source：英飛凌

受國際形勢影響，英飛凌2025年的同比增速將略有下降。英飛凌預(yù)計(jì)第三財(cái)季營收37億歐元，市場預(yù)估38.4億歐元。

同日，英飛凌發(fā)布新一代750V 碳化硅MOSFET——750V CoolSiC MOSFET車規(guī)級和工業(yè)級產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻范圍7mΩ至140mΩ。該產(chǎn)品適用于對可靠性、功率密度和效率有嚴(yán)格要求的應(yīng)用，包括車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-AC轉(zhuǎn)換器，以及AI服務(wù)器、太陽能逆變器和電動(dòng)汽車充電設(shè)備。

稍早之前，英飛凌還宣布德國政府已給予公司德累斯頓新芯片工廠最終融資批準(zhǔn)。英飛凌將自行投資50億歐元，創(chuàng)造至多1000個(gè)新工作崗位。此外，英飛凌還通過參與合資企業(yè) “歐洲半導(dǎo)體制造公司”（ESMC）在德累斯頓進(jìn)行投資。

歐盟委員會于今年2月批準(zhǔn)德國政府向英飛凌提供9.2億歐元財(cái)政支持，用于德累斯頓工廠的建設(shè)。該廠于2023年5月動(dòng)工，建設(shè)正按計(jì)劃進(jìn)行，建筑主體已基本完工，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

作為SiC技術(shù)的先行者和主要供應(yīng)商，Wolfspeed在電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電力等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色。SiC相較于傳統(tǒng)的硅材料，在高壓、高溫和高頻應(yīng)用中展現(xiàn)出更優(yōu)異的性能，因此被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料。尤其在新能源汽車領(lǐng)域，SiC器件能夠提升能源效率、縮小系統(tǒng)尺寸并降低整體成本，受到各大汽車制造商的青睞。

收入預(yù)期大幅下調(diào)，多重因素疊加影響

然而，盡管SiC市場前景廣闊，Wolfspeed的收入預(yù)期下調(diào)也反映出行業(yè)發(fā)展并非一帆風(fēng)順。

年來，Wolfspeed積極擴(kuò)建其SiC產(chǎn)能，位于莫霍克谷的新工廠是其重要的戰(zhàn)略布局。然而，新工廠的產(chǎn)能爬坡并非一蹴而就，良率的提升也需要時(shí)間和持續(xù)的投入，這在短期內(nèi)對公司的收入增長造成了一定的制約。

新工廠的啟動(dòng)和初期運(yùn)營往往伴隨著較高的成本，包括設(shè)備折舊、人員培訓(xùn)以及生產(chǎn)過程中的損耗等。這些成本壓力直接影響了公司的盈利能力，并間接限制了其收入的快速增長。

Wolfspeed曾計(jì)劃從美國聯(lián)邦政府獲得高達(dá)7.5億美元的補(bǔ)貼，用于其在北卡羅來納州的碳化硅晶圓廠建設(shè)，旨在加速美國本土的芯片制造進(jìn)程。然而，隨著特朗普政府呼吁廢除《芯片法案》下的聯(lián)邦資金支持，這一巨額補(bǔ)貼的未來變得撲朔迷離，為公司的擴(kuò)張計(jì)劃蒙上了一層陰影。

面對嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，Wolfspeed也在積極尋求應(yīng)對之策以改善其財(cái)務(wù)狀況。公司計(jì)劃通過關(guān)閉位于北卡羅來納州的工廠，并實(shí)施進(jìn)一步的成本削減措施，力爭在2026財(cái)年實(shí)現(xiàn)調(diào)整后的EBITDA收支平衡。此外，Wolfspeed預(yù)計(jì)在2026財(cái)年能夠產(chǎn)生約2億美元的無杠桿運(yùn)營現(xiàn)金流，這顯示出公司在控制運(yùn)營風(fēng)險(xiǎn)和提升現(xiàn)金流方面的努力。

