source：英飛凌

受國(guó)際形勢(shì)影響，英飛凌2025年的同比增速將略有下降。英飛凌預(yù)計(jì)第三財(cái)季營(yíng)收37億歐元，市場(chǎng)預(yù)估38.4億歐元。

同日，英飛凌發(fā)布新一代750V 碳化硅MOSFET——750V CoolSiC MOSFET車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻范圍7mΩ至140mΩ。該產(chǎn)品適用于對(duì)可靠性、功率密度和效率有嚴(yán)格要求的應(yīng)用，包括車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-AC轉(zhuǎn)換器，以及AI服務(wù)器、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電設(shè)備。

稍早之前，英飛凌還宣布德國(guó)政府已給予公司德累斯頓新芯片工廠最終融資批準(zhǔn)。英飛凌將自行投資50億歐元，創(chuàng)造至多1000個(gè)新工作崗位。此外，英飛凌還通過(guò)參與合資企業(yè) “歐洲半導(dǎo)體制造公司”（ESMC）在德累斯頓進(jìn)行投資。

歐盟委員會(huì)于今年2月批準(zhǔn)德國(guó)政府向英飛凌提供9.2億歐元財(cái)政支持，用于德累斯頓工廠的建設(shè)。該廠于2023年5月動(dòng)工，建設(shè)正按計(jì)劃進(jìn)行，建筑主體已基本完工，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

01、超芯星開(kāi)啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)

近期，南京日?qǐng)?bào)深度對(duì)話超芯星聯(lián)合創(chuàng)始人袁振洲，揭秘我國(guó)8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)背后的“晶體種植術(shù)”。

袁振洲指出，“種”晶體的主要材料就是籽晶和高純度碳化硅粉料。籽晶是形成晶體的‘種子’，當(dāng)溫度升至2300℃以上時(shí)，高純度碳化粉料升華，傳輸至籽晶附近，達(dá)到過(guò)飽和狀態(tài)后重新結(jié)晶，逐漸形成完美的晶體。隨后通過(guò)精細(xì)的切割、研磨和拋光工序，這些晶體被轉(zhuǎn)化為光滑的單晶襯底，襯底尺寸越大，所能產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多。

隨著尺寸的增大，內(nèi)部晶體缺陷的風(fēng)險(xiǎn)也相應(yīng)增加。面對(duì)這些挑戰(zhàn)，袁振洲帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)不斷攻克難關(guān)，先后突破了低應(yīng)力晶體生長(zhǎng)、低缺陷晶體生長(zhǎng)及低損耗晶片加工技術(shù)等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)，形成了一整套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工藝。如今，超芯星已成為國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家能夠批量供應(yīng)碳化硅襯底片的企業(yè)之一，同時(shí)也是江蘇省內(nèi)唯一一家覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的碳化硅材料公司。

展望未來(lái)，袁振洲表示公司近期目標(biāo)是推動(dòng)8英寸碳化硅襯底的大規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)，致力于打造品牌影響力，為南京的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)力量。

02、重投天科6&8吋產(chǎn)品已推向市場(chǎng)

深圳特區(qū)報(bào)消息，深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“重投天科”）主要聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：“北京天科合達(dá)”）和市屬國(guó)企深重投集團(tuán)兩家企業(yè)為主要股東合資成立的半導(dǎo)體企業(yè)。

該公司位于深圳市寶安區(qū)石巖街道，這里曾經(jīng)是一片荒蕪的土地，經(jīng)過(guò)五年的發(fā)展，如今已建起大片廠房，總建筑面積達(dá)到179045平方米，深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園從藍(lán)圖變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

source：深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

報(bào)道指出，重投天科高質(zhì)量的6-8英寸碳化硅襯底和外延已推向市場(chǎng)。據(jù)悉，按照正常設(shè)計(jì)、施工工期，產(chǎn)業(yè)園建設(shè)工期需要約28個(gè)月，面對(duì)市場(chǎng)對(duì)于產(chǎn)能的迫切需求，重投天科最終僅用了19個(gè)月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線順利投產(chǎn)。

