位時(shí)間產(chǎn)能
• 強(qiáng)工藝適應(yīng)性，兼容多材質(zhì)、多形態(tài)基底

支持Si、SiC、InP、GaAs、藍(lán)寶石等多種材質(zhì)基片

• 兼容平邊、雙平邊、Notch等多種基片類(lèi)型
• 創(chuàng)新調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)，采用多光斑、大角度入射設(shè)計(jì)，可精準(zhǔn)測(cè)量透明、半透明、不透明及大臺(tái)階基底
• 支持背面對(duì)準(zhǔn)模塊，滿(mǎn)足鍵合片等復(fù)雜制程的背面對(duì)準(zhǔn)需求
• 100%軟件自主可控打造全棧國(guó)產(chǎn)生態(tài)，AST6200搭載芯上微裝自主研發(fā)的全棧式軟件控制系統(tǒng)
• 從底層驅(qū)動(dòng)到上層工藝管理，實(shí)現(xiàn)完全自主主權(quán)。系統(tǒng)具備強(qiáng)大的工藝擴(kuò)展性與遠(yuǎn)程運(yùn)維能力
• 持續(xù)賦能設(shè)備生命周期，助力客戶(hù)實(shí)現(xiàn)智能化產(chǎn)線升級(jí)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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權(quán)威洞察：集邦咨詢(xún)分析師深度解析SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)

作為本次大會(huì)的重要組成部分，TrendForce集邦咨詢(xún)分析師龔瑞驕先生受邀出席并發(fā)表了題為《SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì)和產(chǎn)業(yè)格局》的主題演講。

圖片來(lái)源：APCSCRM 2025

龔瑞驕先生在演講中，深入剖析了SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)趨勢(shì)，并特別討論了中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展情況。他指出，隨著近些年SiC產(chǎn)能的大規(guī)模擴(kuò)張和技術(shù)升級(jí)，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正加速向?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)轉(zhuǎn)向。SiC憑借其優(yōu)異的性能，已逐步在電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)應(yīng)用等高壓場(chǎng)景中確立了領(lǐng)導(dǎo)地位。

此外，龔瑞驕先生重點(diǎn)提及了數(shù)據(jù)中心作為SiC的另一大潛力市場(chǎng)。隨著AI芯片功耗的迅速攀升，數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)正轉(zhuǎn)向800V HVDC，SiC在其中扮演著重要角色，尤其是在固態(tài)變壓器（SST）等關(guān)鍵設(shè)備中，SiC將發(fā)揮不可替代的作用。

在產(chǎn)業(yè)格局方面，全球SiC器件市場(chǎng)目前仍由具備強(qiáng)大技術(shù)能力和產(chǎn)能規(guī)模的IDM廠商主導(dǎo)，而中國(guó)廠商則在SiC襯底市場(chǎng)占據(jù)了重要地位，同時(shí)中國(guó)汽車(chē)業(yè)者也正積極投資SiC產(chǎn)業(yè)鏈，深度參與模組封裝甚至芯片環(huán)節(jié)。

風(fēng)云際會(huì)：全球產(chǎn)業(yè)精英聚首，共繪寬禁帶未來(lái)

APCSCRM 2025致力于推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研深度融合，會(huì)議通過(guò)70余位行業(yè)專(zhuān)家、企業(yè)及高校代表的分享，圍繞SiC、GaN、Ga2O3及金剛石等材料的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)展開(kāi)了深度交流。同期，大會(huì)打造的2300平米專(zhuān)業(yè)展區(qū)吸引了超110家參展單位，集中展示了全球最新的技術(shù)成果與解決方案，構(gòu)建了“政-產(chǎn)-學(xué)-研-用-金”全鏈條開(kāi)放創(chuàng)新生態(tài)。

圖片來(lái)源：APCSCRM 2025

本屆大會(huì)的參展企業(yè)覆蓋了#寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，從上游材料到終端應(yīng)用，展現(xiàn)出強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新能力和產(chǎn)業(yè)協(xié)同態(tài)勢(shì)。

