當前碳化硅憑借優(yōu)異性能在新能源汽車、智能電網等下游領域展現(xiàn)出巨大應用潛力，然而應用于碳化硅材料生產核心環(huán)節(jié)的外延設備其國產化之路卻面臨諸多阻礙，高溫沉積均勻性設備穩(wěn)定性等核心技術長期受制于人。

面對困境，納設智能創(chuàng)始人陳炳安帶領團隊自主研發(fā)可獨立控制的多區(qū)進氣系統(tǒng)，顯著提升了設備工藝的均勻性，并通過與深圳先進院成立聯(lián)合實驗室成功將碳化硅外延設備工藝良率提升至98%。

針對進口碳化硅外延設備耗材成本高、維護復雜的痛點，納設智能推出創(chuàng)新的反應腔室設計，使耗材成本降低30%，同時大幅降低維護難度。

數(shù)年間，陳炳安帶領團隊攻克技術壁壘成功研發(fā)5款化學氣相沉積設備，填補了國內先進材料產業(yè)鏈上游關鍵設備的空白。

目前，納設智能的碳化硅外延設備已實現(xiàn)全面產業(yè)化。在光伏鈣鈦礦領域，納設智能也正全力推進大尺寸設備研發(fā)，預計年內實現(xiàn)產品上市。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：晶盛機電

該新廠區(qū)占地面積達40000平方米，預計將在未來一年內啟動建設。根據(jù)規(guī)劃，項目一期完工后，將實現(xiàn)年產24萬片8英寸碳化硅晶圓的產能。這些高性能SiC晶圓 廣泛應用于電動汽車充電器、電信基站電源系統(tǒng)等高增長電子產品領域。

圖片來源：晶盛機電

馬來西亞正日益成為全球企業(yè)分散生產風險、強化供應鏈韌性的重要戰(zhàn)略支點。尤其在檳城，其吸引了包括英特爾、英飛凌在內的300多家企業(yè)入駐，涵蓋從封裝、測試到材料供應的完整產業(yè)鏈。據(jù)悉，檳城作為全球半導體后端制造的關鍵樞紐，貢獻了馬來西亞80%的半導體產出，并負責全球40%微處理器裝配量，這顯著提升了物流效率與供應鏈響應速度。

公開資料顯示，除了晶盛機電SuperSiC，多家全球領先的半導體企業(yè)也已在馬來西亞積極布局碳化硅（SiC）及其他先進功率半導體制造能力，共同塑造該地區(qū)的產業(yè)生態(tài)。

作為功率半導體領域的巨頭，英飛凌正持續(xù)擴建其位于馬來西亞居林（Kulim）的晶圓廠。其全球最大的200毫米碳化硅功率半導體晶圓廠一期項目已于2024年8月8日正式啟動運營，專注于SiC及氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體的生產。英飛凌計劃在此投資高達70億歐元，預計該工廠將于2025年開始量產，并在第二階段建設完成后成為全球最大的200毫米SiC功率半導體晶圓廠。

意法半導體（STMicroelectronics）則很早在馬來西亞柔佛州麻坡（Muar）建立了一個先進的組裝和測試基地，專注于生產復雜、高可靠性的封裝產品，包括汽車應用產品。據(jù)悉，該工廠引入了新的PLP-DCI（面板級封裝直接銅互連）技術生產線，旨在提升封裝性能，支持包括碳化硅（SiC）在內的各類功率半導體產品的后端工藝。

英特爾于2021年底宣布在馬來西亞投資70億美元，擴建全新的先進封裝廠。該廠將成為英特爾全球最大的先進封裝線之一，這項大規(guī)模、持續(xù)性的投資旨在顯著提升英特爾在馬來西亞的先進封裝能力，并為包括SiC在內的高性能芯片提供關鍵的后端處理支持。

作為全球領先的封測大廠，日月光于2022年11月宣布在馬來西亞檳城擴建新的半導體封測廠，并計劃于2025年完工。該項目專注于高需求產品如銅片橋接和影像傳感器封裝，其對電源芯片封裝的關注與SiC器件的下游需求緊密相關。