03、晶升股份8英寸設(shè)備持續(xù)推進(jìn)

近期，晶升股份發(fā)布2024年報(bào)和2025年一季報(bào)，公司2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.25億元，同比增長(zhǎng)4.78%；2025Q1實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入0.71億元，同比減少12.69%。

晶升股份是國(guó)內(nèi)晶體生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域龍頭企業(yè)之一，碳化硅單晶爐領(lǐng)域，晶升股份是國(guó)內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅單晶爐量產(chǎn)的企業(yè)。

此外，該公司還前瞻性布局8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備，自主研發(fā)的SCMP系列單晶爐已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)，為未來(lái)3年至5年碳化硅襯底向大尺寸迭代提供設(shè)備保障。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

近期，基本半導(dǎo)體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣，覆蓋車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)多場(chǎng)景需求；英飛凌則將基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)（TSJ）引入其CoolSiC產(chǎn)品線，實(shí)現(xiàn)器件性能與能效的雙重躍升。兩項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展顯示，碳化硅功率器件正朝著提升集成度和降低損耗的方向發(fā)展，有助于下游應(yīng)用實(shí)現(xiàn)能效提升。

1、基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

5月6日，#基本半導(dǎo)體?官微宣布推出新一代碳化硅MOSFET系列新品。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲(chǔ)逆變器等領(lǐng)域的650V/40mΩ系列產(chǎn)品。

據(jù)基本半導(dǎo)體介紹，其中的650V/40mΩ系列產(chǎn)品通過(guò)將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級(jí)下實(shí)現(xiàn)了更高性能表現(xiàn)。

這一系列新品將顯著提升終端應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更高效、更經(jīng)濟(jì)的功率器件解決方案。

source：基本半導(dǎo)體（圖為新一代碳化硅MOSFET參數(shù)列表）

2、英飛凌推出基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)

5月6日，#英飛凌?科技股份公司宣布，其CoolSiC產(chǎn)品線正式引入基于溝槽的碳化硅超結(jié)技術(shù)（TSJ），將電壓覆蓋范圍擴(kuò)展至400V至3.3kV，全面覆蓋汽車電驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電、光伏逆變、儲(chǔ)能系統(tǒng)及工業(yè)牽引等核心領(lǐng)域。

英飛凌此次技術(shù)升級(jí)延續(xù)了其在硅基超結(jié)技術(shù)（CoolMOS）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，通過(guò)將溝槽柵極結(jié)構(gòu)與超結(jié)電荷平衡原理結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了器件性能的突破性提升。

英飛凌表示，英飛凌正在利用 SiC TSJ 技術(shù)逐步擴(kuò)展其 CoolSiC 產(chǎn)品組合。此次擴(kuò)展將涵蓋多種封裝類型，包括分立器件、模制和基于框架的模塊，以及裸片。擴(kuò)展后的產(chǎn)品組合將滿足廣泛的應(yīng)用需求，同時(shí)針對(duì)汽車和工業(yè)領(lǐng)域。

3、結(jié)語(yǔ)

當(dāng)前碳化硅技術(shù)突破正推動(dòng)器件性能與能效持續(xù)提升，基本半導(dǎo)體與英飛凌的技術(shù)進(jìn)展為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等場(chǎng)景提供了更優(yōu)的功率解決方案。隨著工藝成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同深化，碳化硅器件的規(guī)?；瘧?yīng)用進(jìn)程有望進(jìn)一步加速。（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