盡管面臨短期的收入壓力，Wolfspeed并未放緩其在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴(kuò)張方面的投入。公司計(jì)劃在2026財(cái)年投入1.5億至2億美元的資本支出，主要用于關(guān)鍵的研發(fā)項(xiàng)目和持續(xù)的產(chǎn)能擴(kuò)張。這表明Wolfspeed對SiC技術(shù)的長期前景依然充滿信心，并希望通過持續(xù)的投入來鞏固其技術(shù)領(lǐng)先地位，為未來的收入增長奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

為了進(jìn)一步優(yōu)化其資本結(jié)構(gòu)，Wolfspeed正積極與包括Apollo和Renesas在內(nèi)的金融機(jī)構(gòu)進(jìn)行對話，尋求戰(zhàn)略合作和融資機(jī)會。與此同時(shí)，公司也在積極與美國白宮、立法機(jī)構(gòu)和商務(wù)部進(jìn)行溝通，爭取獲得聯(lián)邦資金的支持，以緩解其在產(chǎn)能擴(kuò)張方面的資金壓力。

除了收入預(yù)警外，Wolfspeed還宣布其執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官Neill Reynolds將于2025年5月30日離職，以尋求其他職業(yè)發(fā)展機(jī)會。這一管理層調(diào)整被視為公司積極變革的信號。據(jù)悉，今年3月，Wolfspeed宣布任命Robert Feurle為新任首席執(zhí)行官，接替此前辭職的Gregg Lowe。Feurle在芯片行業(yè)擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，公司希望通過他的領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)化工廠運(yùn)營，提升生產(chǎn)效率，扭轉(zhuǎn)當(dāng)前困境。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）

除已推向市場的第一代碳化硅離子注入機(jī)外，艾恩半導(dǎo)體對標(biāo)國際領(lǐng)先技術(shù)水平的第二代碳化硅離子注入機(jī)目前正在緊鑼密鼓的研發(fā)過程中，有望于今年9月面市。今年6月，該公司還將推出一款硅基中束流離子注入機(jī)。

除此之外，由艾恩半導(dǎo)體自主研發(fā)制造的碳化硅大束流離子注入機(jī)，預(yù)計(jì)將于今年年底推向市場，有望填補(bǔ)國產(chǎn)設(shè)備在這一領(lǐng)域的空白。

資料顯示，離子注入機(jī)是芯片制造領(lǐng)域僅次于光刻工藝的重要環(huán)節(jié)，其注入效果決定了芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)器件最基本、最核心的電學(xué)性能，對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。

由于技術(shù)復(fù)雜度高、驗(yàn)證周期長的特點(diǎn)，長期以來離子注入機(jī)被國外大廠壟斷，國產(chǎn)化率極低，國內(nèi)半導(dǎo)體廠商極易被“卡脖子”。這一背景下，近年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商積極瞄準(zhǔn)該領(lǐng)域發(fā)展。

艾恩半導(dǎo)體專注于芯片制造核心設(shè)備——離子注入機(jī)研發(fā)、制造，2024年年底，在其天使投資人——魯信集團(tuán)直管企業(yè)魯信創(chuàng)投的“牽線搭橋”下，艾恩半導(dǎo)體將公司總部遷入山東、落地濟(jì)南高新區(qū)。

source：艾恩半導(dǎo)體

據(jù)悉，魯信創(chuàng)投在艾恩半導(dǎo)體成立之初便進(jìn)行投資孵化，積極通過招商引資助其落戶山東，將有效補(bǔ)強(qiáng)山東第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，充分發(fā)揮承上啟下作用，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展，打造空間集聚、功能關(guān)聯(lián)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，助力國產(chǎn)離子注入機(jī)供應(yīng)鏈自主可控盡快成為現(xiàn)實(shí)。

山東作為中國工業(yè)大省，正加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。山東已將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)納入新材料產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃核心板塊，明確提出實(shí)施“標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略材料攻堅(jiān)行動(dòng)”。

目前，山東已形成涵蓋襯底材料、外延生長、芯片設(shè)計(jì)、器件制造到封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈，涌現(xiàn)出山東天岳、山東晶鎵、艾恩半導(dǎo)體等眾多知名企業(yè)。

