當(dāng)前碳化硅憑借優(yōu)異性能在新能源汽車、智能電網(wǎng)等下游領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力，然而應(yīng)用于碳化硅材料生產(chǎn)核心環(huán)節(jié)的外延設(shè)備其國產(chǎn)化之路卻面臨諸多阻礙，高溫沉積均勻性設(shè)備穩(wěn)定性等核心技術(shù)長期受制于人。

面對困境，納設(shè)智能創(chuàng)始人陳炳安帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng)，顯著提升了設(shè)備工藝的均勻性，并通過與深圳先進(jìn)院成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成功將碳化硅外延設(shè)備工藝良率提升至98%。

針對進(jìn)口碳化硅外延設(shè)備耗材成本高、維護(hù)復(fù)雜的痛點(diǎn)，納設(shè)智能推出創(chuàng)新的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)，使耗材成本降低30%，同時(shí)大幅降低維護(hù)難度。

數(shù)年間，陳炳安帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)攻克技術(shù)壁壘成功研發(fā)5款化學(xué)氣相沉積設(shè)備，填補(bǔ)了國內(nèi)先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵設(shè)備的空白。

目前，納設(shè)智能的碳化硅外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)全面產(chǎn)業(yè)化。在光伏鈣鈦礦領(lǐng)域，納設(shè)智能也正全力推進(jìn)大尺寸設(shè)備研發(fā)，預(yù)計(jì)年內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品上市。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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資料顯示，蘇州固锝是國內(nèi)功率器件制造商，擁有分立半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、銷售與服務(wù)的垂直一體化IDM產(chǎn)業(yè)模式，產(chǎn)品涵蓋各類功率整流管、保護(hù)器件、小信號、橋式整流器、MOSFET、IGBT單管及模塊、SiC器件等，50多個(gè)系列、7000多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、5G通訊、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、光伏能源、AI人工智能、汽車電子等諸多領(lǐng)域。

對于上述合作，蘇州固锝表示，這將加速我國功率半導(dǎo)體技術(shù)的自主創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

此次依托聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，借助能源研究院先進(jìn)的功率半導(dǎo)體封測中試平臺資源，將有力推動蘇州固锝整合創(chuàng)新鏈，加速高端功率器件的國產(chǎn)化進(jìn)程。蘇州固锝將以十足的誠意和務(wù)實(shí)態(tài)度，與能源研究院緊密協(xié)作，在先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)、關(guān)鍵工藝開發(fā)、可靠性提升等核心領(lǐng)域深入鉆研，力求取得豐碩的創(chuàng)新成果。

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圖片來源：英飛凌官網(wǎng)截圖

氮化鎵作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其卓越的高頻、高效和高功率密度特性，在數(shù)據(jù)中心電源、電動汽車車載充電器、可再生能源逆變器以及消費(fèi)電子快速充電等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。傳統(tǒng)上，GaN器件主要在6英寸或8英寸#晶圓 上制造，限制了其成本效益和產(chǎn)能擴(kuò)張。

英飛凌此次在12英寸晶圓上成功實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)的量產(chǎn)準(zhǔn)備，意味著能夠顯著提升單片晶圓的芯片產(chǎn)出量，從而有效降低制造成本，并為市場提供更具競爭力的GaN解決方案。這不僅將加速GaN技術(shù)在現(xiàn)有應(yīng)用中的普及，也將為其進(jìn)入更廣闊的市場創(chuàng)造條件。

公司表示，此項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展得益于其在材料科學(xué)、晶圓制造工藝以及器件設(shè)計(jì)方面的深厚積累與持續(xù)投入。12英寸晶圓的導(dǎo)入將確保英飛凌能夠滿足日益增長的GaN市場需求，并鞏固其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

隨著人工智能（AI）算力需求的激增，英飛凌積極響應(yīng)，為AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提供先進(jìn)電源解決方案。英飛凌正與NVIDIA攜手，共同推動未來AI服務(wù)器機(jī)架電源架構(gòu)的變革，以實(shí)現(xiàn)高效率、可靠且可擴(kuò)展的電源轉(zhuǎn)換，此項(xiàng)合作細(xì)節(jié)已于2025年5月22日通過新聞稿公布。在電池備份單元（BBU）方面，英飛凌在近期發(fā)布的技術(shù)路線圖中，公布了新一代AI數(shù)據(jù)中心BBU解決方案發(fā)展藍(lán)圖，涵蓋從4kW到全球首款12kW的BBU電源方案。

此外，在今年的慕尼黑上海電子展上，英飛凌展示了全球最薄的硅功率晶圓（20微米），通過降低晶圓厚度將功率損耗減少15%以上，此項(xiàng)技術(shù)可廣泛應(yīng)用于包括AI在內(nèi)的多領(lǐng)域。

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圖片來源：公示截圖

公開資料顯示，該項(xiàng)目位于山東省濟(jì)南市槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，占地約153畝，總投資10億元，環(huán)保投資600萬元。項(xiàng)目將購置碳化硅晶體生長爐、切割機(jī)、研磨機(jī)等設(shè)備，開展8英寸碳化硅材料關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)，并建成相應(yīng)的制備生產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)100,000片導(dǎo)電型碳化硅晶片及48.5噸碳化硅單晶。

