2025年第四季度，Navitas營收約為730萬美元，同比下降 59.44%，本季度高功率市場收入首次占季度營收的絕大部分，消費電子與移動業(yè)務(wù)收入占比降至25%以下。

展望本季（1-3月），Navitas預(yù)測公司營收將介于800~850萬美元之間，遠(yuǎn)優(yōu)于分析師預(yù)期的734.5萬美元，主要受到高功率市場貢獻增加影響。

Navitas總裁兼首席執(zhí)行官Chris Allexandre指出，2025年Q4期間，公司加速朝「Navitas 2.0」進行戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，并運用旗下領(lǐng)先業(yè)界的氮化鎵與高壓碳化硅（SiC）解決方案，滿足高功率市場的需求。

Navitas把重點放在增長快速的領(lǐng)域，包括AI數(shù)據(jù)中心、電網(wǎng)與能源基礎(chǔ)設(shè)施、高效能運算以及工業(yè)電氣化等。業(yè)界預(yù)計，到2030年，這些領(lǐng)域的可用市場規(guī)?？傆媽⑦_(dá)到35億美元。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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此次IPO，臻寶科技擬募集資金119,752.30萬元，用于半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體精密零部件及材料生產(chǎn)基地項目、臻寶科技研發(fā)中心建設(shè)項目、上海臻寶半導(dǎo)體裝備零部件研發(fā)中心項目。

依托多年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)化實踐，臻寶科技在硬脆材料精密加工、核心材料自主制備等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，核心產(chǎn)品矩陣全面覆蓋半導(dǎo)體刻蝕、薄膜沉積等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，硅上部電極、曲面硅上部電極、石英環(huán)、碳化硅環(huán)等拳頭產(chǎn)品性能已達(dá)到國際主流水平。

該公司打通了從核心材料到終端產(chǎn)品的全流程生產(chǎn)鏈路，自主量產(chǎn)大直徑單晶硅棒、陶瓷造粒粉、CVD-SiC等關(guān)鍵原材料，實現(xiàn)了硅、石英、工程塑料、碳化硅及其他陶瓷材料零部件的規(guī)?；a(chǎn)。

其中，臻寶科技自主研發(fā)的CVD-SiC材料制備技術(shù)，填補了國內(nèi)碳化硅材料、碳化硅環(huán)到后段表面處理一體化制備的技術(shù)空白，為碳化硅氣體分配盤等更前沿產(chǎn)品的研發(fā)奠定堅實基礎(chǔ)。

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1、中微公司八寸碳化硅外延設(shè)備付運客戶驗證

中微公司2月27日發(fā)布2025年度業(yè)績快報。

公告顯示，中微公司2025年營業(yè)收入約123.85億元，較2024年增加約33.19億元，同比增長約36.62%；實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤約為21.11億元，與上年同期相比，增加約4.96億元，同比增加約30.69%。

圖片來源：中微公司業(yè)績公告截圖

公告中提到，中微公司新型八寸碳化硅外延設(shè)備已付運至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展驗證，目前進展順利。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、電力電子、5G通信等高端領(lǐng)域，而八寸碳化硅外延設(shè)備的研發(fā)與落地，是推動碳化硅器件規(guī)模化、低成本生產(chǎn)的關(guān)鍵支撐，也是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代的重要突破方向。

在第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，中微公司以碳化硅、氮化鎵為核心布局方向，形成了多元化的產(chǎn)品體系。

除此次進入驗證階段的八寸碳化硅外延設(shè)備外，公司推出的用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備PrismoPD5，已交付國內(nèi)外領(lǐng)先客戶進行生產(chǎn)驗證，并取得了重復(fù)訂單。

除此之外，中微公司近期在產(chǎn)業(yè)鏈布局與產(chǎn)能建設(shè)上也持續(xù)發(fā)力。公司擬發(fā)行股份收購國產(chǎn)CMP設(shè)備廠商杭州眾硅電子科技有限公司控股權(quán)，完善半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品矩陣，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)。

