CSEAC以“專(zhuān)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化、國(guó)際化”為宗旨，是我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料領(lǐng)域最具知名度的年度性展會(huì)，集“技術(shù)交流、展覽展示、產(chǎn)品發(fā)布、經(jīng)貿(mào)洽談、國(guó)際合作及市場(chǎng)拓展”于一體的產(chǎn)業(yè)盛宴。今年呈現(xiàn)五大亮點(diǎn)：

亮點(diǎn)一：規(guī)模盛大，映射中國(guó)半導(dǎo)體勢(shì)不可擋

CSEAC 2025 規(guī)劃晶圓制造設(shè)備、封測(cè)設(shè)備、核心部件、材料等主題展區(qū)，展覽面積超60000m2，1000+企業(yè)參展，展商數(shù)量同比增長(zhǎng)40%以上。展覽面積的擴(kuò)增、展商數(shù)量的增長(zhǎng)，映射出設(shè)備與部件產(chǎn)業(yè)在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高熱度及當(dāng)下國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)。

圖源：CSEAC 2024

亮點(diǎn)二：以國(guó)際化視野促進(jìn)全球產(chǎn)業(yè)合作

立足國(guó)際視野，與全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心區(qū)域的機(jī)構(gòu)及企業(yè)互聯(lián)互動(dòng)。本屆展會(huì)目前已有來(lái)自歐洲、亞太等22個(gè)國(guó)家和地區(qū)的150多家海外企業(yè)主動(dòng)參展。“全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈合作論壇”將集結(jié)來(lái)自全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人物與權(quán)威技術(shù)專(zhuān)家，通過(guò)主題演講、圓桌對(duì)話(huà)等方式，聚焦芯片制造、第三代半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域。

亮點(diǎn)三：同期專(zhuān)業(yè)論壇，解碼行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)

展會(huì)同期將舉辦18場(chǎng)專(zhuān)業(yè)論壇，包括主旨論壇、專(zhuān)題分論壇及圓桌對(duì)話(huà)、企業(yè)上下游對(duì)接、新品發(fā)布等活動(dòng)，力求全方位呈現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革新與生態(tài)活力。

“主旨論壇”邀請(qǐng)重量級(jí)嘉賓和專(zhuān)家，共話(huà)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和未來(lái)挑戰(zhàn)，分享行業(yè)視野和前瞻性戰(zhàn)略思考。“董事長(zhǎng)論壇”匯聚數(shù)十位半導(dǎo)體企業(yè)領(lǐng)袖同臺(tái)論道，釋放“芯”聲，引領(lǐng)變革。“專(zhuān)題論壇”緊扣產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)，廣泛邀請(qǐng)?jiān)O(shè)備、材料及部件和供應(yīng)鏈管理企業(yè)，以及科研、咨詢(xún)機(jī)構(gòu)參與，圍繞制造工藝與半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)發(fā)展、半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件投融資、設(shè)備儀器賦能科研教學(xué)等關(guān)鍵問(wèn)題和熱點(diǎn)話(huà)題展開(kāi)深入探討，全方位覆蓋產(chǎn)業(yè)核心領(lǐng)域。

此外，展會(huì)同期還將舉辦第十七屆集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇（CIPA 2025）暨長(zhǎng)三角集成電路先進(jìn)封裝發(fā)展論壇、2025集成電路（無(wú)錫）創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)（ICIDC）。

CSEAC 2025 目前所設(shè)論壇包括：

CSEAC 2025 論壇演講招募中，歡迎聯(lián)系組委會(huì)報(bào)名。

亮點(diǎn)四：產(chǎn)學(xué)研共融，賦能行業(yè)人才生態(tài)建設(shè)

本屆展會(huì)深度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)人才生態(tài)體系構(gòu)建，特別規(guī)劃高校成果展示專(zhuān)區(qū)及產(chǎn)教融合系列活動(dòng)，力求打通人才培養(yǎng)、科研創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)需求之間的壁壘，助推行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。屆時(shí)，全國(guó)近30所高校將與相關(guān)參展企業(yè)對(duì)接舉辦現(xiàn)場(chǎng)招聘會(huì)，其中有超80家展商將現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布招聘信息。

亮點(diǎn)五：集中釋放舉辦地集群發(fā)展機(jī)遇

無(wú)錫，是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)，同時(shí)也是長(zhǎng)三角地區(qū)重要核心城市，構(gòu)建了從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試以及支撐產(chǎn)業(yè)（設(shè)備和材料）等完整產(chǎn)業(yè)鏈，匯聚了SK 海力士、華潤(rùn)微、華虹無(wú)錫、長(zhǎng)電科技、盛合晶微、力芯微、卓勝微等企業(yè)，產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)顯著。

CSEAC 2025 選址無(wú)錫，讓產(chǎn)業(yè)界人士更好了解產(chǎn)業(yè)集聚優(yōu)勢(shì)，展會(huì)“磁場(chǎng)”吸引產(chǎn)業(yè)要素匯聚，30余所高校、80多家展商校企對(duì)接，進(jìn)一步放大集聚效應(yīng)，“上下樓即上下游”的高效協(xié)作，為參展企業(yè)和行業(yè)人士搭建更優(yōu)質(zhì)的交流合作平臺(tái)，幫助企業(yè)搶灘新賽道、提升競(jìng)爭(zhēng)力。

CSEAC堅(jiān)持“專(zhuān)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化、國(guó)際化”辦展宗旨，10多年來(lái)與眾多專(zhuān)家、學(xué)者、設(shè)備商一道，共同鑄就了CSEAC的專(zhuān)業(yè)性和影響力。

太湖之畔 盛會(huì)如期

9月4日-6日，攜手見(jiàn)證

這場(chǎng)年度性中國(guó)半導(dǎo)體盛宴！

提前預(yù)登記 抽驚喜好禮

禮品：京東卡、藍(lán)牙耳機(jī)、Apple Watch、華為平板電腦

即日起，已報(bào)名觀眾參與抽獎(jiǎng)規(guī)則如下：

轉(zhuǎn)發(fā)：朋友圈所有人可見(jiàn) / 5個(gè)以上行業(yè)社群

抽獎(jiǎng)：共兩輪，越早報(bào)名中獎(jiǎng)率越高

領(lǐng)獎(jiǎng)：憑有效轉(zhuǎn)發(fā)頁(yè)，現(xiàn)場(chǎng)禮品領(lǐng)取處領(lǐng)取

咨詢(xún)：avian.zhang@cseac.org.cn

△ 請(qǐng)掃上方二維碼，進(jìn)入報(bào)名預(yù)登記頁(yè)面 △

聯(lián)系我們/Contact us

021-61009295

avian.zhang@cseac.org.cn

全球政治經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)持續(xù)攀升，產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈格局加速重構(gòu)，我國(guó)電子信息制造業(yè)還需持續(xù)加快產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級(jí)進(jìn)程，不斷提高創(chuàng)新效能，著力打造協(xié)同發(fā)展產(chǎn)業(yè)生態(tài)，保障產(chǎn)業(yè)“十四五”順利收官。根據(jù)Gartner發(fā)布的《2025年十大戰(zhàn)略技術(shù)趨勢(shì)》報(bào)告，認(rèn)為人工智能、空間計(jì)算、人形機(jī)器人等領(lǐng)域預(yù)計(jì)將有更多生產(chǎn)、生活應(yīng)用場(chǎng)景加快落地，為全球經(jīng)濟(jì)帶來(lái)新的活力和增長(zhǎng)點(diǎn)。

為順應(yīng)發(fā)展浪潮和和漸增的市場(chǎng)需求，NEPCON ASIA 2025展會(huì)規(guī)模再升級(jí)，自動(dòng)化規(guī)模直接翻番！10月28-30日，誠(chéng)邀您于深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安）共襄盛舉。屆時(shí)預(yù)計(jì)吸引7萬(wàn)名亞洲全品類(lèi)電子生產(chǎn)企業(yè)買(mǎi)家，助力客戶(hù)高效捕捉新商機(jī)，拓展新領(lǐng)域，精準(zhǔn)對(duì)接新客戶(hù)，促成產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度商業(yè)合作，全面提升亞洲電子制造企業(yè)的全球競(jìng)爭(zhēng)力。

即刻預(yù)登記立省100元入場(chǎng)門(mén)票

乘風(fēng)破浪，“新”機(jī)無(wú)限：百款新品首發(fā)+高增長(zhǎng)+新賽道

隨著新技術(shù)、新熱點(diǎn)的加速涌現(xiàn)，電子信息制造業(yè)作為新質(zhì)生產(chǎn)力核心產(chǎn)業(yè)，高端化、智能化發(fā)展趨勢(shì)將愈加明顯。NEPCON ASIA 2025全面展示表面貼裝、測(cè)試測(cè)量、焊接點(diǎn)膠噴涂、半導(dǎo)體封測(cè)、自動(dòng)化、周邊配套設(shè)備等電子制程關(guān)鍵環(huán)節(jié)的數(shù)百種新品及解決方案，預(yù)計(jì)匯聚雅馬哈、韓華、富士、庫(kù)爾特、銳德、田村、高迎、德律、神州、日聯(lián)、安達(dá)、軸心等超600家領(lǐng)先展商同臺(tái)競(jìng)技，屆時(shí)預(yù)計(jì)將吸引來(lái)自汽車(chē)電子、半導(dǎo)體、新能源等高增長(zhǎng)領(lǐng)域的近萬(wàn)名新買(mǎi)家及200+OAST及IDM企業(yè)。新機(jī)涌動(dòng)之下，NEPCON ASIA預(yù)計(jì)重點(diǎn)邀約低空飛行、具身機(jī)器人、人工智能三大新賽道的2000位新買(mǎi)家，為企業(yè)提供了在新賽道上層層曝光的絕佳機(jī)會(huì)，助力企業(yè)突破重圍，拓展藍(lán)海商機(jī)！

出圈展區(qū)，助力破局：自動(dòng)化+AI+低空飛行+具身智能機(jī)器人+半導(dǎo)體

多個(gè)出圈展區(qū)驚艷亮相！集產(chǎn)業(yè)鏈資源，融前沿技術(shù)，從封裝測(cè)試工藝線(xiàn)呈現(xiàn)、柔性生產(chǎn)制造、成品組裝、終端應(yīng)用核心零部件及整體展示，為廣大觀眾及展商多領(lǐng)域、全維度領(lǐng)略前沿科技及設(shè)備的魅力，現(xiàn)場(chǎng)高端沙龍助力企業(yè)探索科技未來(lái)、把握發(fā)展先機(jī)的關(guān)鍵起點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)破局！

AI智能眼鏡拆解區(qū)

圍繞“全維度解構(gòu)·透視未來(lái)視界”為主題，以沉浸式產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)矩陣，深度聚焦AR/VR/AI眼鏡領(lǐng)域從核心器件到終端應(yīng)用的全鏈路創(chuàng)新，通過(guò)“硬件拆解+技術(shù)解碼+生態(tài)對(duì)話(huà)”三維模式，立體呈現(xiàn)智能眼鏡產(chǎn)業(yè)的技術(shù)底層邏輯與發(fā)展趨勢(shì)。

柔性生產(chǎn)制造及智能輸送主題展區(qū)

聚焦在3C電子、新能源、半導(dǎo)體、汽車(chē)電子、顯示面板等高增長(zhǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的小批量多品種解決方案，綜合展示柔性生產(chǎn)制造的前沿技術(shù)與設(shè)備，助力電子制造生產(chǎn)線(xiàn)的效率躍升和品質(zhì)管控。

NEPCON 低空飛行核心零部件拆解區(qū)

全面展示傳感器模塊、通信模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊、電池管理系統(tǒng)等核心零部件，更直觀地了解新領(lǐng)域的企業(yè)需求和產(chǎn)品特點(diǎn)，不斷探索新的技術(shù)解決方案，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展與技術(shù)進(jìn)步。

NEPCON 具身智能機(jī)器人及核心部件拆解區(qū)

以工業(yè)場(chǎng)景演示+機(jī)器人演示區(qū)為核心，聚焦核心控制單元、傳感器模塊、執(zhí)行器與驅(qū)動(dòng)器、電源管理模模塊等核心部位控制電路組合展示，配套專(zhuān)業(yè)沙龍將深度解碼前沿課題，助力企業(yè)深入洞察新賽道趨勢(shì)，贏取發(fā)展新高地。

電子成品自動(dòng)化包裝示范區(qū)

根據(jù)Fortune Business Insights，全球包裝自動(dòng)化市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)2025年達(dá)782.7億美元，到2032年達(dá)到1346.5億美元。目前，頭部電子制造商已實(shí)現(xiàn)較高的自動(dòng)化水平，然而，在數(shù)量龐大的中小型電子企業(yè)和代工廠中，包裝環(huán)節(jié)的自動(dòng)化程度仍有待提升。在此背景下，示范區(qū)綜合展示自動(dòng)化技術(shù)在成品包裝各環(huán)節(jié)中的優(yōu)質(zhì)設(shè)備與技術(shù)，旨在精準(zhǔn)把握市場(chǎng)中龐大的存量改造需求及增量需求，助力行業(yè)加速邁向自動(dòng)化包裝的新階段。

lGBT & SiC模塊封測(cè)工藝示范線(xiàn)

升級(jí)打造“IGBT & SiC模塊封測(cè)工藝示范線(xiàn)”，通過(guò)實(shí)景產(chǎn)線(xiàn)完整呈現(xiàn)封裝測(cè)試核心環(huán)節(jié)，直觀展示50+關(guān)鍵設(shè)備的工藝段串聯(lián)。這種沉浸式技術(shù)展示預(yù)計(jì)將吸引200余家封測(cè)廠商及IDM企業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)深度參與，供需雙方將在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行工藝難點(diǎn)拆解與技術(shù)升級(jí)探討。

真知灼見(jiàn)，深層賦能，：40場(chǎng)會(huì)議活動(dòng)，場(chǎng)場(chǎng)必看！

2025會(huì)議計(jì)劃涵蓋先進(jìn)電子制造、集成電路及先進(jìn)封測(cè)、功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用、具身智能機(jī)器人、人工智能、汽車(chē)電子、低空飛行、機(jī)器視覺(jué)、柔性制造等熱門(mén)話(huà)題，擬邀業(yè)界權(quán)威專(zhuān)家、頭部企業(yè)代表、行業(yè)協(xié)會(huì)負(fù)責(zé)人等嘉賓代表，為不同領(lǐng)域的觀眾提供不同領(lǐng)域的前沿思考與借鑒。

針對(duì)深入開(kāi)拓海外的市場(chǎng)需求，SMTA華南高科技技術(shù)工作坊特邀中、美、日、泰等多地技術(shù)專(zhuān)家，深入分析全球化視角下的電子制造技術(shù)發(fā)展與升級(jí)。

打開(kāi)格局，掘金全球：工廠參觀+專(zhuān)場(chǎng)采配+海外沙龍

東南亞、中東等新興市場(chǎng)的電子制造行業(yè)進(jìn)入快速增長(zhǎng)階段，國(guó)內(nèi)品牌企業(yè)把新興市場(chǎng)開(kāi)拓做為“中國(guó)制造”電子產(chǎn)品“走出去”的戰(zhàn)略重點(diǎn)，快速提升國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。NEPCON ASIA 2025重點(diǎn)擬邀來(lái)自泰國(guó)、越南、馬來(lái)西亞、印尼等國(guó)家的預(yù)計(jì)1,800名海外電子制造企業(yè)買(mǎi)家，同時(shí)通過(guò)與VEIA越南電子行業(yè)協(xié)會(huì)、印尼電子協(xié)會(huì)、泰國(guó)分包促進(jìn)協(xié)會(huì)等海外協(xié)會(huì)和媒體深度協(xié)作，開(kāi)展工廠參觀、專(zhuān)場(chǎng)采配、海外沙龍等國(guó)家日系列活動(dòng)，無(wú)異于成為促進(jìn)中外電子制造行業(yè)交流融合的關(guān)鍵紐帶。

展位即將售罄，立即行動(dòng)！
新領(lǐng)域，新買(mǎi)家，新趨勢(shì)，新技術(shù)……
一站集結(jié)NEPCON ASIA 2025，
鏈接全球產(chǎn)業(yè)鏈資源，
這里有600家領(lǐng)先展商，7萬(wàn)+專(zhuān)業(yè)觀眾，
1,800+國(guó)際買(mǎi)家，200位行業(yè)大咖，
40場(chǎng)高端論，
深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安）10月28-30日與您相約鵬程！

參展請(qǐng)聯(lián)系
谷冰蓉 女士
電話(huà)：+86 21 2231 7010
郵箱：julia.gu@rxglobal.com

參觀請(qǐng)聯(lián)系
孫梅 女士
電話(huà)：400 650 5611
郵箱：mei.sun@rxglobal.com

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

2025年4月23-25日，第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。本屆展會(huì)以“激活未來(lái)”為主題，圍繞化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)、產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)及未來(lái)應(yīng)用展開(kāi)深度探討。

