文章分類： 氮化鎵GaN

阿爾法推出氮化鎵機器人關節(jié)模組

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 20 日 15:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
作為第三代半導體材料的代表，氮化鎵（GaN）正以高電子遷移率、高耐壓、低損耗等特性，成為人形機器人核心部件升級的關鍵推手。近期，國內公司傳出相關新動態(tài)。 5月17日，中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅動的機器人關節(jié)模組（型號：ZK-RI 0–PRO...  [詳內文]

外延基地投產(chǎn)、氮化鎵芯片破億，華潤微雙線告捷

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 19 日 15:33 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月16日，華潤微電子功率器件事業(yè)群旗下潤新微電子（大連）有限公司在大連高新區(qū)黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行“氮化鎵億顆芯片慶典暨外延生產(chǎn)基地通線儀式”。活動上正式宣告其氮化鎵外延生產(chǎn)基地建成投產(chǎn)，并同步慶祝氮化鎵芯片累計出貨量突破一億顆。 外延生產(chǎn)基地正式通線 據(jù)官方披露，該外延生產(chǎn)...  [詳內文]

全球首個氮化鎵量子光源芯片發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:25 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月9日，電子科技大學教授、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強，正式發(fā)布了全球首個氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標志著中國在量子科技領域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了關鍵硬件支撐。 source：成都市發(fā)展改革委 據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實際尺寸僅有0...  [詳內文]

氮矽科技攜手Ulike打造首款超聲炮美容儀產(chǎn)品，加速GaN元件導入消費市場

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 30 日 16:42 |
| 分類: 氮化鎵GaN
致力于引領全球氮化鎵(GaN)革命的解決方案供應商氮矽科技近日宣布，氮矽科技先進低壓氮化鎵集成方案DXC3510S2CA產(chǎn)品成功應用于由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10。依靠其超高頻、高效能等性能優(yōu)勢，該技術方案強力支持產(chǎn)品超聲聚能和能...  [詳內文]

英諾賽科多款氮化鎵產(chǎn)品集中亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 29 日 15:35 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日， 英諾賽科在慕尼黑上海電子展（Electronica China）和武漢九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE）上展出的氮化鎵產(chǎn)品及解決方案，引發(fā)行業(yè)高度關注。 其中在數(shù)據(jù)中心領域，英諾賽科重點展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V ...  [詳內文]

國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺展示自研產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 27 日 15:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳平湖實驗室”官微消息，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)期間，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺對外全面展示科研平臺、設計仿真平臺、中試平臺、分析檢測中心能力，同時帶來了8吋 SiC激光剝離襯底及復合襯底、1200V SiC外延及厚膜外延...  [詳內文]

聞泰科技、三安光電財報出爐，聚焦SiC與GaN進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 27 日 14:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，聞泰科技與三安光電相繼發(fā)布最新財務報告，這兩家公司均在第三代半導體碳化硅和氮化鎵領域展現(xiàn)出積極的布局和顯著的進展。聞泰科技憑借其在半導體和通信技術領域的多元化優(yōu)勢，在車規(guī)級碳化硅應用和氮化鎵高效能領域取得突破；而三安光電則依托其在化合物半導體領域的深厚積累，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的...  [詳內文]

濟南打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進相關項目建設

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 23 日 16:10 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟南發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟和社會發(fā)展計劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動能，打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項目建設，加大碳化硅上下游領域布局力度，爭取集成電路關鍵材料和第三代半導體項目獲得國家支持。 近年濟南市依托政...  [詳內文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 23 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導體領域動作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤微電子、派恩杰半導體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內文]

芯干線第三代半導體打入多個全球一線品牌供應鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 22 日 15:43 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，南京芯干線科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導體技術為核心驅動力，在AI算力基礎設施、消費電子快充、高端音響電源及商用儲能領域連破壁壘，成功打入多個全球一線品牌供應鏈。 source：芯干線科技 AI算力基建領域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強型氮化鎵（GaN）功率器...  [詳內文]