近期，山西省科學技術廳發(fā)布重要通知，經(jīng)省科技廳第13次黨組（擴大）會議審議通過，同意7項省科技重大專項計劃“揭榜掛帥”（半導體與新材料領域）項目延期至2025年12月。
圖片來源：山西省科學技術廳通知截圖
此次延期的7個項目主要是半導體與新材料領域，包含三個碳化硅領域項目，分別是：
1、大尺寸4H-SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化技術研發(fā)項目，由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求，河北普興電子科技股份有限公司揭榜，項目總經(jīng)費4000萬元。
2、8英寸SiC單晶生長設備研發(fā)項目由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求，中國電子科技集團公司第二研究所揭榜，致力于研發(fā)8英寸SiC單晶生長設備，項目總經(jīng)費3000萬元。
3、SiC晶體激光誘導剝離工藝與裝備研發(fā)項目，由中國電子科技集團公司第二研究所發(fā)起需求，河北同光半導體股份有限公司揭榜，項目總經(jīng)費5000萬元。
業(yè)界指出，“揭榜掛帥”項目獲延期攻關這一舉措旨在給予科研團隊更充足的時間，全力攻克關鍵核心技術，推動山西在半導體與新材料領域?qū)崿F(xiàn)技術飛躍，助力產(chǎn)業(yè)升級。
在“雙碳”目標與半導體產(chǎn)業(yè)自主化的雙重背景下，碳化硅作為第三代半導體材料的核心代表，正成為全球科技競爭的焦點。山西作為我國傳統(tǒng)能源大省，憑借資源稟賦與戰(zhàn)略眼光，在碳化硅領域展開深度布局。
《山西省“十四五”新材料規(guī)劃》明確提出將碳化硅列為半導體材料領域的核心發(fā)展方向，提出打造500億級半導體材料產(chǎn)業(yè)集群的目標。規(guī)劃提出“三個倍增”計劃，通過技術創(chuàng)新、企業(yè)培育和集群化發(fā)展，推動碳化硅材料在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領域的規(guī)模化應用。
政策利好推動之下，山西碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，并涌現(xiàn)多家代表性廠商。
√ 山西爍科晶體有限公司構建了從碳化硅粉料制備、單晶生長到晶片加工的全流程生產(chǎn)線，率先突破4英寸、6英寸及8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術，打破了國外技術壟斷。
√ 山西中電科公司 聚焦碳化硅材料應用的關鍵裝備研發(fā)，其自主研發(fā)的碳化硅化學氣相沉積（CVD）裝備技術指標行業(yè)領先。
√ 山西天成半導體材料有限公司 注于6/8英寸碳化硅襯底材料及晶體生長裝備的研發(fā)。公司突破缺陷抑制、快速生長等關鍵技術，形成自主知識產(chǎn)權體系，產(chǎn)品性能達國內(nèi)先進水平。
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從傳統(tǒng)能源到戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，山西正以碳化硅為支點，撬動半導體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。未來，隨著8英寸及以上碳化硅材料的產(chǎn)業(yè)化加速，山西有望在全球第三代半導體競爭中占據(jù)先機，為“中國芯”注入山西力量。
（集邦化合物半導體 秦妍 整理）
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