區(qū)域布局上，濟(jì)南依托國家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地，聚焦碳化硅基功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)，打造國際先進(jìn)產(chǎn)業(yè)基地；青島發(fā)揮整機(jī)應(yīng)用優(yōu)勢，形成從材料到封測的完整產(chǎn)業(yè)鏈；濟(jì)寧強(qiáng)化上游材料基礎(chǔ)，濰坊布局研發(fā)創(chuàng)新，其他地市差異化協(xié)同發(fā)展。

其中，濟(jì)南近期發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動(dòng)能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國家支持。

01、納微半導(dǎo)體：營收承壓，聚焦氮化鎵

5月5日，納微半導(dǎo)體 公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績。

公告顯示，納微半導(dǎo)體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。本季度的GAAP運(yùn)營虧損為2,530萬美元，相比2024年同期的3,160萬美元虧損和2024年第四季度的3,900萬美元虧損有所減少。非GAAP運(yùn)營虧損為1,180萬美元，與2024年同期持平，低于2024年第四季度的1,270萬美元。截至2025年3月31日，現(xiàn)金及現(xiàn)金等價(jià)物為7,510萬美元。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

在業(yè)務(wù)展望上，納微半導(dǎo)體表示預(yù)計(jì)2025年第二季度凈營收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預(yù)計(jì)為38.5%，上下浮動(dòng)0.5%，非GAAP運(yùn)營費(fèi)用預(yù)計(jì)約為1,550萬美元。

此外，納微半導(dǎo)體表示，在未來的12月里，納微氮化鎵將在AI數(shù)據(jù)中心、太陽能微逆和電動(dòng)汽車等新主流市場實(shí)現(xiàn)應(yīng)用增長。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“納微在第一季度取得了多個(gè)行業(yè)首創(chuàng)成果，包括全球首款量產(chǎn)級雙向氮化鎵功率芯片、一款12kW AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計(jì)，以及氮化鎵和碳化硅技術(shù)達(dá)到了前所未有的可靠性標(biāo)準(zhǔn)?！?br /> 納微半導(dǎo)體成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，重點(diǎn)市場包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。

此前3月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器。4月，納微半導(dǎo)體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

source：納微芯球

02、天岳先進(jìn)：營收微降，加碼研發(fā)

4月30日，天岳先進(jìn) 發(fā)布了2025年一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，2025年第一季度公司營業(yè)總收入4.08億元，同比下降4.25%；歸母凈利潤851.82萬元，同比降幅達(dá)81.52%；扣非凈利潤359.58萬元，同比下降91.75%?；久抗墒找?.02元，加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率0.16%，同比下降0.72個(gè)百分點(diǎn)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

天岳先進(jìn)在報(bào)告中強(qiáng)調(diào)，業(yè)績波動(dòng)主要受大尺寸產(chǎn)品研發(fā)費(fèi)用增加、管理費(fèi)用中介費(fèi)增加以及其他收益進(jìn)項(xiàng)稅加計(jì)抵扣減少所致。

據(jù)2025年一季報(bào)，天岳先進(jìn)加大了研發(fā)投入，一季度研發(fā)支出4494萬元，同比激增101.67%，占營收比例達(dá)11.02%，重點(diǎn)投向12英寸碳化硅襯底、光學(xué)級碳化硅材料等前沿領(lǐng)域。

市場布局方面，天岳先進(jìn)碳化硅襯底出貨量持續(xù)增長，公司同步推進(jìn)碳化硅材料在新能源汽車800V高壓平臺、AI算力基礎(chǔ)設(shè)施及AR眼鏡等新興場景的應(yīng)用。

作為全球碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍企業(yè)，天岳先進(jìn)專注于高品質(zhì)碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于2022年1月12日在A股科創(chuàng)板上市。

此前在SEMICON China2025展會上，天岳先進(jìn)全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電p型及12英寸導(dǎo)電n型碳化硅襯底。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)

近期，南京日報(bào)深度對話超芯星聯(lián)合創(chuàng)始人袁振洲，揭秘我國8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)背后的“晶體種植術(shù)”。

