圖片來源：英飛凌官網(wǎng)截圖

氮化鎵作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其卓越的高頻、高效和高功率密度特性，在數(shù)據(jù)中心電源、電動汽車車載充電器、可再生能源逆變器以及消費電子快速充電等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。傳統(tǒng)上，GaN器件主要在6英寸或8英寸#晶圓 上制造，限制了其成本效益和產(chǎn)能擴張。

英飛凌此次在12英寸晶圓上成功實現(xiàn)GaN技術(shù)的量產(chǎn)準(zhǔn)備，意味著能夠顯著提升單片晶圓的芯片產(chǎn)出量，從而有效降低制造成本，并為市場提供更具競爭力的GaN解決方案。這不僅將加速GaN技術(shù)在現(xiàn)有應(yīng)用中的普及，也將為其進(jìn)入更廣闊的市場創(chuàng)造條件。

公司表示，此項技術(shù)進(jìn)展得益于其在材料科學(xué)、晶圓制造工藝以及器件設(shè)計方面的深厚積累與持續(xù)投入。12英寸晶圓的導(dǎo)入將確保英飛凌能夠滿足日益增長的GaN市場需求，并鞏固其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

隨著人工智能（AI）算力需求的激增，英飛凌積極響應(yīng)，為AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提供先進(jìn)電源解決方案。英飛凌正與NVIDIA攜手，共同推動未來AI服務(wù)器機架電源架構(gòu)的變革，以實現(xiàn)高效率、可靠且可擴展的電源轉(zhuǎn)換，此項合作細(xì)節(jié)已于2025年5月22日通過新聞稿公布。在電池備份單元（BBU）方面，英飛凌在近期發(fā)布的技術(shù)路線圖中，公布了新一代AI數(shù)據(jù)中心BBU解決方案發(fā)展藍(lán)圖，涵蓋從4kW到全球首款12kW的BBU電源方案。

此外，在今年的慕尼黑上海電子展上，英飛凌展示了全球最薄的硅功率晶圓（20微米），通過降低晶圓厚度將功率損耗減少15%以上，此項技術(shù)可廣泛應(yīng)用于包括AI在內(nèi)的多領(lǐng)域。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動力，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料代表，具有高電子遷移率、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率等特性，在5G通信、新能源汽車、高效電源管理等領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。A*Star 成立的氮化鎵國家半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換和創(chuàng)新中心，順應(yīng)技術(shù)發(fā)展趨勢，旨在整合資源，加速氮化鎵技術(shù)研發(fā)與商業(yè)化進(jìn)程。

據(jù)了解，2023年，新加坡政府撥款1.23億新加坡元（約7億元人民幣）支持該項目，為期五年，用于生產(chǎn)線建設(shè)和人力開銷等。該中心是新加坡首個可同時擁有6英寸碳化硅基氮化鎵和8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)線的基地，能服務(wù)從普通消費產(chǎn)品到先進(jìn)衛(wèi)星通信系統(tǒng)等應(yīng)用，支持芯片在5G和6G通信等先進(jìn)技術(shù)中的應(yīng)用。

該中心的商業(yè)運營預(yù)計將于2026年年中正式啟動。運營初期，中心將主要聚焦于為客戶提供氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的定制化研發(fā)與生產(chǎn)服務(wù)。同時，中心還計劃與國內(nèi)外的高校、科研機構(gòu)以及企業(yè)建立廣泛的合作關(guān)系，通過產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新的模式，加速技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化與應(yīng)用。此外，中心還將積極開展技術(shù)培訓(xùn)與人才培養(yǎng)工作，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)更多高素質(zhì)的專業(yè)人才。

目前該中心正與八個伙伴合作使用技術(shù)，還與當(dāng)?shù)靥蓟柰庋悠髽I(yè)#WaferLead?展開合作，旨在開發(fā)高質(zhì)量的碳化硅外延。

公開資料顯示，WaferLead成立于2019年2月，于2023年初在新加坡啟動了SiC外延代工業(yè)務(wù)，并于2025年5月成立新加坡首條工業(yè)級200毫米碳化硅晶圓開放式研發(fā)產(chǎn)線。

