當(dāng)前碳化硅憑借優(yōu)異性能在新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等下游領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力，然而應(yīng)用于碳化硅材料生產(chǎn)核心環(huán)節(jié)的外延設(shè)備其國(guó)產(chǎn)化之路卻面臨諸多阻礙，高溫沉積均勻性設(shè)備穩(wěn)定性等核心技術(shù)長(zhǎng)期受制于人。

面對(duì)困境，納設(shè)智能創(chuàng)始人陳炳安帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng)，顯著提升了設(shè)備工藝的均勻性，并通過(guò)與深圳先進(jìn)院成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成功將碳化硅外延設(shè)備工藝良率提升至98%。

針對(duì)進(jìn)口碳化硅外延設(shè)備耗材成本高、維護(hù)復(fù)雜的痛點(diǎn)，納設(shè)智能推出創(chuàng)新的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)，使耗材成本降低30%，同時(shí)大幅降低維護(hù)難度。

數(shù)年間，陳炳安帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)攻克技術(shù)壁壘成功研發(fā)5款化學(xué)氣相沉積設(shè)備，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵設(shè)備的空白。

目前，納設(shè)智能的碳化硅外延設(shè)備已實(shí)現(xiàn)全面產(chǎn)業(yè)化。在光伏鈣鈦礦領(lǐng)域，納設(shè)智能也正全力推進(jìn)大尺寸設(shè)備研發(fā)，預(yù)計(jì)年內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品上市。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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《若干措施》圍繞“強(qiáng)鏈、穩(wěn)鏈、補(bǔ)鏈”目標(biāo)，提出10條具體支持舉措，其中“加速化合物半導(dǎo)體成熟”被單獨(dú)列為重點(diǎn)任務(wù)。聚焦氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，助力深圳在5G通信、新能源汽車(chē)、光伏等戰(zhàn)略領(lǐng)域搶占技術(shù)制高點(diǎn)。

政策明確支持化合物半導(dǎo)體材料制備、器件設(shè)計(jì)、芯片制造等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)突破，鼓勵(lì)企業(yè)開(kāi)展碳化硅功率器件、氮化鎵射頻芯片等產(chǎn)品的量產(chǎn)化應(yīng)用，并通過(guò)專(zhuān)項(xiàng)資助、研發(fā)補(bǔ)貼等方式降低企業(yè)研發(fā)成本。

作為政策的重要配套措施，“賽米產(chǎn)業(yè)私募基金”已于2025年5月完成工商登記注冊(cè)。該基金由深圳市引導(dǎo)基金、龍崗區(qū)引導(dǎo)基金等政府資本牽頭，深創(chuàng)投擔(dān)任管理人，首期出資36億元，重點(diǎn)投向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，包括化合物半導(dǎo)體芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

圖片來(lái)源：天眼查截圖

基金投資方向明確指向“構(gòu)建自主可控的本地化產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈”，將優(yōu)先支持與深圳現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)生態(tài)互補(bǔ)的項(xiàng)目，如碳化硅襯底材料、氮化鎵外延片制造、車(chē)規(guī)級(jí)化合物半導(dǎo)體模塊等。據(jù)基金管理人深創(chuàng)投透露，未來(lái)將通過(guò)“產(chǎn)業(yè)+資本”雙輪驅(qū)動(dòng)，導(dǎo)入已投企業(yè)生態(tài)資源，為化合物半導(dǎo)體企業(yè)提供從技術(shù)研發(fā)到市場(chǎng)應(yīng)用的全周期支持。

深圳產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)雄厚 搶占第三代半導(dǎo)體先機(jī)

深圳作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)，在產(chǎn)業(yè)布局方面，不同區(qū)域各有側(cè)重。例如寶安區(qū)規(guī)劃石巖第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園重點(diǎn)發(fā)展碳化硅功率器件，目標(biāo)引進(jìn)15家以上企業(yè)，形成200億元年產(chǎn)值，涵蓋襯底、外延、芯片制造、封裝測(cè)試全鏈條；龍華區(qū)規(guī)劃建設(shè)化合物半導(dǎo)體集聚區(qū)，聚焦材料、器件制造與封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，推動(dòng)全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同；龍崗區(qū)則已形成四大集成電路產(chǎn)業(yè)基地，覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)，集聚企業(yè)超千家。

數(shù)據(jù)顯示，截至2025年6月，深圳已集聚化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)超過(guò)80家，涵蓋材料、器件、設(shè)備等全鏈條環(huán)節(jié)。如華為海思、比亞迪半導(dǎo)體、方正微電子、重投天科等龍頭企業(yè)已取得顯著突破。

比亞迪半導(dǎo)體的碳化硅功率模塊已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模裝車(chē)應(yīng)用，此前3月比亞迪發(fā)布其自研量產(chǎn)全新碳化硅功率芯片，電壓高達(dá)1500V；重投天科的6英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能逐步釋放，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 據(jù)悉，重投天科是北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司和深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司兩家企業(yè)為主要股東合資成立的半導(dǎo)體企業(yè)。主要聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。