相關(guān)論文以《4H-SiC 超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)》（4H-SiC Metalens: Mitigating Thermal Drift Effect in High-Power Laser Irradiation）為題發(fā)表在 Advanced Materials 上 。

source：西湖大學(xué)工學(xué)院SOE

相較于常規(guī)商用物鏡，該超透鏡在保持衍射極限聚焦性能的同時(shí)，展現(xiàn)出卓越的熱穩(wěn)定性，能夠在長(zhǎng)時(shí)間高功率激光輻照下維持性能穩(wěn)定，幾乎不受熱吸收影響。這一成果得益于4H-SiC材料的優(yōu)異特性，包括高光學(xué)透過(guò)率與折射率、高熱導(dǎo)率以及高硬度和抗劃傷能力，使其成為高性能光學(xué)器件的理想材料。

新型超透鏡充分利用了4H-SiC的高熱導(dǎo)率和低損耗特性，有效抑制了熱漂移效應(yīng)，從而擺脫了對(duì)復(fù)雜冷卻系統(tǒng)的依賴。該技術(shù)突破不僅為高功率激光系統(tǒng)提供了關(guān)鍵支持，還為精密儀器制造、極地探險(xiǎn)、航空航天等多個(gè)領(lǐng)域帶來(lái)了新的可能性，特別是在對(duì)加工精度和表面質(zhì)量要求極高的領(lǐng)域，4H-SiC超透鏡 將發(fā)揮重要作用，為高功率激光應(yīng)用提供更加高效、緊湊的解決方案。

source：西湖大學(xué)工學(xué)院SOE

圖為4H-SiC超透鏡（左）與傳統(tǒng)物鏡（右）的熱漂移效應(yīng)示意圖

稍早之前，西湖大學(xué)還公布了另一項(xiàng)碳化硅技術(shù)突破：由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功開(kāi)發(fā)12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離技術(shù)，解決超大尺寸碳化硅襯底切片難題。通過(guò)激光在材料內(nèi)部形成數(shù)億個(gè)極細(xì)小“爆破點(diǎn)”，實(shí)現(xiàn)晶錠逐層自動(dòng)剝離，出片速度較傳統(tǒng)切割提升顯著，材料損耗降低50%。

這兩項(xiàng)突破標(biāo)志著西湖大學(xué)在碳化硅材料應(yīng)用與技術(shù)研發(fā)方面處于國(guó)際領(lǐng)先地位，為高功率激光系統(tǒng)、精密制造、航空航天及新能源產(chǎn)業(yè)提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

調(diào)整后每股盈利方面，安森美半導(dǎo)體表現(xiàn)尚可，為0.55美元，高于市場(chǎng)預(yù)期的0.5美元。同時(shí)，公司對(duì)當(dāng)前季度（2025年第二財(cái)季）的業(yè)績(jī)展望相對(duì)樂(lè)觀，預(yù)計(jì)調(diào)整后每股盈利為0.48至0.58美元，營(yíng)收為14億至15億美元，其中值略高于市場(chǎng)預(yù)期的14.1億美元。

2025財(cái)年第一季度，各業(yè)務(wù)部門表現(xiàn)如下：電源方案部（PSG）營(yíng)收6.451億美元，同比下降26%；模擬與混合信號(hào)部（AMG）營(yíng)收5.664億美元，同比下降19%；智能感知部（ISG）營(yíng)收2.342億美元，同比下降20%。這表明公司各業(yè)務(wù)部門表現(xiàn)不一，部分業(yè)務(wù)面臨挑戰(zhàn)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

安森美半導(dǎo)體首席執(zhí)行官 Hassane El-Khoury 表示，盡管面臨經(jīng)濟(jì)下行和市場(chǎng)需求疲軟的挑戰(zhàn)，公司仍保持財(cái)務(wù)紀(jì)律并推進(jìn)長(zhǎng)期戰(zhàn)略。他認(rèn)為，當(dāng)前的財(cái)報(bào)體現(xiàn)了公司穩(wěn)健的執(zhí)行力。

