文章分類： 氮化鎵GaN

銘鎵半導體在4英寸氧化鎵晶圓襯底技術領域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱：銘鎵半導體）使用導模法成功制備了高質量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，并且進行了多次重復性實驗，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產業(yè)化公司。 銘...  [詳內文]

國產氮化鎵外延龍頭晶湛半導體再獲數億元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成數億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。 本輪增資由蔚來資本、美團龍珠領投，華興資本旗下華興新經濟基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。 晶湛半導體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示...  [詳內文]

EPC公司攜手世界先進，發(fā)力8英寸GaN功率半導體

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 07 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
12月6日，GaN功率FETs及功率IC提供商EPC公司宣布與特殊芯片代工廠世界先進（VIS）簽訂了一項GaN功率半導體多年生產協(xié)議。根據協(xié)議，EPC公司將從2023年初開始使用世界先進的8英寸晶圓制造平臺，生產高性能GaN晶體管和GaN功率IC。 據介紹，EPC的GaN器件...  [詳內文]

搶攻GaN功率器件市場，GaN Systems成立深圳辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今日，GaN Systems 氮化鎵系統(tǒng)公司宣布成立深圳辦事處，與中國臺灣辦事處共享設計研發(fā)資源，為亞太地區(qū)客戶提供最及時且符合市場需求的GaN氮化鎵解決方案，包括65W/100W/140W/250W的手機及筆電充電器參考設計，高功率數據中心及車用PFC、DC/DC轉換器及逆變器...  [詳內文]

中鎵半導體聯(lián)合北京大學在GaN襯底研發(fā)領域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:51 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，中鎵半導體與北京大學、波蘭國家高壓實驗室開展了合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。 實驗使用乙烯氣源制備了半絕緣GaN襯底，并對制備得到的GaN材料進行了表征，證明了乙烯氣源的摻雜效率比傳統(tǒng)甲烷氣源高40倍。在相同測試溫度下比較了現有報道的半絕...  [詳內文]

長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月29日，蘇州半導體激光創(chuàng)新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”在蘇州長光華芯正式揭牌成立。 氮化鎵是第三代半導體中具有代表性的材料體系，氮化鎵藍綠光激光器未來在激光顯示、有色金屬加工等諸多領域都有巨大的應用優(yōu)勢以及不可替代的作用。基于氮化鎵的藍綠光激光器是第三...  [詳內文]

國際GaN器件廠Transphorm在深圳設立辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
納微半導體之后，美國GaN FETs高壓電源轉換產品供應商Transphorm也在深圳設立了辦事處，全球GaN器件廠商在中國市場的角逐日趨激烈。 昨（1）日，Transphorm宣布，已在中國深圳開設辦事處/GaN應用實驗室，深圳辦事處的團隊將負責提升本土客戶支持、銷售及市場營銷...  [詳內文]

化合物半導體企業(yè)固立得獲5000萬元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，江蘇固立得精密光電有限公司（以下簡稱“固立得”）宣布獲得5000萬元A+輪融資。 據悉，本輪融資由福滿鑫資本、鑫濤資本領投，常州本土知名投資 人和企業(yè)家跟投。融資資金將用于芯片產能的擴大，以滿足更大的市場需求。 資料顯示，固立得成立于2005年，是一家專業(yè)從事第三代化合物（...  [詳內文]