政策出臺(tái)后，深圳將進(jìn)一步強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。龍崗區(qū)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心集聚區(qū)，正規(guī)劃建設(shè)專(zhuān)業(yè)集成電路產(chǎn)業(yè)園，重點(diǎn)承接化合物半導(dǎo)體制造項(xiàng)目，并通過(guò)市級(jí)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟推動(dòng)龍頭企業(yè)與32家中小企業(yè)達(dá)成供應(yīng)鏈合作。

結(jié)語(yǔ)

深圳此次出臺(tái)的政策與基金，標(biāo)志著其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“彎道超車(chē)”的戰(zhàn)略進(jìn)入實(shí)質(zhì)性實(shí)施階段。同時(shí)，通過(guò)聚焦化合物半導(dǎo)體這一關(guān)鍵賽道，深圳不僅為自身產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入新動(dòng)能，更為粵港澳大灣區(qū)構(gòu)建自主可控的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供了示范樣本。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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CSEAC以“專(zhuān)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化、國(guó)際化”為宗旨，是我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料領(lǐng)域最具知名度的年度性展會(huì)，集“技術(shù)交流、展覽展示、產(chǎn)品發(fā)布、經(jīng)貿(mào)洽談、國(guó)際合作及市場(chǎng)拓展”于一體的產(chǎn)業(yè)盛宴。今年呈現(xiàn)五大亮點(diǎn)：

亮點(diǎn)一：規(guī)模盛大，映射中國(guó)半導(dǎo)體勢(shì)不可擋

CSEAC 2025 規(guī)劃晶圓制造設(shè)備、封測(cè)設(shè)備、核心部件、材料等主題展區(qū)，展覽面積超60000m2，1000+企業(yè)參展，展商數(shù)量同比增長(zhǎng)40%以上。展覽面積的擴(kuò)增、展商數(shù)量的增長(zhǎng)，映射出設(shè)備與部件產(chǎn)業(yè)在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高熱度及當(dāng)下國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)。

圖源：CSEAC 2024

亮點(diǎn)二：以國(guó)際化視野促進(jìn)全球產(chǎn)業(yè)合作

立足國(guó)際視野，與全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心區(qū)域的機(jī)構(gòu)及企業(yè)互聯(lián)互動(dòng)。本屆展會(huì)目前已有來(lái)自歐洲、亞太等22個(gè)國(guó)家和地區(qū)的150多家海外企業(yè)主動(dòng)參展?！叭虬雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈合作論壇”將集結(jié)來(lái)自全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人物與權(quán)威技術(shù)專(zhuān)家，通過(guò)主題演講、圓桌對(duì)話(huà)等方式，聚焦芯片制造、第三代半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域。

亮點(diǎn)三：同期專(zhuān)業(yè)論壇，解碼行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)

展會(huì)同期將舉辦18場(chǎng)專(zhuān)業(yè)論壇，包括主旨論壇、專(zhuān)題分論壇及圓桌對(duì)話(huà)、企業(yè)上下游對(duì)接、新品發(fā)布等活動(dòng)，力求全方位呈現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革新與生態(tài)活力。

“主旨論壇”邀請(qǐng)重量級(jí)嘉賓和專(zhuān)家，共話(huà)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和未來(lái)挑戰(zhàn)，分享行業(yè)視野和前瞻性戰(zhàn)略思考。“董事長(zhǎng)論壇”匯聚數(shù)十位半導(dǎo)體企業(yè)領(lǐng)袖同臺(tái)論道，釋放“芯”聲，引領(lǐng)變革。“專(zhuān)題論壇”緊扣產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)，廣泛邀請(qǐng)?jiān)O(shè)備、材料及部件和供應(yīng)鏈管理企業(yè)，以及科研、咨詢(xún)機(jī)構(gòu)參與，圍繞制造工藝與半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)發(fā)展、半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件投融資、設(shè)備儀器賦能科研教學(xué)等關(guān)鍵問(wèn)題和熱點(diǎn)話(huà)題展開(kāi)深入探討，全方位覆蓋產(chǎn)業(yè)核心領(lǐng)域。

此外，展會(huì)同期還將舉辦第十七屆集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇（CIPA 2025）暨長(zhǎng)三角集成電路先進(jìn)封裝發(fā)展論壇、2025集成電路（無(wú)錫）創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)（ICIDC）。

CSEAC 2025 目前所設(shè)論壇包括：

CSEAC 2025 論壇演講招募中，歡迎聯(lián)系組委會(huì)報(bào)名。

亮點(diǎn)四：產(chǎn)學(xué)研共融，賦能行業(yè)人才生態(tài)建設(shè)