即日起注冊(cè)觀展

參與抽獎(jiǎng)贏取微信紅包、京東E卡等好禮

還可填寫(xiě)郵寄地址

享免費(fèi)郵寄服務(wù)提前獲取觀展證

為您的觀展之旅提供便利

紅包抽獎(jiǎng)＆觀展證郵寄領(lǐng)取攻略

第一步：注冊(cè)觀展——掃碼填寫(xiě)相關(guān)資料完成2025CSE的參觀展會(huì)注冊(cè)。

第二步：進(jìn)入抽獎(jiǎng)通道＆郵寄證件

• 成功注冊(cè)后，點(diǎn)擊電子憑證界面上的“點(diǎn)擊抽獎(jiǎng)”(如下所示），即可進(jìn)入抽獎(jiǎng)環(huán)節(jié)。
• 同時(shí)您還可以在4月3日前，點(diǎn)擊 “填寫(xiě)郵寄地址”，享受免費(fèi)郵寄觀展證服務(wù)，為您的觀展之旅提供便利。

抽獎(jiǎng)規(guī)則：

1.即刻起至2025年4月1日，注冊(cè)即可獲得一次抽獎(jiǎng)機(jī)會(huì)，現(xiàn)金紅包秒到賬。

2.京東購(gòu)物卡中獎(jiǎng)?wù)?，可憑中獎(jiǎng)頁(yè)面至光谷科技會(huì)展中心觀眾服務(wù)處領(lǐng)取，不可代領(lǐng)。

領(lǐng)取時(shí)間：2025年4月23-25日12時(shí)。

*獎(jiǎng)品數(shù)量有限，先到先得，領(lǐng)完為止。

2025CSE介紹

本屆化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)展覽面積首次超過(guò)2萬(wàn)平方米，共設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料及原輔料、終端應(yīng)用、加工制造、前沿技術(shù)與創(chuàng)新成果6大展區(qū)，擬邀展商數(shù)量超過(guò)300家，完整呈現(xiàn)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新圖譜。同時(shí)，現(xiàn)場(chǎng)還精心打造超充、功率器件、未來(lái)產(chǎn)業(yè)、未來(lái)藝術(shù)等多個(gè)特色展區(qū)，集中展示關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù)。目前展會(huì)已匯聚10國(guó)200+頂尖企業(yè)，覆蓋設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)、制造及終端應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈，中國(guó)汽車(chē)工業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)東風(fēng)汽車(chē)集團(tuán)，以及本土FAB龍頭三安、英諾賽科、方正微電子、華芯半導(dǎo)體等均已確認(rèn)參展。

九峰山論壇是聚焦化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的高峰論壇，攜手全球相關(guān)領(lǐng)域權(quán)威科研機(jī)構(gòu)、領(lǐng)軍企業(yè)及行業(yè)專(zhuān)家代表，旨在分享行業(yè)前沿技術(shù)與資訊，積極推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域科學(xué)技術(shù)進(jìn)步，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同，共同探索化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。通過(guò)定向邀約與公開(kāi)征集審核的方式，目前已有超130份高質(zhì)量報(bào)告確認(rèn)，首批重磅演講嘉賓也正式公布。

聚焦科技、產(chǎn)業(yè)、文化三大維度，2025CSE同期活動(dòng)將匯聚國(guó)內(nèi)外頂尖專(zhuān)家、產(chǎn)業(yè)鏈頭部企業(yè)、科研院所及投資機(jī)構(gòu)，圍繞材料、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、測(cè)試驗(yàn)證、應(yīng)用生態(tài)等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)展開(kāi)深度探討，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的深度融合，為行業(yè)可持續(xù)發(fā)展注入新動(dòng)能。

此外，科技與文化專(zhuān)題交流會(huì)、CSE光谷科技人文游（CSE City Walk）等一系列城市文化活動(dòng)，將見(jiàn)證科技、產(chǎn)業(yè)與文化的完美相逢！

結(jié)合本次展會(huì)覆蓋的產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)與行業(yè)熱點(diǎn)話(huà)題，現(xiàn)場(chǎng)還將舉辦多場(chǎng)展邊會(huì)，包括電動(dòng)汽車(chē)超充大會(huì)、PCIM功率器件論壇、半導(dǎo)體出海論壇、華為數(shù)字能源大會(huì)等，同時(shí)還有Yole行業(yè)分析報(bào)告的重磅發(fā)布以及LightCounting高級(jí)分析師分享聚焦人工智能的光通信市場(chǎng)主題研究報(bào)告，干貨滿(mǎn)滿(mǎn)，值得期待！

誠(chéng)邀各界人士共襄盛舉

共赴產(chǎn)業(yè)新征程

開(kāi)啟化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展新篇章

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，本屆慕尼黑上海電子展匯聚了英飛凌、德州儀器、湖南三安半導(dǎo)體、泰科天潤(rùn)、華潤(rùn)微、英諾賽科、鎵未來(lái)、平偉實(shí)業(yè)、飛锃半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、捷捷微電、聚能創(chuàng)芯、清純半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、矽力杰半導(dǎo)體、杰平方半導(dǎo)體、芯達(dá)茂微電子、方正微電子、氮矽科技、納芯微、瞻芯電子、揚(yáng)杰科技、東科半導(dǎo)體、國(guó)基南方、能華半導(dǎo)體、愛(ài)仕特、威兆半導(dǎo)體、中微半導(dǎo)體、晶彩科技、蓉矽半導(dǎo)體、宇騰電子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、翠展微電子、Vishay威世科技、Qorvo等眾多第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN在電子行業(yè)豐富多樣的應(yīng)用案例，彰顯了第三代半導(dǎo)體對(duì)于電子行業(yè)發(fā)展的巨大推動(dòng)作用，各大廠商亮點(diǎn)展品匯總?cè)缦拢?/p>

三安半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，三安半導(dǎo)體帶來(lái)了8英寸SiC襯底/外延、SiC二極管、SiC MOSFET等各類(lèi)產(chǎn)品。

三安半導(dǎo)體擁有完備的SiC二極管產(chǎn)品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同電壓電流平臺(tái)，累計(jì)出貨量2億顆，目前已迭代至第5代產(chǎn)品。三安半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋650V-1700V、8mΩ-1Ω范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏儲(chǔ)能、車(chē)載充電機(jī)、充電樁、電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等。

此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET產(chǎn)品，三安半導(dǎo)體自主設(shè)計(jì)了高壓反激電源參考板demo，分為直插焊接式和IMS插拔式兩個(gè)版本，具有高效率、小體積、高功率密度等特點(diǎn)。

英飛凌

在本屆展會(huì)，英飛凌帶來(lái)了覆蓋工業(yè)、光伏儲(chǔ)能、智能家居、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的圍繞第三代半導(dǎo)體的最新產(chǎn)品及解決方案。

在電動(dòng)汽車(chē)展區(qū)，英飛凌進(jìn)行了一系列技術(shù)演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDrive驅(qū)動(dòng)芯片1EDI30XX、無(wú)磁芯電流傳感器等。

在功率電源領(lǐng)域，英飛凌六月最新推出的中壓CoolGaN器件也亮相本屆展會(huì)，英飛凌還展出了基于中壓氮化鎵的2KW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)解決方案。

德州儀器

本屆展會(huì)，在能源基礎(chǔ)設(shè)施方面，德州儀器（TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太陽(yáng)能系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)的基于氮化鎵的1.6kW雙向微型逆變器參考設(shè)計(jì)（TIDA-010933），以及采用TI氮化鎵LMG2100R044、搭載TI第三代C2000 TMS320F280039C的正浩創(chuàng)新（EcoFlow）800W車(chē)載超充。

在機(jī)器人領(lǐng)域，TI展示了適用于機(jī)器人和伺服驅(qū)動(dòng)器的三相GaN逆變器，以及專(zhuān)為BLDC電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的先進(jìn)650V三相GaN IPM。

泰科天潤(rùn)

本屆展會(huì)，泰科天潤(rùn)帶來(lái)了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合單管、SiC 2in1半橋模塊等各類(lèi)產(chǎn)品。

其1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達(dá)3.6V，能夠顯著降低橋臂短路風(fēng)險(xiǎn)。雪崩能量超過(guò)1000mJ，擊穿電壓超過(guò)1500V以上，保障了器件在應(yīng)用過(guò)程中安全可靠的運(yùn)行。此外，其導(dǎo)通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內(nèi)同行相比更確保在高溫運(yùn)行時(shí)依舊具有較低的導(dǎo)通損耗。

目前，泰科天潤(rùn)1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經(jīng)應(yīng)用在大功率充電模塊上，累計(jì)經(jīng)受了88萬(wàn)小時(shí)的電動(dòng)汽車(chē)充電實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用，包括夏季戶(hù)外高溫場(chǎng)景，累計(jì)為新能源汽車(chē)進(jìn)行了800多萬(wàn)度電的超快充電。

泰科天潤(rùn)還展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半橋模塊，致力于打造低成本SiC模塊解決方案。該模塊具備高電壓耐受力、快速開(kāi)關(guān)速度、NTC溫度監(jiān)控、簡(jiǎn)化研發(fā)設(shè)計(jì)、提高功率密度、內(nèi)部絕緣設(shè)計(jì)等特點(diǎn)。

英諾賽科

本屆展會(huì)，英諾賽科在產(chǎn)品方面重點(diǎn)展示了VGaN雙向?qū)ㄏ盗挟a(chǎn)品、SolidGaN合封系列產(chǎn)品等。

應(yīng)用方案也比以往更加豐富，英諾賽科此次在展臺(tái)展示了用于光伏與儲(chǔ)能場(chǎng)景的2kW微逆方案、3kW雙向儲(chǔ)能方案，用于數(shù)據(jù)中心的2kW PSU電源模塊方案、1kW DCDC模塊電源，用于汽車(chē)電子的2kW 400V DC/DC方案，用于消費(fèi)與家電的240W LED驅(qū)動(dòng)方案，500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案以及4kW PFC（空調(diào)）方案。

揚(yáng)杰科技

本屆展會(huì)，揚(yáng)杰科技帶來(lái)了最新系列產(chǎn)品和全面應(yīng)用解決方案。

其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各類(lèi)新品在變頻器、充電樁充電模塊、光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器等場(chǎng)景中的應(yīng)用解決方案。

東科半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，東科半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對(duì)稱(chēng)半橋系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一設(shè)計(jì)，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅(qū)動(dòng)+半橋GAN器件，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的總線(xiàn)控制功能，提供卓越的性能和效率。

在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領(lǐng)域，東科半導(dǎo)體還帶來(lái)了全合封QR-LOCK AC-DC電源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。產(chǎn)品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開(kāi)關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路。

國(guó)基南方

本屆展會(huì)，國(guó)基南方帶來(lái)了SiC功率器件與模塊、FRED器件、OLED微顯示器件與模組、AR眼鏡、紫外探測(cè)成像組件、GaN/GaAs射頻芯片和模塊、聲表濾波器、射頻開(kāi)關(guān)、封裝管殼與掩膜版等多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通信基站、移動(dòng)終端、新能源汽車(chē)、風(fēng)光發(fā)電與儲(chǔ)能、智能穿戴、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、低空飛行器、高壓電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

晶彩科技

本屆展會(huì)，晶彩科技帶來(lái)了第三代半導(dǎo)體SiC單晶專(zhuān)用的多晶粉體、高純碳粉、高純石墨件、高純石墨氈等多款產(chǎn)品。

晶彩科技半導(dǎo)體級(jí)3C晶型大顆粒SiC多晶粉主要針對(duì)SiC單晶不同生長(zhǎng)工藝特殊的需求，粒徑可達(dá)百微米，屬于國(guó)內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)，產(chǎn)品純度達(dá)到6N。

其中，半絕緣型半導(dǎo)體級(jí)SiC多晶粉主要針對(duì)半絕緣型SiC單晶的生長(zhǎng)需求，粒徑可實(shí)現(xiàn)百微米到毫米級(jí)精準(zhǔn)控制，產(chǎn)品純度可達(dá)到6N和6.8N兩個(gè)級(jí)別，氮含量低于0.5ppm；導(dǎo)電型半導(dǎo)體級(jí)SiC多晶粉主要針對(duì)導(dǎo)電型SiC單晶的生長(zhǎng)需求，粒徑和產(chǎn)品純度與半絕緣型半導(dǎo)體級(jí)SiC多晶粉相當(dāng)，氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)類(lèi)型。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，蓉矽半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了SiC MOSFET/二極管EJBS，以及光伏逆變器、新型儲(chǔ)能方案、直流充電樁和新能源汽車(chē)等領(lǐng)域應(yīng)用解決方案。

在光伏逆變器主拓?fù)鋺?yīng)用中，蓉矽半導(dǎo)體工規(guī)級(jí)NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于硅基二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開(kāi)關(guān)頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導(dǎo)體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導(dǎo)體EJBS+SiC MOSFET方案可將開(kāi)關(guān)頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。

宇騰電子

本屆展會(huì)，宇騰電子帶來(lái)了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍(lán)寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級(jí)與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計(jì)生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專(zhuān)用石英與石墨制品設(shè)計(jì)生產(chǎn)等，為客戶(hù)提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

鎵未來(lái)

本屆展會(huì)，鎵未來(lái)帶來(lái)了兩款車(chē)規(guī)級(jí)GaN新品，封裝形式分別為ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。

其中，ITO-247PLUS-3L為插件式封裝，管腳大小、位置、功能兼容傳統(tǒng)TO-247（PLUS）-3L封裝，散熱基板可以通過(guò)使用導(dǎo)熱硅脂壓緊或直接使用焊料焊接在散熱器上，實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)熱阻(RTH，J-HS)，散熱基板可以滿(mǎn)足至少2.5KV電氣隔離，還可根據(jù)客戶(hù)需求，提供ITO-247-3L封裝版本（帶緊固鎖孔)。

TSPAK-DBC則為頂部散熱表貼式封裝，散熱基板可以滿(mǎn)足最高4.5KV電氣隔離要求，可以實(shí)現(xiàn)高效率自動(dòng)化組裝，并具有極高的板級(jí)可靠性TCOB。

昕感科技

本屆展會(huì)，昕感科技展示的SiC器件產(chǎn)品涵蓋650V/1200V/1700V等不同電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻覆蓋從7mΩ-1000mΩ各種等級(jí)，功率模塊擁有汽車(chē)級(jí)與工業(yè)級(jí)SiC模塊。

目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對(duì)標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

納芯微電子

本屆展會(huì)，納芯微電子圍繞汽車(chē)電子、工業(yè)控制、可再生能源與電源等應(yīng)用領(lǐng)域，展示了其傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。

在可再生能源領(lǐng)域，提高母線(xiàn)電壓，降低電流是降本增效直接有效的辦法，因此，支持更高電壓的SiC功率器件正越來(lái)越多地應(yīng)用于光儲(chǔ)系統(tǒng)中。本次展會(huì)上，納芯微展示了用于驅(qū)動(dòng)SiC功率器件的隔離驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，包括帶米勒鉗位功能、可避免功率器件誤導(dǎo)通的NSI6801M，以及在過(guò)流的情況下，通過(guò)DESAT功能來(lái)保障功率器件不損壞的NSI68515。

瀚薪科技

本屆展會(huì)，瀚薪科技展示了最新的國(guó)產(chǎn)化第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品系列，支持15/18V驅(qū)動(dòng)，這一系列產(chǎn)品涵蓋16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多種RDS(on)規(guī)格，在18V驅(qū)動(dòng)下指標(biāo)表現(xiàn)更優(yōu)，并支持瀚薪科技自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的頂部散熱封裝。

瀚薪科技同時(shí)展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規(guī)格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模塊方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全橋模塊。

方正微電子

本屆展會(huì)，方正微電子展示了應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋16mΩ-60mΩ、15A-40A；應(yīng)用于消費(fèi)電子場(chǎng)景的GaN HEMT系列產(chǎn)品覆蓋150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉(zhuǎn)換更快、能耗更低的消費(fèi)電子產(chǎn)品。

氮矽科技

本屆展會(huì)，氮矽科技帶來(lái)了涵蓋從低壓到高壓應(yīng)用的全系列GaN產(chǎn)品及方案。

其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN四大產(chǎn)品線(xiàn)，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、鋰電池以及新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。

能華半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，能華半導(dǎo)體展出了一系列以D-Mode氮化鎵技術(shù)為基礎(chǔ)的功率氮化鎵器件以及6英寸和8英寸的D-Mode和E-Mode氮化鎵晶圓產(chǎn)品。據(jù)稱(chēng)，能華半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)唯一同時(shí)量產(chǎn)了D-Mode和E-Mode氮化鎵的IDM公司。