盡管首財(cái)季業(yè)績(jī)不佳，安森美半導(dǎo)體仍在積極采取措施應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，尋求新的增長(zhǎng)機(jī)遇。公司計(jì)劃在2025年將股份回購(gòu)增至自由現(xiàn)金流的100%，顯示其對(duì)自身業(yè)務(wù)的信心。此外，安森美半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)強(qiáng)勁勢(shì)頭，尤其在中國(guó)電動(dòng)汽車市場(chǎng)，其碳化硅技術(shù)的應(yīng)用前景廣闊。公司預(yù)計(jì)，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)一步推廣和應(yīng)用，這將為公司帶來(lái)新的收入增長(zhǎng)點(diǎn)。

據(jù)悉，近期安森美推出了基于碳化硅的智能功率模塊，旨在降低能耗和整體系統(tǒng)成本。公司在捷克的碳化硅工廠擴(kuò)建項(xiàng)目也在穩(wěn)步推進(jìn)中，預(yù)計(jì)將顯著提升其碳化硅晶圓的產(chǎn)能。

對(duì)于2025財(cái)年第二季度，安森美半導(dǎo)體預(yù)計(jì)營(yíng)收為14億至15億美元，經(jīng)調(diào)整后每股盈利為0.48至0.58美元。這一預(yù)期反映了公司對(duì)市場(chǎng)環(huán)境的謹(jǐn)慎態(tài)度，并表明公司正努力調(diào)整業(yè)務(wù)策略以適應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)需求。

此外，公司上月終止了對(duì)小型競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Allegro MicroSystems高達(dá)69億美元的收購(gòu)案，原因是對(duì)方董事會(huì)未能充分回應(yīng)其并購(gòu)提案。

總體而言，安森美半導(dǎo)體首財(cái)季業(yè)績(jī)不佳，收入下滑并由盈轉(zhuǎn)虧，反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)，尤其是在汽車需求疲軟和關(guān)稅政策變化的影響下。盡管公司對(duì)下一季度的業(yè)績(jī)展望相對(duì)樂(lè)觀，但其能否在復(fù)雜的市場(chǎng)環(huán)境中持續(xù)復(fù)蘇仍有待觀察。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）

羅姆開(kāi)發(fā)新型碳化硅半導(dǎo)體

日本半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社最新公布了其面向電動(dòng)汽車（EV）生態(tài)體系研發(fā)的新一代功率半導(dǎo)體器件。

source：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

該產(chǎn)品采用第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）技術(shù)，通過(guò)創(chuàng)新型電路架構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了相較傳統(tǒng)同類產(chǎn)品50%的能效躍升，為純電動(dòng)車型帶來(lái)充電速度與續(xù)航能力的雙重突破。

羅姆研發(fā)團(tuán)隊(duì)在此產(chǎn)品上將之前銷售的功率半導(dǎo)體以4~6個(gè)一組組合為模塊，以便應(yīng)對(duì)車載充電器輸出功率為22千瓦級(jí)的大型純電動(dòng)汽車。并計(jì)劃推出耐壓程度等不同的13種模塊，全面覆蓋不同類型純電動(dòng)車需求。

與單獨(dú)使用半導(dǎo)體時(shí)相比，該產(chǎn)品合計(jì)安裝面積可減少50%，不僅可以實(shí)現(xiàn)輕量化，還有助于延長(zhǎng)純電動(dòng)汽車的續(xù)航里程，同時(shí)提高電池的使用效率。

在應(yīng)用場(chǎng)景方面，羅姆此次開(kāi)發(fā)的新型半導(dǎo)體不僅可用于純電動(dòng)汽車的車載充電器，還可應(yīng)用于充電站。

在生產(chǎn)上，羅姆此次采用跨國(guó)制造方式，福岡縣和宮崎縣的工廠將會(huì)完成在基板上形成電路的前工序，其泰國(guó)工廠將會(huì)進(jìn)行零件組裝的后工序。
此外，對(duì)于該新型功率半導(dǎo)體，羅姆計(jì)劃當(dāng)前力爭(zhēng)月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)，并將年銷售額目標(biāo)定為100億日元。