天岳先進(jìn)作為中國碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，近年來在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張及國際化布局方面取得了顯著進(jìn)展。

今年4月啟動的濟(jì)南8英寸碳化硅襯底項(xiàng)目，采用液相法制備技術(shù)，優(yōu)化了晶體生長界面與應(yīng)力控制，良率較傳統(tǒng)氣相法提升30%以上，單位成本下降約40%。目前，公司的8英寸襯底已通過英飛凌車載級認(rèn)證，并進(jìn)入梅賽德斯-奔馳800V高壓平臺供應(yīng)鏈，首期訂單金額達(dá)2.3億元。公司正推進(jìn)第二階段產(chǎn)能提升，目標(biāo)將總產(chǎn)能擴(kuò)至60萬片/年，重點(diǎn)布局8英寸和12英寸襯底的規(guī)模化生產(chǎn)。

財(cái)務(wù)方面，天岳先進(jìn)2024年?duì)I業(yè)收入17.68億元，同比大幅增長41.37%，歸屬于上市公司股東的凈利潤達(dá)1.79億元，成功扭虧為盈。這一業(yè)績增長得益于碳化硅半導(dǎo)體材料在下游新能源汽車、光伏、AI等應(yīng)用領(lǐng)域的加速滲透，使得碳化硅半導(dǎo)體整體市場規(guī)模不斷擴(kuò)大。進(jìn)入2025年，一季度公司實(shí)現(xiàn)營收4.1億元。盡管一季度國內(nèi)外宏觀環(huán)境復(fù)雜，拖累終端需求復(fù)蘇，碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)增長趨勢受到階段性影響，產(chǎn)品價(jià)格有所下降，但公司產(chǎn)品出貨量增長，市場份額穩(wěn)步提升。

隨著新能源汽車、光伏儲能等行業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，因其高禁帶寬度、高擊穿電場強(qiáng)度、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等特性，成為提升電力轉(zhuǎn)換效率、實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化和輕量化的關(guān)鍵材料。天岳先進(jìn)的技術(shù)突破與產(chǎn)能擴(kuò)張，將有力推動碳化硅在相關(guān)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，助力產(chǎn)業(yè)升級與綠色發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

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01、Wolfspeed 助力：輔助電源性能再升級

Wolfspeed 推出的工業(yè)級C3M0900170x和車規(guī)級E3M0900170x碳化硅MOSFET，專為20W至200W的輔助電源設(shè)計(jì)。這些產(chǎn)品基于Wolfspeed可靠的第三代碳化硅技術(shù)，并在其先進(jìn)的200mm制造工廠獨(dú)家生產(chǎn)。

圖片來源：Wolfspeed

除了傳統(tǒng)的 TO-247-3 (D) 和 TO-263-7 (J) 封裝，Wolfspeed 還新增了全塑封 TO-3PF (M) 封裝，專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)。此封裝無需絕緣熱界面材料，降低了組裝成本和錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí)，TO-3PF (M) 通過增加引腳間爬電距離至 4.85mm 并避免外露漏極板，顯著提升了產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)健性。

02、革新輔助電源：Wolfspeed 功率器件的核心優(yōu)勢

Wolfspeed的C3M和E3M SiC MOSFET技術(shù)相較于前代C2M 1700V 系列及其市場競品，實(shí)現(xiàn)了顯著的性能提升。新C3M/E3M系列的柵極電荷量大幅降低，從C2M等效器件的22nC降至僅10nC。這一優(yōu)化不僅降低了柵極驅(qū)動所需的功率，也簡化了反激式電源的啟動過程。此外，輸出電容的減少使得Eoss（輸出能量）降低了30%，從而顯著減少了開關(guān)損耗，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)效率。

圖片來源：Wolfspeed 圖為示意圖：將RG_EXT 替換為3.3V齊納二極管，以降低MOSFET柵極處的VGS

這些新一代900mΩ碳化硅MOSFET具備出色的即插即用兼容性，能無縫集成到大多數(shù)現(xiàn)有的低功耗輔助電源設(shè)計(jì)中。TO-247-3（通孔封裝）和TO-263-7（表面貼裝）封裝與現(xiàn)有的硅和碳化硅器件兼容，無需更改PCB布局或散熱器附件，從而最大限度地減少了重新設(shè)計(jì)的工作量。同時(shí)，該系列可以直接利用常見的12-15V輸出電壓軌為反激式控制器和柵極供電，無需額外的輔助繞組或變壓器分接頭來提供前代產(chǎn)品或某些競品所需的更高電壓（18-20V），進(jìn)一步簡化了電源設(shè)計(jì)。

圖片來源：Wolfspeed 采用碳化硅 MOSFET 的簡化單開關(guān)設(shè)計(jì)，節(jié)省了空間和成本

03、Wolfspeed 方案：定義輔助電源新標(biāo)準(zhǔn)