德州儀器于2023年2月宣布在馬來西亞吉隆坡和馬六甲分別興建兩座半導體封測廠，投資額高達146億令吉（約合33億美元）。這項投資旨在大幅擴大其內部制造和組裝測試能力，以滿足全球客戶的長期需求。

美光科技于2023年9月在馬來西亞檳城開設了其第二家先進組裝和測試工廠，初期投資總額達10億美元。此舉顯著提升了美光在存儲器領域的先進制造能力，也進一步豐富了馬來西亞的半導體產業(yè)生態(tài)。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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圖片來源：公示截圖

公開資料顯示，該項目位于山東省濟南市槐蔭經濟開發(fā)區(qū)，占地約153畝，總投資10億元，環(huán)保投資600萬元。項目將購置碳化硅晶體生長爐、切割機、研磨機等設備，開展8英寸碳化硅材料關鍵技術研發(fā)，并建成相應的制備生產線。項目投產后，預計年產100,000片導電型碳化硅晶片及48.5噸碳化硅單晶。

天岳先進作為中國碳化硅襯底領域的領軍企業(yè)，近年來在技術創(chuàng)新、產能擴張及國際化布局方面取得了顯著進展。

今年4月啟動的濟南8英寸碳化硅襯底項目，采用液相法制備技術，優(yōu)化了晶體生長界面與應力控制，良率較傳統(tǒng)氣相法提升30%以上，單位成本下降約40%。目前，公司的8英寸襯底已通過英飛凌車載級認證，并進入梅賽德斯-奔馳800V高壓平臺供應鏈，首期訂單金額達2.3億元。公司正推進第二階段產能提升，目標將總產能擴至60萬片/年，重點布局8英寸和12英寸襯底的規(guī)?；a。

財務方面，天岳先進2024年營業(yè)收入17.68億元，同比大幅增長41.37%，歸屬于上市公司股東的凈利潤達1.79億元，成功扭虧為盈。這一業(yè)績增長得益于碳化硅半導體材料在下游新能源汽車、光伏、AI等應用領域的加速滲透，使得碳化硅半導體整體市場規(guī)模不斷擴大。進入2025年，一季度公司實現(xiàn)營收4.1億元。盡管一季度國內外宏觀環(huán)境復雜，拖累終端需求復蘇，碳化硅半導體行業(yè)增長趨勢受到階段性影響，產品價格有所下降，但公司產品出貨量增長，市場份額穩(wěn)步提升。

隨著新能源汽車、光伏儲能等行業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅作為第三代半導體材料，因其高禁帶寬度、高擊穿電場強度、高飽和電子漂移速率和高熱導率等特性，成為提升電力轉換效率、實現(xiàn)系統(tǒng)小型化和輕量化的關鍵材料。天岳先進的技術突破與產能擴張，將有力推動碳化硅在相關領域的廣泛應用，助力產業(yè)升級與綠色發(fā)展。

（集邦化合物半導體 niko 整理）

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01、Wolfspeed 助力：輔助電源性能再升級

Wolfspeed 推出的工業(yè)級C3M0900170x和車規(guī)級E3M0900170x碳化硅MOSFET，專為20W至200W的輔助電源設計。這些產品基于Wolfspeed可靠的第三代碳化硅技術，并在其先進的200mm制造工廠獨家生產。

圖片來源：Wolfspeed

除了傳統(tǒng)的 TO-247-3 (D) 和 TO-263-7 (J) 封裝，Wolfspeed 還新增了全塑封 TO-3PF (M) 封裝，專為工業(yè)應用設計。此封裝無需絕緣熱界面材料，降低了組裝成本和錯誤風險。同時，TO-3PF (M) 通過增加引腳間爬電距離至 4.85mm 并避免外露漏極板，顯著提升了產品在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)健性。

02、革新輔助電源：Wolfspeed 功率器件的核心優(yōu)勢

Wolfspeed的C3M和E3M SiC MOSFET技術相較于前代C2M 1700V 系列及其市場競品，實現(xiàn)了顯著的性能提升。新C3M/E3M系列的柵極電荷量大幅降低，從C2M等效器件的22nC降至僅10nC。這一優(yōu)化不僅降低了柵極驅動所需的功率，也簡化了反激式電源的啟動過程。此外，輸出電容的減少使得Eoss（輸出能量）降低了30%，從而顯著減少了開關損耗，進一步提升了系統(tǒng)效率。