能華半導(dǎo)體推出的氮化鎵產(chǎn)品最高耐壓達(dá)到了1200V，內(nèi)阻低至80毫歐，產(chǎn)品封裝形式多樣，涵蓋了從貼片類(lèi)的DFN、TO252，到插件類(lèi)的TO系列，再到面向工業(yè)級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)市場(chǎng)的TO247、TOLL封裝。

公開(kāi)資料顯示，能華半導(dǎo)體于2010年成立，是全球?yàn)閿?shù)不多同時(shí)掌握增強(qiáng)型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司，其采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍(lán)寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷(xiāo)售，其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，目前產(chǎn)能為6000片/月。

愛(ài)仕特

本屆展會(huì)，愛(ài)仕特帶來(lái)了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域的SiC功率轉(zhuǎn)換解決方案等產(chǎn)品。

其中，3300V/60A大電流SiC MOSFET產(chǎn)品采用了愛(ài)仕特第三代SiC MOSFET技術(shù)，具備3300V高壓、60A大電流、58mQ低導(dǎo)通電阻等特性，低開(kāi)關(guān)損耗支持更高開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行，高耐用性的封裝實(shí)現(xiàn)更高可靠性及更長(zhǎng)的壽命周期，半導(dǎo)體芯片面積更小實(shí)現(xiàn)更加優(yōu)化的成本效益，應(yīng)用領(lǐng)域包括列車(chē)牽引系統(tǒng)、不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、重型車(chē)輛、智能電網(wǎng)3300Vac牽引變頻器、光伏逆變器、儲(chǔ)能電源、高壓DC/DC變換器特種軍用車(chē)等大功率高端細(xì)分領(lǐng)域。

瞻芯電子

本屆展會(huì)，瞻芯電子帶來(lái)了SiC分立器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，以及多種參考設(shè)計(jì)方案。

在SiC器件方面，瞻芯電子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，同時(shí)展出多種新規(guī)格，包括1700V、2000V和3300V電壓等級(jí)產(chǎn)品。

在SiC模塊方面，瞻芯電子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升壓3B模塊，以及用于EV主驅(qū)的SiC HPD和DCM模塊。

在SiC驅(qū)動(dòng)IC方面，瞻芯電子展示了最新的比鄰驅(qū)動(dòng)?系列芯片，包括具有隔離功能且集成負(fù)壓驅(qū)動(dòng)或短路保護(hù)功能的SiC專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)芯片IVCO141x。

瑞能半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，瑞能半導(dǎo)體帶來(lái)了最新的SiC頂部散熱封裝及SiC功率模塊，采用先進(jìn)環(huán)保無(wú)鉛工藝的可控硅器件，新一代IGBT產(chǎn)品，以及專(zhuān)注超級(jí)充電樁的二極管車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品等各類(lèi)產(chǎn)品，覆蓋了光伏、工業(yè)、汽車(chē)等應(yīng)用領(lǐng)域。

瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢復(fù)性能基本不變的情況下，降低VF，減少導(dǎo)通損耗，確保了40KW模塊的量產(chǎn)；瑞能WND60P20W在充電模塊中也提高了二極管的雪崩能力，使得在異常情況下，二極管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。

萃錦半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，萃錦半導(dǎo)體帶來(lái)了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圓等各類(lèi)產(chǎn)品。

目前，萃錦半導(dǎo)體產(chǎn)品涵蓋600V至2200V電壓范圍的SiC MOSFET、硅基超結(jié)Si SJ MOSFET等分立器件，主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景和領(lǐng)域。

聚能創(chuàng)芯

本屆展會(huì)，聚能創(chuàng)芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列產(chǎn)品。

聚能創(chuàng)芯主要從事硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，專(zhuān)注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。聚能創(chuàng)芯旗下聚能晶源主要從事氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售，致力于為客戶(hù)提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產(chǎn)品。目前，聚能晶源產(chǎn)品線(xiàn)包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆蓋GaN功率與微波器件應(yīng)用。

翠展微電子

本屆展會(huì)，翠展微電子發(fā)布了全新的TPAK封裝解決方案。TPAK封裝是專(zhuān)為克服TO-247等傳統(tǒng)封裝方案缺陷而設(shè)計(jì)的，該方案具有高功率密度、可擴(kuò)展性好、可靠性高、抗震動(dòng)性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿(mǎn)足新能源汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)高集成度、高性?xún)r(jià)比功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。

此外，翠展微電子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK產(chǎn)品，還通過(guò)采用銅Clip工藝實(shí)現(xiàn)了器件的高可靠性、低熱阻和低雜散電感性能。

Vishay威世科技

本屆展會(huì)，Vishay在現(xiàn)場(chǎng)展示了各類(lèi)無(wú)源和分立半導(dǎo)體解決方案。

Vishay最新發(fā)布的1200V MaxSiC系列SiC MOSFET器件采用工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)封裝，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三種可選導(dǎo)通電阻，同時(shí)提供定制產(chǎn)品。此外，Vishay將提供650V至1700V SiC MOSFET路線(xiàn)圖，導(dǎo)通電阻范圍10mΩ到1Ω，包括計(jì)劃發(fā)布的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品。

Qorvo

本屆展會(huì)，Qorvo展出的1200V SiC模塊采用緊湊型E1B封裝，可以取代多達(dá)四個(gè)分立式SiC FET，從而簡(jiǎn)化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。并且這些模塊搭載獨(dú)特的共源共柵配置，最大限度地降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，極大地提升能源轉(zhuǎn)換效率。這些SiC模塊可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)中，以提高能量轉(zhuǎn)化效率、減少散熱需求，從而增強(qiáng)汽車(chē)的充電效率和續(xù)航里程。

為發(fā)揮SiC器件的全部潛力，Qorvo推出了面向模擬與混合信號(hào)仿真的QSPICE仿真軟件。QSPICE具有卓越SPICE技術(shù)基礎(chǔ)功能的全新SPICE代碼，實(shí)現(xiàn)了全新一代混合模式電路仿真。通過(guò)提升仿真速度、功能和可靠性，為電源和模擬設(shè)計(jì)帶來(lái)更高的設(shè)計(jì)效率。

小結(jié)

從本屆展會(huì)三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展品來(lái)看，1200V和650V系列產(chǎn)品已占據(jù)SiC和GaN賽道C位，同時(shí)，各大廠商正在向1700V、3300V等更高電壓等級(jí)產(chǎn)品邁進(jìn)，顯示了SiC和GaN在電力電子行業(yè)應(yīng)用向高壓大功率發(fā)展趨勢(shì)。

以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體對(duì)于綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)作用也在日益顯現(xiàn)，能夠幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。在當(dāng)前綠色低碳化轉(zhuǎn)型的大背景下，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體擁有巨大的發(fā)展?jié)摿瓦h(yuǎn)景發(fā)展空間，將在新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充、電力電子等場(chǎng)景和領(lǐng)域持續(xù)滲透，產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商也將獲得發(fā)展機(jī)遇。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，本屆SEMI-e展會(huì)匯聚了天科合達(dá)、萬(wàn)年芯、南砂晶圓、爍科晶體、天域半導(dǎo)體、同光股份、先導(dǎo)集團(tuán)、普興電子、科友半導(dǎo)體、合盛新材料、集芯先進(jìn)、乾晶半導(dǎo)體、天成半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、致能科技、蓉矽半導(dǎo)體、鎵未來(lái)、宇騰電子、晶鎵半導(dǎo)體、芯三代、AIXTRON愛(ài)思強(qiáng)、漢虹精密、恒普技術(shù)、頂立科技、芯暉裝備、志橙半導(dǎo)體、高測(cè)股份、宇晶機(jī)器、創(chuàng)銳光譜、中宜創(chuàng)芯、九域半導(dǎo)體、納設(shè)智能、黃河旋風(fēng)、季華恒一、力凱數(shù)控、清軟微視、泰微科技、聯(lián)合精密、眾力為、中機(jī)新材、優(yōu)界科技等第眾多三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN領(lǐng)域最新技術(shù)和產(chǎn)品，彰顯了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在蓬勃發(fā)展，各家廠商展品匯總?cè)缦拢?/p>

天科合達(dá)

本屆展會(huì)，天科合達(dá)帶來(lái)了高純導(dǎo)電SiC粉料、6英寸N型SiC晶錠、6英寸N型SiC襯底等產(chǎn)品。

目前，天科合達(dá)已形成擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC單晶生長(zhǎng)爐制造、原料合成、晶體生長(zhǎng)、晶體切割、晶片加工、清洗檢測(cè)和外延片制備等七大關(guān)鍵核心技術(shù)體系，覆蓋SiC材料生產(chǎn)全流程，形成一個(gè)研發(fā)中心、三家全資子公司和一家控股子公司的業(yè)務(wù)布局。

比亞迪半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，比亞迪半導(dǎo)體帶來(lái)了IGBT晶圓及汽車(chē)功率模塊等產(chǎn)品。

據(jù)悉，去年11月底，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。該項(xiàng)目總投資100億元，項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬(wàn)片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車(chē)核心器件。

泰科天潤(rùn)

本屆展會(huì)，泰科天潤(rùn)展示了6英寸SiC晶圓、6英寸SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

目前，泰科天潤(rùn)的SiC產(chǎn)品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規(guī)格，提供TO220、TO220全包封、T0220內(nèi)絕緣、T0247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶(hù)需求提供其他封裝形式，已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個(gè)領(lǐng)域。

世紀(jì)金芯

本屆展會(huì)，世紀(jì)金芯展示了SiC高純粉料、6/8英寸SiC晶錠/襯底等產(chǎn)品。

其中，世紀(jì)金芯帶來(lái)的SiC高純粉料純度可達(dá)99.9999%wt以上；其6/8英寸SiC晶錠/襯底具有禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、本征溫度高、抗輻射、化學(xué)穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等特性。

今年4月，世紀(jì)金芯與日本某客戶(hù)簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶(hù)交付8英寸SiC襯底共13萬(wàn)片，訂單價(jià)值約2億美元。

晶格領(lǐng)域

本屆展會(huì)，晶格領(lǐng)域帶來(lái)了3C-n型SiC襯底、4H-p型SiC襯底等產(chǎn)品。

其中，3C-n型SiC襯底具有更高的電子遷移率(3C-SiC，1100cm2/V·s；4H-SiC，900 cm2/V·s)，同時(shí)由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產(chǎn)品良率；而4H-p型SiC襯底是利用液相法生長(zhǎng)的p型SiC襯底，具有低電阻、高摻雜濃度高品質(zhì)等特點(diǎn)，能滿(mǎn)足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求。

眾力為

本屆展會(huì)，眾力為展示了SiC二極管浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)、SiC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、GaN HEMT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等產(chǎn)品。

其中，SiC二極管浪涌電流測(cè)試系統(tǒng)采用高速DSP+總線(xiàn)控制+觸屏和PC軟控界面，實(shí)現(xiàn)測(cè)試前自動(dòng)VF接觸性檢測(cè)，浪涌電流測(cè)試后通過(guò)反向電流檢測(cè)功能自動(dòng)檢測(cè)DUT是否失效。

GaN HEMT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)基于QT開(kāi)發(fā)的人機(jī)交互界面，所有測(cè)試條件均可界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動(dòng)調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)一鍵測(cè)試；采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)；設(shè)備帶有自動(dòng)高溫加熱功能，溫度范圍為室溫-200℃，精度±0.1℃。

方正微電子

本屆展會(huì)，方正微電子展示了SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，SiC MOSFET系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)主驅(qū)控制器、OBC充電、直流充電樁，光伏/儲(chǔ)能逆變，工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，具有功率密度高、效率高、損耗低等特點(diǎn)；GaN HEMT系列產(chǎn)品可應(yīng)用于PD快充、PC電源、通訊/數(shù)據(jù)中心電源等場(chǎng)景，損耗低、效率高、體積小。

高測(cè)股份

本次展會(huì)高測(cè)股份向外主推碳化硅切片和半導(dǎo)體金剛線(xiàn)切片機(jī)。

據(jù)介紹，公司主推設(shè)備型號(hào)GC- SCDW8300型碳化硅切片機(jī)，大大提升切割效率及出片率，降低生產(chǎn)成本，對(duì)比砂漿切割產(chǎn)能提升118%，成本降低26%。

source：高測(cè)股份

設(shè)備型號(hào)GC-SEDW812半導(dǎo)體金剛線(xiàn)切片機(jī)，使用金剛線(xiàn)切割半導(dǎo)體單晶硅片的專(zhuān)用加工設(shè)備，可加工硅棒直徑兼容8寸、12 寸，最大加工長(zhǎng)度450mm（晶向偏角≤4°）。

source：高測(cè)股份

優(yōu)界科技

優(yōu)界科技首次在國(guó)內(nèi)展出納米銀預(yù)燒結(jié)貼片機(jī)SiC-8Kpro。

該設(shè)備具備可應(yīng)用于銀膜、銀膏等有壓、無(wú)壓工藝，兼容2寸/4寸wafer，主要針對(duì)SiC、IGBT、射頻功率器件、大功率激光器等產(chǎn)品。

萬(wàn)年芯

本屆展會(huì)，萬(wàn)年芯帶來(lái)了SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊、超低內(nèi)阻SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。

其中，SiC IPM模塊系列產(chǎn)品，封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，內(nèi)置性能強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片，電壓650V~1200V，功率300~5000W，適用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的變頻器和各種逆變電源。

萬(wàn)年芯超低內(nèi)阻SiC MOSFET系列產(chǎn)品，使用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu)，650V 系列產(chǎn)品最低Rdon為5毫歐，1200V系列產(chǎn)品最低Rdon為7毫歐。TO247-4PHC封裝具有強(qiáng)大的過(guò)流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），可用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲(chǔ)能PCS、5G電源、太陽(yáng)能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車(chē)等行業(yè)。

愛(ài)仕特

本屆展會(huì)，愛(ài)仕特展品范圍涵蓋650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其SiC MOSFET產(chǎn)品全系列采用6英寸晶圓量產(chǎn)，最高耐壓3300V，最低內(nèi)阻15毫歐，按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試，能夠滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)要求。

森國(guó)科

本屆展會(huì)，森國(guó)科帶來(lái)了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊等系列產(chǎn)品。

森國(guó)科全SiC功率模塊包括MOSFET模塊以及肖特基二極管模塊，SiC MOSFET模塊采用主流的Easy 2B封裝,模塊擁有極小的反向恢復(fù)損耗，優(yōu)異的高溫特性，卓越的散熱能力，可以有效減小系統(tǒng)體積，提升整體效率，降低散熱要求，降低系統(tǒng)成本，降低電磁干擾。

森國(guó)科SiC肖特基二極管模塊采用第五代SiC芯片組，具有更低的損耗，在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能，可以有效簡(jiǎn)化系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)。

合盛新材

本屆展會(huì)，合盛新材展示了高純度SiC原料、6英寸N型SiC外延片、6英寸N型SiC雙面拋光襯底片等產(chǎn)品。

合盛新材高純度SiC原料純度不低于99.9999%，顆粒度精確可控；6英寸N型SiC外延片總?cè)毕菝芏瓤蛇_(dá)MOS級(jí)≤0.5/cm2，厚度均勻性≤2%，濃度均勻性≤4%；6英寸N型SiC雙面拋光襯底片微管密度可達(dá)≤0.1/cm2，BPD可控制在≤500/cm2，TSD可控制在≤100/cm2。

愛(ài)思強(qiáng)

本屆展會(huì)，愛(ài)思強(qiáng)展示了SiC外延CVD系統(tǒng)G10-SiC方案。

G10-SiC（source：愛(ài)思強(qiáng)）

據(jù)悉，G10-SiC設(shè)備發(fā)布于2022年9月，自上市以來(lái)銷(xiāo)量持續(xù)保持增長(zhǎng)，成為愛(ài)思強(qiáng)業(yè)績(jī)發(fā)展的一大強(qiáng)勁增長(zhǎng)引擎，營(yíng)收比重不斷提高。2023年，得益于SiC、GaN等G10系列設(shè)備的銷(xiāo)量增長(zhǎng)，愛(ài)思強(qiáng)實(shí)現(xiàn)總營(yíng)收6.299億歐元，同比增長(zhǎng)36%。其中，設(shè)備銷(xiāo)售額為5.323億歐元，占總營(yíng)收比重從82%上升至85%。

科友半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，科友半導(dǎo)體展示了6/8英寸SiC籽晶產(chǎn)品。

今年3月，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開(kāi)展“8英寸SiC完美籽晶”項(xiàng)目合作。通過(guò)與俄羅斯N公司合作，科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無(wú)微管，低位錯(cuò)”完美籽晶，而應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度，從而提高晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和良率，并推動(dòng)SiC長(zhǎng)晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級(jí)。

黃河旋風(fēng)

本屆展會(huì)，黃河旋風(fēng)展示了直徑為0.250mm、0.175mm、0.155mm的多款切割SiC單晶金剛石線(xiàn)產(chǎn)品，切割對(duì)象為2-8英寸絕緣型及導(dǎo)電型SiC單晶，適用于安永HW810等高速專(zhuān)用設(shè)備。