本屆展會(huì)深度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)人才生態(tài)體系構(gòu)建，特別規(guī)劃高校成果展示專(zhuān)區(qū)及產(chǎn)教融合系列活動(dòng)，力求打通人才培養(yǎng)、科研創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)需求之間的壁壘，助推行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。屆時(shí)，全國(guó)近30所高校將與相關(guān)參展企業(yè)對(duì)接舉辦現(xiàn)場(chǎng)招聘會(huì)，其中有超80家展商將現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布招聘信息。

亮點(diǎn)五：集中釋放舉辦地集群發(fā)展機(jī)遇

無(wú)錫，是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)，同時(shí)也是長(zhǎng)三角地區(qū)重要核心城市，構(gòu)建了從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試以及支撐產(chǎn)業(yè)（設(shè)備和材料）等完整產(chǎn)業(yè)鏈，匯聚了SK 海力士、華潤(rùn)微、華虹無(wú)錫、長(zhǎng)電科技、盛合晶微、力芯微、卓勝微等企業(yè)，產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)顯著。

CSEAC 2025 選址無(wú)錫，讓產(chǎn)業(yè)界人士更好了解產(chǎn)業(yè)集聚優(yōu)勢(shì)，展會(huì)“磁場(chǎng)”吸引產(chǎn)業(yè)要素匯聚，30余所高校、80多家展商校企對(duì)接，進(jìn)一步放大集聚效應(yīng)，“上下樓即上下游”的高效協(xié)作，為參展企業(yè)和行業(yè)人士搭建更優(yōu)質(zhì)的交流合作平臺(tái)，幫助企業(yè)搶灘新賽道、提升競(jìng)爭(zhēng)力。

CSEAC堅(jiān)持“專(zhuān)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化、國(guó)際化”辦展宗旨，10多年來(lái)與眾多專(zhuān)家、學(xué)者、設(shè)備商一道，共同鑄就了CSEAC的專(zhuān)業(yè)性和影響力。

太湖之畔 盛會(huì)如期

9月4日-6日，攜手見(jiàn)證

這場(chǎng)年度性中國(guó)半導(dǎo)體盛宴！

提前預(yù)登記 抽驚喜好禮

禮品：京東卡、藍(lán)牙耳機(jī)、Apple Watch、華為平板電腦

即日起，已報(bào)名觀眾參與抽獎(jiǎng)規(guī)則如下：

轉(zhuǎn)發(fā)：朋友圈所有人可見(jiàn) / 5個(gè)以上行業(yè)社群

抽獎(jiǎng)：共兩輪，越早報(bào)名中獎(jiǎng)率越高

領(lǐng)獎(jiǎng)：憑有效轉(zhuǎn)發(fā)頁(yè)，現(xiàn)場(chǎng)禮品領(lǐng)取處領(lǐng)取

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圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電

該新廠(chǎng)區(qū)占地面積達(dá)40000平方米，預(yù)計(jì)將在未來(lái)一年內(nèi)啟動(dòng)建設(shè)。根據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目一期完工后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓的產(chǎn)能。這些高性能SiC晶圓 廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)充電器、電信基站電源系統(tǒng)等高增長(zhǎng)電子產(chǎn)品領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電

馬來(lái)西亞正日益成為全球企業(yè)分散生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)、強(qiáng)化供應(yīng)鏈韌性的重要戰(zhàn)略支點(diǎn)。尤其在檳城，其吸引了包括英特爾、英飛凌在內(nèi)的300多家企業(yè)入駐，涵蓋從封裝、測(cè)試到材料供應(yīng)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。據(jù)悉，檳城作為全球半導(dǎo)體后端制造的關(guān)鍵樞紐，貢獻(xiàn)了馬來(lái)西亞80%的半導(dǎo)體產(chǎn)出，并負(fù)責(zé)全球40%微處理器裝配量，這顯著提升了物流效率與供應(yīng)鏈響應(yīng)速度。

公開(kāi)資料顯示，除了晶盛機(jī)電SuperSiC，多家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)也已在馬來(lái)西亞積極布局碳化硅（SiC）及其他先進(jìn)功率半導(dǎo)體制造能力，共同塑造該地區(qū)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨頭，英飛凌正持續(xù)擴(kuò)建其位于馬來(lái)西亞居林（Kulim）的晶圓廠(chǎng)。其全球最大的200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)一期項(xiàng)目已于2024年8月8日正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，專(zhuān)注于SiC及氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體的生產(chǎn)。英飛凌計(jì)劃在此投資高達(dá)70億歐元，預(yù)計(jì)該工廠(chǎng)將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)，并在第二階段建設(shè)完成后成為全球最大的200毫米SiC功率半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)。