在產(chǎn)能布局方面，南昌約14萬平方米以及上海臨港約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地均已投入使用，同時在成都布局的研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目正在推進中，計劃2027年正式投入生產(chǎn)。

2、北方高科碳化硅材料訂單排至6月

近日，據(jù)銀川日報、賀蘭發(fā)布等媒體報道，寧夏北方高科工業(yè)有限公司（下稱“北方高科”）碳化硅材料訂單持續(xù)火爆，目前訂單已排至2026年6月，企業(yè)生產(chǎn)車間滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)，全力保障訂單交付。

報道稱，新春假期期間，北方高科并未停工停產(chǎn)，生產(chǎn)車間內(nèi)機器轟鳴、秩序井然，燒制、切割、包裝等工序有條不紊推進，工人們堅守崗位全力趕制訂單，以“不停工、不打烊”的奮斗姿態(tài)保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

北方高科部分碳化硅陶瓷產(chǎn)品市場需求旺盛，訂單已排至今年6月，即便年產(chǎn)碳化硅陶瓷數(shù)百噸，仍無法滿足市場需求，供需缺口顯著。

北方高科專注于碳化硅深度加工，已實現(xiàn)從碳化硅粉體到耐磨陶瓷結(jié)構(gòu)件、防彈裝甲陶瓷的全產(chǎn)業(yè)鏈自主生產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋亞微米級碳化硅粉、導(dǎo)電陶瓷、陶瓷軸承等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、航天、無人機等多個高端領(lǐng)域，憑借穩(wěn)定的產(chǎn)品品質(zhì)獲得市場高度認(rèn)可。

公開信息顯示，公司“亞微米級”碳化硅粉年產(chǎn)能超1500噸，制品陶瓷年產(chǎn)能突破500噸，產(chǎn)品不僅暢銷國內(nèi)沿海地區(qū)，還出口歐美，同時進入臺積電、華為、大疆等知名企業(yè)供應(yīng)鏈。

3、揚帆半導(dǎo)體首臺12寸SiC全自動RCA刷洗一體機順利出貨

2月27日，揚帆半導(dǎo)體（江蘇）有限公司（下稱“揚帆半導(dǎo)體”）正式宣布，公司全自主研發(fā)的首臺12寸SiC（碳化硅）全自動RCA刷洗一體機順利裝車出貨。

據(jù)介紹，該設(shè)備核心技術(shù)擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，打破日、美廠商壟斷。碳化硅廣泛應(yīng)用于新能源汽車等高端領(lǐng)域，高端清洗設(shè)備直接影響芯片性能，此前國內(nèi)市場長期依賴進口，是產(chǎn)業(yè)鏈“卡脖子”瓶頸。

具體來看，針對 SiC材料的高硬度與特殊表面特性的關(guān)系使表面的顆粒及金屬離子不易去除，該設(shè)備創(chuàng)新突破技術(shù)瓶頸，領(lǐng)先業(yè)界提供專業(yè)先進的清洗制程解決方案，具備12寸全兼容制程。同時搭載高精度循環(huán)控制系統(tǒng)，支持智能化整線對接，適配規(guī)模化生產(chǎn)，同時大幅降低能耗，踐行綠色發(fā)展理念。該設(shè)備出貨前已完成驗證，獲得國內(nèi)頭部企業(yè)認(rèn)可及訂單支持。

揚帆半導(dǎo)體科技成立于2018年3月，是國家高新技術(shù)企業(yè)，深耕半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，已構(gòu)建起涵蓋第一代至第四代半導(dǎo)體材料加工的全方位產(chǎn)品矩陣。

多環(huán)節(jié)交付進度提速，國產(chǎn)碳化硅景氣度上行

從行業(yè)來看，三家企業(yè)的交付突破，是國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成熟度提升的體現(xiàn)，也反映出當(dāng)前產(chǎn)業(yè)發(fā)展的真實態(tài)勢。