圖片來源：WaferLead——圖為外延SiC晶片

新加坡科學(xué)技術(shù)研究署成立的氮化鎵國家半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換和創(chuàng)新中心，旨在支持擁有生產(chǎn)級氮化鎵半導(dǎo)體制造和研究能力的公司和研究人員，為他們提供半導(dǎo)體研發(fā)能力和基礎(chǔ)設(shè)施，加速半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)解決方案的市場化和規(guī)?；?。同時，作為公共和私營部門共享最先進(jìn)的潔凈室設(shè)施、工具和制造操作的協(xié)作中心，促進(jìn)全球主要半導(dǎo)體企業(yè)與中小企業(yè)或初創(chuàng)企業(yè)之間的合作。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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此次合作的核心在于正式啟動并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)先進(jìn)的200mm硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。此舉旨在顯著提升供應(yīng)鏈韌性、加速技術(shù)創(chuàng)新，并優(yōu)化成本效益，從而推動氮化鎵技術(shù)在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、太陽能以及智能手機和家電等高增長市場的廣泛應(yīng)用。

圖片來源：納微半導(dǎo)體

強強聯(lián)手，擴大GaN制造規(guī)模

納微半導(dǎo)體計劃利用力積電位于中國臺灣新竹竹南科學(xué)園區(qū)8B工廠的200毫米產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)。該工廠自2019年投入運營以來，已展現(xiàn)出支持包括微型LED到射頻氮化鎵器件在內(nèi)的多種高產(chǎn)能氮化鎵制造流程的強大實力。

力積電憑借其先進(jìn)的180nm CMOS工藝能力，將為納微提供更小、更先進(jìn)的工藝節(jié)點。納微寬禁帶技術(shù)平臺高級副總裁Sid Sundaresan博士表示，在180nm工藝節(jié)點上生產(chǎn)200mm硅基氮化鎵，將使公司能夠持續(xù)創(chuàng)新，實現(xiàn)更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時大幅提升成本控制、規(guī)?；芰椭圃炝悸?。

此次合作中，力積電將為納微半導(dǎo)體生產(chǎn)100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以滿足48V基礎(chǔ)設(shè)施對氮化鎵日益增長的需求，特別是針對超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車。首批器件預(yù)計將于2025年第四季度完成認(rèn)證。其中，100V系列計劃于2026年上半年在力積電率先投產(chǎn)，而650V器件將在未來12-24個月內(nèi)從納微現(xiàn)有的供應(yīng)商臺積電逐步轉(zhuǎn)由力積電代工。

行業(yè)背景顯示，納微半導(dǎo)體此前的GaN功率IC主要在臺積電的晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)，早期報道指出納微可能利用的是臺積電的6英寸晶圓廠工藝，其GaN-on-Si生產(chǎn)利用成本效益高且廣泛可用的250-350納米設(shè)備，保持了較低的制造成本。此次向力積電的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移，不僅是產(chǎn)能的擴展，更是納微半導(dǎo)體在供應(yīng)鏈多元化、風(fēng)險分散及成本效益優(yōu)化方面的重要戰(zhàn)略部署，旨在充分利用200mm晶圓生產(chǎn)的規(guī)模優(yōu)勢。

技術(shù)與市場雙驅(qū)動，賦能多領(lǐng)域創(chuàng)新

納微半導(dǎo)體近期在全球多個關(guān)鍵市場取得了顯著進(jìn)展，彰顯其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位及其廣泛的應(yīng)用潛力。

在AI數(shù)據(jù)中心與電動汽車領(lǐng)域，納微的氮化鎵與碳化硅（SiC）技術(shù)已成功助力NVIDIA 800V HVDC架構(gòu)應(yīng)用于1兆瓦以上IT機架，充分展現(xiàn)了其在大功率解決方案上的卓越能力。在太陽能方面，全球領(lǐng)先的太陽能能源解決方案公司Enphase已宣布其下一代IQ9產(chǎn)品將采用納微的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片，進(jìn)一步推動清潔能源技術(shù)的發(fā)展。