在高壓應(yīng)用中，傳統(tǒng)的硅MOSFET雖能使用，但通常因其較高的RDS(ON)而導(dǎo)致成本高昂且損耗較大。雖然雙開關(guān)反激式拓?fù)淇梢圆捎玫蛪汗杵骷?，但其設(shè)計(jì)復(fù)雜性高，且需要更多組件和空間。

相比之下，碳化硅MOSFET非常適合此類電壓等級，可輕松實(shí)現(xiàn)輔助電源應(yīng)用所需的低 RDS(ON)和低開關(guān)損耗。設(shè)計(jì)人員因此能夠采用更簡化的單開關(guān)反激式拓?fù)?，消除了雙開關(guān)設(shè)計(jì)的額外電路和復(fù)雜性，有效節(jié)省了空間和成本。Wolfspeed C3M0900170x系列直接支持12-18VGS，并通過優(yōu)化的內(nèi)部柵極電阻，能夠在高達(dá)22VGS的電路條件下穩(wěn)定運(yùn)行。對于柵極電壓高于18V的設(shè)計(jì)，可以使用齊納二極管代替外部柵極電阻，將驅(qū)動電壓調(diào)整至12-18V范圍內(nèi)。輔助電源在許多工業(yè)和汽車應(yīng)用中需長期可靠運(yùn)行。C3M/E3M系列的額定工作結(jié)溫范圍為-55°C至+175°C，確保其能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行。C3M0900170D、C3M0900170J和E3M0900170D均已通過嚴(yán)格的THB-80(HV-H3TRB)測試，即在85%濕度、85°C環(huán)境溫度下，施加1360V阻斷電壓并持續(xù)1000小時(shí)的嚴(yán)苛驗(yàn)證。

圖片來源：Wolfspeed

WolfspeedC3M/E3M系列通過優(yōu)化器件設(shè)計(jì)和縮小芯片尺寸，進(jìn)一步降低了宇宙射線引起的失效率(FIT)。與上一代產(chǎn)品相比，使用Wolfspeed第三代器件的典型1200V母線電壓反激電路，在海平面連續(xù)運(yùn)行10年后，失效率降低了65%。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：中建三局一公司

項(xiàng)目位于福建省廈門市，規(guī)劃總建筑面積達(dá)23.45萬平方米，定位為具備國際先進(jìn)水平的8英寸SiC功率器件制造平臺。建成投產(chǎn)后，將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，進(jìn)一步鞏固其在中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位，有力助推廈門市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展。

士蘭微是國內(nèi)主要的綜合型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造（IDM）企業(yè)之一，公司1997年成立，2003年3月在上海證券交易所主板上市。多年來專注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和封裝，技術(shù)水平、營業(yè)規(guī)模、盈利能力等在國內(nèi)同行中均位居前列。其在廈門已布局多個(gè)重大項(xiàng)目，如士蘭集科 “12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線” 和士蘭明鎵 “先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線”，8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目是其又一重要布局。

深耕碳化硅，產(chǎn)能突破與架構(gòu)革新雙管齊下

士蘭微在碳化硅領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，不斷取得新突破。早在2017年就開始進(jìn)行碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的逐步擴(kuò)大。2021年8月，士蘭微SiC功率器件中試線實(shí)現(xiàn)通線，并于2022年完成車規(guī)級SiC MOSFET器件的研發(fā)并向客戶送樣、開始量產(chǎn)。2022年7月，士蘭明鎵宣布建設(shè)二期項(xiàng)目，計(jì)劃新增6英寸SiC MOSFET芯片12萬片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4萬片/年的生產(chǎn)能力。2024年6月，廈門士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目開工，總投資120億，兩期建設(shè)完成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

此前4月8日，士蘭微發(fā)布公告披露相關(guān)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展。截止當(dāng)時(shí)，其士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目已形成月產(chǎn)9,000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評測，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量。而士蘭集宏8吋SiC mini line已實(shí)現(xiàn)通線，預(yù)計(jì)將在2025年4季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)，以趕上2026年車用SiC市場的快速成長。

圖片來源：士蘭微公告截圖

如今士蘭微8英寸碳化硅項(xiàng)目首臺設(shè)備的提前搬入，預(yù)示著項(xiàng)目將快速進(jìn)入設(shè)備安裝與調(diào)試階段，有望按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)通線和試生產(chǎn)。這不僅將提升士蘭微自身的市場競爭力，也將為國內(nèi)碳化硅芯片市場注入新的活力，推動新能源汽車、光伏、儲能等多個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

除了在項(xiàng)目推進(jìn)上成果斐然，士蘭微在公司內(nèi)部架構(gòu)調(diào)整方面同樣動作頻頻。6月25日，士蘭微發(fā)布公告，獨(dú)立董事何樂年因連續(xù)任職滿六年提交辭職報(bào)告，在新任選出前仍履職。在公司業(yè)務(wù)布局拓展上，士蘭微近期也有新動作。天眼查App顯示，近期廈門士蘭集華微電子有限公司正式成立，注冊資本達(dá)1000萬人民幣，由杭州士蘭微電子股份有限公司全資持股，覆蓋集成電路全業(yè)務(wù)，深化垂直整合，為發(fā)展蓄勢。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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1、芯邁半導(dǎo)體港交所IPO