三菱電機(jī)推出全碳化硅和混合碳化硅IPM模塊SLIMDIP

4月22日，日本三菱電機(jī)株式會(huì)社開(kāi)始提供用于室內(nèi)空調(diào)和其它家用電器的兩款新型SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊的樣品：全碳化硅型號(hào)PSF15SG1G6與混合碳化硅型號(hào)PSH15SG1G6。并計(jì)劃于5月6日至8日在德國(guó)紐倫堡舉行的2025年P(guān)CIM博覽會(huì)和會(huì)議上展出，同時(shí)也將在日本、中國(guó)和其它國(guó)家舉辦貿(mào)易展覽。

source：三菱電機(jī)半導(dǎo)體

這兩款模塊作為三菱電機(jī)SLIMDIP系列緊湊型端子優(yōu)化模塊中的第一款 SiC版本，具有出色的輸出和功率損耗降低優(yōu)勢(shì)，可以在小容量到大容量電器中實(shí)現(xiàn)節(jié)能。

三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)的SiC MOSFET芯片被集成到兩種新的SLIMDIP封裝中，通過(guò)優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高輸出與低功耗。與硅基組件相比，全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%，可適用于各類容量家電節(jié)能場(chǎng)景。

三菱電機(jī)在碳化硅領(lǐng)域積累深厚：2010年首次將SiC功率模塊應(yīng)用于空調(diào)；2011年開(kāi)發(fā)的1200A/1700V混合SiC模塊已用于地鐵逆變系統(tǒng)；2013年實(shí)現(xiàn)3.3kV全SiC模塊商業(yè)化；2016年推出搭載SiC-MOSFET的超小型DIPIPM模塊。此次新品進(jìn)一步豐富了SLIMDIP系列的技術(shù)矩陣，為家電能效升級(jí)提供更多選擇。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

碳化硅材料：高折射率助力實(shí)現(xiàn)廣闊視場(chǎng)角FOV

碳化硅材料折射率可達(dá)2.6以上，對(duì)比樹(shù)脂和玻璃等優(yōu)勢(shì)明顯，單層鏡片即可實(shí)現(xiàn)80度以上FOV。常用材料折射率方面，普通樹(shù)脂約1.51，高折射率樹(shù)脂約1.74；普通玻璃約1.5，高折射率玻璃約1.9。

而SiC材料可達(dá)2.6以上。光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中，基底材料的折射率越高，AR鏡片的視場(chǎng)角FOV就更大。傳統(tǒng)玻璃經(jīng)過(guò)三層堆疊后僅為40度左右，單層SiC鏡片即可實(shí)現(xiàn)80度以上FOV，可以提供更輕薄的尺寸和更大更清晰的視覺(jué)效果。

碳化硅材料：有效解決光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的彩虹紋問(wèn)題

碳化硅的高折射率使光柵周期可以設(shè)計(jì)的很小，而小光柵周期會(huì)增大環(huán)境光的衍射角度，超出人眼的觀察范圍后，進(jìn)而解決分光造成的彩虹紋現(xiàn)象。彩虹紋指環(huán)境光透過(guò)AR波導(dǎo)后白光變成彩虹光的分光現(xiàn)象，本質(zhì)上是光柵對(duì)不同波長(zhǎng)（顏色）光的衍射角度差異導(dǎo)致的色散現(xiàn)象。

高折射率的SiC材料可以壓縮光在材料中的有效波長(zhǎng)，進(jìn)而降低光柵周期。光柵周期降低后，固定入射角的不同顏色光的色散角差異減小，從而減少了顏色分離。從工藝可行性來(lái)看，碳化硅的硬度和化學(xué)穩(wěn)定性支持納米壓印及電子束光刻工藝，工程上可以實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)光柵周期的高精度加工，從而解決彩虹紋現(xiàn)象。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)：使用碳化硅襯底（光柵周期=300nm）的衍射光波導(dǎo)，相較于玻璃襯底（光柵周期=500nm），在可見(jiàn)光波段（400-700nm）的色散角差異可降低約40%，彩虹紋主觀感知強(qiáng)度下降超過(guò)60%。