圖片來源：納微半導(dǎo)體

特別是在車載應(yīng)用領(lǐng)域，納微的高功率GaNSafe技術(shù)憑借其通過AEC-Q100和AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的旗艦產(chǎn)品，正逐步深入商用車載充電機（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓DC-DC變換器等電動汽車核心應(yīng)用。此項技術(shù)已成功進(jìn)入長安汽車的首款商用氮化鎵車載充電器，標(biāo)志著納微車規(guī)級GaN解決方案的商業(yè)化進(jìn)程邁出了重要一步。

而在核心技術(shù)布局方面，納微半導(dǎo)體推出了GaNSense和GaNSlim等先進(jìn)技術(shù)。GaNSense技術(shù)通過將氮化鎵器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護(hù)功能集成，實現(xiàn)了無損可編程電流采樣，有效提升了能效并降低了損耗，該技術(shù)已應(yīng)用于Redmi K50冠軍版電競手機的120W氮化鎵充電器中。

而GaNSlim氮化鎵功率芯片則采用納微專利的DPAK-4L封裝，集成了智能電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，旨在打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。納微還推出了97.8%超高效的12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源，采用氮化鎵與碳化硅混合設(shè)計，符合開放計算項目（OCP）要求，以及第三代快速碳化硅MOSFETs，進(jìn)一步提升AI數(shù)據(jù)中心功率并加快電動汽車充電速度。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來源：麻省理工學(xué)院新聞

鑒于氮化鎵高昂的成本以及與硅基芯片的兼容性問題，MIT團(tuán)隊提出了新制造方案，在氮化鎵晶圓表面密集制造微型晶體管，切割成僅240×410微米的獨立單元（稱“dielet”），再通過銅柱低溫鍵合技術(shù)，精準(zhǔn)嵌入硅互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）芯片。

這一新技術(shù)的關(guān)鍵在于“分而治之”的策略。研究團(tuán)隊開發(fā)了專用工具，利用真空吸附和納米級定位技術(shù)，將dielet與硅基板的銅柱接口精確對齊，并在400攝氏度以下完成低溫鍵合。與傳統(tǒng)的金焊工藝相比，銅柱結(jié)合不僅成本更低，而且導(dǎo)電性更優(yōu)，同時完全兼容現(xiàn)有的半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

在實驗中，團(tuán)隊制作的功率放大器芯片（面積不足0.5平方毫米）在無線信號強度和能效方面均超越了傳統(tǒng)的硅基器件。這種混合芯片能夠顯著提升智能手機的通話質(zhì)量、帶寬和續(xù)航能力，同時降低系統(tǒng)的發(fā)熱。這種將硅基數(shù)字芯片與氮化鎵優(yōu)勢相結(jié)合的混合芯片，有望在通信、數(shù)據(jù)中心及量子計算等領(lǐng)域引發(fā)一場技術(shù)革命。

IBM的科學(xué)家Atom Watanabe對這一成果給予了高度評價，認(rèn)為它“重新定義了異質(zhì)集成的邊界，為下一代系統(tǒng)的微型化和能效優(yōu)化樹立了新的標(biāo)桿”。這一突破不僅展示了氮化鎵在高頻應(yīng)用中的巨大潛力，也為未來半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展提供了新的方向和思路。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導(dǎo)體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計提供更優(yōu)解決方案。

羅姆的Si MOSFET代表產(chǎn)品“RY7P250BM”被全球云平臺企業(yè)認(rèn)證為推薦器件。該產(chǎn)品作為一款為AI服務(wù)器必備的熱插拔電路專門設(shè)計的48V電源系統(tǒng)用100V功率MOSFET，以8080的小型封裝實現(xiàn)業(yè)界超寬的SOA（安全工作區(qū)），并實現(xiàn)僅1.86mΩ的超低導(dǎo)通電阻。在要求高密度和高可用性的云平臺中，有助于降低電力損耗并提升系統(tǒng)的可靠性。