圖片來源：Wolfspeed 圖為示意圖：將RG_EXT 替換為3.3V齊納二極管，以降低MOSFET柵極處的VGS

這些新一代900mΩ碳化硅MOSFET具備出色的即插即用兼容性，能無縫集成到大多數(shù)現(xiàn)有的低功耗輔助電源設計中。TO-247-3（通孔封裝）和TO-263-7（表面貼裝）封裝與現(xiàn)有的硅和碳化硅器件兼容，無需更改PCB布局或散熱器附件，從而最大限度地減少了重新設計的工作量。同時，該系列可以直接利用常見的12-15V輸出電壓軌為反激式控制器和柵極供電，無需額外的輔助繞組或變壓器分接頭來提供前代產品或某些競品所需的更高電壓（18-20V），進一步簡化了電源設計。

圖片來源：Wolfspeed 采用碳化硅 MOSFET 的簡化單開關設計，節(jié)省了空間和成本

03、Wolfspeed 方案：定義輔助電源新標準

在高壓應用中，傳統(tǒng)的硅MOSFET雖能使用，但通常因其較高的RDS(ON)而導致成本高昂且損耗較大。雖然雙開關反激式拓撲可以采用低壓硅器件，但其設計復雜性高，且需要更多組件和空間。

相比之下，碳化硅MOSFET非常適合此類電壓等級，可輕松實現(xiàn)輔助電源應用所需的低 RDS(ON)和低開關損耗。設計人員因此能夠采用更簡化的單開關反激式拓撲，消除了雙開關設計的額外電路和復雜性，有效節(jié)省了空間和成本。Wolfspeed C3M0900170x系列直接支持12-18VGS，并通過優(yōu)化的內部柵極電阻，能夠在高達22VGS的電路條件下穩(wěn)定運行。對于柵極電壓高于18V的設計，可以使用齊納二極管代替外部柵極電阻，將驅動電壓調整至12-18V范圍內。輔助電源在許多工業(yè)和汽車應用中需長期可靠運行。C3M/E3M系列的額定工作結溫范圍為-55°C至+175°C，確保其能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運行。C3M0900170D、C3M0900170J和E3M0900170D均已通過嚴格的THB-80(HV-H3TRB)測試，即在85%濕度、85°C環(huán)境溫度下，施加1360V阻斷電壓并持續(xù)1000小時的嚴苛驗證。

圖片來源：Wolfspeed

WolfspeedC3M/E3M系列通過優(yōu)化器件設計和縮小芯片尺寸，進一步降低了宇宙射線引起的失效率(FIT)。與上一代產品相比，使用Wolfspeed第三代器件的典型1200V母線電壓反激電路，在海平面連續(xù)運行10年后，失效率降低了65%。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：中建三局一公司

項目位于福建省廈門市，規(guī)劃總建筑面積達23.45萬平方米，定位為具備國際先進水平的8英寸SiC功率器件制造平臺。建成投產后，將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，進一步鞏固其在中國第三代半導體產業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位，有力助推廈門市第三代半導體產業(yè)加快發(fā)展。

士蘭微是國內主要的綜合型半導體設計與制造（IDM）企業(yè)之一，公司1997年成立，2003年3月在上海證券交易所主板上市。多年來專注于硅半導體和化合物半導體產品的設計、制造和封裝，技術水平、營業(yè)規(guī)模、盈利能力等在國內同行中均位居前列。其在廈門已布局多個重大項目，如士蘭集科 “12英寸特色工藝芯片生產線” 和士蘭明鎵 “先進化合物半導體器件生產線”，8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目是其又一重要布局。