在上游材料領(lǐng)域，多家企業(yè)展示了核心技術(shù)突破。其中，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司作為國(guó)內(nèi)碳化硅單晶襯底領(lǐng)域的佼佼者，展示了其規(guī)模和產(chǎn)品多樣性?xún)?yōu)勢(shì)。專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體SiC液相法晶體研發(fā)的常州臻晶半導(dǎo)體有限公司，已成功研制出大尺寸SiC晶體和晶片，材料品質(zhì)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

此外，深圳中機(jī)新材料有限公司和河南聯(lián)合精密材料股份有限公司則聚焦于硬脆材料的超精密加工環(huán)節(jié)，前者系統(tǒng)展示了針對(duì)碳化硅、砷化鎵、金剛石等材料的磨削、研磨、拋光綜合解決方案，后者致力于為切割、研磨與拋光提供整體解決方案，產(chǎn)品涵蓋精細(xì)磨料、流體磨料等。值得一提的是，會(huì)議期間鄭州航空港區(qū)與超硬材料廠商沃爾德等重點(diǎn)項(xiàng)目進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)簽約，進(jìn)一步深化了區(qū)域產(chǎn)業(yè)合作。

圖片來(lái)源：APCSCRM 2025

在先進(jìn)裝備和制程工藝方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)積極布局。無(wú)錫先為科技有限公司依托集團(tuán)深厚積累，提供了包括GaN MOCVD和SiC Epi外延設(shè)備在內(nèi)的高端化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備與服務(wù)，其性能已達(dá)行業(yè)領(lǐng)先水平。同時(shí)，國(guó)內(nèi)知名的功率半導(dǎo)體企業(yè)如東微電子等也積極參會(huì)，展示了器件研發(fā)與應(yīng)用落地的最新進(jìn)展。

芯豐精密科技有限公司則聚焦三維堆疊、先進(jìn)封裝等前沿工藝技術(shù)，致力于減薄、環(huán)切、激光切割等設(shè)備與配套材料的研發(fā)創(chuàng)新。萬(wàn)德思諾集團(tuán)也展示了其在提供氧化鎵（第四代半導(dǎo)體）及寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料、設(shè)備和技術(shù)工藝整體解決方案方面的獨(dú)特能力。

為支撐產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)，專(zhuān)業(yè)檢測(cè)、研發(fā)與生態(tài)服務(wù)類(lèi)企業(yè)同樣表現(xiàn)亮眼。米格實(shí)驗(yàn)室作為專(zhuān)業(yè)科研檢測(cè)平臺(tái)，提供電鏡技術(shù)、材料分析、失效分析等“高質(zhì)量、一站式”服務(wù)。上海澈芯科技有限公司專(zhuān)注于化合物半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備和光刻設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，有效填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈的空白。

作為新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，武創(chuàng)芯研科技（武漢）有限公司聚焦自主CAE軟件、芯片封裝工藝可靠性模型開(kāi)發(fā)，提供系統(tǒng)集成化的專(zhuān)業(yè)技術(shù)分析服務(wù)。而協(xié)創(chuàng)微半導(dǎo)體有限公司則致力于構(gòu)建泛半導(dǎo)體垂直領(lǐng)域的生態(tài)服務(wù)平臺(tái)，提供生態(tài)資源整合、戰(zhàn)略調(diào)研與行業(yè)營(yíng)銷(xiāo)培訓(xùn)等全方位服務(wù)。

最后，在配套工程服務(wù)領(lǐng)域，武漢華康世紀(jì)潔凈科技股份有限公司展示了其在潔凈技術(shù)全領(lǐng)域應(yīng)用的專(zhuān)業(yè)能力，為半導(dǎo)體、生物制藥等領(lǐng)域提供覆蓋項(xiàng)目全周期的潔凈服務(wù)。

APCSCRM 2025的成功舉辦，有效促進(jìn)了亞太地區(qū)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的融合創(chuàng)新與生態(tài)建設(shè)，為全球產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了強(qiáng)勁新動(dòng)能。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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過(guò)去十年，該產(chǎn)業(yè)集群吸引了巨額投資，創(chuàng)造了數(shù)千個(gè)高質(zhì)量就業(yè)崗位，使威爾士躋身全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先行列。