圖片來源：羅姆官網(wǎng)——圖為羅姆產(chǎn)品RY7P250BM

此外，羅姆介紹，SiC元器件的優(yōu)勢在于可降低工業(yè)等領(lǐng)域中高電壓、大電流應(yīng)用的損耗。英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)旨在為功率超過1MW的服務(wù)器機架供電，這對于推進(jìn)其大規(guī)模部署計劃也起著至關(guān)重要的作用。這一新型基礎(chǔ)設(shè)施的核心在于可將電網(wǎng)的13.8kV交流電直接轉(zhuǎn)換為800V的直流電。而傳統(tǒng)的54V機架電源系統(tǒng)除了受物理空間限制（要滿足小型化需求）外，還存在銅材使用量大、電力轉(zhuǎn)換損耗高等問題。

羅姆的SiC MOSFET在高電壓、大功率環(huán)境下可發(fā)揮出卓越性能，不僅能通過降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗來提高效率，還以超小體積實現(xiàn)了滿足高密度系統(tǒng)設(shè)計要求的高可靠性。這些特性恰好與英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)所追求“減少銅材使用量”、“將能量損耗最小化”以及“簡化數(shù)據(jù)中心整體的電力轉(zhuǎn)換”等需求相契合。

作為對SiC產(chǎn)品的補充，羅姆同時還積極推進(jìn)GaN技術(shù)研發(fā)，現(xiàn)已推出EcoGaN系列產(chǎn)品，包括150V和650V耐壓的GaN HEMT、柵極驅(qū)動器以及集成了這些器件的Power Stage IC。SiC在高電壓、大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，而GaN則在100V~650V電壓范圍內(nèi)性能優(yōu)異，具有出色的介電擊穿強度、低導(dǎo)通電阻以及超高速開關(guān)特性。此外，在羅姆自有的Nano Pulse Control技術(shù)的加持下，其開關(guān)性能得到進(jìn)一步提升，脈沖寬度可縮短至最低2ns。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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IEEE ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、工藝、封裝和應(yīng)用等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的各個方面，是功率器件領(lǐng)域最具影響力和規(guī)模最大的頂級國際學(xué)術(shù)會議，被譽為該領(lǐng)域的“奧林匹克”盛會，一直以來都是國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界爭相發(fā)表重要成果的舞臺。

圖片來源：平湖實驗室

劉軒博士的論文“Dual- vs. Single-Peak Transconductance Evolution in Schottky p-GaN Gate HEMTs: Influence of Partially and Fully Depleted p-GaN layer”首次闡明了肖特基型p-GaN柵HEMT中雙跨導(dǎo)峰的特征及其隨p-GaN層激活狀態(tài)的演化規(guī)律，對商用化p-GaN柵HEMT器件的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計提供理論指導(dǎo)。

本研究通過設(shè)計對比實驗：三組部分耗盡（PDP-GaN，Mg激活濃度2e19 cm-3 ~ 7e17 cm-3）與一組完全耗盡（FDP-GaN，Mg激活濃度可忽略）。系統(tǒng)性揭示了p-GaN層激活濃度與HEMT器件中跨導(dǎo)（Gm）特性間的關(guān)系，結(jié)果表明：

在PDP-GaN器件中，不同Mg激活濃度晶圓的跨導(dǎo)Gm特征曲線都呈現(xiàn)雙峰特征。而在FDP-GaN器件的跨導(dǎo)Gm曲線則為單峰，該特征與完全鈍化后p-GaN層的柵極堆疊層可以近似看作MIS柵結(jié)構(gòu)一致。

在PDP-GaN器件的雙峰Gm特性中，隨著Mg激活濃度的降低，第一Gm峰的幅值對應(yīng)相同柵壓（VG）位置但幅值大小逐漸減??；第二Gm峰的幅值位置向高柵壓偏移且幅值衰減。

通過TCAD仿真驗證，雙跨導(dǎo)峰行為受柵極堆疊層背靠背結(jié)的柵壓分配（肖特基結(jié)電壓、勢壘層電壓和溝道電壓）機制影響，隨著Mg激活濃度越高肖特基結(jié)分壓越低。對于第一Gm峰，柵壓較低時由勢壘層電壓和溝道電壓主導(dǎo)，2DEG的濃度基本一致（第一Gm峰的柵壓相同），但肖特基結(jié)分壓影響，使得2DEG濃度的變化速率存在差異（第一Gm峰的幅值變化）。對于第二Gm峰，柵壓較高時由肖特基結(jié)電壓主導(dǎo)，高M(jìn)g激活濃度的肖特基結(jié)分壓較小，使得達(dá)到相同2DEG濃度需要更低柵壓（第二Gm峰對應(yīng)柵壓更低），同時，使得2DEG濃度的變化速率存在差異（第二Gm峰的幅值更大）。