當(dāng)前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)向大尺寸、規(guī)?；较虻?，8英寸、12英寸設(shè)備及材料成為市場主流，中微公司八寸外延設(shè)備、揚帆半導(dǎo)體12寸清洗設(shè)備的交付，精準(zhǔn)契合行業(yè)迭代需求，也印證了國產(chǎn)設(shè)備在大尺寸領(lǐng)域的技術(shù)突破已具備落地能力。

北方高科訂單飽和，本質(zhì)是下游新能源汽車、半導(dǎo)體等領(lǐng)域需求激增的縮影，但其產(chǎn)能仍無法滿足市場需求，也暴露國內(nèi)碳化硅材料領(lǐng)域供需失衡的現(xiàn)狀。

隨著更多企業(yè)加大研發(fā)投入、完善產(chǎn)品矩陣，國產(chǎn)碳化硅在全球市場的話語權(quán)將持續(xù)提升，同時也將為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控提供重要支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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本次發(fā)行募集資金將用于特色高壓功率半導(dǎo)體器件及功率集成電路晶圓代工項目，項目建成后，預(yù)計新增月產(chǎn)能6萬片，產(chǎn)線將重點聚焦高壓、大功率應(yīng)用場景，投產(chǎn)IGBT、特高壓VDMOS及700V高壓BCD等產(chǎn)品，主要匹配AI數(shù)據(jù)中心大功率電源、特高壓電力設(shè)施、光儲及工業(yè)逆變器、汽車電子和大型工控電機等下游領(lǐng)域?qū)Ω邏?、大功率器件的需求，進一步豐富公司產(chǎn)品線矩陣，拓寬客戶覆蓋范圍。

民德電子介紹，公司已通過控股子公司廣芯微和廣微集成、參股公司晶睿電子和芯微泰克等，完成了功率半導(dǎo)體晶圓材料、芯片設(shè)計和晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的布局。

目前，廣芯微的量產(chǎn)規(guī)模與客戶數(shù)量均穩(wěn)步增長，產(chǎn)出從2025年初的6000片/月快速提升至年末的4萬片/月，工藝成熟度及產(chǎn)品良率均獲得下游客戶的廣泛認(rèn)可，為業(yè)務(wù)進一步拓展奠定了堅實基礎(chǔ)。

同時，民德電子指出，當(dāng)前廣芯微的產(chǎn)能規(guī)模較小，既難以形成顯著的規(guī)模成本優(yōu)勢，也在一定程度上制約了其承接下游優(yōu)質(zhì)客戶訂單的能力，產(chǎn)能瓶頸已成為業(yè)務(wù)升級的核心制約因素，急需通過產(chǎn)能擴張突破發(fā)展瓶頸，進一步增強市場影響力與盈利水平。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、晶升股份：碳化硅行業(yè)調(diào)整，設(shè)備產(chǎn)品需求減少

報告期內(nèi)，晶升股份2025年度實現(xiàn)營業(yè)總收入22,722.34萬元，較上年同期減少46.53%；歸屬于母公司所有者的凈利潤-3,509.73萬元，較上年同期減少165.30%；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤-5,742.65萬元，較上年同期減少289.99%。

圖片來源：晶升股份業(yè)績公告截圖

報告期末，公司總資產(chǎn)176,234.82萬元，較期初減少5.51%；歸屬于母公司的所有者權(quán)益151,106.77萬元，較期初減少4.12%；歸屬于母公司所有者的每股凈資產(chǎn)10.92元，較期初減少4.12%。

晶升股份指出，2025年度公司營業(yè)總收入、歸屬于母公司所有者的凈利潤、歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤等主要財務(wù)指標(biāo)較上年同期有較大幅度的減少，主要系由于：受碳化硅行業(yè)調(diào)整，設(shè)備產(chǎn)品需求減少，同時光伏及碳化硅行業(yè)競爭加劇，產(chǎn)品價格下滑，導(dǎo)致銷售毛利和利潤整體下降。同時本期公司對于風(fēng)險事項基于謹(jǐn)慎性原則增加了減值計提金額。