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）則很早在馬來(lái)西亞柔佛州麻坡（Muar）建立了一個(gè)先進(jìn)的組裝和測(cè)試基地，專(zhuān)注于生產(chǎn)復(fù)雜、高可靠性的封裝產(chǎn)品，包括汽車(chē)應(yīng)用產(chǎn)品。據(jù)悉，該工廠(chǎng)引入了新的PLP-DCI（面板級(jí)封裝直接銅互連）技術(shù)生產(chǎn)線(xiàn)，旨在提升封裝性能，支持包括碳化硅（SiC）在內(nèi)的各類(lèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的后端工藝。

英特爾于2021年底宣布在馬來(lái)西亞投資70億美元，擴(kuò)建全新的先進(jìn)封裝廠(chǎng)。該廠(chǎng)將成為英特爾全球最大的先進(jìn)封裝線(xiàn)之一，這項(xiàng)大規(guī)模、持續(xù)性的投資旨在顯著提升英特爾在馬來(lái)西亞的先進(jìn)封裝能力，并為包括SiC在內(nèi)的高性能芯片提供關(guān)鍵的后端處理支持。

作為全球領(lǐng)先的封測(cè)大廠(chǎng)，日月光于2022年11月宣布在馬來(lái)西亞檳城擴(kuò)建新的半導(dǎo)體封測(cè)廠(chǎng)，并計(jì)劃于2025年完工。該項(xiàng)目專(zhuān)注于高需求產(chǎn)品如銅片橋接和影像傳感器封裝，其對(duì)電源芯片封裝的關(guān)注與SiC器件的下游需求緊密相關(guān)。

德州儀器于2023年2月宣布在馬來(lái)西亞吉隆坡和馬六甲分別興建兩座半導(dǎo)體封測(cè)廠(chǎng)，投資額高達(dá)146億令吉（約合33億美元）。這項(xiàng)投資旨在大幅擴(kuò)大其內(nèi)部制造和組裝測(cè)試能力，以滿(mǎn)足全球客戶(hù)的長(zhǎng)期需求。

美光科技于2023年9月在馬來(lái)西亞檳城開(kāi)設(shè)了其第二家先進(jìn)組裝和測(cè)試工廠(chǎng)，初期投資總額達(dá)10億美元。此舉顯著提升了美光在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的先進(jìn)制造能力，也進(jìn)一步豐富了馬來(lái)西亞的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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資料顯示，蘇州固锝是國(guó)內(nèi)功率器件制造商，擁有分立半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、銷(xiāo)售與服務(wù)的垂直一體化IDM產(chǎn)業(yè)模式，產(chǎn)品涵蓋各類(lèi)功率整流管、保護(hù)器件、小信號(hào)、橋式整流器、MOSFET、IGBT單管及模塊、SiC器件等，50多個(gè)系列、7000多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子、5G通訊、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、光伏能源、AI人工智能、汽車(chē)電子等諸多領(lǐng)域。

對(duì)于上述合作，蘇州固锝表示，這將加速我國(guó)功率半導(dǎo)體技術(shù)的自主創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

此次依托聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，借助能源研究院先進(jìn)的功率半導(dǎo)體封測(cè)中試平臺(tái)資源，將有力推動(dòng)蘇州固锝整合創(chuàng)新鏈，加速高端功率器件的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。蘇州固锝將以十足的誠(chéng)意和務(wù)實(shí)態(tài)度，與能源研究院緊密協(xié)作，在先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)、關(guān)鍵工藝開(kāi)發(fā)、可靠性提升等核心領(lǐng)域深入鉆研，力求取得豐碩的創(chuàng)新成果。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：英飛凌官網(wǎng)截圖

氮化鎵作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其卓越的高頻、高效和高功率密度特性，在數(shù)據(jù)中心電源、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、可再生能源逆變器以及消費(fèi)電子快速充電等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。傳統(tǒng)上，GaN器件主要在6英寸或8英寸#晶圓 上制造，限制了其成本效益和產(chǎn)能擴(kuò)張。

英飛凌此次在12英寸晶圓上成功實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)的量產(chǎn)準(zhǔn)備，意味著能夠顯著提升單片晶圓的芯片產(chǎn)出量，從而有效降低制造成本，并為市場(chǎng)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的GaN解決方案。這不僅將加速GaN技術(shù)在現(xiàn)有應(yīng)用中的普及，也將為其進(jìn)入更廣闊的市場(chǎng)創(chuàng)造條件。

公司表示，此項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展得益于其在材料科學(xué)、晶圓制造工藝以及器件設(shè)計(jì)方面的深厚積累與持續(xù)投入。12英寸晶圓的導(dǎo)入將確保英飛凌能夠滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的GaN市場(chǎng)需求，并鞏固其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