該論文系統(tǒng)探究了p-GaN層Mg激活濃度對肖特基柵極HEMT器件開態(tài)跨導(dǎo)曲線峰演化的機制，闡明了Mg激活工藝對跨導(dǎo)特性的影響機制，為高性能p-GaN柵HEMT的設(shè)計優(yōu)化提供了關(guān)鍵指導(dǎo)。

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圖片來源：先為科技

先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備，各項性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。該設(shè)備運用特有的溫場和流場設(shè)計，不僅能實現(xiàn)高質(zhì)量的成膜效果，為功率芯片、射頻芯片、Micro LED 芯片的GaN外延制造提供堅實保障，而且在產(chǎn)能上表現(xiàn)卓越，能夠大幅提升生產(chǎn)效率，同時有效降低了使用成本，為客戶提供優(yōu)異的GaN外延加工解決方案。

作為先為科技的創(chuàng)新之作，該設(shè)備通過潛心鉆研的正向自主研發(fā)，具備完全的自主知識產(chǎn)權(quán)，能夠有力地推動化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備的自主化。此次 GaN MOCVD 外延設(shè)備的發(fā)貨，不僅是先為科技自身發(fā)展的重大突破，更是先導(dǎo)集團(tuán)在半導(dǎo)體領(lǐng)域“裝備自主”戰(zhàn)略推進(jìn)的又一重要成果體現(xiàn)。

資料顯示，先為科技是一家致力于化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備的研發(fā)、制造與銷售的創(chuàng) 新型和科技型企業(yè)，為全球客戶提供高端化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備與服務(wù)。

先為科技是先導(dǎo)集團(tuán)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵企業(yè)，公司依托集團(tuán)在高端裝備制造領(lǐng)域的深厚積累，在化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備領(lǐng)域，擁有正向研發(fā)且知識產(chǎn)權(quán)自主可控的GaN MOCVD外延設(shè)備、SiC Epi外延設(shè)備，應(yīng)用于功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生產(chǎn)制造，各項性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，為客戶提供高可靠性、高性能的量產(chǎn)外延裝備及全生命周期解決方案。

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1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案

6月初，MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開關(guān)MPXG2100系列和PFC穩(wěn)壓器MPG44100系列，為快速充電市場、工業(yè)系統(tǒng)及消費電子產(chǎn)品，提供高集成度、高性能且經(jīng)濟高效的解決方案。

MPXG2100系列將初級反激控制器、氮化鎵功率管、隔離電路、同步整流控制器和同步整流硅管，以及零電壓開通控制集成于單芯片，實現(xiàn)了超高集成度。其零電壓開通控制無需額外電路，有效降低空載待機功耗，提升滿載和輕載效率，同時縮短產(chǎn)品開發(fā)周期、降低物料成本。

MPG44100與MPXG2100組合方案，能夠滿足全球嚴(yán)苛的能源標(biāo)準(zhǔn)，顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜性，優(yōu)化物料清單總成本。該方案適用于高端PD適配器、筆記本電源、電動工具充電器等多種場景。其中，MPG44100采用無損電流采樣并集成氮化鎵器件；MPXG2100通過自適應(yīng)零電壓開通控制，同樣集成氮化鎵器件，兩者協(xié)同工作，為大功率系統(tǒng)提供高效解決方案。

2、酷態(tài)科推出氮化鎵充電寶，開啟便攜充電新體驗

5月30日，小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科在官方微博宣布，即將推出酷態(tài)科15AIR氮化鎵充電寶。從官微放出的渲染圖看，產(chǎn)品保持深灰色設(shè)計風(fēng)格，配備功率顯示屏。