袁振洲指出，“種”晶體的主要材料就是籽晶和高純度碳化硅粉料。籽晶是形成晶體的‘種子’，當(dāng)溫度升至2300℃以上時(shí)，高純度碳化粉料升華，傳輸至籽晶附近，達(dá)到過飽和狀態(tài)后重新結(jié)晶，逐漸形成完美的晶體。隨后通過精細(xì)的切割、研磨和拋光工序，這些晶體被轉(zhuǎn)化為光滑的單晶襯底，襯底尺寸越大，所能產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多。

隨著尺寸的增大，內(nèi)部晶體缺陷的風(fēng)險(xiǎn)也相應(yīng)增加。面對這些挑戰(zhàn)，袁振洲帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)不斷攻克難關(guān)，先后突破了低應(yīng)力晶體生長、低缺陷晶體生長及低損耗晶片加工技術(shù)等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)，形成了一整套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的工藝。如今，超芯星已成為國內(nèi)少數(shù)幾家能夠批量供應(yīng)碳化硅襯底片的企業(yè)之一，同時(shí)也是江蘇省內(nèi)唯一一家覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的碳化硅材料公司。

展望未來，袁振洲表示公司近期目標(biāo)是推動(dòng)8英寸碳化硅襯底的大規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)，致力于打造品牌影響力，為南京的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)力量。

02、重投天科6&8吋產(chǎn)品已推向市場

深圳特區(qū)報(bào)消息，深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“重投天科”）主要聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱：“北京天科合達(dá)”）和市屬國企深重投集團(tuán)兩家企業(yè)為主要股東合資成立的半導(dǎo)體企業(yè)。

該公司位于深圳市寶安區(qū)石巖街道，這里曾經(jīng)是一片荒蕪的土地，經(jīng)過五年的發(fā)展，如今已建起大片廠房，總建筑面積達(dá)到179045平方米，深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園從藍(lán)圖變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

source：深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會

報(bào)道指出，重投天科高質(zhì)量的6-8英寸碳化硅襯底和外延已推向市場。據(jù)悉，按照正常設(shè)計(jì)、施工工期，產(chǎn)業(yè)園建設(shè)工期需要約28個(gè)月，面對市場對于產(chǎn)能的迫切需求，重投天科最終僅用了19個(gè)月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線順利投產(chǎn)。

03、晶升股份8英寸設(shè)備持續(xù)推進(jìn)

近期，晶升股份發(fā)布2024年報(bào)和2025年一季報(bào)，公司2024年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入4.25億元，同比增長4.78%；2025Q1實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入0.71億元，同比減少12.69%。

晶升股份是國內(nèi)晶體生長設(shè)備領(lǐng)域龍頭企業(yè)之一，碳化硅單晶爐領(lǐng)域，晶升股份是國內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅單晶爐量產(chǎn)的企業(yè)。

此外，該公司還前瞻性布局8英寸碳化硅長晶設(shè)備，自主研發(fā)的SCMP系列單晶爐已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)，為未來3年至5年碳化硅襯底向大尺寸迭代提供設(shè)備保障。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

該設(shè)備專為砷化物/磷化物應(yīng)用設(shè)計(jì)，采用創(chuàng)新的注入器和先進(jìn)溫控技術(shù)，使關(guān)鍵層的晶圓均勻性較前代產(chǎn)品提升4倍，同時(shí)，具備全自動(dòng)盒到盒操作能力，并通過原位清洗確保工藝穩(wěn)定性，為高質(zhì)量PIC生產(chǎn)提供了可靠保障。

愛思強(qiáng)成立于1983年，其技術(shù)解決方案廣泛應(yīng)用于激光/LED、顯示技術(shù)、數(shù)據(jù)傳輸、電源管理等前沿領(lǐng)域。

SMART Photonics是愛思強(qiáng)的長期合作伙伴，成立于2012年，依托埃因霍溫理工大學(xué)的技術(shù)支持，已成為歐洲領(lǐng)先的InP PIC代工廠。

此次設(shè)備交付，標(biāo)志著兩家公司在磷化銦光子集成電路制造領(lǐng)域的合作進(jìn)入新階段，將為全球光電子產(chǎn)業(yè)鏈提供更強(qiáng)大的技術(shù)支持。