隨著人工智能（AI）算力需求的激增，英飛凌積極響應(yīng)，為AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提供先進(jìn)電源解決方案。英飛凌正與NVIDIA攜手，共同推動(dòng)未來(lái)AI服務(wù)器機(jī)架電源架構(gòu)的變革，以實(shí)現(xiàn)高效率、可靠且可擴(kuò)展的電源轉(zhuǎn)換，此項(xiàng)合作細(xì)節(jié)已于2025年5月22日通過(guò)新聞稿公布。在電池備份單元（BBU）方面，英飛凌在近期發(fā)布的技術(shù)路線(xiàn)圖中，公布了新一代AI數(shù)據(jù)中心BBU解決方案發(fā)展藍(lán)圖，涵蓋從4kW到全球首款12kW的BBU電源方案。

此外，在今年的慕尼黑上海電子展上，英飛凌展示了全球最薄的硅功率晶圓（20微米），通過(guò)降低晶圓厚度將功率損耗減少15%以上，此項(xiàng)技術(shù)可廣泛應(yīng)用于包括AI在內(nèi)的多領(lǐng)域。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：公示截圖

公開(kāi)資料顯示，該項(xiàng)目位于山東省濟(jì)南市槐蔭經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，占地約153畝，總投資10億元，環(huán)保投資600萬(wàn)元。項(xiàng)目將購(gòu)置碳化硅晶體生長(zhǎng)爐、切割機(jī)、研磨機(jī)等設(shè)備，開(kāi)展8英寸碳化硅材料關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)，并建成相應(yīng)的制備生產(chǎn)線(xiàn)。項(xiàng)目投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)100,000片導(dǎo)電型碳化硅晶片及48.5噸碳化硅單晶。

天岳先進(jìn)作為中國(guó)碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，近年來(lái)在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張及國(guó)際化布局方面取得了顯著進(jìn)展。

今年4月啟動(dòng)的濟(jì)南8英寸碳化硅襯底項(xiàng)目，采用液相法制備技術(shù)，優(yōu)化了晶體生長(zhǎng)界面與應(yīng)力控制，良率較傳統(tǒng)氣相法提升30%以上，單位成本下降約40%。目前，公司的8英寸襯底已通過(guò)英飛凌車(chē)載級(jí)認(rèn)證，并進(jìn)入梅賽德斯-奔馳800V高壓平臺(tái)供應(yīng)鏈，首期訂單金額達(dá)2.3億元。公司正推進(jìn)第二階段產(chǎn)能提升，目標(biāo)將總產(chǎn)能擴(kuò)至60萬(wàn)片/年，重點(diǎn)布局8英寸和12英寸襯底的規(guī)?；a(chǎn)。

財(cái)務(wù)方面，天岳先進(jìn)2024年?duì)I業(yè)收入17.68億元，同比大幅增長(zhǎng)41.37%，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)達(dá)1.79億元，成功扭虧為盈。這一業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)得益于碳化硅半導(dǎo)體材料在下游新能源汽車(chē)、光伏、AI等應(yīng)用領(lǐng)域的加速滲透，使得碳化硅半導(dǎo)體整體市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。進(jìn)入2025年，一季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.1億元。盡管一季度國(guó)內(nèi)外宏觀環(huán)境復(fù)雜，拖累終端需求復(fù)蘇，碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)趨勢(shì)受到階段性影響，產(chǎn)品價(jià)格有所下降，但公司產(chǎn)品出貨量增長(zhǎng)，市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升。

隨著新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等行業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，因其高禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等特性，成為提升電力轉(zhuǎn)換效率、實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化和輕量化的關(guān)鍵材料。天岳先進(jìn)的技術(shù)突破與產(chǎn)能擴(kuò)張，將有力推動(dòng)碳化硅在相關(guān)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)與綠色發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

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01、Wolfspeed 助力：輔助電源性能再升級(jí)

Wolfspeed 推出的工業(yè)級(jí)C3M0900170x和車(chē)規(guī)級(jí)E3M0900170x碳化硅MOSFET，專(zhuān)為20W至200W的輔助電源設(shè)計(jì)。這些產(chǎn)品基于Wolfspeed可靠的第三代碳化硅技術(shù)，并在其先進(jìn)的200mm制造工廠(chǎng)獨(dú)家生產(chǎn)。

圖片來(lái)源：Wolfspeed

除了傳統(tǒng)的 TO-247-3 (D) 和 TO-263-7 (J) 封裝，Wolfspeed 還新增了全塑封 TO-3PF (M) 封裝，專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)。此封裝無(wú)需絕緣熱界面材料，降低了組裝成本和錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí)，TO-3PF (M) 通過(guò)增加引腳間爬電距離至 4.85mm 并避免外露漏極板，顯著提升了產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)健性。

02、革新輔助電源：Wolfspeed 功率器件的核心優(yōu)勢(shì)