2、銀河微電：半導(dǎo)體景氣呈現(xiàn)明顯結(jié)構(gòu)性分化態(tài)勢

報告期內(nèi)，銀河微電實現(xiàn)營業(yè)總收入104,956.25萬元，同比增加15.46%；實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤8,038.59萬元，同比增加11.84%；實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤6,152.84萬元，同比增加28.05%。

報告期末，該公司財務(wù)狀況良好，總資產(chǎn)232,874.60萬元，較報告期初增加5.57%；歸屬于母公司的所有者權(quán)益137,995.57萬元，較報告期初增加4.00%。

圖片來源：銀河微電業(yè)績公告截圖

銀河微電指出，2025年，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度呈現(xiàn)明顯結(jié)構(gòu)性分化態(tài)勢，下游各應(yīng)用領(lǐng)域需求差異顯著。

公司立足行業(yè)發(fā)展格局，聚焦大客戶、大產(chǎn)品、大業(yè)務(wù)核心方向，以市場需求為導(dǎo)向，持續(xù)深化與高價值客戶的戰(zhàn)略合作，優(yōu)化產(chǎn)品規(guī)劃與市場定位。得益于近年來在車規(guī)級半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的持續(xù)布局，以及在新產(chǎn)品推廣、市場銷售及綜合服務(wù)能力方面的不斷強化，公司營業(yè)收入、凈利潤等核心經(jīng)營指標(biāo)同比實現(xiàn)穩(wěn)健增長，整體經(jīng)營業(yè)績保持良好發(fā)展態(tài)勢。與此同時，公司進一步拓展光電產(chǎn)品、IPM智能功率模塊及IGBT單管與模塊等前沿產(chǎn)品線，成功構(gòu)建起多元化、系統(tǒng)化的產(chǎn)品矩陣，為公司長期可持續(xù)發(fā)展注入強勁動力。

2026年，公司將持續(xù)聚焦大客戶、大產(chǎn)品、大業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，統(tǒng)籌推進各項經(jīng)營工作。在2025年市場推廣的基礎(chǔ)上，進一步加大大功率TVS及MOS產(chǎn)品的市場推廣力度；重點圍繞汽車、儲能、家電三大核心市場，持續(xù)深耕細(xì)分應(yīng)用場景，挖掘市場增長潛力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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圖片來源：晶科電子公告截圖

本次設(shè)立的基金總認(rèn)繳規(guī)模為6.68億元，晶科電子作為產(chǎn)業(yè)出資方，承諾出資2.68億元，占基金總出資額的40.12%，資金來源于公司內(nèi)部資源?；鹌胀ê匣锶藶槿f聯(lián)天澤，其他有限合伙人包括廣州市產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金、上市公司高質(zhì)量發(fā)展基金、南沙科金集團、南沙人工同智等國資及專業(yè)投資機構(gòu)。

該基金聚焦半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域，重點布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，貼合廣州市“12218”現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系戰(zhàn)略方向，優(yōu)先投向政府支持的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)項目，明確擬投資廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司?；鸫胬m(xù)期為7年，其中前4年為投資期，后3年為退出期，可根據(jù)運作情況延長2年。

晶科電子2006年在廣州南沙成立，主營汽車智能視覺、新型顯示、高端照明三大板塊，產(chǎn)品覆蓋車規(guī)級LED器件、汽車電子模組、MiniLED顯示方案、大功率半導(dǎo)體器件等，服務(wù)全球20余個國家和地區(qū)，是國內(nèi)少數(shù)具備車規(guī)級半導(dǎo)體器件規(guī)?；桓赌芰Φ钠髽I(yè)之一。