媒體報(bào)道，十年期間，該產(chǎn)業(yè)集群關(guān)鍵里程碑包括：化合物半導(dǎo)體中心的成立、卡迪夫大學(xué)化合物半導(dǎo)體研究所（Institute for Compound Semiconductors）、斯旺西大學(xué)集成半導(dǎo)體材料中心（Centre for Integrative Semiconductor Materials）的建立，以及由英國(guó)研究與創(chuàng)新署（UKRI）資助的化合物半導(dǎo)體應(yīng)用彈射中心（Compound Semiconductor Applications Catapult）。2020 年CSconnected 獲得 “地方優(yōu)勢(shì)基金”（Strength in Places Fund, SIPF）4300萬(wàn)英鎊支持，集群正式規(guī)范化運(yùn)營(yíng)，產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)進(jìn)一步深化。

其中，卡迪夫大學(xué)化合物半導(dǎo)體研究所披露，自2015年成立以來(lái)，研究所做了三件事：

搭橋梁——讓實(shí)驗(yàn)室技術(shù)跑進(jìn)生產(chǎn)線；建平臺(tái)——打造歐洲首個(gè)化合物半導(dǎo)體原型中心；聚生態(tài)——帶動(dòng)南威爾士產(chǎn)業(yè)集群，每年狂攬3.8億英鎊經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

展望未來(lái)，CSconnected愿景是到2030年，將集群營(yíng)收提升至10億英鎊，新增skilled就業(yè)崗位至6000個(gè)，并通過(guò)高薪職位與富有韌性的供應(yīng)鏈，確保區(qū)域內(nèi)充分共享發(fā)展價(jià)值。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)會(huì)上披露，2025年光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將正式突破1000億元，武漢有望躋身北京、上海、深圳、無(wú)錫之后的“半導(dǎo)體第五城”。在這一千億規(guī)模中，硅基半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模比例為4:1，化合物半導(dǎo)體已明確成為光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第二發(fā)展曲線。

目前，光谷已形成以九峰山實(shí)驗(yàn)室為核心、占地10平方公里的九峰山科技園，集聚長(zhǎng)飛光纖、先導(dǎo)稀材等多家上下游企業(yè)，覆蓋“材料—設(shè)計(jì)—制造—封裝測(cè)試—設(shè)備”全產(chǎn)業(yè)鏈條。

在技術(shù)創(chuàng)新層面，#九峰山實(shí)驗(yàn)室?作為核心創(chuàng)新極核，已實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)全球領(lǐng)先突破——成功研發(fā)國(guó)際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底，打破國(guó)際技術(shù)壟斷，同時(shí)推出全球首片8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，為射頻通信、自動(dòng)駕駛等前沿領(lǐng)域提供關(guān)鍵支撐。

在產(chǎn)業(yè)落地方面，投資120億元的先導(dǎo)稀材高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地，從簽約到實(shí)質(zhì)開(kāi)工僅4個(gè)月，預(yù)計(jì)2025年底部分投產(chǎn)，將填補(bǔ)光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導(dǎo)體襯底空白；長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地作為國(guó)內(nèi)最大碳化硅芯片生產(chǎn)基地，已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，即將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線，年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。

按照規(guī)劃，在“十五五”期內(nèi)，光谷將以九峰山實(shí)驗(yàn)室等創(chuàng)新載體為圓心，全力建成存儲(chǔ)、化合物半導(dǎo)體兩大千億街區(qū)，預(yù)計(jì)新增10座晶圓廠，芯片總產(chǎn)能有望達(dá)到50萬(wàn)片/月，進(jìn)一步鞏固其在全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中的重要地位。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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1、揚(yáng)杰科技斬獲權(quán)威機(jī)構(gòu)芯片國(guó)產(chǎn)化認(rèn)證

近期，中國(guó)質(zhì)量認(rèn)證中心（CQC）為揚(yáng)杰科技頒發(fā)全國(guó)首張芯片（半導(dǎo)體器件）國(guó)產(chǎn)化證書(shū)，標(biāo)志著揚(yáng)州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)尤其第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在加速布局中走向高端引領(lǐng)。

圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技

資料顯示，揚(yáng)杰科技是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的頭部企業(yè)，主營(yíng)業(yè)務(wù)覆蓋功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試及終端銷(xiāo)售。其產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

今年5月9日，揚(yáng)杰科技SiC車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式開(kāi)工。該項(xiàng)目計(jì)劃總投資10億元，聚焦車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)”芯片設(shè)計(jì)—封裝測(cè)試—模塊集成”全鏈條布局，標(biāo)志著揚(yáng)州進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代。

10月28日揚(yáng)杰科技封裝生產(chǎn)線項(xiàng)目正式開(kāi)工建設(shè)，項(xiàng)目建設(shè)完成后，將進(jìn)一步完善揚(yáng)杰科技“設(shè)計(jì)-制造-封裝”IDM全產(chǎn)業(yè)鏈布局，同時(shí)將進(jìn)一步增強(qiáng)揚(yáng)州半導(dǎo)體、集成電路產(chǎn)業(yè)鏈韌性和國(guó)際國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

揚(yáng)杰電子科技股份有限公司公共事務(wù)總經(jīng)理范鋒斌介紹，揚(yáng)杰科技組建了超過(guò)1000人的專(zhuān)業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，近年來(lái)累計(jì)投入研發(fā)資金近20億元，建成了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)中心和封裝測(cè)試產(chǎn)線。未來(lái)三年，公司將繼續(xù)加大研發(fā)投入，讓國(guó)產(chǎn)芯片服務(wù)更多客戶(hù)。

2、南通三責(zé)突破大尺寸碳化硅技術(shù)

近期，江蘇省新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)正式發(fā)布 2025 年“江蘇省新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)” 評(píng)審結(jié)果公示，南通三責(zé)精密陶瓷有限公司憑借 “半導(dǎo)體用大尺寸高純碳化硅陶瓷材料” 項(xiàng)目，斬獲二等獎(jiǎng)，該項(xiàng)目主要完成人為閆永杰、唐倩、馬良來(lái)、顧進(jìn)、姚玉璽。

圖片來(lái)源：江蘇省新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)

資料顯示，南通三責(zé)為三責(zé)新材集團(tuán)下屬公司，為國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)，該公司專(zhuān)注于高性能碳化硅結(jié)構(gòu)陶瓷領(lǐng)域研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和工程應(yīng)用的高新技術(shù)企業(yè)。

自成立以來(lái)，始終堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，不斷加大研發(fā)投入，利用先進(jìn)的碳化硅陶瓷燒結(jié)技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)備，致力于為精細(xì)化工和制藥、航空航天、石油化工、新能源材料、電子玻璃、微電子和半導(dǎo)體、光學(xué)等各個(gè)領(lǐng)域的裝備用戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)實(shí)用的高性能碳化硅陶瓷解決方案，推動(dòng)高性能碳化硅陶瓷在節(jié)能環(huán)保和先進(jìn)制造的應(yīng)用。

碳化硅陶瓷憑借高純度、高致密度、高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱系數(shù)及低熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異特性，成為光刻機(jī)等集成電路核心裝備精密部件的首選材料，而大尺寸、復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅部件的制備技術(shù)長(zhǎng)期被國(guó)外少數(shù)企業(yè)壟斷，嚴(yán)重制約我國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。此次南通三責(zé)的技術(shù)突破，為我國(guó)半導(dǎo)體裝備國(guó)產(chǎn)化提供了關(guān)鍵材料支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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“全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)”、“萬(wàn)伏級(jí)SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)”、“基于氮化鎵Micro-LED的高速、低功耗光通信芯片技術(shù)”、“8英寸氧化鎵單晶及襯底制備實(shí)現(xiàn)重大突破”、“低位錯(cuò)密度12英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)及激光剝離技術(shù)”、“8英寸SiC Trench MOSFET功率器件設(shè)計(jì)與工藝開(kāi)發(fā)”、“國(guó)產(chǎn)化Micro LED專(zhuān)用MOCVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)重大突破”、“AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)”、“III族氮化物半導(dǎo)體強(qiáng)極化的實(shí)驗(yàn)測(cè)定”、“氮化鎵基Micro-LED微顯示集成芯片技術(shù)”等10項(xiàng)成果成功入選“2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展”。