近日，杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司（簡稱“芯邁半導(dǎo)體”）正式向香港交易所遞交上市申請。

圖片來源：芯邁半導(dǎo)體上市申請書截圖

這家成立于2019年的功率半導(dǎo)體公司，憑借其在電源管理IC（PMIC）和功率器件領(lǐng)域的技術(shù)積累，曾獲得了包括小米基金、寧德時(shí)代以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（“大基金二期”）等知名機(jī)構(gòu)的投資。招股書顯示，芯邁半導(dǎo)體主要采用創(chuàng)新驅(qū)動的Fab-Lite集成器件制造商(IDM)業(yè)務(wù)模式，其核心業(yè)務(wù)聚焦電源管理IC和功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。自2020年組建功率器件團(tuán)隊(duì)以來，公司在該領(lǐng)域進(jìn)展迅速，功率器件產(chǎn)品累計(jì)出貨量已突破5億顆。

在電源管理IC方面，芯邁半導(dǎo)體主要面向移動和顯示應(yīng)用提供定制化PMIC解決方案，為智能手機(jī)、顯示面板及汽車行業(yè)客戶提供電源管理服務(wù)。

在功率器件方面，芯邁半導(dǎo)體擁有全面的產(chǎn)品組合，涵蓋傳統(tǒng)硅基器件（如SJ MOSFET、SGT MOSFET）以及新興的碳化硅（SiC）MOSFET。公司憑借自主開發(fā)的工藝平臺和器件設(shè)計(jì)，旨在提供高性能產(chǎn)品。其電源解決方案應(yīng)用廣泛，包括汽車電子、電信與計(jì)算（包括AI服務(wù)器）、工業(yè)與能源，以及消費(fèi)電子產(chǎn)品等關(guān)鍵領(lǐng)域。在電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)（BMS）、通信基站、數(shù)據(jù)中心和機(jī)器人等市場，芯邁半導(dǎo)體的市場份額有所增長。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，芯邁半導(dǎo)體在近年面臨營收下滑和虧損擴(kuò)大的情況。2022年、2023年及2024年，公司營收分別為16.88億元、16.40億元、15.74億元，呈逐年減少趨勢。同期，公司年內(nèi)虧損分別為1.72億元、5.06億元、6.97億元，逐年增加。毛利率從2022年的37.4%降至2024年的29.4%，主要原因系電源管理IC產(chǎn)品收入受海外客戶需求減少影響。

報(bào)告期內(nèi)，電源管理IC產(chǎn)品貢獻(xiàn)了公司超過90%的收入，而境外市場仍為主要收入來源，占比超過68%。

據(jù)悉，芯邁半導(dǎo)體已開發(fā)并量產(chǎn)多款車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，功率覆蓋650V至1700V。這些產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動汽車的主逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器。其高壓SiC MOSFET已通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，并已進(jìn)入國內(nèi)多家新能源汽車整車廠供應(yīng)鏈。其中，某款800V SiC MOSFET已在頭部新勢力車型中實(shí)現(xiàn)批量供貨。

在先進(jìn)工藝平臺方面，芯邁半導(dǎo)體正與戰(zhàn)略合作伙伴富芯半導(dǎo)體緊密合作，共同推進(jìn)12英寸SiC晶圓制造工藝的開發(fā)與優(yōu)化。富芯半導(dǎo)體作為芯邁半導(dǎo)體的獨(dú)家產(chǎn)業(yè)投資者，已建設(shè)專為高性能PMIC與功率器件優(yōu)化的12英寸晶圓生產(chǎn)線。目前，該產(chǎn)線正進(jìn)行SiC外延生長和器件制造的良率爬坡，目標(biāo)是在2026年實(shí)現(xiàn)更大規(guī)模、更高效率的SiC器件生產(chǎn)。

此外，在市場拓展方面，芯邁半導(dǎo)體的SiC產(chǎn)品線除電動汽車外，還在積極布局工業(yè)電源、光伏逆變器和儲能系統(tǒng)市場。公司近期已與國內(nèi)某大型光伏逆變器制造商簽訂長期供貨協(xié)議，為其新一代高效逆變器提供SiC二極管和MOSFET產(chǎn)品。

2、鉅芯科技北交所IPO獲受理

6月27日，北交所正式受理了安徽鉅芯半導(dǎo)體科技股份有限公司（簡稱“鉅芯科技”）IPO申請。

圖片來源：北交所鉅芯科技IPO申請相關(guān)截圖

鉅芯科技作為一家高新技術(shù)企業(yè)，專注于半導(dǎo)體功率器件及芯片的研發(fā)、封裝測試、生產(chǎn)和銷售，尤其在光伏組件保護(hù)功率器件領(lǐng)域具備核心競爭力。

鉅芯科技的產(chǎn)品線涵蓋了多樣化的功率器件。公司主要以光伏組件保護(hù)功率器件為核心，并逐步拓展至其他應(yīng)用領(lǐng)域。其主要產(chǎn)品包括多種二極管，具體涵蓋整流二極管、快恢復(fù)二極管等。此外，該公司還生產(chǎn)廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換的整流橋堆，以及主要面向中低壓產(chǎn)品線的MOSFET。在功率模塊方面，鉅芯科技也提供光伏模塊和IGBT等產(chǎn)品。