Wolfspeed的C3M和E3M SiC MOSFET技術(shù)相較于前代C2M 1700V 系列及其市場(chǎng)競(jìng)品，實(shí)現(xiàn)了顯著的性能提升。新C3M/E3M系列的柵極電荷量大幅降低，從C2M等效器件的22nC降至僅10nC。這一優(yōu)化不僅降低了柵極驅(qū)動(dòng)所需的功率，也簡(jiǎn)化了反激式電源的啟動(dòng)過(guò)程。此外，輸出電容的減少使得Eoss（輸出能量）降低了30%，從而顯著減少了開(kāi)關(guān)損耗，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)效率。

圖片來(lái)源：Wolfspeed 圖為示意圖：將RG_EXT 替換為3.3V齊納二極管，以降低MOSFET柵極處的VGS

這些新一代900mΩ碳化硅MOSFET具備出色的即插即用兼容性，能無(wú)縫集成到大多數(shù)現(xiàn)有的低功耗輔助電源設(shè)計(jì)中。TO-247-3（通孔封裝）和TO-263-7（表面貼裝）封裝與現(xiàn)有的硅和碳化硅器件兼容，無(wú)需更改PCB布局或散熱器附件，從而最大限度地減少了重新設(shè)計(jì)的工作量。同時(shí)，該系列可以直接利用常見(jiàn)的12-15V輸出電壓軌為反激式控制器和柵極供電，無(wú)需額外的輔助繞組或變壓器分接頭來(lái)提供前代產(chǎn)品或某些競(jìng)品所需的更高電壓（18-20V），進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電源設(shè)計(jì)。

圖片來(lái)源：Wolfspeed 采用碳化硅 MOSFET 的簡(jiǎn)化單開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)，節(jié)省了空間和成本

03、Wolfspeed 方案：定義輔助電源新標(biāo)準(zhǔn)

在高壓應(yīng)用中，傳統(tǒng)的硅MOSFET雖能使用，但通常因其較高的RDS(ON)而導(dǎo)致成本高昂且損耗較大。雖然雙開(kāi)關(guān)反激式拓?fù)淇梢圆捎玫蛪汗杵骷?，但其設(shè)計(jì)復(fù)雜性高，且需要更多組件和空間。

相比之下，碳化硅MOSFET非常適合此類(lèi)電壓等級(jí)，可輕松實(shí)現(xiàn)輔助電源應(yīng)用所需的低 RDS(ON)和低開(kāi)關(guān)損耗。設(shè)計(jì)人員因此能夠采用更簡(jiǎn)化的單開(kāi)關(guān)反激式拓?fù)?，消除了雙開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)的額外電路和復(fù)雜性，有效節(jié)省了空間和成本。Wolfspeed C3M0900170x系列直接支持12-18VGS，并通過(guò)優(yōu)化的內(nèi)部柵極電阻，能夠在高達(dá)22VGS的電路條件下穩(wěn)定運(yùn)行。對(duì)于柵極電壓高于18V的設(shè)計(jì)，可以使用齊納二極管代替外部柵極電阻，將驅(qū)動(dòng)電壓調(diào)整至12-18V范圍內(nèi)。輔助電源在許多工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中需長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。C3M/E3M系列的額定工作結(jié)溫范圍為-55°C至+175°C，確保其能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行。C3M0900170D、C3M0900170J和E3M0900170D均已通過(guò)嚴(yán)格的THB-80(HV-H3TRB)測(cè)試，即在85%濕度、85°C環(huán)境溫度下，施加1360V阻斷電壓并持續(xù)1000小時(shí)的嚴(yán)苛驗(yàn)證。

圖片來(lái)源：Wolfspeed

WolfspeedC3M/E3M系列通過(guò)優(yōu)化器件設(shè)計(jì)和縮小芯片尺寸，進(jìn)一步降低了宇宙射線(xiàn)引起的失效率(FIT)。與上一代產(chǎn)品相比，使用Wolfspeed第三代器件的典型1200V母線(xiàn)電壓反激電路，在海平面連續(xù)運(yùn)行10年后，失效率降低了65%。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：中建三局一公司

項(xiàng)目位于福建省廈門(mén)市，規(guī)劃總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)平方米，定位為具備國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸SiC功率器件制造平臺(tái)。建成投產(chǎn)后，將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，進(jìn)一步鞏固其在中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位，有力助推廈門(mén)市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展。

士蘭微是國(guó)內(nèi)主要的綜合型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造（IDM）企業(yè)之一，公司1997年成立，2003年3月在上海證券交易所主板上市。多年來(lái)專(zhuān)注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和封裝，技術(shù)水平、營(yíng)業(yè)規(guī)模、盈利能力等在國(guó)內(nèi)同行中均位居前列。其在廈門(mén)已布局多個(gè)重大項(xiàng)目，如士蘭集科 “12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線(xiàn)” 和士蘭明鎵 “先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線(xiàn)”，8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目是其又一重要布局。