深耕碳化硅，產能突破與架構革新雙管齊下

士蘭微在碳化硅領域持續(xù)發(fā)力，不斷取得新突破。早在2017年就開始進行碳化硅產業(yè)布局，目前已實現(xiàn)產能的逐步擴大。2021年8月，士蘭微SiC功率器件中試線實現(xiàn)通線，并于2022年完成車規(guī)級SiC MOSFET器件的研發(fā)并向客戶送樣、開始量產。2022年7月，士蘭明鎵宣布建設二期項目，計劃新增6英寸SiC MOSFET芯片12萬片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4萬片/年的生產能力。2024年6月，廈門士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目開工，總投資120億，兩期建設完成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產72萬片的生產能力。

此前4月8日，士蘭微發(fā)布公告披露相關碳化硅項目進展。截止當時，其士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線項目已形成月產9,000片6吋SiC MOS芯片的生產能力，第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評測，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預計將于2025年上量。而士蘭集宏8吋SiC mini line已實現(xiàn)通線，預計將在2025年4季度實現(xiàn)全面通線并試生產，以趕上2026年車用SiC市場的快速成長。

圖片來源：士蘭微公告截圖

如今士蘭微8英寸碳化硅項目首臺設備的提前搬入，預示著項目將快速進入設備安裝與調試階段，有望按計劃實現(xiàn)通線和試生產。這不僅將提升士蘭微自身的市場競爭力，也將為國內碳化硅芯片市場注入新的活力，推動新能源汽車、光伏、儲能等多個行業(yè)的發(fā)展。

除了在項目推進上成果斐然，士蘭微在公司內部架構調整方面同樣動作頻頻。6月25日，士蘭微發(fā)布公告，獨立董事何樂年因連續(xù)任職滿六年提交辭職報告，在新任選出前仍履職。在公司業(yè)務布局拓展上，士蘭微近期也有新動作。天眼查App顯示，近期廈門士蘭集華微電子有限公司正式成立，注冊資本達1000萬人民幣，由杭州士蘭微電子股份有限公司全資持股，覆蓋集成電路全業(yè)務，深化垂直整合，為發(fā)展蓄勢。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

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圖片來源：杰立方半導體

杰立方半導體的這項申請，是自新型工業(yè)加速計劃于2024年9月推出以來，首個獲得支持的第三代半導體先進制造科技項目，同時也是該計劃批準的第三個項目，凸顯了其戰(zhàn)略意義。

該晶圓廠項目的總預算超過7億港元，其中新型工業(yè)加速計劃將提供2億港元的資助。這筆資金將為香港建設高端半導體制造能力注入強大動力，加速其在第三代半導體領域的布局。

公開資料顯示，杰立方半導體于2023年10月在香港注冊成立，并于2024年6月正式投入運營，其全球研發(fā)中心也同步啟用。公司位于香港科技園內，正規(guī)劃建設香港首座8英寸碳化硅先進垂直整合晶圓廠（IDM）。目前，廠房設計工作正有條不紊地進行中，預計將于2027年正式投產。

杰立方半導體的母公司為杰平方半導體（上海）有限公司（以下簡稱“杰平方半導體”），該母公司于2021年10月在上海張江成立，由中國半導體行業(yè)的領軍人物和資深專家共同創(chuàng)建，并吸引了來自半導體及新能源汽車等行業(yè)的戰(zhàn)略投資?；谀腹驹谔蓟韬诵募夹g和汽車芯片設計方面的深厚實力，香港杰立方晶圓廠將專注于第三代半導體碳化硅的研發(fā)與制造，致力于成為8英寸車規(guī)級碳化硅垂直整合晶圓廠的行業(yè)標桿。

今年3月，杰平方半導體（上海）有限公司與深圳市#金威源 科技股份有限公司正式簽訂了碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方一致認為，當前國內新能源汽車市場發(fā)展迅猛，碳化硅作為關鍵器件需求持續(xù)攀升。此次合作將共同推動碳化硅在新能源汽車領域的應用和發(fā)展，顯示出杰平方半導體在拓展產業(yè)鏈合作方面的積極姿態(tài)。