圖片來(lái)源：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

其中，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司發(fā)布全球首款12英寸碳化硅襯底，標(biāo)志著中國(guó)在半導(dǎo)體關(guān)鍵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了歷史性的重大突破，彰顯了中國(guó)新一代半導(dǎo)體材料技術(shù)的國(guó)際領(lǐng)先地位。

資料顯示，碳化硅單晶擴(kuò)徑技術(shù)難度極高，12英寸碳化硅晶體制備需要在8英寸碳化硅晶體基礎(chǔ)上通過(guò)多輪次迭代擴(kuò)徑，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在新型長(zhǎng)晶設(shè)備開(kāi)發(fā)、配套的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝、特殊籽晶處理工藝等方向上取得創(chuàng)新性突破，攻克了碳化硅單晶的連續(xù)擴(kuò)徑技術(shù)，成功制備出12英寸碳化硅單晶；同時(shí)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)配合超大尺寸襯底開(kāi)發(fā)了新型大尺寸切割、研磨和拋光技術(shù)，最終實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底的加工成型。

國(guó)產(chǎn)化Micro LED專(zhuān)用MOCVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由三安光電、中微公司聯(lián)合研發(fā)，旨在推動(dòng)國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備在性能上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，標(biāo)志著我國(guó)在Micro LED關(guān)鍵設(shè)備制造上已擺脫國(guó)外技術(shù)的依賴(lài)，實(shí)現(xiàn)了自主可控，為國(guó)產(chǎn)Micro LED產(chǎn)業(yè)大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，助力我國(guó)在全球Micro LED顯示領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。

AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)項(xiàng)目由華中科技大學(xué)武漢光電國(guó)家研究中心戴江南教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合華中科技大學(xué)鄂州工研院、武漢優(yōu)煒芯科技有限公司完成。研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新設(shè)計(jì)了芯片刻蝕反射陣列結(jié)構(gòu)，提升了紫外芯片電光轉(zhuǎn)換效率；首創(chuàng)了協(xié)同散射光子調(diào)控策略，提高了紫外芯片光提取效率；制備了晶圓級(jí)介質(zhì)納米結(jié)構(gòu)，提升了紫外芯片輸出光功率。

基于以上成果，本團(tuán)隊(duì)最終突破了230nm遠(yuǎn)紫外光源毫瓦級(jí)輸出的國(guó)際難題，成功研制出峰值波長(zhǎng)230nm、輸出功率2.8mW的AlGaN基遠(yuǎn)紫外micro-LED，為目前毫瓦級(jí)micro-LED報(bào)道的最短波長(zhǎng)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、安森美：碳化硅市場(chǎng)表現(xiàn)符合預(yù)期

安森美公布的2025年第三季度業(yè)績(jī)顯示。該季安森美實(shí)現(xiàn)收入15.509億美元，環(huán)比增長(zhǎng)6%；GAAP毛利率為17.0%。

按業(yè)務(wù)劃分，安森美電源方案部（PSG）營(yíng)收7.376億美元，環(huán)比增長(zhǎng)6%，同比下降11%；先進(jìn)方案部（AMG）營(yíng)收5.833億美元，環(huán)比增長(zhǎng)5%，同比下降11%；智能感知部（ISG）：營(yíng)收2.300億美元，環(huán)比增長(zhǎng)7%。

圖片來(lái)源：安森美

展望第四季度，安森美預(yù)計(jì)營(yíng)收將在14.8億至15.8億美元區(qū)間內(nèi)。

安森美CEO Hassane El-Khoury表示：“我們的第三季度業(yè)績(jī)超出了預(yù)期，凸顯了我們戰(zhàn)略的優(yōu)勢(shì)和商業(yè)模式的彈性。我們繼續(xù)看到核心市場(chǎng)出現(xiàn)企穩(wěn)跡象，同時(shí)AI領(lǐng)域也出現(xiàn)了積極增長(zhǎng)?！?/p>