近年來晶科電子向第三代半導(dǎo)體光電器件、功率器件延伸，開發(fā)適配新能源汽車的智能視覺光源、車規(guī)級功率模塊，同步推進Mini/MicroLED與氮化鎵（GaN）技術(shù)融合，提升顯示與照明產(chǎn)品能效與可靠性。

據(jù)公開資料查詢，廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司（以及廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司）為晶科電子實控人肖國偉控制的企業(yè)，其專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅功率芯片、器件、模塊等的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。

晶科電子表示，參與設(shè)立產(chǎn)業(yè)基金是公司完善產(chǎn)業(yè)鏈布局的重要舉措。通過資本聯(lián)動，公司將進一步補強第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，為新能源汽車、新型顯示、光伏、儲能、AI數(shù)據(jù)中心等核心應(yīng)用場景提供技術(shù)與產(chǎn)品支撐。同時，借助基金平臺整合上下游資源，豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、協(xié)同客戶開發(fā)，推動產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)聚集，強化公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心競爭力與長期發(fā)展?jié)摿Α?/p>

多類型基金助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突圍

事實上，當(dāng)前國內(nèi)聚焦第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN，碳化硅/氮化鎵）的基金已形成多元化布局態(tài)勢，涵蓋國家級戰(zhàn)略基金、地方政府引導(dǎo)基金、產(chǎn)業(yè)資本基金等多個類型，為產(chǎn)業(yè)技術(shù)突破與規(guī)?；l(fā)展注入強勁資本動能。

國家級基金發(fā)揮“壓艙石”作用，精準(zhǔn)布局產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

其中，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期（大基金三期）重點聚焦半導(dǎo)體“卡脖子”環(huán)節(jié)，包括第三代半導(dǎo)體材料、功率器件等領(lǐng)域，有望加速推動關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化進程。

與此同時，國調(diào)基金（中國誠通）作為國家級戰(zhàn)略基金，已戰(zhàn)略投資山西爍科晶體，爍科晶體在國內(nèi)率先實現(xiàn)6英寸、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的自主制備。

地方政府引導(dǎo)基金多點開花，結(jié)合區(qū)域產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢打造特色集群。

除上述晶科電子攜廣州國資重倉第三代半導(dǎo)體外，深圳于2025年10月正式揭牌賽米產(chǎn)業(yè)私募基金，總規(guī)模50億元，首期出資36億元，由深創(chuàng)投聯(lián)合深重投擔(dān)任管理人，主要投向半導(dǎo)體裝備和零部件、芯片設(shè)計、先進封裝等領(lǐng)域，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入“耐心資本”。

此外，西安于2026年1月落地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展基金，總規(guī)模50億元，首期10億元，聚焦半導(dǎo)體核心材料、關(guān)鍵器件等領(lǐng)域。

產(chǎn)業(yè)資本基金深度綁定產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)生態(tài)協(xié)同發(fā)展。

除晶科電子外，三安光電、聞泰科技、華潤微等半導(dǎo)體龍頭企業(yè)均發(fā)起設(shè)立產(chǎn)業(yè)基金，圍繞第三代半導(dǎo)體全鏈條布局。

其中，三安光電聚焦GaN射頻、SiC功率領(lǐng)域，覆蓋材料、芯片、模組全環(huán)節(jié)；聞泰科技重點布局車規(guī)級SiC/GaN功率器件，服務(wù)新能源汽車、光伏等下游場景；華潤微則聚焦SiC MOSFET、GaN功率芯片，強化IDM生態(tài)建設(shè)，通過資本聯(lián)動打通上下游資源，推動技術(shù)協(xié)同與產(chǎn)品迭代。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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韓國計劃到2030年，將本國下一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)自主率從目前的10%提升至20%，標(biāo)志著韓國半導(dǎo)體政策從單純支持技術(shù)研發(fā)，轉(zhuǎn)向?qū)⑵涮嵘羾覒?zhàn)略基礎(chǔ)設(shè)施高度進行系統(tǒng)性布局。

