從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導體材料禁帶寬度的拓寬始終驅動著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢，掀起一場新的半導體革命。 氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水...  [詳內文]