黃河旋風(fēng)在2022年研發(fā)成功并投放市場(chǎng)的第三代半導(dǎo)體SiC單晶切片專(zhuān)用線(xiàn)鋸，擁有較好的匹配性和較高的穩(wěn)定性。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，蓉矽半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET、SiC EJBS系列產(chǎn)品。其SiC MOSFET產(chǎn)品具有短路耐受時(shí)間＞3μs、柵氧化層長(zhǎng)期可靠、導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗低、高雪崩耐量等特點(diǎn)，工作結(jié)溫達(dá)175℃；其SiC EJBS產(chǎn)品具有高抗浪涌電流能力、低正向?qū)▔航?、低反向漏電流、零反向恢?fù)電流等特點(diǎn)。

蓉矽半導(dǎo)體引入了WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-ln)系統(tǒng)，晶圓測(cè)試階段引入WLTBI，在高溫/高應(yīng)力的作用下，有效篩除SiC MOSFET中早期失效和偶發(fā)失效過(guò)渡區(qū)域內(nèi)存在風(fēng)險(xiǎn)的芯片，以確保SiC晶圓出廠質(zhì)量與可靠性符合行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)。

九域半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，九域半導(dǎo)體展示了方阻（電阻率）測(cè)試儀（片與錠）產(chǎn)品。

該設(shè)備主要利用渦電流測(cè)試原理，非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料、石墨烯、透明導(dǎo)電膜、碳納米管、金屬等材料的方阻(電陽(yáng)率)，可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。本儀器為非接觸、非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快、重復(fù)性佳、測(cè)試敏感性高、可以直接測(cè)試產(chǎn)品片等優(yōu)點(diǎn)。

同光股份

本屆展會(huì)，同光股份展示了SiC合成粉料、6英寸高純半絕緣SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶錠等豐富多樣的SiC產(chǎn)品。

同光股份早在2014年就已經(jīng)有SiC單晶襯底面世，目前已經(jīng)攻克了高純SiC原料合成、晶型和結(jié)晶質(zhì)量控制、籽晶特殊處理等多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)難題，掌握了高品質(zhì)、低缺陷SiC單晶襯底制備技術(shù)。

同光股份旗下設(shè)有三個(gè)工廠，分別是保定工廠一期、保定工廠二期和淶源工廠。這些工廠布局了完整的SiC襯底生產(chǎn)線(xiàn)，涵蓋了從原料合成、晶體生長(zhǎng)、襯底加工到晶片檢測(cè)的全過(guò)程。

納設(shè)智能

本屆展會(huì)，納設(shè)智能展示了6/8英寸SiC外延設(shè)備方案，具備氣路獨(dú)立可控、工藝指標(biāo)優(yōu)異、機(jī)臺(tái)量產(chǎn)穩(wěn)定、NP型靈活切換等特點(diǎn)。

今年1月，納設(shè)智能自主研發(fā)的首臺(tái)原子層沉積設(shè)備完成了所有生產(chǎn)和測(cè)試流程，順利出貨。

鎵仁半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，鎵仁半導(dǎo)體展示了2/4/6英寸氧化鎵襯底、半絕緣型氧化鎵方形襯底、導(dǎo)電型氧化鎵方形襯底、非故意摻雜氧化鎵方形襯底等各類(lèi)產(chǎn)品。

氧化鎵材料的高擊穿電壓及低導(dǎo)通電阻特性在功率電子器件方面有巨大應(yīng)用潛力，包括新能源汽車(chē)、光伏逆變器、軌道交通、國(guó)家電網(wǎng)、空間應(yīng)用等。氧化鎵材料的禁帶寬度達(dá)到4.85eV，可見(jiàn)光波段透過(guò)率好，可應(yīng)用于日盲紫外探測(cè)、輻射探測(cè)等領(lǐng)域。此外，氧化鎵單晶與GaN的低失配特性，還適用于生長(zhǎng)GaN材料制備高性能的射頻器件，從而在5G通信方面有重要應(yīng)用前景。

乾晶半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，乾晶半導(dǎo)體展示了4/6英寸半絕緣SiC拋光片、6/8英寸導(dǎo)電型SiC拋光片、6英寸SiC肖基特二極管晶圓、TO-220封裝SiC二極管等眾多產(chǎn)品。

目前，乾晶半導(dǎo)體6英寸SiC單晶及拋光片產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量供貨，8英寸產(chǎn)品可供小批量測(cè)試。

晶鎵半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，晶鎵半導(dǎo)體展示了GaN自支撐襯底、GaN厚膜晶片等產(chǎn)品。其GaN單晶襯底主要應(yīng)用于藍(lán)綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領(lǐng)域。

晶鎵半導(dǎo)體成立于2023年8月，主要從事第三代半導(dǎo)體材料GaN單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，是少數(shù)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的GaN單晶襯底生產(chǎn)制造廠家。

芯三代

本屆展會(huì)，芯三代展示了SiC外延設(shè)備方案及客戶(hù)外延片產(chǎn)品。

芯三代目前聚焦SiC等第三代半導(dǎo)體裝備，代表產(chǎn)品為用于大規(guī)模量產(chǎn)SiC外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備，該設(shè)備產(chǎn)能≥1000片/月，通過(guò)工藝優(yōu)化，可超過(guò)1200片/月，外延規(guī)格為英寸時(shí)(兼容8英寸)，最高外延生長(zhǎng)速率≥60微米/小時(shí)。

該設(shè)備擁有完全獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，具有獨(dú)創(chuàng)的進(jìn)氣方式、垂直氣流和溫場(chǎng)控制技術(shù)，輔以全自動(dòng)上下料（EFEM）系統(tǒng)和高溫傳盤(pán)等手段，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、Co0成本、長(zhǎng)時(shí)間多爐數(shù)連續(xù)自動(dòng)生長(zhǎng)控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢(shì)。

爍科晶體

本屆展會(huì)，爍科晶體帶來(lái)了6/8英寸導(dǎo)電N型SiC襯底、8英寸導(dǎo)電N型SiC晶錠等各類(lèi)產(chǎn)品。

爍科晶體通過(guò)多年自主創(chuàng)新先后完成 4、6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，現(xiàn)已掌握SiC生長(zhǎng)裝備制造、碳化硅粉料制備，N型及高純半絕緣SiC單晶襯底制備工藝，擁有SiC粉料制備、單晶生長(zhǎng)、晶片加工等整套生產(chǎn)線(xiàn)。

普興電子

本屆展會(huì)，普興電子展示了8英寸SiC外延片、硅基GaN外延片、氧化鎵外延片等各類(lèi)外延產(chǎn)品。

今年2月，普興電子官網(wǎng)信息顯示，其“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”進(jìn)行了第一次環(huán)境影響評(píng)價(jià)信息公示。本項(xiàng)目總投資35070.16萬(wàn)元，利用公司1#廠房進(jìn)行改擴(kuò)建，建筑面積約4000平米，購(gòu)置SiC外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺(tái)（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線(xiàn)。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬(wàn)片SiC外延片的生產(chǎn)能力。

天域半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，天域半導(dǎo)體主要展示了SiC外延片及相關(guān)襯底/器件模塊產(chǎn)品，包括6/8英寸SiC晶圓、6/8英寸SiC襯底、6/8英寸SiC外延片、SiC MOSFET、汽車(chē)主驅(qū)模塊等。

天域半導(dǎo)體主要向下游客戶(hù)提供SiC外延片產(chǎn)品，用于制作650V-3300V、3300V-20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。

鎵未來(lái)

本屆展會(huì)，鎵未來(lái)展示了6英寸硅基GaN晶圓和各類(lèi)GaN封裝產(chǎn)品，適用于PD快充、適配器、驅(qū)動(dòng)電源、逆變器等應(yīng)用場(chǎng)景。

據(jù)悉，戶(hù)外電源在休閑娛樂(lè)、戶(hù)外作業(yè)和應(yīng)急救援等方面應(yīng)用廣泛，為了延長(zhǎng)戶(hù)外電源的使用壽命和可靠性，特別是針對(duì)戶(hù)外作業(yè)對(duì)防水防塵的應(yīng)用要求，滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)無(wú)風(fēng)扇戶(hù)外電源設(shè)計(jì)需求，鎵未來(lái)率先推出GaN大功率無(wú)風(fēng)扇雙向逆變器技術(shù)平臺(tái)。

致能科技

本屆展會(huì)，致能科技帶來(lái)了6英寸硅基GaN晶圓以及各類(lèi)應(yīng)用方案。

致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設(shè)有生產(chǎn)研發(fā)基地和市場(chǎng)銷(xiāo)售中心。公司致力于GaN功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產(chǎn)能力。

去年11月，致能科技首發(fā)1200V耗盡型（D-Mode）高可靠性GaN器件平臺(tái)。在滿(mǎn)足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達(dá)到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車(chē)等領(lǐng)域。

天成半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，天成半導(dǎo)體展示了導(dǎo)電型SiC粉料、導(dǎo)電型SiC晶錠、半絕緣型SiC晶錠、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底等產(chǎn)品。

天成半導(dǎo)體將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，利用自蔓延法制備的高純SiC粉料，其純度高達(dá)99.9999%。

恒普技術(shù)

本屆展會(huì)，恒普技術(shù)展示了SiC長(zhǎng)晶爐、碳化鉭涂層材料等產(chǎn)品。

其中，SiC長(zhǎng)晶爐可實(shí)現(xiàn)多區(qū)域獨(dú)立控溫、長(zhǎng)晶全周期溫度控制。碳化鉭涂層有助于提高SiC晶體生長(zhǎng)質(zhì)量，是“長(zhǎng)快、長(zhǎng)厚、長(zhǎng)大”核心技術(shù)方向之一。

中宜創(chuàng)芯

本屆展會(huì)，中宜創(chuàng)芯展示了眾多類(lèi)型的SiC粉料、SiC晶錠以及SiC襯底產(chǎn)品。

其SiC半導(dǎo)體粉體產(chǎn)品主要分為摻氮SiC粉體、不摻氨SiC粉體、半絕緣SiC粉體和立方SiC粉體四大類(lèi)，產(chǎn)品純度最高達(dá)到7N級(jí)，粒度分8目以上、8目-20目、20目-40目、40目-80目、80目以下作為SiC半導(dǎo)體原料，廣泛用于SiC單晶生長(zhǎng)。

頂立科技

本屆展會(huì)，頂立科技展示了高溫石墨化爐、化學(xué)氣相沉積爐等設(shè)備。

其中，化學(xué)氣相沉積爐是制備高性能碳基、陶瓷基復(fù)合材料的關(guān)鍵設(shè)備，頂立科技突破了大型沉積裝備溫場(chǎng)/流場(chǎng)均勻控制、智能壓力調(diào)控、腐蝕性液體氣化及精確傳送/進(jìn)給、尾氣處理等一系列關(guān)鍵技術(shù)，掌握了大型SiC、BN及PyC等沉積裝備設(shè)計(jì)及制造相關(guān)的全套技術(shù)，打破了國(guó)內(nèi)只能生產(chǎn)小尺寸設(shè)備的局面，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

季華恒一

本屆展會(huì)，季華恒一展示了快速退火爐、高溫外延爐、離子注入機(jī)等設(shè)備。

季華恒一專(zhuān)注于寬禁帶半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化，著力于開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足高良率、穩(wěn)定生產(chǎn)需求的SiC高溫外延生長(zhǎng)系統(tǒng)、高溫離子注入系統(tǒng)、高溫氧化系統(tǒng)、激光退火系統(tǒng)、快速退火系統(tǒng)、真空鍍膜系統(tǒng)等裝備。

創(chuàng)銳光譜

本屆展會(huì)，創(chuàng)銳光譜展示了SiC少子壽命質(zhì)量成像檢測(cè)系統(tǒng)、SiC襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)等設(shè)備。

其中，SiC襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)為SiC襯底位錯(cuò)缺陷專(zhuān)用檢測(cè)設(shè)備，可全面替代堿液蝕刻（有損）檢測(cè)方式，AI精準(zhǔn)識(shí)別BPD、TSD、TED，準(zhǔn)確率＞90%。

中機(jī)新材

本屆展會(huì)，中機(jī)新材帶來(lái)了SiC襯底粗磨液、SiC襯底精磨液、SiC襯底粗拋液、SiC襯底精拋液等系列產(chǎn)品。

據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類(lèi)多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時(shí)間長(zhǎng)、范圍廣、難以根除。而中機(jī)新材首創(chuàng)的團(tuán)聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類(lèi)多晶，有效解決了生產(chǎn)過(guò)程中的環(huán)保和成本痛點(diǎn)。

飛仕得

本屆展會(huì)，飛仕得帶來(lái)了SiC器件動(dòng)態(tài)偏壓可靠性設(shè)備ME100DHTXB。

該設(shè)備實(shí)現(xiàn)DHTGB、DHTRB、DHTGB+DHTRB一體三種功能，同時(shí)可兼容HTGB、HTRB功能；每個(gè)抽屜獨(dú)立，匹配獨(dú)立電源，不同抽屜可實(shí)現(xiàn)不同條件、不同封裝器件同步老化；一個(gè)柜體內(nèi)置5個(gè)抽屜，最多可配4個(gè)柜體；不同柜體任意選配DHTGB/DHTRB，增加不同封裝器件老化，新增對(duì)應(yīng)抽屜即可，無(wú)需再次購(gòu)買(mǎi)整個(gè)設(shè)備。

宇騰電子

本屆展會(huì)，宇騰電子帶來(lái)了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍(lán)寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級(jí)與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計(jì)生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專(zhuān)用石英與石墨制品設(shè)計(jì)生產(chǎn)等，為客戶(hù)提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

中環(huán)領(lǐng)先

本屆展會(huì)，中環(huán)領(lǐng)先帶來(lái)了6英寸SiC外延片、6英寸硅基GaN外延片等產(chǎn)品。

據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專(zhuān)注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

先導(dǎo)集團(tuán)

本屆展會(huì)，先導(dǎo)集團(tuán)旗下先為科技帶來(lái)了GaN MOCVD外延設(shè)備和SiC外延設(shè)備。

其中，BrillMO系列MOCVD系統(tǒng)適用于6英寸和8英寸功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的溫場(chǎng)和流場(chǎng)設(shè)計(jì),具有成膜質(zhì)量高、產(chǎn)能高、使用成本低等優(yōu)勢(shì),為GaN外延加工提供完備的解決方案。

BriSCore系列CVD系統(tǒng)采用創(chuàng)新的批量式腔體設(shè)計(jì),可同時(shí)加工15片6英寸晶圓，適用于6英寸和8英寸SiC功率芯片的外延制造。BriSCore SiC Epi外延設(shè)備具有產(chǎn)能表現(xiàn)優(yōu)異、使用成本低等優(yōu)勢(shì)，為SiC外延加工提供量產(chǎn)解決方案。

南砂晶圓

本屆展會(huì)，南砂晶圓帶來(lái)了6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶棒、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底片系列產(chǎn)品。

南砂晶圓產(chǎn)品以8英寸、6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底為主，可視市場(chǎng)需求不斷豐富產(chǎn)品線(xiàn)。南砂晶圓生產(chǎn)的8英寸導(dǎo)電型SiC襯底的TSD、MPD和SF可達(dá)到0，BPD≤200cm﹣2。

邁為股份

本屆展會(huì)，邁為股份帶來(lái)了8英寸SiC研磨設(shè)備。

邁為股份于2010年9月成立，是一家集機(jī)械設(shè)計(jì)、電氣研制、軟件開(kāi)發(fā)、精密制造于一體的高端裝備制造商，公司面向太陽(yáng)能光伏、顯示、半導(dǎo)體三大行業(yè)，研發(fā)、制造、銷(xiāo)售智能化高端裝備，主要產(chǎn)品包括全自動(dòng)太陽(yáng)能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線(xiàn)、異質(zhì)結(jié)高效電池制造整體解決方案、OLED柔性屏激光切割設(shè)備、Mini/Micro LED晶圓設(shè)備、半導(dǎo)體晶圓封裝設(shè)備等。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，此次上海光伏展，三安半導(dǎo)體、士蘭微、鍇威特、基本半導(dǎo)體、杰平方、芯聯(lián)集成、瑞能半導(dǎo)體、飛锃半導(dǎo)體、阿基米德半導(dǎo)體、宏微科技、矽迪半導(dǎo)體、派恩杰、蘇州固锝等13家廠商帶來(lái)了豐富多樣的SiC功率器件產(chǎn)品，應(yīng)用范圍涵蓋新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。

三安半導(dǎo)體

本次展會(huì)，三安半導(dǎo)體帶來(lái)了SiC晶錠、襯底、外延、芯片、器件等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品。