深耕碳化硅，產(chǎn)能突破與架構(gòu)革新雙管齊下

士蘭微在碳化硅領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，不斷取得新突破。早在2017年就開(kāi)始進(jìn)行碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的逐步擴(kuò)大。2021年8月，士蘭微SiC功率器件中試線(xiàn)實(shí)現(xiàn)通線(xiàn)，并于2022年完成車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET器件的研發(fā)并向客戶(hù)送樣、開(kāi)始量產(chǎn)。2022年7月，士蘭明鎵宣布建設(shè)二期項(xiàng)目，計(jì)劃新增6英寸SiC MOSFET芯片12萬(wàn)片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力。2024年6月，廈門(mén)士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目開(kāi)工，總投資120億，兩期建設(shè)完成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

此前4月8日，士蘭微發(fā)布公告披露相關(guān)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展。截止當(dāng)時(shí)，其士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目已形成月產(chǎn)9,000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶(hù)評(píng)測(cè)，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量。而士蘭集宏8吋SiC mini line已實(shí)現(xiàn)通線(xiàn)，預(yù)計(jì)將在2025年4季度實(shí)現(xiàn)全面通線(xiàn)并試生產(chǎn)，以趕上2026年車(chē)用SiC市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)。

圖片來(lái)源：士蘭微公告截圖

如今士蘭微8英寸碳化硅項(xiàng)目首臺(tái)設(shè)備的提前搬入，預(yù)示著項(xiàng)目將快速進(jìn)入設(shè)備安裝與調(diào)試階段，有望按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)通線(xiàn)和試生產(chǎn)。這不僅將提升士蘭微自身的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，也將為國(guó)內(nèi)碳化硅芯片市場(chǎng)注入新的活力，推動(dòng)新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等多個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

除了在項(xiàng)目推進(jìn)上成果斐然，士蘭微在公司內(nèi)部架構(gòu)調(diào)整方面同樣動(dòng)作頻頻。6月25日，士蘭微發(fā)布公告，獨(dú)立董事何樂(lè)年因連續(xù)任職滿(mǎn)六年提交辭職報(bào)告，在新任選出前仍履職。在公司業(yè)務(wù)布局拓展上，士蘭微近期也有新動(dòng)作。天眼查App顯示，近期廈門(mén)士蘭集華微電子有限公司正式成立，注冊(cè)資本達(dá)1000萬(wàn)人民幣，由杭州士蘭微電子股份有限公司全資持股，覆蓋集成電路全業(yè)務(wù)，深化垂直整合，為發(fā)展蓄勢(shì)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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1、芯邁半導(dǎo)體港交所IPO

近日，杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“芯邁半導(dǎo)體”）正式向香港交易所遞交上市申請(qǐng)。

圖片來(lái)源：芯邁半導(dǎo)體上市申請(qǐng)書(shū)截圖

這家成立于2019年的功率半導(dǎo)體公司，憑借其在電源管理IC（PMIC）和功率器件領(lǐng)域的技術(shù)積累，曾獲得了包括小米基金、寧德時(shí)代以及國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（“大基金二期”）等知名機(jī)構(gòu)的投資。招股書(shū)顯示，芯邁半導(dǎo)體主要采用創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的Fab-Lite集成器件制造商(IDM)業(yè)務(wù)模式，其核心業(yè)務(wù)聚焦電源管理IC和功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。自2020年組建功率器件團(tuán)隊(duì)以來(lái)，公司在該領(lǐng)域進(jìn)展迅速，功率器件產(chǎn)品累計(jì)出貨量已突破5億顆。

在電源管理IC方面，芯邁半導(dǎo)體主要面向移動(dòng)和顯示應(yīng)用提供定制化PMIC解決方案，為智能手機(jī)、顯示面板及汽車(chē)行業(yè)客戶(hù)提供電源管理服務(wù)。

在功率器件方面，芯邁半導(dǎo)體擁有全面的產(chǎn)品組合，涵蓋傳統(tǒng)硅基器件（如SJ MOSFET、SGT MOSFET）以及新興的碳化硅（SiC）MOSFET。公司憑借自主開(kāi)發(fā)的工藝平臺(tái)和器件設(shè)計(jì)，旨在提供高性能產(chǎn)品。其電源解決方案應(yīng)用廣泛，包括汽車(chē)電子、電信與計(jì)算（包括AI服務(wù)器）、工業(yè)與能源，以及消費(fèi)電子產(chǎn)品等關(guān)鍵領(lǐng)域。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)（BMS）、通信基站、數(shù)據(jù)中心和機(jī)器人等市場(chǎng)，芯邁半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額有所增長(zhǎng)。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，芯邁半導(dǎo)體在近年面臨營(yíng)收下滑和虧損擴(kuò)大的情況。2022年、2023年及2024年，公司營(yíng)收分別為16.88億元、16.40億元、15.74億元，呈逐年減少趨勢(shì)。同期，公司年內(nèi)虧損分別為1.72億元、5.06億元、6.97億元，逐年增加。毛利率從2022年的37.4%降至2024年的29.4%，主要原因系電源管理IC產(chǎn)品收入受海外客戶(hù)需求減少影響。