財(cái)務(wù)方面，鉅芯科技在截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個(gè)會計(jì)年度分別實(shí)現(xiàn)收入人民幣3.51億元，5.58億元，5.64億元；毛利率分別為19.29%，21.61%，16.70%；歸母凈利潤0.27億元，0.67億元，0.55億元。從財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)來看，鉅芯科技在近年?duì)I收持續(xù)增長，但盈利能力有所波動。

截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個(gè)會計(jì)年度，公司分別實(shí)現(xiàn)收入人民幣3.51億元、5.58億元、5.64億元。同期毛利率分別為19.29%、21.61%、16.70%。歸母凈利潤分別為0.27億元、0.67億元、0.55億元。

此次IPO，鉅芯科技擬募集資金2.95億元，計(jì)劃投向以下幾個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目：特色分立器件產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目，以及補(bǔ)充流動資金。

圖片來源：鉅芯科技招股書截圖

鉅芯科技表示，此次募資旨在現(xiàn)有業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)和研發(fā)投入，以適應(yīng)未來市場需求。其中，特色分立器件產(chǎn)線項(xiàng)目將有助于提高公司在消費(fèi)電子及汽車電子類產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品質(zhì)量，從而提升市場占有率和競爭力。同時(shí)，建設(shè)研發(fā)中心將加強(qiáng)公司的科技創(chuàng)新能力和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化能力，為未來新技術(shù)、新產(chǎn)品及服務(wù)的開發(fā)奠定基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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MOCVD設(shè)備是一種以金屬有機(jī)化合物為原料，通過氣相外延生長技術(shù)來制備高質(zhì)量薄膜材料的先進(jìn)設(shè)備。其核心優(yōu)勢在于能夠在原子級別對復(fù)雜材料進(jìn)行精準(zhǔn)操控，實(shí)現(xiàn)納米級別的精度控制以及量子級別的界面調(diào)控。為了保障生長過程中材料的純度和生長的穩(wěn)定性，該設(shè)備配備了高真空環(huán)境以及高精度的溫控系統(tǒng)，從而確保薄膜材料的高質(zhì)量生長。

圖片來源：北方華創(chuàng)——圖為北方華創(chuàng)化合物半導(dǎo)體設(shè)備布局

北方華創(chuàng)自2010年啟動外延裝備研發(fā)以來，已積累了十余年的技術(shù)沉淀與創(chuàng)新突破。公司在硅薄膜外延設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從4英寸到12英寸的全覆蓋，產(chǎn)品涵蓋8英寸及以下的單片及多片大產(chǎn)能硅外延設(shè)備、12英寸硅外延設(shè)備，并累計(jì)銷售突破千腔，取得了多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化成果。

憑借在硅外延設(shè)備領(lǐng)域的深厚積累，北方華創(chuàng)積極拓展化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備研發(fā)，形成了GaN（氮化鎵）、GaAs（砷化鎵）、SiC（碳化硅）等化合物半導(dǎo)體材料外延設(shè)備的系列化產(chǎn)品，為寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展提供了關(guān)鍵的國產(chǎn)化裝備支持。

北方華創(chuàng)的GaN MOCVD外延設(shè)備Satur N800，專為8英寸硅基氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)，具備大面積均勻溫度場、穩(wěn)定氣流場、多片式大產(chǎn)能和自動化配置，滿足外延層高要求，已在國內(nèi)多家客戶穩(wěn)定運(yùn)行并批量出貨。

圖片來源：北方華創(chuàng)——圖為Satur系列MOCVD設(shè)備

GaAs MOCVD外延設(shè)備Satur V700，突破關(guān)鍵技術(shù)，具備高均勻性、大產(chǎn)能、低成本優(yōu)勢，適用于Micro LED、射頻、光電子等領(lǐng)域，已批量出貨并獲客戶重復(fù)訂單。

SiC外延設(shè)備MARS iCE115/120S，工藝調(diào)試簡單，維護(hù)便捷，迅速占領(lǐng)市場。其中MARS iCE120S兼容6/8英寸SiC外延，具備C2C能力，為SiC產(chǎn)業(yè)過渡期提供良好選擇。

根據(jù)北方華創(chuàng)2024年年度報(bào)告及2025年一季度財(cái)報(bào)顯示，北方華創(chuàng)半導(dǎo)體設(shè)備收入持續(xù)強(qiáng)勁增長。其中，SiC外延設(shè)備作為公司重要增長點(diǎn)之一，受益于新能源汽車和工業(yè)電源對SiC器件的強(qiáng)勁需求，其市場份額進(jìn)一步擴(kuò)大，獲得了多家頭部SiC制造企業(yè)的訂單及重復(fù)采購。公司產(chǎn)品，特別是MARS iCE120S在兼容6/8英寸SiC外延方面的優(yōu)勢，持續(xù)助力客戶產(chǎn)能升級。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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此次合作的核心在于正式啟動并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)先進(jìn)的200mm硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。此舉旨在顯著提升供應(yīng)鏈韌性、加速技術(shù)創(chuàng)新，并優(yōu)化成本效益，從而推動氮化鎵技術(shù)在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、太陽能以及智能手機(jī)和家電等高增長市場的廣泛應(yīng)用。