氮化鎵器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件更快，能實現(xiàn)更高開關(guān)頻率與更低導(dǎo)阻，可降低充電寶內(nèi)部被動器件數(shù)量及規(guī)格，在有限空間內(nèi)有效提升轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而減小產(chǎn)品體積?？釕B(tài)科15AIR充電寶創(chuàng)新性引入GaN器件，替代傳統(tǒng)硅MOS器件，實現(xiàn)更高轉(zhuǎn)換效率，大幅提升充電功率并降低損耗，實際轉(zhuǎn)換效率達(dá)97%。與常規(guī)15000mAh充電寶相比，其體積縮小26.2%。

此外，該產(chǎn)品引入近年廣泛應(yīng)用于手機的硅碳負(fù)極電池，單片電池薄至0.52mm，內(nèi)有7%的超高含硅量，具備737Wh/L超高能量密度。

3、結(jié)語

MPS和酷態(tài)科的新品，充分展現(xiàn)氮化鎵技術(shù)在電源領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。隨著氮化鎵技術(shù)不斷成熟與普及，未來將有更多體積更小、效率更高、性能更優(yōu)的電源產(chǎn)品問世，為消費者帶來更便捷、高效的使用體驗，同時推動相關(guān)行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展。

酷態(tài)科15AIR充電寶有望掀起高功率充電寶氮化鎵普及浪潮，帶動功率器件廠商、品牌方及工廠攜手合作，共同推動氮化鎵方案迭代升級。而MPS的新產(chǎn)品，也將為快速充電、工業(yè)系統(tǒng)等領(lǐng)域，提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

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01奧通碳素半導(dǎo)體級等靜壓石墨項目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行

6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息，奧通碳素（內(nèi)江）科技有限公司的半導(dǎo)體級等靜壓石墨項目目前已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試收官與試生產(chǎn)并行階段。該項目位于成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟圈的東興經(jīng)開區(qū)，是東興區(qū)布局產(chǎn)業(yè)鏈高端環(huán)節(jié)的關(guān)鍵項目。其瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片、光伏新能源、高端模具制造等 “卡脖子” 領(lǐng)域，所生產(chǎn)的高端等靜壓石墨主要應(yīng)用于碳化硅半導(dǎo)體制造行業(yè)、高端電火花加工行業(yè)以及3C產(chǎn)品模具行業(yè)，同時兼顧光伏產(chǎn)業(yè)。

項目分三期建設(shè)，一期工程總投資1.5億元，新建了年產(chǎn)2000噸石墨粉、配料、混捏生產(chǎn)線，目前大型設(shè)備已全部安裝完畢，調(diào)試工作進(jìn)入最后階段，預(yù)計9月可全面投產(chǎn)。二期工程計劃總投資4億元，將建設(shè)8.7萬平方米廠房，新建年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體級等靜壓石墨全工藝流程生產(chǎn)線，目前前期工作已啟動，計劃于2026年建成投產(chǎn)。

三期工程規(guī)劃投資4.5億元，將建設(shè)11.3萬平方米廠房及配套生產(chǎn)線，將在二期投產(chǎn)當(dāng)年同步啟動。項目整體建成后，可形成年產(chǎn)1萬噸半導(dǎo)體級等靜壓石墨產(chǎn)能，預(yù)計實現(xiàn)年營收15億元，帶動當(dāng)?shù)?00余人就業(yè)。

02全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目：順利封頂

6月8日，全磊光電的化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目也披露最新進(jìn)展，該項目順利封頂。項目位于火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)，由全磊光電股份有限公司投建，計劃采購金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備等主要生產(chǎn)工藝設(shè)備、測試設(shè)備和配套設(shè)備設(shè)施，用于生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體外延片/芯片產(chǎn)品。

圖片來源：天映投資集團(tuán)有限公司

建成投產(chǎn)后，全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）基外延片產(chǎn)品，逐步拓展至氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，并應(yīng)用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領(lǐng)域。

