圖片來源：新微半導體

據(jù)介紹，該平臺采用了4英寸GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)外延技術(shù)，結(jié)合深臺面刻蝕、側(cè)壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關鍵工藝，具備低暗電流、低電容、高響應度、高帶寬及高可靠性等優(yōu)越性能。其代工產(chǎn)品能夠在-40℃到85℃的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運行，確保設備在嚴寒、高溫等嚴苛環(huán)境下的性能一致性，保障終端設備可靠運行。

在可靠性驗證上，其代工產(chǎn)品已通過Telcordia GR468可靠性標準測試，涵蓋HTOL（高溫工作壽命）、ESD（靜電放電）、T/C（溫度循環(huán)）及THB（高溫高濕壽命）等關鍵測試項目。在175℃的HTOL測試以及THB（溫度85℃、濕度85%RH）測試環(huán)境中，施加-5V偏置電壓條件，三批產(chǎn)品（抽樣標準77顆樣品）經(jīng)過2000小時老化后，均實現(xiàn)零失效，產(chǎn)品可靠性滿足通信級標準。

作為先進的化合物半導體晶圓代工企業(yè)，新微半導體自成立以來，一直專注于為功率和光電兩大應用領域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務。除了此次推出的砷化鎵光電探測器工藝平臺，公司還擁有基于3/4吋磷化銦（InP）材料的全系列光電工藝解決方案，以及氮化鎵（GaN）功率器件制造平臺等，產(chǎn)品廣泛應用于通信、新能源、消費電子、汽車、工業(yè)和生物醫(yī)療等多個終端應用領域。

新微半導體總經(jīng)理王慶宇博士表示：“新微半導體始終致力于為客戶提供最先進的化合物半導體工藝解決方案。此次高速和陣列砷化鎵光電探測器工藝平臺的推出，是我們在光電領域的又一重大突破。我們相信，憑借該平臺的卓越性能，將幫助客戶在市場競爭中取得優(yōu)勢，推動行業(yè)的技術(shù)進步和應用拓展。”

（集邦化合物半導體整理）

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01奧通碳素半導體級等靜壓石墨項目：設備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行

6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息，奧通碳素（內(nèi)江）科技有限公司的半導體級等靜壓石墨項目目前已進入設備調(diào)試收官與試生產(chǎn)并行階段。該項目位于成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟圈的東興經(jīng)開區(qū)，是東興區(qū)布局產(chǎn)業(yè)鏈高端環(huán)節(jié)的關鍵項目。其瞄準半導體芯片、光伏新能源、高端模具制造等 “卡脖子” 領域，所生產(chǎn)的高端等靜壓石墨主要應用于碳化硅半導體制造行業(yè)、高端電火花加工行業(yè)以及3C產(chǎn)品模具行業(yè)，同時兼顧光伏產(chǎn)業(yè)。

項目分三期建設，一期工程總投資1.5億元，新建了年產(chǎn)2000噸石墨粉、配料、混捏生產(chǎn)線，目前大型設備已全部安裝完畢，調(diào)試工作進入最后階段，預計9月可全面投產(chǎn)。二期工程計劃總投資4億元，將建設8.7萬平方米廠房，新建年產(chǎn)5000噸半導體級等靜壓石墨全工藝流程生產(chǎn)線，目前前期工作已啟動，計劃于2026年建成投產(chǎn)。

三期工程規(guī)劃投資4.5億元，將建設11.3萬平方米廠房及配套生產(chǎn)線，將在二期投產(chǎn)當年同步啟動。項目整體建成后，可形成年產(chǎn)1萬噸半導體級等靜壓石墨產(chǎn)能，預計實現(xiàn)年營收15億元，帶動當?shù)?00余人就業(yè)。

02全磊光電化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目：順利封頂

6月8日，全磊光電的化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目也披露最新進展，該項目順利封頂。項目位于火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)，由全磊光電股份有限公司投建，計劃采購金屬有機化學氣相沉積設備等主要生產(chǎn)工藝設備、測試設備和配套設備設施，用于生產(chǎn)化合物半導體外延片/芯片產(chǎn)品。

圖片來源：天映投資集團有限公司

建成投產(chǎn)后，全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）基外延片產(chǎn)品，逐步拓展至氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半導體產(chǎn)品，并應用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領域。

項目建設期為兩年，其中一期建設內(nèi)容為生產(chǎn)車間、綜合樓以及動力車間等，計劃于2026年1月份投產(chǎn)；二期主要建設3號樓和4號樓的研發(fā)車間，將于2027年2月份投產(chǎn)，投產(chǎn)后產(chǎn)能是年產(chǎn)40萬片化合物半導體的外延片和芯片。該項目的推進將進一步完善廈門市化合物半導體產(chǎn)業(yè)的核心環(huán)節(jié)，填補國內(nèi)光通信領域高端產(chǎn)品的空白。

03晶旭半導體超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產(chǎn)線：沖刺試產(chǎn)

據(jù)“上杭融媒”6月9日消息，全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產(chǎn)線進入沖刺試產(chǎn)階段。該項目由福建#晶旭半導體?科技有限公司投資建設，總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)。目前，項目土建部分以及主體的封頂工程已經(jīng)完成，正在進行雨污管網(wǎng)和路面的建設，內(nèi)部裝修也全面進入精裝修工程，動力站機房的建設以及廠房的裝修工程預計在9月份可完成初步試產(chǎn)動作。

圖片來源：上杭融媒

福建晶旭半導體科技有限公司是一家擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)，面向5G通信中高頻聲波濾波器晶圓及芯片材料。其技術(shù)團隊從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上處于國際領先地位。該生產(chǎn)線建成后，不僅將填補國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白，同時也對上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要推動作用 。

隨著這些項目的逐步推進和落地，第三代半導體產(chǎn)業(yè)將迎來更快速的發(fā)展，有望在能源、通信、汽車等多個領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用，為相關產(chǎn)業(yè)的升級和創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐 。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

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圖片來源：合肥芯谷微電子

芯谷微砷化鎵晶圓制造線項目于2023年啟動建設，規(guī)劃為6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線，旨在完善公司從芯片設計、晶圓制造、封裝測試到微波組件生產(chǎn)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力，推動其向IDM（垂直整合制造）模式轉(zhuǎn)型。項目投產(chǎn)后，將進一步提升芯谷微在半導體領域的競爭力，助力國產(chǎn)半導體制造技術(shù)的突破與應用落地。

芯谷微成立于2014年，總部位于合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，核心技術(shù)團隊源自美國Excelics公司及國內(nèi)外知名企業(yè)，具備近30年微波集成電路設計經(jīng)驗。芯谷微專注于微波、毫米波單片集成電路的研發(fā)與生產(chǎn)，基于砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）工藝技術(shù)，其產(chǎn)品覆蓋DC-110GHz頻段的低噪聲放大器、功率放大器、多功能芯片等，廣泛應用于電子對抗、雷達探測、軍用通信等國防軍工領域，并逐步拓展至5G毫米波通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)及醫(yī)療設備等民用市場。

2022年，芯谷微完成C輪4億元融資，由廣發(fā)乾和領投，基石資本等跟投，主要用于推動公司向IDM（垂直整合制造）模式轉(zhuǎn)型，支持技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴張。

值得注意的是，芯谷微曾在2023年5月5日正式向科創(chuàng)板提交上市申請，2023年5月至2024年4月期間經(jīng)歷多輪問詢，因財報更新兩次中止審核，此后在2024年4月17日，芯谷微及保薦人國元證券主動撤回上市申請，上交所終止審核。

（集邦化合物半導體 niko 整理）

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