文章分類： 氮化鎵GaN

又3家化合物半導體相關企業(yè)獲融資！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 24 日 17:45 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，芯百特、愛矽科技、時代速信三家化合物半導體相關企業(yè)獲超億元融資。 芯百特 芯百特微電子（無錫）有限公司（以下簡稱“芯百特”）宣布于近日完成新一輪近億元融資，投資方包括揚州啟正、無錫惠開、惠之成等，融資資金將用于研發(fā)投入和設備采購等。芯百特聚焦高性能射頻芯片，目前已具備CMO...  [詳內文]

擬募212億元！今年最大IPO啟動申購

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 24 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今日，華虹半導體發(fā)布《華虹半導體有限公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行公告》，表示其計劃在上海證券交易所上市，籌集至多212億元人民幣資金。 華虹半導體在向交易所提交的一份聲明中表示，將以每股52元的價格出售40775萬股。 華虹半導體稱，華虹半導體首次公開發(fā)行40775萬股...  [詳內文]

車規(guī)級功率器件需求擴增，氮化鎵要“吃進”部分碳化硅市場？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 21 日 17:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
根據(jù)韓國媒體 BusinessKorea 報導，三星電子即將進軍氮化鎵 （GaN）市場，目的是為了滿足汽車領域對功率半導體的需求。 報導引用知情人士的說法指出，三星電子近期在韓國、美國舉辦的“2023三星晶圓代工論壇”活動宣布，將在2025年起，為消費級、資料中心和汽車應用提供8...  [詳內文]

總投資12億元，這個GaN項目投入使用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 20 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)馬鞍山經開區(qū)消息，7月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司新廠區(qū)正式揭牌投用。此次投入使用的新廠區(qū)占地52畝，新建廠房5.1萬平方米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應用模組封裝線的研發(fā)、生產和銷售。 此前公開消息顯示，東科半導體超高頻氮化鎵電源管理芯片項目...  [詳內文]

英諾賽科再推兩款GaN器件，在工業(yè)市場挖掘新藍海

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 20 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，為了推進GaN在高頻市場的應用，英諾賽科基于150V電壓平臺推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。 其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開關損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量...  [詳內文]

鎵、鍺出口管制，半導體產業(yè)鏈影響幾何？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 19 日 15:58 |
| 分類: 氮化鎵GaN
7月3日，中國商務部和海關總署宣布，為維護國家安全和利益，決定自2023年8月1日起對鎵和鍺相關物項實施出口管制。其中，鎵相關物項包括金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵等8項，鍺相關物項包括金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅等6項，具體如下兩個表： 作為新興的戰(zhàn)略關鍵礦產，鎵、鍺均已被列入國家戰(zhàn)...  [詳內文]

中芯國際換帥

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日，中芯國際在港交所發(fā)布公告稱，高永崗因工作調整，辭任公司董事長、執(zhí)行董事及董事會提名委員會主席職務，自2023年7月17日起生效。 公司副董事長、執(zhí)行董事及董事會提名委員會委員劉訓峰獲委任為公司董事長、執(zhí)行董事及董事會提名委員會主席，自2023年7月17日起生效。 據(jù)公告內容...  [詳內文]

不要把800V的高成本妖魔化，這些主機廠和Tier 1正在卷技術卷規(guī)模

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
小鵬G6上市熱潮再度掀起800V的適用性和適配性討論。同樣電驅Tier 1在近兩年陸續(xù)發(fā)布了許多800V新品。 在這個過程中，整個行業(yè)提出了幾大問題：800V電驅該怎么降本，面臨著哪些技術挑戰(zhàn)？外資Tier 1能否在800V時代超車？ 為什么800V？ 800V的興起源于對超快充...  [詳內文]

金剛石基GaN問世

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 17 日 17:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能，而在高功率、高頻、高溫領域有至關重要的應用。金剛石，已被認為是目前最有發(fā)展前途的寬禁帶半導體材料之一。 美國國防...  [詳內文]