報(bào)告期內(nèi)，電源管理IC產(chǎn)品貢獻(xiàn)了公司超過(guò)90%的收入，而境外市場(chǎng)仍為主要收入來(lái)源，占比超過(guò)68%。

據(jù)悉，芯邁半導(dǎo)體已開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)多款車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，功率覆蓋650V至1700V。這些產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)的主逆變器、車(chē)載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器。其高壓SiC MOSFET已通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證，并已進(jìn)入國(guó)內(nèi)多家新能源汽車(chē)整車(chē)廠(chǎng)供應(yīng)鏈。其中，某款800V SiC MOSFET已在頭部新勢(shì)力車(chē)型中實(shí)現(xiàn)批量供貨。

在先進(jìn)工藝平臺(tái)方面，芯邁半導(dǎo)體正與戰(zhàn)略合作伙伴富芯半導(dǎo)體緊密合作，共同推進(jìn)12英寸SiC晶圓制造工藝的開(kāi)發(fā)與優(yōu)化。富芯半導(dǎo)體作為芯邁半導(dǎo)體的獨(dú)家產(chǎn)業(yè)投資者，已建設(shè)專(zhuān)為高性能PMIC與功率器件優(yōu)化的12英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)。目前，該產(chǎn)線(xiàn)正進(jìn)行SiC外延生長(zhǎng)和器件制造的良率爬坡，目標(biāo)是在2026年實(shí)現(xiàn)更大規(guī)模、更高效率的SiC器件生產(chǎn)。

此外，在市場(chǎng)拓展方面，芯邁半導(dǎo)體的SiC產(chǎn)品線(xiàn)除電動(dòng)汽車(chē)外，還在積極布局工業(yè)電源、光伏逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)市場(chǎng)。公司近期已與國(guó)內(nèi)某大型光伏逆變器制造商簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議，為其新一代高效逆變器提供SiC二極管和MOSFET產(chǎn)品。

2、鉅芯科技北交所IPO獲受理

6月27日，北交所正式受理了安徽鉅芯半導(dǎo)體科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“鉅芯科技”）IPO申請(qǐng)。

圖片來(lái)源：北交所鉅芯科技IPO申請(qǐng)相關(guān)截圖

鉅芯科技作為一家高新技術(shù)企業(yè)，專(zhuān)注于半導(dǎo)體功率器件及芯片的研發(fā)、封裝測(cè)試、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，尤其在光伏組件保護(hù)功率器件領(lǐng)域具備核心競(jìng)爭(zhēng)力。

鉅芯科技的產(chǎn)品線(xiàn)涵蓋了多樣化的功率器件。公司主要以光伏組件保護(hù)功率器件為核心，并逐步拓展至其他應(yīng)用領(lǐng)域。其主要產(chǎn)品包括多種二極管，具體涵蓋整流二極管、快恢復(fù)二極管等。此外，該公司還生產(chǎn)廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電源轉(zhuǎn)換的整流橋堆，以及主要面向中低壓產(chǎn)品線(xiàn)的MOSFET。在功率模塊方面，鉅芯科技也提供光伏模塊和IGBT等產(chǎn)品。

財(cái)務(wù)方面，鉅芯科技在截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個(gè)會(huì)計(jì)年度分別實(shí)現(xiàn)收入人民幣3.51億元，5.58億元，5.64億元；毛利率分別為19.29%，21.61%，16.70%；歸母凈利潤(rùn)0.27億元，0.67億元，0.55億元。從財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)來(lái)看，鉅芯科技在近年?duì)I收持續(xù)增長(zhǎng)，但盈利能力有所波動(dòng)。

截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個(gè)會(huì)計(jì)年度，公司分別實(shí)現(xiàn)收入人民幣3.51億元、5.58億元、5.64億元。同期毛利率分別為19.29%、21.61%、16.70%。歸母凈利潤(rùn)分別為0.27億元、0.67億元、0.55億元。

此次IPO，鉅芯科技擬募集資金2.95億元，計(jì)劃投向以下幾個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目：特色分立器件產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目，以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

圖片來(lái)源：鉅芯科技招股書(shū)截圖

鉅芯科技表示，此次募資旨在現(xiàn)有業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)和研發(fā)投入，以適應(yīng)未來(lái)市場(chǎng)需求。其中，特色分立器件產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目將有助于提高公司在消費(fèi)電子及汽車(chē)電子類(lèi)產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品質(zhì)量，從而提升市場(chǎng)占有率和競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí)，建設(shè)研發(fā)中心將加強(qiáng)公司的科技創(chuàng)新能力和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化能力，為未來(lái)新技術(shù)、新產(chǎn)品及服務(wù)的開(kāi)發(fā)奠定基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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