圖片來源：杰立方半導體

而在更早之前，杰平方半導體披露，其與漢磊（Episil）的戰(zhàn)略合作取得重大成果，杰平方碳化硅器件已進入量產階段。根據(jù)杰平方半導體官網發(fā)布的信息，截至2024年5月，杰平方已有多款碳化硅MOS和SBD在漢磊的產線順利量產。值得關注的是，雙方緊密配合下，業(yè)界先進的1200V 8毫歐的SiC MOS流片成功并取得高良率，該產品定位于新能源汽車主驅應用，屬于當時全球高規(guī)格的SiC MOS產品。

據(jù)悉，上述這項重要項目之所以能獲批，得益于香港特區(qū)政府推出的新型工業(yè)加速計劃。這項計劃的核心目標，是推動香港產業(yè)結構優(yōu)化升級，吸引更多高科技企業(yè)落戶并深耕。它采用創(chuàng)新的政府與企業(yè)1:2配對資助模式，專門針對在香港設立新智能生產設施的企業(yè)。

要獲得該計劃的資助，企業(yè)需滿足一系列條件。首先，它們的投資額必須不少于2億港元，且項目總成本需至少達到3億港元。其次，受資助企業(yè)必須專注于香港特區(qū)政府界定的策略性產業(yè)，這主要包括：生命健康科技、人工智能與數(shù)據(jù)科學，以及先進制造與新能源科技。每家企業(yè)在加速計劃下獲得的政府資助總額上限為2億港元。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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碳化硅作為第三代半導體材料的代表，憑借其寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率等優(yōu)異特性，在新能源汽車、光伏儲能、5G通信、軌道交通等眾多戰(zhàn)略性新興產業(yè)中展現(xiàn)出巨大的應用潛力。

然而，SiC材料本身硬度高、脆性大的特點，常在研磨步驟遭遇困境，傳統(tǒng)研磨方式使加工效率、質量良率面臨瓶頸，不僅耗時、研磨損耗多，且因為機械性加工，容易在晶圓表面留下?lián)p傷痕跡，甚至導致整片晶圓破裂，嚴重影響晶圓良率、提升制造成本，因此業(yè)界普遍視碳化硅晶圓后段制程為量產瓶頸。

國研院國儀中心在精密測量與高端儀器研發(fā)領域底蘊深厚，擁有一支在材料分析、精密加工工藝研究等方面的專業(yè)科研團隊。其在過往項目中積累了大量關于材料微觀結構分析、精密加工過程監(jiān)測與控制的技術經驗，這些技術儲備為 SiC 晶圓加工新技術的開發(fā)提供了堅實基礎。

鼎極科技則深耕半導體設備制造與工藝優(yōu)化領域，對半導體制造產業(yè)鏈有著深刻理解，在晶圓加工設備研發(fā)與制造方面具備豐富實踐經驗。公司憑借對市場趨勢的敏銳洞察與強大的工程化能力，能夠將前沿技術快速轉化為實際生產力。

在此次合作中，雙方充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，成功導入紅外線奈秒級脈沖雷射系統(tǒng)，開發(fā)出專為碳化硅晶圓量產需求設計的「雷射研磨技術」，透過每秒100,000次擊打使碳化硅表層變軟，可將每片晶圓研磨時間從3小時縮短為2小時，且不會損傷晶圓，晶圓破片率自5%降至1%，大幅提高產品良率，主要改善晶圓研磨/拋光、晶圓減薄與切割這兩段制程。

新技術能減少研磨過程造成的晶圓損耗，也明顯降低傳統(tǒng)研磨所需耗材（鉆石砂輪、水、油等）與機臺清洗維護成本。 此外新技術還可將碳化硅晶圓硬度由原本約3000 HV降至60 HV，大幅降低后續(xù)加工時間和成本。

據(jù)悉，目前鼎極科技已與美國芯片制造商安森美半導體公司（ON Semiconductor Corp.）捷克廠合作，準備將機臺推廣至歐洲。

（集邦化合物半導體 整理）

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圖片來源：智新科技

活動現(xiàn)場，智新科技副總經理曹永軍介紹，六年來，智新半導體體系能力持續(xù)增強，產品平臺不斷豐富，今年銷量同比大幅增長，兩條產線產能利用率逐步飽滿，開發(fā)的多款領先功率模塊產品填補了東風空白，應用于多款新投放整車，既達成了新能源自主事業(yè)自主可控的戰(zhàn)略目標，也成為東風新能源轉型升級的靚麗名片。