碳化硅材料：高熱導(dǎo)性保障性能穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)AR眼鏡輕量化設(shè)計(jì)

碳化硅的熱導(dǎo)率（約490 W/m·K）遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光學(xué)材料如玻璃（約1 W/m·K）和樹(shù)脂，能夠快速傳導(dǎo)光機(jī)模塊和計(jì)算單元產(chǎn)生的熱量，避免局部溫度過(guò)高導(dǎo)致的性能下降或器件損壞。例如，傳統(tǒng)AR眼鏡因光機(jī)發(fā)熱常觸發(fā)過(guò)熱保護(hù)機(jī)制從而降低亮度及刷新率，而碳化硅波導(dǎo)片通過(guò)材料自身的高效熱傳導(dǎo)，顯著降低了熱量堆積風(fēng)險(xiǎn)，從而支持高亮度顯示（如5000尼特峰值亮度）和長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

碳化硅材料高導(dǎo)熱性使AR眼鏡得以簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)進(jìn)而實(shí)現(xiàn)輕量化設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)AR眼鏡依賴鏡腿散熱模塊或主動(dòng)冷卻系統(tǒng)，增加了設(shè)備重量和復(fù)雜度。碳化硅的高熱導(dǎo)性允許將散熱功能集成到光波導(dǎo)片本身，通過(guò)被動(dòng)散熱即可滿足需求。此外，優(yōu)秀的散熱性能為提升AR眼鏡集成度、配置更多傳感器留出冗余。

圖為：碳化硅、樹(shù)脂、玻璃性能參數(shù)對(duì)比

大廠布局AR眼鏡，碳化硅波導(dǎo)有望加速產(chǎn)業(yè)化

科技大廠陸續(xù)布局 AR 眼鏡，有望加速 AR 眼鏡 + 碳化硅波導(dǎo)產(chǎn)業(yè)化。我國(guó)是最早實(shí)現(xiàn) AR 眼鏡產(chǎn)業(yè)化的國(guó)家，2018 年 Rokid推出AR 眼鏡一代，次年 Xreal推出Light AR 眼鏡。我們認(rèn)為隨著字節(jié)、阿里、蘋果等科技巨頭的入局，AR 眼鏡產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將加速推進(jìn)，從而推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)性能更優(yōu)產(chǎn)品的追求，進(jìn)而促使高性能碳化硅波導(dǎo)降本增效，加速進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化周期。

Meta開(kāi)創(chuàng)碳化硅波導(dǎo)AR眼鏡時(shí)代，雷鳥(niǎo)X3Pro有望成為第一個(gè)量產(chǎn)型碳化硅AR眼鏡。從2012年發(fā)布首款 AR眼鏡 Google Glass 開(kāi)啟行業(yè)探索，到2019 年 Meta 首次演示碳化硅波導(dǎo)AR 眼鏡引領(lǐng)行業(yè)轉(zhuǎn)型，再到 2024 年西湖大學(xué)團(tuán)隊(duì)及 Meta 相繼發(fā)布搭載碳化硅波導(dǎo)的 AR 眼鏡，技術(shù)突破不斷推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向前。2025 Q2雷鳥(niǎo) X3Pro的發(fā)布有望成為第一個(gè)搭載碳化硅鏡片的量產(chǎn)型AR眼鏡，有望加速碳化硅波導(dǎo)滲透。

1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

“連城數(shù)控”官微消息，近期，中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)在無(wú)錫組織召開(kāi)科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團(tuán)周旗鋼教授以及來(lái)自東南大學(xué)，南京航空航天大學(xué)，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對(duì)由連科半導(dǎo)體有限公司等單位完成的兩項(xiàng)科技成果進(jìn)行了評(píng)價(jià)。