展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，三安半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了8英寸SiC晶圓，以及可應(yīng)用在光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器、充電樁電源模塊等領(lǐng)域的650V-1700V SiC二極管和MOSFET，包含多種封裝類(lèi)型及規(guī)格型號(hào)。

士蘭微

本次光伏展，士蘭微展示了應(yīng)用于光伏場(chǎng)景的SiC MOS、IGBT、DPMOS、SGT LVMOS等功率器件產(chǎn)品。

其中，士蘭微推出的1200V SiC芯片性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，并同時(shí)研發(fā)650V、1700V、2000V等電壓段高性能SiC MOSFET芯片，包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、D4等多種封裝形式，適配光伏儲(chǔ)能逆變器應(yīng)用場(chǎng)景。

華潤(rùn)微

本次展會(huì)，華潤(rùn)微重點(diǎn)展示了SiC MOS模塊。

source：華潤(rùn)微

華潤(rùn)微展示的SiC MOS模塊可應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)充電器、太陽(yáng)能、高速轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)器、智能電網(wǎng)、并網(wǎng)分布式發(fā)電、車(chē)載OBC、汽車(chē)主驅(qū)等領(lǐng)域，具有低Rdson、低Qg、超低損耗、高頻工作等特點(diǎn)。

鍇威特

本次展會(huì)，鍇威特帶來(lái)了超結(jié)MOSFET、中高壓平面MOSFET、650-1700V SiC MOSFET、600-1200V SiC SBD、智能功率IC等系列產(chǎn)品。

其中，鍇威特全新的第三代SiC SBD產(chǎn)品，結(jié)合先進(jìn)的薄片技術(shù)和抗浪涌技術(shù)，在顯著提升產(chǎn)品電流密度、降低正向?qū)▔航档耐瑫r(shí)，仍保持高的浪涌電流以及低的反向漏電。合理的可靠性設(shè)計(jì)及規(guī)范的產(chǎn)品管控，使產(chǎn)品能穩(wěn)定工作于多種嚴(yán)苛工況下，在650-1200V電壓等級(jí)滿(mǎn)足各種應(yīng)用需求。

同時(shí)，鍇威特量產(chǎn)的平面型SiC MOSFET，立足于6英寸SiC功率芯片工藝線(xiàn)，優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)和柵氧工藝，產(chǎn)品具有更高的阻斷電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小系統(tǒng)電感、電容、變壓器等無(wú)源器件的尺寸，提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。該系列產(chǎn)品支持15V-18V棚極驅(qū)動(dòng)電壓，最高結(jié)溫高達(dá)175℃。

基本半導(dǎo)體

此次展會(huì)，基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓SiC MOSFET、第三代SiC MOSFET、工業(yè)級(jí)SiC功率模塊Pcore 2 E1B、工業(yè)級(jí)SiC半橋頂部散熱MOSFET模塊等系列新品，以及旗下全系列SiC二極管、門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片、功率器件驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品亮相。

其中，基本半導(dǎo)體展出的Pcore 2 E1B工業(yè)級(jí)SiC半橋MOSFET模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、PressFit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB，在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

杰平方

本次展會(huì)，杰平方半導(dǎo)體帶來(lái)了第三代SiC MOSFET和SBD、工業(yè)級(jí)SiC功率模塊、1200V 8mΩ SiC晶圓等系列產(chǎn)品，展示了杰平方半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)實(shí)力。

芯聯(lián)集成

本次展會(huì)，芯聯(lián)集成帶來(lái)了650V-2300V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備低導(dǎo)通損耗，低開(kāi)關(guān)損耗；高可靠性，通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證；參數(shù)一致性好，良率高等特點(diǎn)。在工業(yè)控制方面，可應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、充電樁、輸配電等場(chǎng)景；在汽車(chē)電子方面，可應(yīng)用于OBC、DC-DC、逆變器等產(chǎn)品中。

瑞能半導(dǎo)體

本次展會(huì)，瑞能半導(dǎo)體展示了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊等系列產(chǎn)品。

飛锃半導(dǎo)體

此次展會(huì)，飛锃半導(dǎo)體帶來(lái)了一系列創(chuàng)新成果，涵蓋第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC? MOSFET、1200V大電流SiC二極管、6英寸SiC MOSFET晶圓等產(chǎn)品，以及在光伏儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其中，飛锃半導(dǎo)體針對(duì)新能源汽車(chē)的創(chuàng)新應(yīng)用方案，利用車(chē)規(guī)級(jí)1200V與650V SiC MOSFET，為智能汽車(chē)打造安全、高效、智能的核心動(dòng)力系統(tǒng)。

宏微科技

本次展會(huì)，宏微科技展示了1200/20A SiC SBD系列產(chǎn)品。

宏微科技推出的風(fēng)光儲(chǔ)功率器件產(chǎn)品，具有高度的可靠性和優(yōu)異的性能，能夠滿(mǎn)足新能源行業(yè)對(duì)高效、安全、可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制的需求。此外，宏微科技的風(fēng)光儲(chǔ)功率器件產(chǎn)品還具有廣泛的適用性，可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能光伏電站、風(fēng)力發(fā)電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)等場(chǎng)景。

矽迪半導(dǎo)體

本次展會(huì)，矽迪半導(dǎo)體展示了高性能和差異化的SiC系統(tǒng)解決方案，包括30KW Buck-Boost全SiC解決方案、40KW xBooster IGBT并聯(lián)SIC MOSFET解決方案等，可應(yīng)用于光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器、工業(yè)電源等場(chǎng)景。

阿基米德半導(dǎo)體

本次展會(huì)，阿基米德半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET/IGBT單管、半橋IGBT模塊、三電平IGBT模塊、SiC模塊等眾多產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于直流快充/超充、工業(yè)電源、感應(yīng)加熱、光伏逆變器、儲(chǔ)能PCS、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。

其中，對(duì)于215KW儲(chǔ)能，現(xiàn)有產(chǎn)品體積大、效率低，阿基米德推出的1200V 400A混合SiC單模塊解決方案，助力縮小產(chǎn)品體積，提升功率密度，同時(shí)集成SiC器件，大幅度降低了功率損耗，提升了充放電效率，模塊滿(mǎn)載效率高達(dá)99%。

派恩杰

本次展會(huì)，派恩杰半導(dǎo)體帶來(lái)了SiC功率器件、芯片設(shè)計(jì)路線(xiàn)以及1700V高壓器件應(yīng)用方案等系列產(chǎn)品，為工業(yè)應(yīng)用以及新能源車(chē)用方案等提供了一個(gè)新的方向。

其中，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個(gè)電壓平臺(tái)已發(fā)布100余款不同型號(hào)的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品。派恩杰半導(dǎo)體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動(dòng)汽車(chē)，IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為T(mén)ier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨。

蘇州固锝

本次展會(huì)，蘇州固锝帶來(lái)了光伏旁路二極管在太陽(yáng)能面板集線(xiàn)盒、以及功率二極管、MOS管、IGBT、SiC SBD等功率器件在光伏逆變器、輔助電源等新能源市場(chǎng)的應(yīng)用方案。

除上述SiC功率器件廠商外，連城數(shù)控、晶升股份、晶盛機(jī)電、宇晶股份、先導(dǎo)智能、微導(dǎo)納米、高測(cè)股份、弘元綠能、邁為股份等SiC設(shè)備相關(guān)廠商也在本次上海光伏展上精彩亮相，這些廠商將共同推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

國(guó)內(nèi)企業(yè)

本屆PCIM展會(huì)，多家國(guó)內(nèi)廠商攜新品新技術(shù)亮相，如英諾賽科、三安半導(dǎo)體、士蘭微、基本半導(dǎo)體、瑞能半導(dǎo)體、芯聚能等，其中，部分廠商亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

01、三安半導(dǎo)體

在本次PCIM Europe上，三安以“推動(dòng)低碳化和電氣化”為主旨，展示其在功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新產(chǎn)品如何賦能綠色低碳和電氣化轉(zhuǎn)型。

source：PCIM

三安通過(guò)展出豐富的功率產(chǎn)品矩陣，全面展示了其強(qiáng)大的垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，從批量SiC晶錠生長(zhǎng)到一流的分立封裝、集成模塊解決方案和應(yīng)用。產(chǎn)品與服務(wù)覆蓋8吋/6吋SiC晶錠、8吋/6吋SiC襯底、8吋/6吋SiC外延、SiC Diodes/MOSFETs芯片/器件以及車(chē)規(guī)級(jí)SiC功率模塊代工，其中器件包含十余種封裝類(lèi)型和數(shù)十個(gè)規(guī)格型號(hào)的產(chǎn)品。

02、英諾賽科

英諾賽科在PCIM展會(huì)上展示多樣化分立氮化鎵和集成氮化鎵產(chǎn)品，以及基于高性能氮化鎵的多種解決方案。

英諾賽科展示了多形態(tài)產(chǎn)品組合，包含30V-700V的氮化鎵分立芯片、氮化鎵合封芯片（SolidGaN）和雙向?qū)ㄐ酒╒-GaN）。同時(shí)也將采用InnoGaN的多領(lǐng)域應(yīng)用解決方案一一呈現(xiàn)，展示氮化鎵技術(shù)帶來(lái)的進(jìn)步，讓電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案“更快，更小，更輕，更環(huán)保，更高效，性?xún)r(jià)比更高”。

source：英諾賽科

03、士蘭微電子

士蘭微此次全面展示車(chē)規(guī)級(jí)功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，以及多種應(yīng)用于汽車(chē)、新能源、白電、工業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)品和應(yīng)用方案。

source：PCIM

04、基本半導(dǎo)體

基本半導(dǎo)體此次在展會(huì)上，正式發(fā)布2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B等系列新品。

source：PCIM

05、派恩杰半導(dǎo)體

此次展會(huì)上，派恩杰半導(dǎo)體帶來(lái)了最新車(chē)規(guī)級(jí)封裝產(chǎn)品及更小的比導(dǎo)通電阻展品。

source：派恩杰半導(dǎo)體

派恩杰半導(dǎo)體推出的Easy 1B、62mm和SOT227封裝系列產(chǎn)品，涵蓋多種電路拓?fù)?，SiC MOSFET和SiCSBD模塊產(chǎn)品，可應(yīng)用于光伏發(fā)電、白色家電、射頻電源等領(lǐng)域。

此外，結(jié)合銀燒結(jié)和CuClip鍵合技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體自主開(kāi)發(fā)了車(chē)規(guī)級(jí)塑封半橋HEPACK封裝，可有效降低新能源汽車(chē)能耗等級(jí)。

對(duì)于HPD模塊，引入了銀燒結(jié)和DTS技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體正積極布局1200V600A乃至800A高功率模塊。

06、瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技術(shù)，以及諸如1200V碳化硅功率模塊、650V / 1200V SiC MOSFET、快恢復(fù)二極管、可控硅整流器、IGBT和其他可應(yīng)用于工業(yè)，汽車(chē)，消費(fèi)電子等領(lǐng)域的功率器件。

source：PCIM

SiC產(chǎn)品中，全新系列的SiC MOSFET & SiC肖特基二極管 (SBD) 采用 TSPAK 封裝的，適用于電動(dòng)汽車(chē)充電、車(chē)載充電器 (OBC)、光伏逆變器和高功率密度PSU應(yīng)用。新型MOSFET有650V、750V、1200V和1700V四種型號(hào)，電阻范圍從20mΩ到150mΩ。新型SiC SBD的電流范圍為10至40A（650V、750V和1200V）。

全新SiC功率模塊包含半橋、四組、六組、雙增壓和NPC 3L拓?fù)涞?SiC 功率模塊，主要針對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)充電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)電源裝置 (PSU)、測(cè)試儀器和光伏逆變器。

瑞能半導(dǎo)體全新的1700V SiC 技術(shù)& 汽車(chē)級(jí)1200V / 750V車(chē)規(guī)SiC MOSFET提供多種封裝選項(xiàng)和產(chǎn)品配置，包括表面貼裝器件 (SMD) 分立器件和頂部冷卻，實(shí)現(xiàn)可再生能源和電動(dòng)汽車(chē)的高功率、高密度設(shè)計(jì)。

07、中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體

中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Europe德國(guó)紐倫堡展會(huì)。
據(jù)介紹，采用中車(chē)第五代TMOS高壓溝槽柵、第二代SiC平面柵芯片、AISiC基板、AIN襯板，具有高熱循環(huán)能力、高可靠性等特點(diǎn)，可滿(mǎn)足車(chē)輛頻繁啟停和長(zhǎng)距離可靠性運(yùn)行的需求，批量應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域。

source：PCIM

08、安世半導(dǎo)體

在功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)方面，Nexperia展示了首款H橋配置的SMD SiC MOSFET，產(chǎn)品展現(xiàn)出卓越的R DS(on)溫度穩(wěn)定性；以及用于對(duì)E型GaN FET開(kāi)關(guān)性能進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試的半橋評(píng)估板。

source：PCIM

09、芯聚能半導(dǎo)體

芯聚能車(chē)規(guī)級(jí)模塊為800V新能源汽車(chē)平臺(tái)進(jìn)一步釋放了SiC高溫高速特性，實(shí)現(xiàn)了超低熱阻、拓展了工作范圍；具有高機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、高功率循環(huán)壽命、高溫度沖擊穩(wěn)定性。

source：PCIM

10、忱芯科技

忱芯科技展出業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)以及動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)，并提供現(xiàn)場(chǎng)的測(cè)試演示。公司也已推出用于CP階段和KGD階段測(cè)試的晶圓級(jí)動(dòng)態(tài)可靠性(WLR)測(cè)試系統(tǒng)及裸芯片KGD測(cè)試系統(tǒng)。

source：PCIM

11、利普思半導(dǎo)體

PCIM Europe 2024現(xiàn)場(chǎng)，利普思發(fā)布了新一代主驅(qū)用塑封半橋SiC模塊（LPS-Pack系列）。據(jù)悉，該系列模塊是為滿(mǎn)足某海外知名車(chē)企差異化需求而開(kāi)發(fā)的新品。

source：利普思

12、安建科技

此次展會(huì)上安建展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了IGBT、SGT MOSFET、SiC和其他可用于電能轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的多款功率器件。

source：PCIM

13、賽晶科技

賽晶SiC芯片首次亮相PCIM Europe，芯片采用頂部金屬化，以便進(jìn)行鍵合或者DTS，靜態(tài)性能匹配先進(jìn)的汽車(chē)MOSFET產(chǎn)品性能需求，動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能適用于EVD和HEEV模塊的應(yīng)用，具有高可靠性、高魯棒性。

source：賽晶科技

14、富樂(lè)華半導(dǎo)體

富樂(lè)華攜手富樂(lè)華歐洲團(tuán)隊(duì)、日本團(tuán)隊(duì)對(duì)功率半導(dǎo)體行業(yè)的封裝基板做了全方位的展示，分享了公司最新的創(chuàng)新型產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，產(chǎn)品陣容涵蓋了適用于IGBT、SiC-MOSFET和其他可用于電動(dòng)汽車(chē)、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的覆銅陶瓷基板。

source：PCIM

15、卓爾半導(dǎo)體

卓爾半導(dǎo)體專(zhuān)注于研發(fā)碳化硅塑封模塊專(zhuān)用設(shè)備，主營(yíng)芯片分選機(jī)、塑封自動(dòng)化、切筋成型、激光去膠打標(biāo)等。

source：PCIM

16、飛仕得科技

本次展會(huì)飛仕得展出SiC應(yīng)用一站式解決方案，包括電源、驅(qū)動(dòng)解決方案、功率模組及測(cè)試設(shè)備。并發(fā)布新一代多并聯(lián)驅(qū)動(dòng)解決方案、新一代SiC器件動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備等多款新品。

source：PCIM

17、悉智科技

悉智科技此次帶來(lái)旗下SiC封裝產(chǎn)品出席展會(huì)，其中自主研發(fā)的塑封SiC DCM模塊獲得海外客戶(hù)關(guān)注。

source：悉智科技

國(guó)外企業(yè)

海外市場(chǎng)方面， Wolfspeed、羅姆、英飛凌、三菱電機(jī)、納微半導(dǎo)體、CGD等悉數(shù)亮相，看點(diǎn)頗多，部分企業(yè)的亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

18、Wolfspeed

Wolfspeed多位工程師在PCIM Europe 2024上發(fā)表演講，內(nèi)容涵蓋電動(dòng)汽車(chē)電氣化、電動(dòng)汽車(chē)實(shí)現(xiàn)、可再生能源賦能到電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及公司最新的SiC技術(shù)。

source：PCIM

19、羅姆

ROHM向外展示了其新的功率半導(dǎo)體解決方案。ROHM的SiC、Si和GaN產(chǎn)品組合專(zhuān)注于電動(dòng)汽車(chē)和電源應(yīng)用，旨在滿(mǎn)足各個(gè)行業(yè)的需求。

source：PCIM

SiC方面，ROHM在PCIM Europe 2024上首次推出用于汽車(chē)應(yīng)用的新型SiC 功率模塊。除此之外，ROHM 還展示了其生產(chǎn)的8英寸SiC 晶圓，并透露了有關(guān)其SiC產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的愿景。