業(yè)界指出，安森美正從一家“汽車(chē)與工業(yè)”公司，加速向一家由“汽車(chē)電動(dòng)化”與“AI數(shù)據(jù)中心電源”雙輪驅(qū)動(dòng)的智能電源公司戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。與此同時(shí)，該公司近年在寬禁帶半導(dǎo)體（SiC和GaN）上的重金投入，也收獲了成果。

安森美在財(cái)報(bào)會(huì)議上透露，公司第一代垂直氮化鎵產(chǎn)品已提供給汽車(chē)和人工智能領(lǐng)域的頭部客戶(hù)進(jìn)行樣品測(cè)試，目前安森美正在研發(fā)第二代產(chǎn)品，預(yù)計(jì)在2027年左右開(kāi)始產(chǎn)生相關(guān)收入。8英寸碳化硅晶圓已經(jīng)投產(chǎn)，厚度為350微米，計(jì)劃在2026年開(kāi)始出貨。碳化硅的市場(chǎng)表現(xiàn)完全符合安森美的預(yù)期，在終端客戶(hù)中的市場(chǎng)份額持續(xù)增長(zhǎng)，并不斷應(yīng)用在新車(chē)型上，包括蔚來(lái)汽車(chē)等，而且碳化硅產(chǎn)品在混動(dòng)汽車(chē)的市場(chǎng)份額也不斷擴(kuò)大。

2、納微半導(dǎo)體：2027年完成高壓GaN的部署

近期，納微半導(dǎo)體公布了2025年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。第三季度納微半導(dǎo)體總收入為1010萬(wàn)美元，同比下滑約114.85%。

圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體官網(wǎng)

該季，納微半導(dǎo)體提出了“納微2.0”戰(zhàn)略，重點(diǎn)轉(zhuǎn)向高功率市場(chǎng)，聚焦GaN與高壓SiC技術(shù)。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Chris Alexandra人在財(cái)報(bào)會(huì)議中透露，該季度收入下滑主要受?chē)?guó)際形勢(shì)變化及市場(chǎng)定價(jià)壓力所致，納微半導(dǎo)體將調(diào)整地域資源部署作為應(yīng)對(duì)。

碳化硅及氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，過(guò)去7年，納微半導(dǎo)體已累計(jì)出貨超過(guò)3億顆GaN器件；目前納微半導(dǎo)體正處于轉(zhuǎn)型期，并計(jì)劃在2027年完成高壓GaN的部署。納微半導(dǎo)體將加速推出面向機(jī)架式、系統(tǒng)級(jí)和電網(wǎng)級(jí)的高功率產(chǎn)品，并加速擴(kuò)展中壓GaN器件、高壓GaN器件和電源芯片、高壓SiC模塊系列產(chǎn)品。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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從金剛石、碳化硅到氮化鎵，從呼和浩特、廈門(mén)到石家莊，重點(diǎn)項(xiàng)目的落地、試產(chǎn)與建設(shè)提速，彰顯了我國(guó)在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的技術(shù)攻堅(jiān)成果，更為新能源、5G通信、AI 算力等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供了核心支撐。

01、化合積電呼和浩特規(guī)?；饎偸窃旃S投產(chǎn)

10月28日，化合積電呼和浩特規(guī)?；饎偸窃旃S投產(chǎn)儀式在呼和浩特經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行。

圖片來(lái)源：化合積電

據(jù)了解，該工廠是化合積電打造的集智能化制造、規(guī)?；慨a(chǎn)與綠色能源優(yōu)勢(shì)于一體的金剛石生產(chǎn)基地，工廠面積約1萬(wàn)平方米，將以其在熱管理、光學(xué)與半導(dǎo)體應(yīng)用方面的創(chuàng)新突破，為高功率芯片、5G通信和AI算力等前沿領(lǐng)域提供核心材料支撐。

資料顯示，化合積電成立于2020年，總部位于廈門(mén)，是一家專(zhuān)注于第三代（寬禁帶）半導(dǎo)體襯底材料和器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高科技企業(yè)?；戏e電以 “大尺寸、低成本、高品質(zhì)” 為核心工藝路線，其核心產(chǎn)品覆蓋多晶金剛石、單晶金剛石和金剛石復(fù)合材料等，廣泛應(yīng)用于激光器、GPU/CPU、醫(yī)療器械、5G基站、新能源汽車(chē)、航空航天和國(guó)防軍工等領(lǐng)域。