圖片來源：納微半導(dǎo)體

強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，擴(kuò)大GaN制造規(guī)模

納微半導(dǎo)體計(jì)劃利用力積電位于中國臺灣新竹竹南科學(xué)園區(qū)8B工廠的200毫米產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)。該工廠自2019年投入運(yùn)營以來，已展現(xiàn)出支持包括微型LED到射頻氮化鎵器件在內(nèi)的多種高產(chǎn)能氮化鎵制造流程的強(qiáng)大實(shí)力。

力積電憑借其先進(jìn)的180nm CMOS工藝能力，將為納微提供更小、更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。納微寬禁帶技術(shù)平臺高級副總裁Sid Sundaresan博士表示，在180nm工藝節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)200mm硅基氮化鎵，將使公司能夠持續(xù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時(shí)大幅提升成本控制、規(guī)?；芰椭圃炝悸?。

此次合作中，力積電將為納微半導(dǎo)體生產(chǎn)100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以滿足48V基礎(chǔ)設(shè)施對氮化鎵日益增長的需求，特別是針對超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車。首批器件預(yù)計(jì)將于2025年第四季度完成認(rèn)證。其中，100V系列計(jì)劃于2026年上半年在力積電率先投產(chǎn)，而650V器件將在未來12-24個(gè)月內(nèi)從納微現(xiàn)有的供應(yīng)商臺積電逐步轉(zhuǎn)由力積電代工。

行業(yè)背景顯示，納微半導(dǎo)體此前的GaN功率IC主要在臺積電的晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)，早期報(bào)道指出納微可能利用的是臺積電的6英寸晶圓廠工藝，其GaN-on-Si生產(chǎn)利用成本效益高且廣泛可用的250-350納米設(shè)備，保持了較低的制造成本。此次向力積電的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移，不僅是產(chǎn)能的擴(kuò)展，更是納微半導(dǎo)體在供應(yīng)鏈多元化、風(fēng)險(xiǎn)分散及成本效益優(yōu)化方面的重要戰(zhàn)略部署，旨在充分利用200mm晶圓生產(chǎn)的規(guī)模優(yōu)勢。

技術(shù)與市場雙驅(qū)動，賦能多領(lǐng)域創(chuàng)新

納微半導(dǎo)體近期在全球多個(gè)關(guān)鍵市場取得了顯著進(jìn)展，彰顯其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位及其廣泛的應(yīng)用潛力。

在AI數(shù)據(jù)中心與電動汽車領(lǐng)域，納微的氮化鎵與碳化硅（SiC）技術(shù)已成功助力NVIDIA 800V HVDC架構(gòu)應(yīng)用于1兆瓦以上IT機(jī)架，充分展現(xiàn)了其在大功率解決方案上的卓越能力。在太陽能方面，全球領(lǐng)先的太陽能能源解決方案公司Enphase已宣布其下一代IQ9產(chǎn)品將采用納微的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片，進(jìn)一步推動清潔能源技術(shù)的發(fā)展。

圖片來源：納微半導(dǎo)體

特別是在車載應(yīng)用領(lǐng)域，納微的高功率GaNSafe技術(shù)憑借其通過AEC-Q100和AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的旗艦產(chǎn)品，正逐步深入商用車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓DC-DC變換器等電動汽車核心應(yīng)用。此項(xiàng)技術(shù)已成功進(jìn)入長安汽車的首款商用氮化鎵車載充電器，標(biāo)志著納微車規(guī)級GaN解決方案的商業(yè)化進(jìn)程邁出了重要一步。

而在核心技術(shù)布局方面，納微半導(dǎo)體推出了GaNSense和GaNSlim等先進(jìn)技術(shù)。GaNSense技術(shù)通過將氮化鎵器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護(hù)功能集成，實(shí)現(xiàn)了無損可編程電流采樣，有效提升了能效并降低了損耗，該技術(shù)已應(yīng)用于Redmi K50冠軍版電競手機(jī)的120W氮化鎵充電器中。

而GaNSlim氮化鎵功率芯片則采用納微專利的DPAK-4L封裝，集成了智能電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，旨在打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。納微還推出了97.8%超高效的12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源，采用氮化鎵與碳化硅混合設(shè)計(jì)，符合開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）要求，以及第三代快速碳化硅MOSFETs，進(jìn)一步提升AI數(shù)據(jù)中心功率并加快電動汽車充電速度。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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此次融資主要用于公司柳州基地的產(chǎn)能擴(kuò)建、中小功率產(chǎn)品升級、多款大功率產(chǎn)品市場放量、人才引進(jìn)等，國家級基金與產(chǎn)業(yè)基金的重倉加持，將夯實(shí)颶芯科技的基礎(chǔ)，進(jìn)一步推動氮化鎵半導(dǎo)體激光芯片的國產(chǎn)化。