ROHM的第四代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻水平，最大限度地降低了開(kāi)關(guān)損耗，并支持15V和18V柵極源電壓。

GaN方面，ROHM展示了EcoGaN系列150V和650V GaN HEMT。ROHM還展示其EcoGaN 系列的10多塊電路板，并介紹它們?cè)诠I(yè)解決方案中的作用。

20、英飛凌

英飛凌此次向外展示了業(yè)界廣泛的電力電子產(chǎn)品組合，涵蓋硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 相關(guān)的電力技術(shù)。

source：PCIM

寬帶隙技術(shù)方面：英飛凌展示了可用于提高整體能源效率的第二代CoolSiC MOSFET 650V和1200V。此外，其還展示擴(kuò)展的GaN解決方案組合，提供各種創(chuàng)新封裝、分立和集成解決方案。
信息和通信技術(shù)：英飛凌展示了包括Si、SiC和GaN電源開(kāi)關(guān)在內(nèi)的尖端解決方案，以滿(mǎn)足服務(wù)器技術(shù)和電信網(wǎng)絡(luò)不斷發(fā)展的需求。

21、意法半導(dǎo)體

此次意法半導(dǎo)體帶來(lái)了GaN在電源中的應(yīng)用方案、SiC MOSFET、SiC功率模塊、SiC電源模塊等產(chǎn)品。

source：PCIM

22、賀利氏

賀利氏在展會(huì)上向外呈現(xiàn)PE360模塊焊接燒結(jié)漿料和無(wú)銀活性金屬釬焊氮化硅基板（AMB-Si3N4）等尖端創(chuàng)新產(chǎn)品，并展示旗下功率模塊封裝方案。

source：PCIM

23、納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體此次主要技術(shù)更新和發(fā)布包括GaNSafe、Gen-4 GaNSense半橋IC和Gen-3 Fast GeneSiC功率FET。

source：PCIM

24、PI電源

PI電源分享其在AC-DC轉(zhuǎn)換、柵極驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)解決方案方面的最新創(chuàng)新。

source：PCIM

25、IV Works

在此次展會(huì)上，IV Works向外展示了GaN作為高壓應(yīng)用解決方案的材料創(chuàng)新以及n+GaN、p-GaN選擇性區(qū)域再生技術(shù)。

source：PCIM

結(jié)語(yǔ)

本次PCIM上，能明顯感受到國(guó)內(nèi)出海企業(yè)增多，從側(cè)面反映出不少三代半企業(yè)已將目光從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)轉(zhuǎn)移至全球市場(chǎng)。對(duì)于國(guó)內(nèi)三代半廠商而言，國(guó)內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段，出海尋求更廣闊的增長(zhǎng)空間順理成章，尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實(shí)力后，拓展海外市場(chǎng)也更加從容。

隨著國(guó)內(nèi)三代半企業(yè)的出海動(dòng)作開(kāi)展，競(jìng)爭(zhēng)更加激烈的同時(shí)，行業(yè)會(huì)更加多元化，產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)整合的步伐也將加快，有助于推動(dòng)行業(yè)的全球化發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步。（來(lái)源：PCIM官方、各公司、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

本次展會(huì)中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來(lái)了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司、北方華創(chuàng)、迪思科（DISCO）、日本真空技術(shù)株式會(huì)社（ULVAC JAPAN LTD）、Centrothern、PVA TePla、昂坤視覺(jué)等，覆蓋了MOCVD、離子注入、襯底片、外延片、功率器件等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

TrendForce集邦咨詢(xún)分析師龔瑞驕表示，本次SEMICON China 2024展會(huì)以設(shè)備、材料為主，重點(diǎn)包括半導(dǎo)體設(shè)備零部件、設(shè)備整機(jī)、電子化學(xué)品、高純氣體、晶圓原材料等，其中可以發(fā)現(xiàn)許多國(guó)產(chǎn)廠商的身影，特別是在真空閥門(mén)、流體控制系統(tǒng)、電源系統(tǒng)等設(shè)備零部件領(lǐng)域，以及光刻膠等電子化學(xué)品等領(lǐng)域。另外，化合物半導(dǎo)體是本次展會(huì)的一大重點(diǎn)，包括碳化硅襯底片、外延片及設(shè)備材料等領(lǐng)域，這也與近年來(lái)電動(dòng)汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展緊密相關(guān)。

總體來(lái)看，第三代半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備壁壘較高，國(guó)際廠商依舊占據(jù)較大市場(chǎng)。材料上國(guó)產(chǎn)廠商則取得了長(zhǎng)足進(jìn)展，如天岳先進(jìn)、天科合達(dá)成功打入全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場(chǎng)前十榜單。

一、材料：8英寸產(chǎn)品不斷開(kāi)出，國(guó)產(chǎn)替代卓有成效

展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)展出了許多半導(dǎo)體材料，如美科瑞先進(jìn)材料帶來(lái)了多款拋光液，容大感光、科華、寧波南大光電均展出了光刻膠等材料，第三代半導(dǎo)體材料廠商也非常多，天岳先進(jìn)攜其高品質(zhì)6英寸、8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相展會(huì)；天科合達(dá)則公開(kāi)展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品；天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品；同光股份在現(xiàn)場(chǎng)展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底；中電科半導(dǎo)體材料則攜山西爍科、河北普興、南京國(guó)盛電子的硅基氮化鎵外延、碳化硅單晶襯底、碳化硅外延、硅外延等多款產(chǎn)品參展；中環(huán)領(lǐng)先也在現(xiàn)場(chǎng)展示了其外延片產(chǎn)品；賀利氏則現(xiàn)場(chǎng)展示了碳化硅封裝材料；南京百識(shí)電子則帶來(lái)了碳化硅外延片；中機(jī)新材則展示了SiC襯底輔助材料。

Resonac

Resonac前身是昭和電工（Showa Denko）2020年，Showa Denko收購(gòu)了規(guī)模更大的日立化成（Hitachi Chemical）后正式組建了Resonac化學(xué)品集團(tuán)。本次其主要是帶來(lái)了半導(dǎo)體材料的解決方案。2023年2月消息，英飛凌與Resonac Corporation簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在碳化硅材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。今年1月中旬消息，Resonac CEO Hidehito Takahashi正在準(zhǔn)備對(duì)日本分散的芯片材料行業(yè)進(jìn)行新一輪整合，并表示這家化學(xué)品制造商可能會(huì)出手收購(gòu)關(guān)鍵公司JSR的股份。

山東天岳先進(jìn)

天岳先進(jìn)長(zhǎng)期專(zhuān)注碳化硅襯底研發(fā)，目前該公司已實(shí)現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型襯底、4-6英寸半絕緣型襯底等產(chǎn)品的規(guī)?；?yīng)。目前該公司在8英寸產(chǎn)品上也已經(jīng)在加速布局，用液相法制備的無(wú)宏觀缺陷的8英寸襯底更是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。2023年，天岳先進(jìn)在導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)能和規(guī)?；?yīng)能力上持續(xù)展現(xiàn)超預(yù)期成果。其碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目計(jì)劃于2026年實(shí)現(xiàn)全面達(dá)產(chǎn)，屆時(shí)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的年產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片。天岳先進(jìn)品牌負(fù)責(zé)人表示，在全球前十大功率半導(dǎo)體廠商中，有一半已經(jīng)建立合作關(guān)系。

天科合達(dá)

天科合達(dá)公開(kāi)展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品，其中8英寸產(chǎn)品包括N形SiC襯底、SiC外延片等，并現(xiàn)場(chǎng)披露了直徑、晶型、厚度等相關(guān)參數(shù)。2023年5月，天科合達(dá)與英飛凌簽訂了一份長(zhǎng)期協(xié)議，其將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品的6英寸碳化硅襯底和晶錠，其供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。根據(jù)該協(xié)議，第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料的供應(yīng)，但天科合達(dá)也將提供8英寸碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸晶圓過(guò)渡。

2023年8月，天科合達(dá)全資子公司江蘇天科合達(dá)碳化硅襯底二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開(kāi)工。據(jù)悉，江蘇天科合達(dá)二期項(xiàng)目將新增16萬(wàn)片碳化硅襯底產(chǎn)能，并計(jì)劃今年6月建設(shè)完成，8月竣工投產(chǎn)，屆時(shí)江蘇天科合達(dá)總產(chǎn)能將達(dá)到23萬(wàn)片。

天域半導(dǎo)體

此次展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸SiC外延片、SiC MOS管等產(chǎn)品。官方表示，公司于2021年開(kāi)始了8英寸的技術(shù)儲(chǔ)備，于2023年7月進(jìn)行了8英寸外延片的產(chǎn)品的小批量送樣；超過(guò)千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明8英寸SiC外延水平與6英寸外延水平相當(dāng)。

天成半導(dǎo)體

天成半導(dǎo)體已完成6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，在本次展會(huì)展出了8寸導(dǎo)電型SiC襯底。據(jù)悉，新開(kāi)發(fā)的6英寸導(dǎo)電型SiC襯底部分TSD缺陷密度低至0個(gè)/cm2，部分致命性缺陷BPD則低至32個(gè)/cm2；而在量產(chǎn)過(guò)程中，可以做到65%的襯底產(chǎn)品TSD＜100個(gè)/cm2、BPD＜100個(gè)/cm2。

中電科材料

山西爍科、河北普興、南京國(guó)盛電子均為中電科半導(dǎo)體材料的子公司。展會(huì)中，山西爍科展示6/8英寸N型及高純半絕緣型SiC襯底產(chǎn)品，重點(diǎn)展示了350微米厚8英寸碳化硅襯底。其主營(yíng)產(chǎn)品包含高純半絕緣碳化硅單晶襯底、N型碳化硅單晶襯底、碳化硅晶體等。據(jù)悉，其4英寸高純半絕緣碳化硅襯底國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率超50%，6英寸N型碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，公司還是國(guó)內(nèi)第一家生產(chǎn)出8英寸N型碳化硅襯底和8英寸高純半絕緣碳化硅襯底的公司，產(chǎn)業(yè)規(guī)模及工藝技術(shù)達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平。

本次展會(huì)上，國(guó)盛電子則展示了其8英寸Si和氮化鎵外延片，去年12月22日，國(guó)盛電子南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線(xiàn)。據(jù)悉，該公司擁有LPE、Gemini等公司生產(chǎn)的多種型號(hào)外延爐，主要產(chǎn)品包含列從3英寸到8英寸的P型和N型外延片，產(chǎn)能為8萬(wàn)片/月(4英寸等效)。

普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。作為國(guó)內(nèi)外延材科領(lǐng)先企業(yè)，普興電子主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號(hào)的硅基外延片、碳化硅外延片，據(jù)悉其大尺寸650V-6500V SiC 外延片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

中環(huán)領(lǐng)先

中環(huán)領(lǐng)先攜4-12英寸化腐片、拋光片、退火片、外延片、SOI片等全產(chǎn)品系列亮相展會(huì)，其中展示了6/8英寸SiC、GaN外延片。據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專(zhuān)注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

賀利氏

賀利氏（Zadient）現(xiàn)場(chǎng)展示了包括燒結(jié)膏、銅線(xiàn)、大面積燒結(jié)技術(shù)乃至Die Top System(DTS)材料系統(tǒng)在內(nèi)的完整解決方案，可覆蓋新一代碳化硅功率模塊封裝的各類(lèi)工程需求。2023年11月，賀利氏宣布收購(gòu)了一家初創(chuàng)企業(yè)Zadient Technologies，宣告進(jìn)入碳化硅粉料和碳化硅晶錠生長(zhǎng)領(lǐng)域。據(jù)悉，Zadient成立于2020年，是一家法德合資的碳化硅源粉廠商，不同于國(guó)內(nèi)主流的自蔓延碳化硅粉料合成方法，Zadient公司是通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝生產(chǎn)高純度碳化硅源材料。

河北同光股份

同光股份在現(xiàn)場(chǎng)展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底。據(jù)悉，該公司主要產(chǎn)品包括導(dǎo)電型、半絕緣型碳化硅襯底。目前，同光股份已掌握碳化硅晶體規(guī)?；慨a(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，引進(jìn)了國(guó)內(nèi)外先進(jìn)襯底加工及檢測(cè)設(shè)備，全面導(dǎo)入和推行ISO9001、IATF16949質(zhì)量管理體系，形成了專(zhuān)業(yè)、先進(jìn)、完整、穩(wěn)定的碳化硅襯底生產(chǎn)線(xiàn)。

南京百識(shí)電子

展會(huì)上，百識(shí)電子展示了其6-8英寸第三代半導(dǎo)體外延產(chǎn)品。百識(shí)電子成立于2019年8月，主要生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵蓋功率以及射頻微波等應(yīng)用。

深圳中機(jī)新材

深圳中機(jī)新材攜碳化硅晶圓切磨拋耗材方案中的大部分樣品來(lái)到展會(huì)，中機(jī)新材是一家專(zhuān)注于高硬脆材料和高性能研磨拋光材料的技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。尤其在第三代半導(dǎo)體晶圓研磨拋光應(yīng)用領(lǐng)域，公司取得多項(xiàng)關(guān)鍵性技術(shù)突破。

二、設(shè)備：龍頭企業(yè)頗多，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商加速追趕

展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)許多全球知名設(shè)備廠商現(xiàn)場(chǎng)展出了其代表性產(chǎn)品，如晶盛機(jī)電、中微公司、愛(ài)發(fā)科等等。

3月20日，SEMI也公布了其最新一季度的半導(dǎo)體設(shè)備報(bào)告，報(bào)告顯示全球 12 英寸晶圓廠（前端）設(shè)備投資將于明年突破千億美元大關(guān)，而在 2027 年將達(dá)創(chuàng)紀(jì)錄的 1370 億美元（約 9864 億元人民幣）。據(jù)悉，2025 年全球 12 英寸晶圓廠的設(shè)備投資將較今年大增 20%，漲幅將創(chuàng) 2021 年以來(lái)的新高；而在 2026 和 2027 年將分別增長(zhǎng) 12% 和 5%。SEMI 表示，半導(dǎo)體行業(yè)前端設(shè)備投資的增加得益于多重因素，包括存儲(chǔ)領(lǐng)域市場(chǎng)的復(fù)蘇和對(duì)高性能計(jì)算（HPC）和汽車(chē)應(yīng)用的強(qiáng)勁需求。

晶盛機(jī)電

本次展會(huì)中，晶盛機(jī)電發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測(cè)設(shè)備、12英寸全自動(dòng)減薄拋光設(shè)備三款新品。據(jù)悉，該公司圍繞“先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)深化“裝備+材料”的協(xié)同產(chǎn)業(yè)布局。在集成電路用大硅片領(lǐng)域，為行業(yè)提供整體設(shè)備解決方案；在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司聚焦6-8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化，致力于從長(zhǎng)晶-切磨拋-外延全鏈條設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代；在先進(jìn)制程領(lǐng)域，圍繞CVD等核心設(shè)備進(jìn)行研發(fā)，延伸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高端裝備產(chǎn)品布局，堅(jiān)持“強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈”推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)是我國(guó)設(shè)備龍頭企業(yè)，也是目前唯一的平臺(tái)級(jí)半導(dǎo)體設(shè)備廠商（設(shè)備類(lèi)型覆蓋ICP刻蝕（ICP+CCP）、沉積設(shè)備（PVD+CVD+ALD）、清洗、氧化、退火、MFC（氣體流量質(zhì)量控制器）等）。此次展會(huì)，北方華創(chuàng)亮相了SiC系列設(shè)備產(chǎn)品，覆蓋長(zhǎng)晶、外延等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

從近五年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)看，北方華創(chuàng)從2019年的40.58億元營(yíng)收成長(zhǎng)為2023年的220億元（2023年預(yù)計(jì)營(yíng)收在210~230億元間，取中位），CAGR（年復(fù)增長(zhǎng)率）為52.6％。凈利潤(rùn)從3.09億元成為至38.80億元（2023年預(yù)計(jì)營(yíng)收在210~230億元間，取中位），CAGR為88.2％。毛利率穩(wěn)定在35％~45％間，并呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。

中微公司

中微公司重點(diǎn)發(fā)展刻蝕（CCP與ICP）、物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積三大類(lèi)設(shè)備。此外，公司開(kāi)發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件等器件所需的多類(lèi)MOCVD設(shè)備也取得了良好進(jìn)展，2024年將會(huì)陸續(xù)進(jìn)入市場(chǎng)。