業(yè)界指出，近年，得益于5G/6G通信、醫(yī)療健康、人工智能等領(lǐng)域的快速發(fā)展，以及汽車激光雷達(dá)等傳感技術(shù)的廣泛應(yīng)用，基于磷化銦的光子集成電路市場需求快速上升。愛思強(qiáng)G10-AsP系統(tǒng)有望提升SMART Photonics在GaAs/InP材料領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)能力，助力其應(yīng)對快速增長的市場需求。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

近期，基本半導(dǎo)體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣，覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級多場景需求；英飛凌則將基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)（TSJ）引入其CoolSiC產(chǎn)品線，實(shí)現(xiàn)器件性能與能效的雙重躍升。兩項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展顯示，碳化硅功率器件正朝著提升集成度和降低損耗的方向發(fā)展，有助于下游應(yīng)用實(shí)現(xiàn)能效提升。

1、基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

5月6日，#基本半導(dǎo)體?官微宣布推出新一代碳化硅MOSFET系列新品。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等領(lǐng)域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲逆變器等領(lǐng)域的650V/40mΩ系列產(chǎn)品。

據(jù)基本半導(dǎo)體介紹，其中的650V/40mΩ系列產(chǎn)品通過將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級下實(shí)現(xiàn)了更高性能表現(xiàn)。

這一系列新品將顯著提升終端應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更高效、更經(jīng)濟(jì)的功率器件解決方案。

source：基本半導(dǎo)體（圖為新一代碳化硅MOSFET參數(shù)列表）

2、英飛凌推出基于溝槽的SiC超結(jié)技術(shù)

5月6日，#英飛凌?科技股份公司宣布，其CoolSiC產(chǎn)品線正式引入基于溝槽的碳化硅超結(jié)技術(shù)（TSJ），將電壓覆蓋范圍擴(kuò)展至400V至3.3kV，全面覆蓋汽車電驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電、光伏逆變、儲能系統(tǒng)及工業(yè)牽引等核心領(lǐng)域。

英飛凌此次技術(shù)升級延續(xù)了其在硅基超結(jié)技術(shù)（CoolMOS）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，通過將溝槽柵極結(jié)構(gòu)與超結(jié)電荷平衡原理結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了器件性能的突破性提升。

英飛凌表示，英飛凌正在利用 SiC TSJ 技術(shù)逐步擴(kuò)展其 CoolSiC 產(chǎn)品組合。此次擴(kuò)展將涵蓋多種封裝類型，包括分立器件、模制和基于框架的模塊，以及裸片。擴(kuò)展后的產(chǎn)品組合將滿足廣泛的應(yīng)用需求，同時(shí)針對汽車和工業(yè)領(lǐng)域。

3、結(jié)語

當(dāng)前碳化硅技術(shù)突破正推動(dòng)器件性能與能效持續(xù)提升，基本半導(dǎo)體與英飛凌的技術(shù)進(jìn)展為新能源汽車、光伏儲能等場景提供了更優(yōu)的功率解決方案。隨著工藝成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同深化，碳化硅器件的規(guī)模化應(yīng)用進(jìn)程有望進(jìn)一步加速。（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

01、賽米控丹佛斯與中車時(shí)代半導(dǎo)體簽署合作備忘錄

5月6日，全球領(lǐng)先的電力電子供應(yīng)商賽米控丹佛斯（Semikron Danfoss）與創(chuàng)新型芯片研發(fā)制造商中車時(shí)代半導(dǎo)體宣布簽署合作備忘錄，雙方將在功率模塊芯片技術(shù)的開發(fā)與供應(yīng)領(lǐng)域展開深度合作。

根據(jù)合作備忘錄，賽米控丹佛斯將貢獻(xiàn)其在功率模塊封裝與制造方面的專業(yè)能力，而中車時(shí)代半導(dǎo)體則將提供先進(jìn)的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅（SiC）及雙極型芯片技術(shù)。雙方的合作將聚焦于以下幾個(gè)方面：