專家組一致認(rèn)為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項(xiàng)目，聯(lián)合了浙江大學(xué)等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開(kāi)發(fā)了高精度控制軟件，實(shí)現(xiàn)了對(duì)氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長(zhǎng)，技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應(yīng)用后，經(jīng)濟(jì)、社會(huì)效益顯著，助力客戶生長(zhǎng)8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達(dá)到5cm以上。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

source：連城數(shù)控

“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術(shù)”項(xiàng)目，獨(dú)創(chuàng)了下主軸與密封內(nèi)襯分別由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)并同步耦合控制的技術(shù)，及第二相機(jī)測(cè)量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問(wèn)題。形成了關(guān)鍵技術(shù)-樣機(jī)示范-產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全鏈條技術(shù)體系。技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。項(xiàng)目技術(shù)已在有研半導(dǎo)體硅材料股份公司成功投產(chǎn)并穩(wěn)定運(yùn)行，技術(shù)重現(xiàn)性好、成熟度高。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

2、 “增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅基復(fù)合材料及其部件”榮獲2025年日內(nèi)瓦國(guó)際發(fā)明展金獎(jiǎng)

“武漢理工大學(xué)材料學(xué)院”官微消息，近期，第50屆日內(nèi)瓦國(guó)際發(fā)明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日內(nèi)瓦舉行，武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)劉凱教授攜項(xiàng)目“增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅陶瓷基復(fù)合材料及其部件”參展并榮獲金獎(jiǎng)。

source：武漢理工大學(xué)材料學(xué)院

據(jù)悉， 上述項(xiàng)目面向極端服役環(huán)境對(duì)高性能碳化硅陶瓷材料復(fù)雜構(gòu)件的制造需求，開(kāi)展了材料-結(jié)構(gòu)-性能一體化增材制造研究。建立了高增材適應(yīng)性碳化硅復(fù)合粉末設(shè)計(jì)制備與激光增材制造工藝方法，研制了纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料復(fù)雜構(gòu)件的增材制造技術(shù)與裝備，推動(dòng)了增材制造碳化硅陶瓷構(gòu)件在航空航天、能源化工、半導(dǎo)體裝備等領(lǐng)域的工程應(yīng)用。

項(xiàng)目相關(guān)成果已獲得多項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上發(fā)表系列論文。

3、結(jié)語(yǔ)

在“雙碳”目標(biāo)與智能制造升級(jí)的雙重需求下，碳化硅正深度賦能新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信等領(lǐng)域，推動(dòng)能源效率革命。上述碳化硅技術(shù)突破表明我國(guó)在半導(dǎo)體材料自主可控方面不斷努力并取得了新成就，隨著技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，未來(lái)中國(guó)以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體有望邁上新臺(tái)階。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

天?？h位于甘肅省武威市，地處祁連山下，擁有獨(dú)特地理位置和豐富資源，其工業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)便是碳化硅。近年來(lái)天?？h緊抓“雙碳”戰(zhàn)略機(jī)遇，積極推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

據(jù)天祝縣最新產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，該縣明確提出“兩年優(yōu)化布局、七年集群成勢(shì)”目標(biāo)，計(jì)劃到“十四五”末實(shí)現(xiàn)碳化硅冶煉年產(chǎn)能50萬(wàn)噸、精深加工轉(zhuǎn)化率突破70%，工業(yè)硅年產(chǎn)能達(dá)6萬(wàn)噸，產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值沖刺40億元；至“十五五”末，將建成國(guó)家級(jí)碳硅基新材料產(chǎn)業(yè)基地，形成百億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群。

數(shù)據(jù)顯示，全國(guó)碳化硅企業(yè)設(shè)計(jì)產(chǎn)能約130萬(wàn)噸、實(shí)際產(chǎn)能約85萬(wàn)噸。2023年天?？h碳化硅產(chǎn)量47.3萬(wàn)噸，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值28.62億元，占全縣規(guī)上工業(yè)總產(chǎn)值的65%，且占全國(guó)實(shí)際產(chǎn)能的56%。