資料顯示，智新半導體作為東風汽車與中車時代半導體合資的功率半導體企業(yè)，自2019年成立以來，始終聚焦新能源汽車核心器件國產化。2021年，其首條IGBT產線量產，填補了華中地區(qū)車規(guī)級功率模塊的空白。近年來，隨著高壓平臺需求爆發(fā)，智新于2022年成功研制首款碳化硅（SiC）模塊。

今年6月15日，智新半導體首批1700V SiC MOSFET模塊正式下線，標志著該項目取得重大階段性成果，為后續(xù)批量裝車應用奠定了堅實基礎。

圖片來源：智新科技

該模塊產品開關損耗銳減60%，通過第二代SiC芯片技術優(yōu)化柵極驅動設計（支持+15~+18V驅動電壓）和低寄生電感封裝（≤10nH），顯著降低Eon/Eoff損耗。對比傳統(tǒng)IGBT，系統(tǒng)效率從96%躍升至99%，僅效率提升即可為整車續(xù)航延長3%以上。

智新半導體表示，隨著新能源汽車產業(yè)向1000V以上高壓架構快速演進，電驅系統(tǒng)對#功率器件 的性能、效率與可靠性提出了更高要求。1700V電壓等級尤其契合1200V平臺主驅逆變器的需求，成為突破傳統(tǒng)硅基（IGBT）性能瓶頸、實現(xiàn)電驅系統(tǒng)高效化、輕量化、長續(xù)航的核心器件。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：芯聯(lián)集成公告截圖

此次并購重組的順利完成，標志著芯聯(lián)集成將實現(xiàn)對芯聯(lián)越州的全資控股，此舉將進一步整合資源，優(yōu)化內部協(xié)同，從而顯著提升公司在功率半導體，特別是#碳化硅（SiC）領域的整體競爭力與市場影響力。

官方資料顯示，芯聯(lián)越州是芯聯(lián)集成旗下專注8英寸晶圓制造的關鍵子公司，其核心業(yè)務聚焦于高端功率半導體，包括IGBT和SiC功率器件的研發(fā)與生產。作為公司重要的車規(guī)級晶圓生產基地，芯聯(lián)越州不僅承載著8英寸SiC產線從工程批到量產的重要任務，更憑借其在車載主驅SiC MOSFET領域已取得的國內市場領先地位，成為芯聯(lián)集成服務新能源汽車頭部客戶、實現(xiàn)垂直整合戰(zhàn)略目標的核心支柱。

芯聯(lián)集成在碳化硅技術領域持續(xù)取得突破，官方披露，2024年，公司實現(xiàn)了中國首條、全球第二條8英寸SiC工程批通線。2025年，公司預計在第三季度實現(xiàn)8英寸SiC芯片及模組的量產。此外，芯聯(lián)集成還在同步研發(fā)8英寸溝槽柵碳化硅技術，以推出附加值更高、性能更好的新一代產品。

芯聯(lián)集成與多家知名企業(yè)建立了深度合作關系。公司已成為中國本土市場SiC MOSFET出貨量居前的制造基地，并協(xié)助上市公司獲得比亞迪、理想、蔚來、小鵬、埃安等頭部新能源車企的合作。2024年，芯聯(lián)集成的SiC MOS芯片及模組在新能源汽車主驅系統(tǒng)上的出貨量已穩(wěn)居中國本土供應商中處于領先地位。

考慮到SiC襯底供應的戰(zhàn)略重要性，芯聯(lián)集成在加強內部研發(fā)的同時，也積極與國內外領先的SiC襯底供應商建立穩(wěn)定的合作關系，確保原材料的供應安全和多元化，以應對市場波動和地緣政治風險。

圖片來源：芯聯(lián)集成

除了汽車，芯聯(lián)集成也在積極拓展SiC在光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源等領域的應用。通過與相關系統(tǒng)廠商的合作，共同開發(fā)適用于特定場景的SiC器件，進一步拓寬了其市場邊界。