聯(lián)合研發(fā)：共同開展功率模塊芯片的研發(fā)項(xiàng)目，優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)與制造工藝，提升產(chǎn)品性能與可靠性。

市場拓展：結(jié)合賽米控丹佛斯的全球市場資源與中車時(shí)代半導(dǎo)體的國內(nèi)技術(shù)優(yōu)勢，加速功率模塊芯片在中國及全球市場的推廣與應(yīng)用。

客戶服務(wù)：通過雙方的技術(shù)支持與服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為客戶提供更全面、更高效的解決方案，滿足不同應(yīng)用場景的需求。

賽米控丹佛斯總裁Dominic Dorfner表示：“此次合作是我們在為中國客戶提供先進(jìn)、可靠功率模塊道路上邁出的重要一步。通過與中車時(shí)代半導(dǎo)體的合作，我們將加速創(chuàng)新芯片技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用?！?/p>

02、英諾賽科與美的廚熱：GaN 技術(shù)賦能家電智能化

與此同時(shí)，國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè)英諾賽科與美的廚熱事業(yè)部也達(dá)成了 GaN（氮化鎵）戰(zhàn)略合作。

source：英諾賽科公告截圖

GaN 是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子飽和速度、高電子遷移率等特性，適用于高頻、高功率、高電壓的場景，被認(rèn)為是未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。美的廚熱作為全球領(lǐng)先的家電制造商，一直致力于推動(dòng)家電產(chǎn)品的智能化與高效化。此次與英諾賽科的合作，旨在通過GaN技術(shù)的應(yīng)用，提升家電產(chǎn)品的能效與性能。

根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英諾賽科將為美的廚熱提供高性能的 GaN 功率器件，雙方將在以下幾個(gè)方面展開深度合作：

產(chǎn)品開發(fā)：共同開發(fā)基于 GaN 技術(shù)的家電產(chǎn)品，如智能電熱爐、電磁爐等，提升產(chǎn)品的能效與性能。

技術(shù)優(yōu)化：結(jié)合英諾賽科的 GaN 技術(shù)優(yōu)勢與美的廚熱的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化 GaN 功率器件的應(yīng)用方案，降低系統(tǒng)成本。

市場推廣：通過雙方的市場渠道與品牌影響力，加速 GaN 技術(shù)在家用電器領(lǐng)域的推廣與應(yīng)用，提升市場認(rèn)可度。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

相關(guān)論文以《4H-SiC 超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)》（4H-SiC Metalens: Mitigating Thermal Drift Effect in High-Power Laser Irradiation）為題發(fā)表在 Advanced Materials 上 。

source：西湖大學(xué)工學(xué)院SOE

相較于常規(guī)商用物鏡，該超透鏡在保持衍射極限聚焦性能的同時(shí)，展現(xiàn)出卓越的熱穩(wěn)定性，能夠在長時(shí)間高功率激光輻照下維持性能穩(wěn)定，幾乎不受熱吸收影響。這一成果得益于4H-SiC材料的優(yōu)異特性，包括高光學(xué)透過率與折射率、高熱導(dǎo)率以及高硬度和抗劃傷能力，使其成為高性能光學(xué)器件的理想材料。

新型超透鏡充分利用了4H-SiC的高熱導(dǎo)率和低損耗特性，有效抑制了熱漂移效應(yīng)，從而擺脫了對復(fù)雜冷卻系統(tǒng)的依賴。該技術(shù)突破不僅為高功率激光系統(tǒng)提供了關(guān)鍵支持，還為精密儀器制造、極地探險(xiǎn)、航空航天等多個(gè)領(lǐng)域帶來了新的可能性，特別是在對加工精度和表面質(zhì)量要求極高的領(lǐng)域，4H-SiC超透鏡 將發(fā)揮重要作用，為高功率激光應(yīng)用提供更加高效、緊湊的解決方案。

source：西湖大學(xué)工學(xué)院SOE

圖為4H-SiC超透鏡（左）與傳統(tǒng)物鏡（右）的熱漂移效應(yīng)示意圖

稍早之前，西湖大學(xué)還公布了另一項(xiàng)碳化硅技術(shù)突破：由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功開發(fā)12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離技術(shù)，解決超大尺寸碳化硅襯底切片難題。通過激光在材料內(nèi)部形成數(shù)億個(gè)極細(xì)小“爆破點(diǎn)”，實(shí)現(xiàn)晶錠逐層自動(dòng)剝離，出片速度較傳統(tǒng)切割提升顯著，材料損耗降低50%。