圖片來源：颶芯科技

颶芯科技成立于2017年7月，聚焦氮化鎵半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)與生產(chǎn)，致力于推動中國氮化鎵激光芯片的產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心器件的自主可控。作為國內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵激光芯片企業(yè)，公司以創(chuàng)新驅(qū)動為核心，在材料外延、工藝制程和先進(jìn)封裝等方面不斷突破技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)了多款自主研發(fā)產(chǎn)品的量產(chǎn)與應(yīng)用，有效提升了國產(chǎn)芯片的性能水平，打破了該領(lǐng)域?qū)Ｍ獾倪M(jìn)口依賴。

01、科學(xué)家創(chuàng)業(yè)：國產(chǎn)氮化鎵激光芯片的20年情懷

颶芯科技核心團(tuán)隊(duì)曾從事氮化鎵半導(dǎo)體激光器研究20余年，承擔(dān)了中國首個(gè)氮化鎵半導(dǎo)體激光器的863重大專項(xiàng)，2004年底在國內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)波長為405nm的脊型波導(dǎo)氮化鎵基激光器的電注入激射，為中國氮化鎵基激光器零的突破做出重要貢獻(xiàn)。

公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)由多名經(jīng)驗(yàn)豐富的博士組成，堅(jiān)持嚴(yán)謹(jǐn)認(rèn)真和自主創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)化理念，從外延的細(xì)節(jié)把控，到前道的精雕細(xì)刻，再到后道的測試分選，每一個(gè)工藝細(xì)節(jié)的錘煉，換來了產(chǎn)品良率的一次次提升。公司攻克了氮化鎵激光芯片生產(chǎn)中的八大核心技術(shù)難題，于2023年建成了國內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光芯片量產(chǎn)線，并投入實(shí)際生產(chǎn)，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)了數(shù)千萬顆芯片的穩(wěn)定出貨。

02、國產(chǎn)替代：突破海外技術(shù)封鎖，推動下游應(yīng)用快速發(fā)展

長期以來國內(nèi)市場上應(yīng)用的半導(dǎo)體激光芯片處于紅光、近紅外及更長波段，而覆蓋紫外/紫/藍(lán)/綠光波段的氮化鎵材料和激光芯片仍然處于待攻克和追趕的階段，面臨諸多挑戰(zhàn)。

氮化鎵激光器下游應(yīng)用領(lǐng)域廣闊，在激光投影、光刻與直寫、照明與指示、激光加工、生物檢測、3D打印和可見光通訊等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用，并且多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域都已經(jīng)進(jìn)入規(guī)?；帕康碾A段。氮化鎵激光器長期被國外廠家完全壟斷、沒有定價(jià)權(quán)，技術(shù)上存在卡脖子、商業(yè)上面臨斷供的風(fēng)險(xiǎn)，嚴(yán)重限制了下游許多重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。盡快實(shí)現(xiàn)氮化鎵激光芯片的國產(chǎn)替代是迫切而現(xiàn)實(shí)的需要。

03、產(chǎn)品矩陣齊全：覆蓋大、中、小功率的紫、藍(lán)、綠光激光二極管

氮化鎵激光芯片每平方厘米數(shù)百萬個(gè)缺陷導(dǎo)致光子在諧振腔中反射就好比在亞馬遜叢林中穿行一樣，容易碰撞被散射吸收，導(dǎo)致?lián)p耗，同時(shí)每一個(gè)缺陷都有可能成為漏電通道，造成氮化鎵激光芯片的擊穿，難以實(shí)現(xiàn)長壽命。因此，為了提升氮化鎵激光芯片的性能和量產(chǎn)的良率，除了對外延材料及結(jié)構(gòu)進(jìn)行不斷的研發(fā)，還需在生產(chǎn)工藝上精雕細(xì)琢。

颶芯科技8年磨一劍，具備從外延、工藝、封測的IDM全流程工程研發(fā)及量產(chǎn)能力，以研發(fā)驅(qū)動產(chǎn)品升級。2024年在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)大功率氮化鎵激光芯片批量供貨，逐步拓展產(chǎn)品矩陣，已擁有大功率、中功率、小功率的紫、藍(lán)、綠光多款氮化鎵激光芯片成熟產(chǎn)品，多元化的產(chǎn)品已成功導(dǎo)入下游客戶的多領(lǐng)域場景，推動國內(nèi)光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

圖片來源：颶芯科技

颶芯科技創(chuàng)始人、首席科學(xué)家、董事長胡曉東表示：這輪融資，颶芯科技獲得了國家基金、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方和一線投資機(jī)構(gòu)的認(rèn)可，這是對颶芯科技團(tuán)隊(duì)數(shù)十年如一日，持之以恒，埋頭做事的肯定。這輪融資金額較大，給颶芯科技充足的資金，推動企業(yè)自身的高速發(fā)展，進(jìn)一步加快氮化鎵激光芯片國產(chǎn)化的進(jìn)程，實(shí)現(xiàn)颶芯科技做實(shí)、做好、做大、做強(qiáng)的目標(biāo)，為國家強(qiáng)盛和社會發(fā)展做出實(shí)際貢獻(xiàn)。