大族半導(dǎo)體

大族半導(dǎo)體在本次展會(huì)中展示了最新研發(fā)的全自動(dòng)激光全切機(jī)，并首次公開(kāi)展出工業(yè)級(jí)多波段脈沖激光器、100W飛秒激光器等。碳化硅領(lǐng)域，大族半導(dǎo)體主要帶來(lái)SiC 晶錠激光切片設(shè)備、SiC激光退火設(shè)備等產(chǎn)品。據(jù)悉，大族半導(dǎo)體主研應(yīng)用于硅、SiC、砷化鎵、GaN等材料的加工工藝，并一直致力開(kāi)發(fā)性能優(yōu)異的碳化硅切割解決方案。

昂坤視覺(jué)

本次展會(huì)，昂坤視覺(jué)帶來(lái)了旗下最新的化合物半導(dǎo)體的襯底和外延片的缺陷檢測(cè)方案。公開(kāi)資料顯示，昂坤視覺(jué)成立于2017年，是一家光學(xué)測(cè)量及檢測(cè)設(shè)備生產(chǎn)商，產(chǎn)品國(guó)際聞名。其致力于為化合物半導(dǎo)體光電和集成電路產(chǎn)業(yè)提供光學(xué)測(cè)量和光學(xué)檢測(cè)設(shè)備及解決方案，現(xiàn)有產(chǎn)品包括MOCVD在線(xiàn)監(jiān)測(cè)設(shè)備、LED照明缺陷檢測(cè)設(shè)備、化合物半導(dǎo)體的襯底和外延片的缺陷檢測(cè)設(shè)備及集成電路缺陷檢測(cè)設(shè)備等。

特思迪

北京特思迪本次展示了最新的減薄、拋光、CMP設(shè)備產(chǎn)品。去年10月末消息，特思迪完成B輪融資，其研發(fā)出的8英寸碳化硅全自動(dòng)減薄設(shè)備目前已投入市場(chǎng)，8英寸雙面拋光設(shè)備已通過(guò)工藝測(cè)試進(jìn)入量產(chǎn)階段。

愛(ài)發(fā)科（ULVAC）

愛(ài)發(fā)科本次帶來(lái)了先進(jìn)綜合真空解決方案。其總部位于日本，以真空技術(shù)為核心，F(xiàn)PD平板顯示制造及PV光伏產(chǎn)業(yè)制造設(shè)備、半導(dǎo)體及電子部品制造設(shè)備、濺射靶材材料、先端材料等為主要業(yè)務(wù)。此前消息顯示，愛(ài)發(fā)科在第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)域中的設(shè)備類(lèi)型有SiC功率半導(dǎo)體器件中的離子注入、濺射、刻蝕及蒸鍍?cè)O(shè)備；GaN HEMT領(lǐng)域則有uGmni系列干法刻蝕設(shè)備等。

迪思科（DISCO）

日本半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)迪思科主要在“切、削、磨”技術(shù)方面具有優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉，迪思科的設(shè)備類(lèi)型非常廣泛，不僅是通用產(chǎn)品，還致力于開(kāi)發(fā)HBM、使用電力效率高的碳化硅（SiC）晶圓的功率半導(dǎo)體等。行業(yè)消息顯示，DISCO推出的全新的SiC(碳化硅)切割設(shè)備，可將碳化硅晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶(hù)。據(jù)悉，由于碳化硅的硬度僅次于金剛石和碳化硼，硬度是硅的1.8倍，因此切割難度較大。

德國(guó)Centrothern

centrotherm是總部位于德國(guó)，是全球領(lǐng)先的熱處理設(shè)備供應(yīng)商，已有70多年的高溫?zé)崽幚砑夹g(shù)的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)。此次展會(huì)，centrotherm主要展示了快速熱退火、高溫?zé)嵫趸仍O(shè)備。此前行業(yè)消息顯示，centrotherm2021年8英寸碳化硅爐管設(shè)備建立了較為成熟的設(shè)備平臺(tái)體系，其三種熱處理設(shè)備（柵極氧化爐、退火爐、快速熱處理）均可兼容6/8英寸。

德國(guó)PVA TePla

德國(guó) PVA TePla是全球碳化硅設(shè)備行業(yè)隱形冠軍，其主要產(chǎn)品是大尺寸硅晶體以及6寸、8寸碳化硅晶體材料生長(zhǎng)設(shè)備，在本次展會(huì)中德國(guó) PVA TePla 向業(yè)界展示了多款前沿技術(shù)產(chǎn)品，

并帶來(lái)了為中國(guó)市場(chǎng)定制的碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備“SICN”，其采用的是物理氣象傳輸工藝PVT法生產(chǎn)碳化硅晶體，預(yù)計(jì)計(jì)劃今年二季度投入市場(chǎng)。

PVA TePla推出的SICN新品優(yōu)勢(shì)

上海邦芯半導(dǎo)體

上海的邦芯半導(dǎo)體主要為客戶(hù)提供全方位的解決方案，本次展會(huì)中邦芯半導(dǎo)體在化合物端帶來(lái)的設(shè)備主要是HongHu TSG150W/200WD，用于6/8英寸功率半導(dǎo)體工藝WCVD設(shè)備。HongHu Lvory 150W/200WD，用于6/8化合物半導(dǎo)體加工工藝ICP刻蝕設(shè)備。HongHu Coral 150W/200WD，用于6/8化合物半導(dǎo)體加工工藝CCP刻蝕設(shè)備。

思銳智能

本次展會(huì)，青島思銳智能帶來(lái)了離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相，今年3月1日，青島四方思銳智能技術(shù)有限公司宣布完成了數(shù)億元B輪融資。思銳智能聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。目前，思銳智能已形成“雙主業(yè)”布局，公司產(chǎn)品包括原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備。廣泛應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。

杭州西湖儀器

杭州西湖儀器成立于2021年12月主營(yíng)SiC碳化硅襯底激光切片及剝離設(shè)備。公司現(xiàn)有產(chǎn)品主要有SiC襯底激光切片、剝離設(shè)備，并有SiC激光平坦化、激光檢測(cè)、激光劃片設(shè)備、激光拋光設(shè)備正在研發(fā)中。

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)了解到，此次展會(huì)，意法半導(dǎo)體、瀚薪科技、泰科天潤(rùn)、愛(ài)仕特、華潤(rùn)微電子、飛锃半導(dǎo)體、芯導(dǎo)科技、國(guó)星光電、蓉矽半導(dǎo)體、銀河微電、應(yīng)能微電子、美浦森半導(dǎo)體、翠展微電子、中瑞宏芯等企業(yè)攜旗下SiC和GaN的新研發(fā)成果和先進(jìn)技術(shù)亮相，面向工業(yè)、能源、汽車(chē)和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

芯導(dǎo)科技

本次展會(huì)，芯導(dǎo)科技帶來(lái)了多種GaN和SiC功率器件。

SiC方面，公司展示了650V/1200V/1700V SiC MOSFET和SiC SBD。

GaN方面，其展出了40V~650V GaN HEMT和GaN Power IC。

芯導(dǎo)科技專(zhuān)注于功率IC（鋰電池充電管理 IC、OVP過(guò)壓保護(hù) IC、音頻功率放大器、GaN 驅(qū)動(dòng)與控制IC、DC/DC電源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、Schottky等）的開(kāi)發(fā)及應(yīng)用。

國(guó)星光電

國(guó)星光電在此次活動(dòng)中攜帶GaN和SiC功率器件亮相。GaN方面，國(guó)星光電展示了GaN SIP 合封器件、GaN恒壓電源、GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及33W快充墻插。

國(guó)星光電推出的GaN驅(qū)動(dòng)電源的開(kāi)關(guān)頻率高、體積縮小了1/3、重量更輕且電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加緊湊，功率密度高。其擁有極低的功率損耗，轉(zhuǎn)換效率高。相比于Si基，工作溫度更高，惡劣工況環(huán)境適應(yīng)能力得到了提升。該驅(qū)動(dòng)電源可用于LED照明、整屋低壓供電、低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。

SiC方面，國(guó)星光電帶來(lái)了多樣式SiC分立器件和SiC功率模塊。

國(guó)星光電推出了超薄內(nèi)絕緣SiC分立器件，該產(chǎn)品采用了自有的專(zhuān)利技術(shù)，讓產(chǎn)品尺寸降低了30%，性能更穩(wěn)定。

國(guó)星光電還展示了獲得車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證 SiC-MOSFET和 SiC-SBD，可滿(mǎn)足各大主流汽車(chē)廠家對(duì)高可靠性功率器件的要求。

瀚薪科技

瀚薪科技在本次展會(huì)中重磅推出650V和1200V低內(nèi)阻產(chǎn)品，1700V系列新品和H4S系列第四代Diode，T2PAK等產(chǎn)品。

瀚薪科技是一家致力于研發(fā)與生產(chǎn)第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的高科技企業(yè)，是國(guó)內(nèi)一家能大規(guī)模量產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET管、二極管并規(guī)模出貨給全球知名客戶(hù)的本土公司。

華潤(rùn)微電子

在此次展會(huì)上,華潤(rùn)微電子攜功率器件和模塊產(chǎn)品 (低壓MOSFET、SiC、IGBT、GaN) 、IPM配套方案、MCU安全芯片、MEMS安全芯片等豐富產(chǎn)品亮相。

華潤(rùn)微電子是擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運(yùn)營(yíng)能力的IDM半導(dǎo)體企業(yè)，公司產(chǎn)品設(shè)計(jì)自主、制造過(guò)程可控，在分立器件及集成電路領(lǐng)域均已具備較強(qiáng)的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力，形成了先進(jìn)的特色工藝和系列化的產(chǎn)品線(xiàn)。

銀河微電

銀河微電是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)，具備IDM模式下的一體化經(jīng)營(yíng)能力。在本次展會(huì)上，其推出了650V/1200V SiC肖特基二極管產(chǎn)品，為工程師設(shè)計(jì)各種應(yīng)用的轉(zhuǎn)換電路提供了理想的解決方案。

應(yīng)能微電子

應(yīng)能微電子作為領(lǐng)先的高性能保護(hù)器件和功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)研發(fā)商參加了此次盛會(huì)，并展示包含6英寸SiC晶圓板和SiC MOSFET在內(nèi)的眾多新產(chǎn)品和行業(yè)解決方案。

飛锃半導(dǎo)體

飛锃半導(dǎo)體在展臺(tái)上集中展示一系列創(chuàng)新成果，包括SiC MOSFET、SiC二極管、SiC功率模塊，用于新能源汽車(chē)和光伏儲(chǔ)能等熱門(mén)領(lǐng)域。

飛锃半導(dǎo)體成立至今一直對(duì)技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)投入和積累，隨著第三代SiC MOSFET通過(guò)可靠性測(cè)試認(rèn)證，飛锃半導(dǎo)體進(jìn)一步豐富了SiC MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)。本次展出的第三代1200V 14/18/30/40/80mohm SiC MOSFET，可廣泛應(yīng)用于充電樁、光伏&儲(chǔ)能、車(chē)載OBC/DCDC/主驅(qū)等領(lǐng)域。

美浦森半導(dǎo)體

美浦森半導(dǎo)體攜6英寸SiC 減薄晶圓以及SiC DIODE產(chǎn)品亮相。

美浦森半導(dǎo)體是一家專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體元器件全產(chǎn)業(yè)鏈公司。目前，美浦森半導(dǎo)體MOSFET和SiC系列產(chǎn)品在LED電源、PD電源、PC和服務(wù)器電源、光伏逆變、UPS、充電樁、智能家居、BLDC、BMS、小家電等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

蓉矽半導(dǎo)體

作為一家致力于第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC功率器件設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，蓉矽半導(dǎo)體攜旗下明星產(chǎn)品在展會(huì)上亮相。

本次蓉矽半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了1200V 75/40/12mΩ NovuSiC? MOSFET與1200V 10/20/30A NovuSiC? EJBS。

在20kW直流充電模塊中，與硅基器件相比，蓉矽NovuSiC?方案可減少器件數(shù)量50%；降低總損耗50%以上；提升效率約2%，峰值可達(dá)97%以上。在11kW光伏逆變器應(yīng)用中，相較FRD， NovuSiC? EJBS?可降低約30%的系統(tǒng)總損耗，分別降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二極管溫升。

意法半導(dǎo)體（ST）

本次慕尼黑華南電子展上，意法半導(dǎo)體（ST）為觀眾帶來(lái)智能出行、電源與能源、物聯(lián)網(wǎng)&互聯(lián)等三大板塊的產(chǎn)品和智能解決方案。

ST重點(diǎn)展示人工智能，個(gè)人居家用品及工業(yè)應(yīng)用等創(chuàng)新型解決方案；旨在展現(xiàn)產(chǎn)品與技術(shù)的同時(shí)，充分傳達(dá)ST的可持續(xù)發(fā)展理念；并通過(guò)ST的技術(shù)、產(chǎn)品和解決方案讓日常應(yīng)用變得更智能、更安全、更節(jié)能。

泰科天潤(rùn)

泰科天潤(rùn)在本次慕展上展出了SiC MOSFET、650V/60A混合單管、1700V/0.5A SMA封裝SiC二極管和2000V系列產(chǎn)品。

據(jù)工作人員介紹，他們還帶來(lái)了目前業(yè)界最小SiC器件，封裝尺寸僅為1.8*3.7*1.15mm，電壓電源為650V~1200V（1A）。

除此之外，泰科天潤(rùn)還推出了GaN+SiC的140W適配方案。

愛(ài)仕特科技

愛(ài)仕特?cái)y最新SiC MOSFET系列產(chǎn)品以及全系車(chē)規(guī)級(jí)SiC功率模塊及應(yīng)用解決方案亮相本次展會(huì)。愛(ài)仕特重點(diǎn)展出了SiC功率器件、電機(jī)控制器等方案，為眾多不同領(lǐng)域客戶(hù)提供豐富的產(chǎn)品組合和穩(wěn)定可靠的應(yīng)用方案，目前已實(shí)現(xiàn)電壓650~3300V，電流5~150A的SiC MOSFET量產(chǎn)供貨。

中瑞宏芯半導(dǎo)體

本次展會(huì)，中瑞宏芯主要展出的產(chǎn)品包括：1200V/13mΩ SiC MOSFET、Six-pack三相全SiC模塊、1200V/80mΩ車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET以及650V~1700V全系列全規(guī)格不同封裝形式的SiC JBS和SiC MOSFET。

中瑞宏芯在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已全面掌握從芯片設(shè)計(jì)、仿真建模到測(cè)試應(yīng)用、量產(chǎn)導(dǎo)入全流程know-how，產(chǎn)品主要包括SiC肖特基二極管JBS和SiC MOSFET功率器件等。

翠展微電子

作為一家具備4條功率器件封測(cè)線(xiàn)，汽車(chē)模塊年產(chǎn)能接近70萬(wàn)只的中國(guó)本土功率器件公司，翠展微電子帶來(lái)了全新的TPAK封裝解決方案。

TPAK封裝尺寸既可布置單顆晶圓芯片，也可并聯(lián)兩顆晶圓芯片，特別是應(yīng)對(duì)成本較高的SiC，降本優(yōu)勢(shì)更為明顯。

翠展微電子硬件研發(fā)經(jīng)理凌歡表示：“TPAK封裝是專(zhuān)門(mén)為克服TO-247等封裝方案缺陷而設(shè)計(jì)的解決方案，采用該封裝方案的產(chǎn)品已經(jīng)在特斯拉Model 3、Model Y等車(chē)型上得到批量應(yīng)用，目前國(guó)內(nèi)也有一些車(chē)型正在驗(yàn)證，相信采用TPAK封裝方案的功率器件產(chǎn)品將會(huì)在接下來(lái)幾年內(nèi)得到大力推廣?！?/p>

翠展微電子已在開(kāi)發(fā)基于TPAK封裝的SiC器件，據(jù)凌歡透露，首款5.5mΩ/1200V SiC模塊產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2024年Q2量產(chǎn)上市。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

TrendForce集邦咨詢(xún)旗下光電研究機(jī)構(gòu)LEDinside走訪了精密光學(xué)&攝像頭技術(shù)及應(yīng)用、激光技術(shù)及智能制造、智能傳感、紅外技術(shù)及應(yīng)用相關(guān)的4個(gè)展館，聚焦AR/VR應(yīng)用、新型顯示、紫外LED、紅外/VCSEL等四個(gè)方向，從20余家企業(yè)的視角了解各領(lǐng)域的前沿技術(shù)、產(chǎn)品及當(dāng)下的市場(chǎng)行情。

AR/VR

要說(shuō)人氣旺之處，就不得不提AR/VR產(chǎn)品及創(chuàng)新應(yīng)用展區(qū)，該展區(qū)設(shè)在5號(hào)館，是今年展示區(qū)中的一個(gè)亮點(diǎn)。JBD上海顯耀、水晶光電、耐德佳等廠商均在展位展示了AR/VR眼鏡等終端產(chǎn)品，吸引多數(shù)觀眾駐足體驗(yàn)，流連忘返。