這兩項(xiàng)突破標(biāo)志著西湖大學(xué)在碳化硅材料應(yīng)用與技術(shù)研發(fā)方面處于國際領(lǐng)先地位，為高功率激光系統(tǒng)、精密制造、航空航天及新能源產(chǎn)業(yè)提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

調(diào)整后每股盈利方面，安森美半導(dǎo)體表現(xiàn)尚可，為0.55美元，高于市場預(yù)期的0.5美元。同時(shí)，公司對當(dāng)前季度（2025年第二財(cái)季）的業(yè)績展望相對樂觀，預(yù)計(jì)調(diào)整后每股盈利為0.48至0.58美元，營收為14億至15億美元，其中值略高于市場預(yù)期的14.1億美元。

2025財(cái)年第一季度，各業(yè)務(wù)部門表現(xiàn)如下：電源方案部（PSG）營收6.451億美元，同比下降26%；模擬與混合信號部（AMG）營收5.664億美元，同比下降19%；智能感知部（ISG）營收2.342億美元，同比下降20%。這表明公司各業(yè)務(wù)部門表現(xiàn)不一，部分業(yè)務(wù)面臨挑戰(zhàn)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

安森美半導(dǎo)體首席執(zhí)行官 Hassane El-Khoury 表示，盡管面臨經(jīng)濟(jì)下行和市場需求疲軟的挑戰(zhàn)，公司仍保持財(cái)務(wù)紀(jì)律并推進(jìn)長期戰(zhàn)略。他認(rèn)為，當(dāng)前的財(cái)報(bào)體現(xiàn)了公司穩(wěn)健的執(zhí)行力。

盡管首財(cái)季業(yè)績不佳，安森美半導(dǎo)體仍在積極采取措施應(yīng)對挑戰(zhàn)，尋求新的增長機(jī)遇。公司計(jì)劃在2025年將股份回購增至自由現(xiàn)金流的100%，顯示其對自身業(yè)務(wù)的信心。此外，安森美半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)強(qiáng)勁勢頭，尤其在中國電動(dòng)汽車市場，其碳化硅技術(shù)的應(yīng)用前景廣闊。公司預(yù)計(jì)，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)一步推廣和應(yīng)用，這將為公司帶來新的收入增長點(diǎn)。

據(jù)悉，近期安森美推出了基于碳化硅的智能功率模塊，旨在降低能耗和整體系統(tǒng)成本。公司在捷克的碳化硅工廠擴(kuò)建項(xiàng)目也在穩(wěn)步推進(jìn)中，預(yù)計(jì)將顯著提升其碳化硅晶圓的產(chǎn)能。

對于2025財(cái)年第二季度，安森美半導(dǎo)體預(yù)計(jì)營收為14億至15億美元，經(jīng)調(diào)整后每股盈利為0.48至0.58美元。這一預(yù)期反映了公司對市場環(huán)境的謹(jǐn)慎態(tài)度，并表明公司正努力調(diào)整業(yè)務(wù)策略以適應(yīng)不斷變化的市場需求。

此外，公司上月終止了對小型競爭對手Allegro MicroSystems高達(dá)69億美元的收購案，原因是對方董事會未能充分回應(yīng)其并購提案。

總體而言，安森美半導(dǎo)體首財(cái)季業(yè)績不佳，收入下滑并由盈轉(zhuǎn)虧，反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)，尤其是在汽車需求疲軟和關(guān)稅政策變化的影響下。盡管公司對下一季度的業(yè)績展望相對樂觀，但其能否在復(fù)雜的市場環(huán)境中持續(xù)復(fù)蘇仍有待觀察。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）