颶芯科技創(chuàng)始人、總經(jīng)理宗華表示：本輪融資標(biāo)志著颶芯科技產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程進(jìn)入全面加速階段。過去一年，我們的產(chǎn)品在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域成功替代進(jìn)口，不僅驗(yàn)證了技術(shù)路線的成熟可靠，更彰顯了團(tuán)隊(duì)將實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)新轉(zhuǎn)化為規(guī)模量產(chǎn)的核心能力。依托本土化服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，我們能為客戶提供從產(chǎn)品導(dǎo)入到量產(chǎn)落地的全周期快速響應(yīng)——這種貼身服務(wù)優(yōu)勢是國際廠商難以復(fù)制的。面向未來，颶芯科技將持續(xù)深化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，突破更多應(yīng)用領(lǐng)域，加速完成從技術(shù)追趕到產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)的關(guān)鍵跨越。

深創(chuàng)投團(tuán)隊(duì)指出：深創(chuàng)投新材料基金作為國家制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級基金的特定投資載體，肩負(fù)著推動我國新材料產(chǎn)業(yè)“鍛長板、補(bǔ)短板”的重要戰(zhàn)略使命。氮化鎵激光芯片及關(guān)鍵材料，長期被海外企業(yè)壟斷，技術(shù)壁壘高，國產(chǎn)替代需求緊迫，是我們的重點(diǎn)關(guān)注領(lǐng)域。颶芯科技核心團(tuán)隊(duì)在氮化鎵領(lǐng)域深耕20余年，技術(shù)底蘊(yùn)深厚，且率先在國內(nèi)實(shí)現(xiàn)氮化鎵激光芯片量產(chǎn)，有力推動了氮化鎵半導(dǎo)體激光器的國產(chǎn)替代進(jìn)程。深創(chuàng)投新材料基金愿全力支持諸如颶芯科技這樣的優(yōu)秀企業(yè)，持續(xù)為之提供資源與助力，推動產(chǎn)業(yè)升級，為我國新材料產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。

國風(fēng)投投資方表示：氮化鎵激光芯片是顯示、照明、制造加工等多領(lǐng)域的核心光電器件，具有廣闊的應(yīng)用場景?；谕怀龅募夹g(shù)壁壘和行業(yè)Knowhow，多年來國內(nèi)市場基本被國外企業(yè)所壟斷。颶芯科技作為國內(nèi)氮化鎵激光芯片的技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)，率先實(shí)現(xiàn)了大功率氮化鎵激光芯片的批量出貨。國風(fēng)投基金投資颶芯科技，就是要發(fā)揮國家級基金的引領(lǐng)作用，瞄準(zhǔn)我國“卡脖子”技術(shù)薄弱環(huán)節(jié)，堅(jiān)定不移支持企業(yè)開展關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，努力改變國內(nèi)產(chǎn)業(yè)受制于人的狀況，為提高我國高端光電產(chǎn)業(yè)的自主可控、加快新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展做出應(yīng)有貢獻(xiàn)。

廣發(fā)信德投資方表示：珠三角擁有發(fā)達(dá)的電子供應(yīng)鏈，激光芯片終端客戶眾多，這些終端客戶創(chuàng)新不斷，既有存量，又有增量，能提供給國產(chǎn)激光芯片廠商嘗試的機(jī)會。颶芯科技的青年創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)學(xué)習(xí)能力極強(qiáng)又深扎一線，能快速捕捉市場機(jī)遇，又能打磨出符合客戶需求的產(chǎn)品，八年來帶領(lǐng)颶芯不斷成長，贏得了市場和客戶的信賴與贊譽(yù)。我們非?？春蔑Z芯能夠引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展，將來為國家科技自主可控和產(chǎn)業(yè)升級貢獻(xiàn)更大力量。

盛景嘉成投資方表示：盛景嘉成致力于具有頂尖技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化實(shí)力的科技企業(yè)投資。氮化鎵激光芯片由于其高技術(shù)壁壘量產(chǎn)難度大，長期被國外企業(yè)壟斷。颶芯科技團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域具有20余年技術(shù)研發(fā)積累，突破了氮化鎵同質(zhì)外延、激光芯片制造關(guān)鍵核心技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)大批量出貨，隨著氮化鎵激光器國產(chǎn)替代需求日益迫切，公司業(yè)務(wù)進(jìn)入快速增長階段。我們堅(jiān)定看好颶芯科技發(fā)展前景，期待成為全球領(lǐng)先的氮化鎵激光器龍頭企業(yè)。

荷塘創(chuàng)投投資方表示：我們一直關(guān)注氮化鎵激光產(chǎn)業(yè)鏈，并圍繞上下游來布局，颶芯科技作為IDM企業(yè)，創(chuàng)新性地解決了氮化鎵激光芯片國產(chǎn)卡脖子的難題。作為老股東，一路見證公司攻克研發(fā)、工程化難題，并實(shí)現(xiàn)了規(guī)?；慨a(chǎn)。此輪融資后，公司將會更上一個(gè)臺階，進(jìn)入新的發(fā)展階段。

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