按照規(guī)劃，該推進小組將分階段推進戰(zhàn)略落地：

2026年上半年：完成下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖的編制，系統(tǒng)梳理各重點需求行業(yè)所需的功率半導(dǎo)體性能指標(biāo)，明確涵蓋材料研發(fā)、生產(chǎn)工藝、芯片設(shè)計、代工制造等全產(chǎn)業(yè)鏈的中長期研發(fā)方向。

2026年下半年：啟動大規(guī)模研發(fā)項目的規(guī)劃布局，并開展相關(guān)制度建設(shè)的專題討論。

除此之外，小組還在積極研究通過法律修訂、制度完善等方式，保障國產(chǎn)功率半導(dǎo)體能夠順利進入國家電網(wǎng)、人工智能數(shù)據(jù)中心、武器系統(tǒng)等公共關(guān)鍵領(lǐng)域，同時加大人才培養(yǎng)力度，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展筑牢人才支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：新潔能公告截圖

新潔能在漲價函中明確說明，此次調(diào)價的核心原因是近期全球上游原材料及關(guān)鍵貴金屬價格大幅攀升，導(dǎo)致公司晶圓代工成本與封測成本持續(xù)上漲，目前已無法獨自承擔(dān)持續(xù)增加的綜合成本。為保障公司可持續(xù)運營，確保產(chǎn)品穩(wěn)定供應(yīng)及服務(wù)質(zhì)量，經(jīng)公司慎重研究后決定實施本次價格調(diào)整。

據(jù)悉，新潔能專注于功率半導(dǎo)體分立器件，核心聚焦MOSFET、IGBT及其模塊，其MOSFET產(chǎn)品覆蓋從負(fù)壓器件到1050V的寬電壓段，廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、新能源與工業(yè)應(yīng)用等多個領(lǐng)域。

此次漲價并非個例，近期英飛凌、士蘭微、宏微科技等多家國內(nèi)外功率半導(dǎo)體廠商均發(fā)布了漲價通知，漲價產(chǎn)品多集中于MOSFET、IGBT等品類，核心原因均與原材料成本上漲、市場需求激增相關(guān)，行業(yè)漲價共識逐步形成。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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陳茂波同時披露，特區(qū)政府“新型工業(yè)加速計劃”已支持兩家專注半導(dǎo)體芯片技術(shù)及設(shè)備的企業(yè)，相關(guān)項目總投資超15億港元；截至目前，該計劃累計支持4個項目，總投資約25億港元，私人投資占比超七成，有效撬動社會資本參與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

香港微電子研發(fā)院于2024年正式成立，是特區(qū)政府布局微電子與半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心研發(fā)平臺，而第三代半導(dǎo)體中試線則是其重點建設(shè)項目，該中試線的建設(shè)聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）兩大主流第三代半導(dǎo)體材料，核心目的是補齊香港從實驗室研發(fā)到小規(guī)模試產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，破解研發(fā)成果“落地難”的痛點。

此前2024年7月，香港微電子研發(fā)院將設(shè)立碳化硅、氮化鎵兩條中試線，協(xié)助初創(chuàng)/中小企業(yè)試產(chǎn)、測試與認(rèn)證。同月首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線啟動，該中試線是香港科技園與麻省光子技術(shù)合作，投資約2億港元，聚焦GaN外延片工藝。

本次微電子研發(fā)院中試線投運后，將與現(xiàn)有中試線形成互補協(xié)同，進一步完善香港第三代半導(dǎo)體中試能力。

全鏈條布局發(fā)力 香港第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步前行

近年來，香港將第三代半導(dǎo)體列為國際創(chuàng)新科技中心建設(shè)的重點領(lǐng)域，依托自身雄厚的科研優(yōu)勢與持續(xù)的政策支持，穩(wěn)步推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條布局，以香港微電子研發(fā)院為核心，逐步建成多條第三代半導(dǎo)體中試線，其中元朗微電子中心8英寸碳化硅襯底良率已提升至85%，接近國際先進水平，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了堅實的硬件支撐。

