文章分類： 氮化鎵GaN

多應(yīng)用驅(qū)動！SiC、GaN等第三代半導體未來可期

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
關(guān)于第三代半導體的疑慮，這場研討會都有答案。 第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點，先天性能優(yōu)越，是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而，現(xiàn)實與理想之間尚有較大差距，我們對第三代半導體的發(fā)展仍存疑慮。 為進一步剖析第三代半導體的現(xiàn)...  [詳內(nèi)文]

發(fā)力SiC、GaN，這兩大美企又有新動作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，據(jù)外媒報道，Axcelis向歐洲、亞洲客戶交付了多臺Purion H200 SiC Power Serie離子注入系統(tǒng)；Transphorm與美國國家安全技術(shù)加速機構(gòu)簽訂協(xié)議。 1、Axcelis交付數(shù)臺離子注入機 美國離子注入設(shè)備制造商Axcelis公司日前宣布，向歐洲、...  [詳內(nèi)文]

牽頭歐洲聯(lián)合研究計劃，英飛凌再發(fā)力GaN功率半導體！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 23 日 18:18 |
| 分類: 氮化鎵GaN
作為國際功率半導體龍頭廠商之一，英飛凌的動態(tài)備受市場關(guān)注，在相關(guān)行業(yè)扮演著重要的角色，尤其是SiC、GaN等第三代半導體市場。 今年3月，英飛凌宣布擬收購GaN芯片龍頭GaN Systems一事便在第三代半導體領(lǐng)域引起巨大反響，不僅將GaN再次推到聚光燈之下，傳遞著GaN將加速在...  [詳內(nèi)文]

3大射頻/碳化硅相關(guān)項目落地、開工、投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 23 日 18:15 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今年以來，國內(nèi)各地第三代半導體相關(guān)項目建設(shè)如火如荼，與終端市場需求的蒸蒸日上遙相呼應(yīng)。近日，又有3大項目落地、開工、投產(chǎn)，涉及射頻及SiC碳化硅等領(lǐng)域。 漢天下14億元射頻模塊項目簽約落戶浙江湖州 據(jù)報道，5月18日，浙江省“415X”先進制造業(yè)專項基金群啟動暨簽約儀式舉行。會上...  [詳內(nèi)文]

ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 22 日 18:59 |
| 分類: 氮化鎵GaN
全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。 據(jù)悉，電源和電機的用電量占全世界...  [詳內(nèi)文]

金剛石功率器件要來了！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 18:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
外媒15日消息，日本精密零部件制造商Orbray與車載半導體研究公司Mirise Technologies（日本電裝與豐田合成于2020年聯(lián)合成立的合資公司）已經(jīng)達成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將聯(lián)合開發(fā)垂直結(jié)構(gòu)金剛石功率器件。 據(jù)悉，合作項目為期3年，Orbray和Mirise將利用各自在...  [詳內(nèi)文]

直擊深圳國際半導體展：30+三代半廠商亮相！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月16日，為期三天的SEMI-e第五屆深圳國際半導體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕。 本屆展會以“芯機會 智未來〞為主題，涵蓋6大特色展區(qū)，包括電子元器件、IC設(shè)計&芯片、晶圓制造及封裝、半導體設(shè)備、半導體材料、第三代半導體，為各領(lǐng)域的行業(yè)人士...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】華燦光電：GaN功率器件創(chuàng)新應(yīng)用市場前景分析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 15 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN
GaN功率器件具有良好的耐熱性、導電性和散熱性。與硅元件相比，GaN功率器件具有更高的電流密度和遷移率。 基于GaN功率器件的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，廣泛應(yīng)用于消費電子、數(shù)據(jù)中心等諸多領(lǐng)域，是推進電能高效利用的關(guān)鍵技術(shù)，也是節(jié)能減排的重要技術(shù)。 華燦光電十五年...  [詳內(nèi)文]

納微半導體發(fā)布全新GeneSiC SiCPAK?模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 12 日 11:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，納微半導體宣布其采用了全新SiCPAK?模塊和裸片的領(lǐng)先碳化硅功率產(chǎn)品已擴展到更高功率市場，包括鐵路、電動汽車、工業(yè)、太陽能、風能和能量儲存等領(lǐng)域。 Source：納微半導體 目標應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋集中式和組串式太陽能逆變器、能量儲存系統(tǒng)（ESS）、工業(yè)運動控制，電動汽車（EV...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科進軍高壓高功率市場，最新成果發(fā)布！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 11 日 17:29 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，海內(nèi)外諸多SiC、GaN廠商發(fā)布新品新技術(shù)。據(jù)化合物半導體市場不完全統(tǒng)計，安森美、英飛凌、安世半導體、英諾賽科、納微半導體、Transphorm、EPC、CGD等都發(fā)布了GaN或SiC最新開發(fā)成果，性能升級，應(yīng)用范圍也進一步拓寬。其中，英諾賽科便發(fā)布了聯(lián)合研究成果，為進軍高...  [詳內(nèi)文]