耐德佳

JBD、水晶光電均展示了基于Micro LED的AR眼鏡。從工作人員透露的消息可知，相比去年，Micro LED結(jié)合光波導(dǎo)的方案的成熟度已有所提高，Micro LED光引擎在終端的測(cè)試驗(yàn)證和應(yīng)用正在積極推進(jìn)中，接下來(lái)更多新方案及終端產(chǎn)品將問(wèn)世。

JBD

具體來(lái)看，JBD展示了Hummingbird蜂鳥(niǎo)系列的單綠色、全彩Micro LED微顯示屏（0.13/0.22/0.31吋）及AR眼鏡（影目科技品牌）。據(jù)LEDinside了解，目前JBD的單色/彩色Micro LED微顯示屏均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，后續(xù)搭載彩色Micro LED微顯示屏的終端產(chǎn)品也即將上市。

JBD AR眼鏡的全彩圖

JBD眼鏡

另值得一提的是，JBD還宣布已正式發(fā)布單片全彩垂直堆疊Micro LED微顯示屏Phoenix鳳凰系列原型。該系列有別于蜂鳥(niǎo)系列（Micro LED光引擎是由三個(gè)獨(dú)立的紅、綠、藍(lán)單色面板與X-cube棱鏡組合而成，主要針對(duì)30°FOV光波導(dǎo)方案的AR眼鏡應(yīng)用），鳳凰系列采用單片式全彩垂直堆疊結(jié)構(gòu)，專(zhuān)為50°以上FOV光波導(dǎo)方案的AR眼鏡而設(shè)計(jì)。

作為AR核心光學(xué)模組供應(yīng)商，水晶光電展位的焦點(diǎn)也落在Micro LED AR眼鏡上，觀眾紛紛排隊(duì)佩戴，感受顯示的效果。水晶光電本次展示的是由終端合作品牌提供的Micro LED單綠色及全彩AR眼鏡，同時(shí)也展示了Micro LED光引擎。

水晶光電 單綠色眼鏡

水晶光電 全彩眼鏡

據(jù)介紹，水晶光電展示的AR眼鏡玉衡整機(jī)采用分辨率為640×480、視場(chǎng)角為28°±1°的Micro LED全彩微型光機(jī)，所用波導(dǎo)片透過(guò)率超過(guò)80%。

水晶光電 光引擎

Micro LED顯示芯片廠商鐳昱半導(dǎo)體雖不在AR產(chǎn)品及應(yīng)用展區(qū)，但也提供了全彩光波導(dǎo)AR眼鏡鏡片體驗(yàn)區(qū)，并重點(diǎn)展示了全彩Micro LED微顯示解決方案，其中，0.11吋產(chǎn)品據(jù)稱(chēng)是全球尺寸最小的單片式全彩Micro LED微顯示屏，像素密度達(dá)7200 PPI，分辨率為320×240。

鐳昱半導(dǎo)體

鐳昱半導(dǎo)體鏡片

Micro LED微顯示解決方案相關(guān)供應(yīng)商中，思坦科技、君萬(wàn)微也都帶來(lái)了AR產(chǎn)品解決方案。其中，思坦科技展示了0.13吋（640×480）和0.18吋（800×600）、0.45吋（1080P）單綠Micro LED顯示模組。0.13吋微顯示屏亮度超200萬(wàn)nits，功耗低于200mW，適配于戶(hù)外場(chǎng)景下的輕量化AR眼鏡。除了AR應(yīng)用，思坦科技也推出了用于3D打印、車(chē)載AR-HUD、瞄具產(chǎn)品、測(cè)距儀產(chǎn)品等的全套Micro LED顯示技術(shù)解決方案。

思坦科技展位

思坦科技

新型顯示

今年光博會(huì)特在2號(hào)館內(nèi)開(kāi)設(shè)了新型顯示展區(qū)，上述鐳昱半導(dǎo)體、思坦科技、君萬(wàn)微等便都在該展區(qū)內(nèi)，芯穎、華引芯、TCL華星、天馬微、維信諾等芯片、面板廠以及邁為、海目星等設(shè)備廠商也齊聚在新型顯示展區(qū)。

芯穎顯示是TCL華星與泉州三安合資成立的Micro LED技術(shù)公司，本次攜芯片及顯示屏亮相，芯片展品包括像素化排列的Micro LED芯片COC和可轉(zhuǎn)移Micro LED芯片COC，顯示屏展品則展示了與TCL華星聯(lián)合開(kāi)發(fā)的1.37吋高分辨率Micro LED顯示屏和7.1吋柔性Micro LED顯示屏。

芯穎

三安光電本次雖沒(méi)有在新型顯示展區(qū)獨(dú)立設(shè)展位，但其在8號(hào)館的展位上C位展出了146吋4K P0.833mm Micro LED大屏，該顯示屏采用MiP技術(shù)，所用芯片尺寸為34×58μm。目前，三安光電已與院校達(dá)成合作，產(chǎn)品已在院校內(nèi)落地應(yīng)用。

三安Micro LED

TCL華星的展品則涵蓋了LCD、Mini LED、OLED三大技術(shù)，以電競(jìng)顯示器及曲面顯示器應(yīng)用為重點(diǎn)。其中，Mini LED產(chǎn)品包括32吋240Hz超高清顯示器、27吋QHD全高清電競(jìng)顯示屏、34吋WQHD高性?xún)r(jià)比曲面顯示器、34吋WQHD165Hz R1500極致超薄曲面電競(jìng)屏。

TCL華星Mini LED顯示器

TCL華星Mini LED曲面顯示器

天馬微重點(diǎn)展示Micro LED透明屏、柔性AMOLED屏以及可折疊屏。其中，8.75吋Micro LED透明屏分辨率為880×480，亮度為800cd/㎡，透明度超70%。9.38吋Micro LED可調(diào)透明屏分辨率為960×480，峰值亮度為1500cd/㎡，可調(diào)透明度為10-24%。兩款產(chǎn)品均采用TFT LTPS主動(dòng)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，像素密度為114，面向車(chē)載顯示應(yīng)用。

天馬8.75吋Micro LED透明屏

天馬9.38吋Micro LED可調(diào)透明屏

維信諾重點(diǎn)展示了柔性AMOLED顯示屏，其12.3吋柔性AMOLED動(dòng)態(tài)卷曲全模組兼具科技和藝術(shù)感，現(xiàn)場(chǎng)頗為引人注目。據(jù)介紹，該產(chǎn)品采用超薄模組結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，配合自主疊層及中性層優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)全模卷曲半徑5mm，圈數(shù)7圈，卷曲可靠性超10萬(wàn)次。

維信諾12.3吋柔性AMOLED動(dòng)態(tài)卷曲全模組

維信諾柔性AMOLED車(chē)載一體化顯示終端解決方案

華引芯在顯示方面主要展示了Mini LED芯片及Mini LED背光車(chē)載顯示屏、電競(jìng)顯示屏及VR等穿戴顯示解決方案。其中，12.3吋Mini LED車(chē)載顯示屏集成了3840顆Mini LED，具有320個(gè)控光分區(qū)，采用0 OD設(shè)計(jì)，亮度為≥1200nits@13W，可實(shí)現(xiàn)NTSC≥95%的廣色域效果。VR應(yīng)用部分，華引芯展示了2.1吋背光源產(chǎn)品，Mini LED顆數(shù)和分區(qū)數(shù)都為490+，亮度達(dá)10萬(wàn)nits。

華引芯一站式整車(chē)光源解決方案

12.3吋Mini LED車(chē)載顯示屏

設(shè)備廠商中，邁為重點(diǎn)展示了MLED全線(xiàn)設(shè)備解決方案，對(duì)應(yīng)外延、芯片到封裝的生產(chǎn)需求。其中，Mini LED設(shè)備推出了激光隱切設(shè)備MX-LSD；Micro LED解決方案包括激光剝離設(shè)備MX-LLO、巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備MX-LMT和巨量鍵合設(shè)備MX-LCB。其中，Micro LED激光剝離設(shè)備掃描速度為0-5000mm/s，運(yùn)動(dòng)軸重復(fù)定位精度為≤1μm，適用于8吋內(nèi)Micro LED藍(lán)寶石晶圓及紅光晶圓片。據(jù)透露，邁為MLED設(shè)備具備較高的效率、精度和良率，現(xiàn)已與芯片、封裝及面板等領(lǐng)域的頭部企業(yè)展開(kāi)緊密合作。

激光隱切設(shè)備MX-LSD

剝離設(shè)備MX-LLO

巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備MX-LMT

海目星激光主要介紹了Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備及Mini LED巨量焊接設(shè)備、三合一返修設(shè)備等解決方案。其中，Mini LED巨量焊接設(shè)備用于Mini LED整板芯片高質(zhì)量焊接工藝，可取代傳統(tǒng)工藝的回流焊，應(yīng)用兼容Mini LED直顯模組、背光板以及COB封裝、MiP封裝等多種產(chǎn)品。

海目星

三合一返修設(shè)備

紅外/VCSEL

在8號(hào)紅外技術(shù)及應(yīng)用展館內(nèi)，三安光電、升譜光電等LED相關(guān)廠商推出了紅外及VCSEL解決方案，ams OSRAM以及純VCSEL供應(yīng)商縱慧芯光、長(zhǎng)光華芯等也攜各類(lèi)別產(chǎn)品與解決方案亮相6號(hào)館智能傳感展。

根據(jù)LEDinside了解，目前VCSEL產(chǎn)品在消費(fèi)電子市場(chǎng)的應(yīng)用較為廣泛，而且這一領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)趨于白日化，而車(chē)載激光雷達(dá)及工業(yè)等應(yīng)用則成為相關(guān)廠商布局的重點(diǎn)。

本次三安的VCSEL產(chǎn)品由旗下三安集成在12號(hào)館信息通信展上展出，具體產(chǎn)品包含高功率消費(fèi)類(lèi)VCSEL、紅色可見(jiàn)光VCSEL、高速數(shù)通VCSEL/VCSEL陣列/VCSEL封裝件、超高速數(shù)通VCSEL等。

據(jù)了解，三安集成的3D傳感等消費(fèi)類(lèi)用VCSEL產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)出貨，目前VCSEL激光芯片產(chǎn)品主攻車(chē)載激光雷達(dá)、工業(yè)加熱、醫(yī)療美容和Proximity接近傳感等應(yīng)用領(lǐng)域。

三安VCSEL產(chǎn)品

另外，三安光電紅外產(chǎn)品主要展示了940nm有紅爆和無(wú)紅爆攝像頭燈板，主要用于攝像頭補(bǔ)光照明功能；同步展出的血氧905nm發(fā)射芯片，可結(jié)合其PD信號(hào)接收芯片，實(shí)現(xiàn)終端產(chǎn)品測(cè)試血氧含量的功能。

三安紅外產(chǎn)品

升譜光電在傳統(tǒng)業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上，開(kāi)拓了VCSEL、紅外、紫外LED等新興業(yè)務(wù)。本次VCSEL部分主要展示了3D面陣ToF傳感器應(yīng)用解決方案，適用于工控識(shí)別類(lèi)產(chǎn)品。據(jù)透露，目前升譜VCSEL產(chǎn)品在掃地機(jī)器人、藍(lán)牙耳機(jī)等消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品中的應(yīng)用較多。

升譜VCSEL

紅外產(chǎn)品部分，升譜光電推出IR LED、紅外發(fā)射管、IR&PD LED、紅外激光器等解決方案。其中，紅外發(fā)射管展示了紅外電梯光幕應(yīng)用，IR & PD LED展示了紅外觸摸屏應(yīng)用。

紅外電梯光幕應(yīng)用

ams OSRAM帶來(lái)了豐富的智能傳感產(chǎn)品，覆蓋3D傳感、接近傳感、工業(yè)視覺(jué)、車(chē)載激光雷達(dá)等。其中比較吸睛的是未來(lái)駕駛體驗(yàn)區(qū)，該區(qū)域展示了2D及3D結(jié)構(gòu)光、艙內(nèi)傳感方案，結(jié)合了可供比較的雙紅外光源VCSEL模組和紅外LED。此外，ams OSRAM還展示了用于AR/VR、元宇宙等超高精度3D結(jié)構(gòu)光投射器，采用高效高功率VCSEL。

ams OSRAM

3D結(jié)構(gòu)光投射器

未來(lái)駕駛體驗(yàn)區(qū)

縱慧芯光及長(zhǎng)光華芯等兩家VCSEL主要供應(yīng)商均帶來(lái)了豐富的VCSEL產(chǎn)品系列。

縱慧芯光展出了用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、安防/醫(yī)療及光通訊的VCSEL芯片解決方案，針對(duì)車(chē)載激光雷達(dá)應(yīng)用，縱慧芯光還展示了自主開(kāi)發(fā)的驅(qū)動(dòng)板，可用于激光雷達(dá)測(cè)試。

縱慧芯光

驅(qū)動(dòng)板

長(zhǎng)光華芯則展示了工業(yè)視覺(jué)、車(chē)載激光雷達(dá)、智能消費(fèi)終端、智能家居等應(yīng)用產(chǎn)品解決方案，展品包含VCSEL晶圓及多個(gè)系列的VCSEL芯片。目前，長(zhǎng)光華芯VCSEL產(chǎn)品在車(chē)載激光雷達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用已取得了較多進(jìn)展。

長(zhǎng)光華芯

車(chē)載激光雷達(dá)產(chǎn)品

通快激光本次展位也以VCSEL為主題，展示了一系列解決方案。例如，集成光電二極管的VCSEL（ViP）作為新品展出，具備緊湊可靠的優(yōu)點(diǎn)，可安裝在透明屏幕后面。其他展品還包括：工業(yè)加熱TruHeat VCSEL系統(tǒng)，可用于電動(dòng)交通；精度氣體傳感采用了760-766nm單模VCSEL，可實(shí)時(shí)光學(xué)測(cè)量。

通快激光

集成光電二極管的VCSEL（ViP）

UV/UV LED

與上一屆一樣，紫外展區(qū)設(shè)于紅外技術(shù)及應(yīng)用展館內(nèi)，升譜光電、鴻利秉一、臺(tái)塑集團(tuán)福機(jī)裝、中科潞安、至芯半導(dǎo)體、拓展光電等均帶來(lái)了UV/UV LED產(chǎn)品。

華引芯

綜合幾家廠商的消息可知，相比前兩年，UV LED市場(chǎng)降溫了不少，但各家仍看好該細(xì)分市場(chǎng)在空氣殺菌、水殺菌等場(chǎng)景的應(yīng)用機(jī)會(huì)。此外，308/222nm準(zhǔn)分子技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始打開(kāi)了醫(yī)療、印刷固化等的應(yīng)用空間。據(jù)鴻利秉一工作人員介紹，其308nm準(zhǔn)分子燈在醫(yī)療市場(chǎng)有較大的需求，業(yè)務(wù)拓展良好。目前，國(guó)內(nèi)相關(guān)研究院也在對(duì)308/222nm紫外光源展開(kāi)積極的技術(shù)研究和應(yīng)用拓展。

鴻利秉一UV LED

準(zhǔn)分子燈

升譜光電針對(duì)紫外殺菌應(yīng)用展示了集成UVC LED動(dòng)態(tài)水殺菌模組的紫外殺菌水龍頭。據(jù)透露，該產(chǎn)品主要針對(duì)海外市場(chǎng)開(kāi)發(fā)，以水龍頭整套產(chǎn)品出貨海外客戶(hù)。

UVC LED動(dòng)態(tài)水殺菌模組

臺(tái)塑集團(tuán)旗下福機(jī)裝是首次參加中國(guó)大陸的展會(huì)，重點(diǎn)展示了空氣殺菌解決方案。據(jù)介紹，福機(jī)裝在空氣殺菌市場(chǎng)發(fā)展較為迅速，產(chǎn)品已廣泛用在電梯、超市、辦公室等領(lǐng)域。

福機(jī)裝

中科潞安、至芯半導(dǎo)體、拓展光電則展示了涵蓋水殺菌、空氣殺菌、表面殺菌等的一系列產(chǎn)品及解決方案。ams OSRAM雖不在紫外展區(qū)，也通過(guò)飲水機(jī)水殺菌及表面消毒裝置等展示了其UV LED解決方案。

中科潞安

至芯半導(dǎo)體

ams OSRAM

小結(jié)

本屆展會(huì)匯聚了3000多家企業(yè)，而僅從20多家廠商的產(chǎn)品及給出的信息就可以看到，技術(shù)發(fā)展邊界之廣、產(chǎn)品創(chuàng)新與迭代速度之快，新興領(lǐng)域也不例外，無(wú)論是老玩家還是新創(chuàng)者，都需要保持創(chuàng)新，才能在激流中勇進(jìn)，在不同賽道站穩(wěn)腳跟。從觀眾的視角來(lái)看，更多新技術(shù)、新產(chǎn)品的推出，有望進(jìn)一步讓生活與工作豐富化、智能化、便利化。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 陳佳純）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。