此外，在投產(chǎn)儀式上，化合積電重磅發(fā)布三大領(lǐng)域創(chuàng)新成果：面向熱管理領(lǐng)域的高導(dǎo)熱金剛石熱沉及金剛石復(fù)合材料、超精密光學(xué)領(lǐng)域的金剛石光學(xué)窗口及解決方案、半導(dǎo)體應(yīng)用的單晶及硼/氮摻雜金剛石。

02、士蘭集宏8英寸SiC項(xiàng)目一期已投片試產(chǎn)

近日，據(jù)廈視新聞報(bào)道，#士蘭集宏?8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目全部設(shè)備已安裝到位并完成調(diào)試，開(kāi)始投片試生產(chǎn)。

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線是省、市重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)類(lèi)項(xiàng)目，總投資120億元，分兩期建設(shè)。一期項(xiàng)目投資70億元，主要建設(shè)主廠房、動(dòng)力中心、測(cè)試中心及配套設(shè)施，于 2024年7月正式動(dòng)工，2025年2月28日實(shí)現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂，6月26日首臺(tái)工藝設(shè)備進(jìn)廠安裝。

該生產(chǎn)線是國(guó)內(nèi)第一條擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)能規(guī)模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線。根據(jù)規(guī)劃，一期項(xiàng)目投產(chǎn)后，產(chǎn)能將達(dá)到每月3.5萬(wàn)片，年產(chǎn)值約75億元。二期投產(chǎn)后，8英寸碳化硅芯片總產(chǎn)能將提升至72萬(wàn)片/年，有望成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。其核心產(chǎn)品SiCMOSFET，主要服務(wù)于新能源汽車(chē)、主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。

稍早之前，士蘭微公布了2025年第三季度報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示，2025年前三季度，士蘭微營(yíng)業(yè)收入約97.13億元，比2024年同期增長(zhǎng)18.98%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約3.49億元，比2024年同期增長(zhǎng)1108.74%。

03、博威公司氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目年底完工

近日，據(jù)“石家莊發(fā)布”消息，河北博威集成電路有限公司氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目獲新進(jìn)展。

圖片來(lái)源：鹿泉融媒

博威公司副總經(jīng)理段磊表示：“目前，廠房主體部分已完成封頂，工人們正在進(jìn)行內(nèi)裝工作。同時(shí)，二次結(jié)構(gòu)部分材料也陸續(xù)進(jìn)場(chǎng)，按計(jì)劃進(jìn)行施工作業(yè)。內(nèi)部機(jī)電安裝及裝飾裝修等工作，也在次序推進(jìn)中。預(yù)計(jì)今年年底完成項(xiàng)目施工，明年陸續(xù)投產(chǎn)使用。”

據(jù)介紹，博威氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資約7.8億元(先期投資2.5億元)，占地70.4畝，主要建設(shè)科研樓、生產(chǎn)車(chē)間及動(dòng)力配套設(shè)施等，先期建筑面積約5萬(wàn)平方米，擬購(gòu)置研發(fā)、生產(chǎn)及配套設(shè)備與軟件。

該項(xiàng)目以氨化鎵微波電路研發(fā)、制造、銷(xiāo)售為主營(yíng)業(yè)務(wù)方向應(yīng)用于5G通信、微波通信、衛(wèi)星通信等高科技重點(diǎn)領(lǐng)域，產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了5G基站氨化鎵功放全體系技術(shù)突破和規(guī)模化生產(chǎn)產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)、質(zhì)量可靠性及產(chǎn)業(yè)化能力均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平市場(chǎng)占有率超40%，國(guó)內(nèi)第一、全球前二。

項(xiàng)目建成后，可實(shí)現(xiàn)氮化鎵微波產(chǎn)品年產(chǎn)720萬(wàn)只的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)年?duì)I業(yè)收入超10億元，年納稅超1億元。

（集邦化合物半導(dǎo)體 j金水 整理）

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