項目建設(shè)期為兩年，其中一期建設(shè)內(nèi)容為生產(chǎn)車間、綜合樓以及動力車間等，計劃于2026年1月份投產(chǎn)；二期主要建設(shè)3號樓和4號樓的研發(fā)車間，將于2027年2月份投產(chǎn)，投產(chǎn)后產(chǎn)能是年產(chǎn)40萬片化合物半導(dǎo)體的外延片和芯片。該項目的推進(jìn)將進(jìn)一步完善廈門市化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心環(huán)節(jié)，填補國內(nèi)光通信領(lǐng)域高端產(chǎn)品的空白。

03晶旭半導(dǎo)體超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線：沖刺試產(chǎn)

據(jù)“上杭融媒”6月9日消息，全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線進(jìn)入沖刺試產(chǎn)階段。該項目由福建#晶旭半導(dǎo)體?科技有限公司投資建設(shè)，總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)。目前，項目土建部分以及主體的封頂工程已經(jīng)完成，正在進(jìn)行雨污管網(wǎng)和路面的建設(shè)，內(nèi)部裝修也全面進(jìn)入精裝修工程，動力站機房的建設(shè)以及廠房的裝修工程預(yù)計在9月份可完成初步試產(chǎn)動作。

圖片來源：上杭融媒

福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司是一家擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)，面向5G通信中高頻聲波濾波器晶圓及芯片材料。其技術(shù)團(tuán)隊從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上處于國際領(lǐng)先地位。該生產(chǎn)線建成后，不僅將填補國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白，同時也對上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要推動作用 。

隨著這些項目的逐步推進(jìn)和落地，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更快速的發(fā)展，有望在能源、通信、汽車等多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級和創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐 。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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圖片來源：華東理科大學(xué)

團(tuán)隊利用開發(fā)的二維有機薄膜憶阻器實現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。

相關(guān)研究成果以“Covalent organic framework-based photoelectric dual-modulated memristors for wafer surface quality evaluation”為題在線發(fā)表于Cell Press旗下期刊Matter上。

#氮化鎵?晶圓檢測在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域至關(guān)重要，影響著芯片質(zhì)量、產(chǎn)量和成本控制。晶圓表面的缺陷會導(dǎo)致電短路、開路和器件性能下降。研究人員開發(fā)了多種方法來評估晶圓的表面質(zhì)量，但目前已經(jīng)報道的方法仍然受到分辨率和效率等方面的限制。

因此，需要更先進(jìn)的評估技術(shù)來確保更好的芯片性能。憶阻器是一種新型的電子元件，具有實時處理、減少延遲、可擴展性和靈活性等顯著優(yōu)勢?；趹涀杵鞯倪吘売嬎惚灰暈橐环N有潛力的晶圓檢測方案。

該校智能傳感團(tuán)隊報道了一種大面積的刺激響應(yīng)型共價有機框架薄膜（ODAE-COF），并以此薄膜材料為活性層制備了具有光電雙響應(yīng)特性的憶阻器，進(jìn)一步開發(fā)了基于憶阻器的新型邊緣計算系統(tǒng)。該系統(tǒng)集成了傳感單元和數(shù)據(jù)處理模型，分別用于晶圓的空洞缺陷檢測和表面粗糙度分類。

傳感單元模型包含兩個網(wǎng)絡(luò)：首先在圖像增強網(wǎng)絡(luò)中，利用憶阻器的光響應(yīng)性進(jìn)行去噪和特征提??；接著，信號被傳輸?shù)揭粋€由輸入、編碼器、解碼器和輸出模塊組成的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，用于精確定位缺陷。通過對400幅晶圓的X射線圖像進(jìn)行測試，證明了空洞缺陷檢測的有效性。

數(shù)據(jù)處理模型則包含一個圖像注意力模塊、一個特征卷積模塊和一個概率映射模塊，所有模塊均由64種光電導(dǎo)態(tài)的憶阻器構(gòu)成。該模型在晶圓表面粗糙度分類中實現(xiàn)了優(yōu)異的表現(xiàn)，平均精度超過90%。

據(jù)悉，上述研究成果得到了國家自然科學(xué)基金創(chuàng)新群體項目、國家重點研發(fā)計劃和上海教委協(xié)同創(chuàng)新建設(shè)項目等資助。

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