特區(qū)政府通過“新型工業(yè)加速計劃”“創(chuàng)新香港研發(fā)平臺”等一系列專項政策，持續(xù)加大對半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)、設(shè)備制造與企業(yè)落戶的支持力度，不斷強化資金與產(chǎn)業(yè)的精準(zhǔn)對接。

2025年6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局轄下的創(chuàng)新科技署宣布，#杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司提交的“新型工業(yè)加速計劃”申請已獲評審委員會支持。該項目計劃在香港興建一座第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶圓生產(chǎn)設(shè)施。該晶圓廠項目的總預(yù)算超過7億港元，其中新型工業(yè)加速計劃將提供2億港元的資助。

如今，香港第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已逐步從研發(fā)、中試向設(shè)計、設(shè)備、應(yīng)用等環(huán)節(jié)延伸，成功吸引海內(nèi)外相關(guān)企業(yè)集聚，在功率半導(dǎo)體、射頻器件等領(lǐng)域形成了自身特色優(yōu)勢，能夠有效服務(wù)新能源、通信、汽車電子等下游市場，朝著產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；姆较蚍€(wěn)步邁進。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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該項目聚焦6/8英寸大尺寸氧化鎵單晶襯底的規(guī)?；a(chǎn)，是富加鎵業(yè)在氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化布局中的重要落地項目。從6英寸氧化鎵晶體研制成功，到8英寸VB法氧化鎵晶體的國際首發(fā)，再到本次萬片級產(chǎn)線完成環(huán)保驗收，企業(yè)完成了從核心技術(shù)研發(fā)到規(guī)?；a(chǎn)布局的關(guān)鍵推進，后續(xù)該產(chǎn)線將正式釋放產(chǎn)能，供應(yīng)大尺寸氧化鎵單晶襯底相關(guān)產(chǎn)品。

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的核心品類，氧化鎵是第四代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，相較硅、碳化硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料，其擁有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、介電常數(shù)低、電子遷移率高以及制備成本相對可控等特性，是制作高壓、高頻、高功率、低損耗半導(dǎo)體器件的理想材料。

在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用層面，氧化鎵材料可廣泛適配新能源汽車高壓快充、光伏逆變器、智能電網(wǎng)輸配電、軌道交通供電、深紫外光電探測、微波射頻器件等多個領(lǐng)域的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求，能夠有效提升相關(guān)器件的能量轉(zhuǎn)換效率、降低能耗、縮小器件體積，契合新能源、新一代信息技術(shù)、高端裝備制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級與發(fā)展需求。

同時，氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破傳統(tǒng)材料性能瓶頸、向更高端化方向發(fā)展提供了新的技術(shù)路徑，是全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方向。

此次項目完成竣工環(huán)境保護驗收，意味著國內(nèi)氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化在規(guī)?；a(chǎn)環(huán)節(jié)實現(xiàn)重要進展，將進一步提升國內(nèi)大尺寸氧化鎵單晶襯底的市場供給能力，完善國內(nèi)超寬禁帶半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)鏈布局。富加鎵業(yè)方面表示，后續(xù)將依托該產(chǎn)線的產(chǎn)能保障，加速6/8英寸氧化鎵產(chǎn)品的市場推廣，為市場提供相關(guān)氧化鎵材料解決方案。

據(jù)公開信息，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月31日，主營超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化相關(guān)業(yè)務(wù)，核心產(chǎn)品包含氧化鎵單晶襯底、氧化鎵外延片、晶體生長裝備等，目前已形成覆蓋氧化鎵設(shè)備、襯底、外延片的產(chǎn)品體系，可提供“襯底-外延”一體化解決方案，同時牽頭起草氧化鎵領(lǐng)域首個國家標(biāo)準(zhǔn)，承擔(dān)并參與多項國家及省部級相關(guān)科研項目。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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