從財報數(shù)據(jù)看，芯聯(lián)集成的業(yè)績持續(xù)向好。2024年，公司的整體營業(yè)收入達到65.09億元，同比增長22.25%，并實現(xiàn)了年度毛利率轉正（1.03%）。其中，碳化硅業(yè)務收入表現(xiàn)亮眼，突破10億元人民幣，同比增長超過100%。

進入2025年，公司延續(xù)了高速增長勢頭。2025年第一季度，芯聯(lián)集成實現(xiàn)營業(yè)收入17.34億元，同比增長28.14%，歸母凈利潤同比減虧24.71%。特別值得一提的是，其車規(guī)功率模塊收入同比增長超過100%，凸顯了公司系統(tǒng)級代工模式的強大競爭力。

公司預計2025年碳化硅需求將繼續(xù)保持強勁勢頭，有望超過10億元；未來三年（2025-2027年），碳化硅晶圓及模組累計需求預計將超過100億元，預示著芯聯(lián)集成在功率半導體市場，特別是SiC領域，擁有廣闊的增長前景。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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圖片來源：備案公示截圖

公開資料顯示，該項目投資15億元，改造利用現(xiàn)有廠房，購置切磨拋設備、清洗設備、檢測設備等。項目建成達產后，預計年新增收入39億，利稅總額6億。晶瑞電子此次擴建實現(xiàn)8英寸襯底產能的跨越式提升，進一步強化其在全球化合物半導體材料市場的競爭優(yōu)勢。

晶瑞電子是#晶盛機電 的子公司，晶盛機電成立于2006年，是一家專注于半導體材料裝備、化合物半導體襯底材料制造的高新技術企業(yè)，在行業(yè)內占據(jù)重要地位。晶瑞電子是晶盛機電旗下的全資子公司，成立于2014年，專注于化合物半導體材料的研發(fā)與生產，依托晶盛機電的技術底蘊與資源支持，晶瑞電子不斷推進技術研發(fā)與產品迭代。

在技術研發(fā)與人才培養(yǎng)方面，晶盛機電注重校企合作。6月24日，晶盛機電、浙江大學集成電路學院、浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司（簡稱“浙江創(chuàng)芯”）三方正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，共建“先進集成電路裝備與工藝聯(lián)合研發(fā)中心”“集成電路人才培養(yǎng)與技術創(chuàng)新校企協(xié)同中心”，致力于通過產學研深度融合，加速集成電路裝備與制造領域新技術、新產品的研發(fā)突破，為我國集成電路產業(yè)的健康、快速發(fā)展提供科技和人才支撐。

晶盛機電子公司除晶瑞電子外，浙江晶瑞SuperSiC和求是創(chuàng)芯亦在化合物半導體領域持續(xù)發(fā)力。

6月24日，晶盛機電宣布其下屬公司浙江#求是創(chuàng)芯半導體 設備有限公司（簡稱“求是創(chuàng)芯”）順利交付12英寸減壓外延設備。據(jù)悉，本次交付的12英寸減壓外延設備廣泛適用于功率器件、存儲芯片、邏輯芯片、硅光芯片中的各項制程。設備采用單溫區(qū)、多溫區(qū)閉環(huán)控溫模式，結合多真空區(qū)間精準控壓技術，確保外延生長過程的高度穩(wěn)定性。

圖片來源：晶盛機電

公開資料顯示，求是創(chuàng)芯自2021年成立以來，始終專注于8-12英寸先進制程用CVD類半導體設備開發(fā)，致力于面向先進制程的高端芯片制造裝備國產化。

5月12日，晶盛機電子公司#浙江晶瑞SuperSiC 宣布，成功實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅(SiC)單晶生長，首顆晶體直徑達309mm且質量完好。此次突破不僅實現(xiàn)了6-12英寸全尺寸長晶技術自主可控，更將大幅降低芯片成本，加速SiC產業(yè)鏈完善，推動國產SiC材料在多領域規(guī)模化應用。

公開資料顯示，浙江晶瑞SuperSiC作為晶盛機電子公司，成立于2014年，始終專注于碳化硅和藍寶石拋光片等化合物半導體材料的研發(fā)與生產。目前，公司自主研發(fā)的8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)批量生產。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

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