2024年1—11月，天?？h碳化硅生產(chǎn)加工產(chǎn)量達(dá)48.97萬(wàn)噸（其中，冶煉43.36萬(wàn)噸，深加工5.61萬(wàn)噸），實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值26.95億元，增長(zhǎng)5.02%，占全縣規(guī)上工業(yè)總產(chǎn)值的58.4%。

目前，天?？h共有碳化硅及精深加工企業(yè)26戶，5戶碳化硅企業(yè)被認(rèn)定為省級(jí)“專精特新”中小企業(yè)，7戶碳化硅企業(yè)被認(rèn)定為創(chuàng)新型中小企業(yè)，19戶冶煉企業(yè)現(xiàn)有23條生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)產(chǎn)能60萬(wàn)噸，近年來(lái)招商引進(jìn)碳化硅精深加工項(xiàng)目8個(gè)，精深加工設(shè)計(jì)產(chǎn)能22萬(wàn)噸。此外，天祝高性能碳基材料特色產(chǎn)業(yè)基地入選科技部第三批國(guó)家火炬特色產(chǎn)業(yè)基地名單。

根據(jù)官方公告，近期天?？h多個(gè)碳化硅精深加工項(xiàng)目已落地建設(shè)：

· 利欣新材料年產(chǎn)6萬(wàn)噸微粉深加工項(xiàng)目已完成設(shè)備安裝，進(jìn)入試生產(chǎn)階段；

· 新玉通年產(chǎn)6萬(wàn)噸工業(yè)硅項(xiàng)目已建成投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值達(dá)12億元；

· 金能宏泰達(dá)生產(chǎn)線節(jié)能改造項(xiàng)目已拆除原年產(chǎn)1.25萬(wàn)噸黑碳化硅生產(chǎn)線，正在砌筑新節(jié)能爐體；

· 蘭寧工貿(mào)4萬(wàn)噸微粉項(xiàng)目已完成車間鋼結(jié)構(gòu)主體施工，正在進(jìn)行車間封閉工作等。

此外，政府提供“標(biāo)準(zhǔn)地”供地、企業(yè)“白名單”制度等政策支持，并設(shè)立專項(xiàng)資金鼓勵(lì)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新。

當(dāng)前，天?？h碳硅基新材料產(chǎn)業(yè)已形成“冶煉-精深加工-制品應(yīng)用”的梯度發(fā)展格局。未來(lái)，天祝縣將圍繞“強(qiáng)龍頭、補(bǔ)鏈條、聚集群”的發(fā)展戰(zhàn)略，深入實(shí)施產(chǎn)業(yè)延鏈補(bǔ)鏈行動(dòng)和優(yōu)質(zhì)企業(yè)培育行動(dòng)，為打造西北地區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)高地奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

T/CASAS 036—2025《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定方法 輝光放電質(zhì)譜法》

T/CASAS 048—2025《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》

上述兩份文件主要起草單位為：賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司、山西爍科晶體有限公司、山東大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中電化合物半導(dǎo)體有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)旨在為碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)技術(shù)的規(guī)?；⒏哔|(zhì)量發(fā)展提供關(guān)鍵支撐。

據(jù)悉，等靜壓石墨是PVT法生長(zhǎng)SiC單晶的重要耗材，占SiC襯底生產(chǎn)物料成本約30%，其國(guó)產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化、規(guī)模化推動(dòng)了SiC成本的持續(xù)降低，加快了SiC器件更廣泛的應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)變頻，為我國(guó)的雙碳戰(zhàn)略貢獻(xiàn)力量。

未來(lái)，CASA聯(lián)盟將繼續(xù)圍繞第三代半導(dǎo)體材料、器件及應(yīng)用，加速關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)研制與國(guó)際化布局，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球價(jià)值鏈中占據(jù)更高位勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）