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濟南打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進相關(guān)項目建設(shè)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:10 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟南發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟和社會發(fā)展計劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項目獲得國家支持。 近年濟南市依托政...  [詳內(nèi)文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域動作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術(shù)路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤微電子、派恩杰半導(dǎo)體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內(nèi)文]

芯干線第三代半導(dǎo)體打入多個全球一線品牌供應(yīng)鏈
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:43 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，南京芯干線科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動力，在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費電子快充、高端音響電源及商用儲能領(lǐng)域連破壁壘，成功打入多個全球一線品牌供應(yīng)鏈。 source：芯干線科技 AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強型氮化鎵（GaN）功率器...  [詳內(nèi)文]

投資3.1億元，英飛凌無錫功率半導(dǎo)體項目擴產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:40 | 分類 企業(yè) , 功率
4月15日，上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體（上海）有限公司發(fā)布了關(guān)于其無錫擴建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項目的環(huán)境影響評價（環(huán)評）公告。此次擴建項目擬新增總投資3.1億元人民幣，旨在進一步提升其在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)能。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 根據(jù)公告，計劃選址于無錫分公司，...  [詳內(nèi)文]

兩家大廠推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 22 日 15:34 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。 01 清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺 4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（Si...  [詳內(nèi)文]

電網(wǎng)領(lǐng)域開啟碳化硅產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用新藍海，天岳先進助力行業(yè)新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:10 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，中國電機工程學(xué)會電力系統(tǒng)電力電子器件專委會主任委員邱宇峰在接受央媒《經(jīng)濟日報》采訪時表示，“作為成熟的第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅取代現(xiàn)行的硅基是必然趨勢。碳化硅產(chǎn)業(yè)會有兩波應(yīng)用浪潮，第一波在電動汽車領(lǐng)域，第二波在電網(wǎng)領(lǐng)域?？梢钥隙ǖ氖牵蓟柙陔娋W(wǎng)上的需求將堪比新能源汽車?！?..  [詳內(nèi)文]

晶盛機電、拉普拉斯2024年報出爐
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，拉普拉斯、晶盛機電兩家碳化硅領(lǐng)域相關(guān)公司相繼公布2024年報。   1、拉普拉斯營收同比增長93.12% 拉普拉斯實現(xiàn)營業(yè)總收入57.28億元，同比增長93.12%；歸屬凈利潤7.29億元，同比增長77.53%。 2024年，拉普拉斯研發(fā)費用為2.96億元，同比增...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新一批專利曝光
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 21 日 14:06 | 分類 企業(yè) , 功率
隨著新能源汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)對高性能功率器件需求的激增，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)迎來新的發(fā)展機遇。近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局顯示，國內(nèi)一些企業(yè)在功率器件散熱設(shè)計、封裝工藝及晶圓處理等關(guān)鍵領(lǐng)域取得系列專利。 1、寧德時代取得功率半導(dǎo)體器件和散熱裝置專...  [詳內(nèi)文]

Polar與瑞薩電子達成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 18 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱“瑞薩電子”）達成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)授權(quán)。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 Polar Semiconductor 作為美國唯一一家專門從事傳感器、電...  [詳內(nèi)文]

碳化硅液冷超充模塊助力，致瞻科技斬獲歐洲頭部企業(yè)數(shù)億元戰(zhàn)略訂單
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 18 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
致瞻科技與歐洲行業(yè)頭部企業(yè)正式簽署長期保障供貨協(xié)議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術(shù)和液冷超充系統(tǒng)集成能力，成為該客戶在超充領(lǐng)域的核心供應(yīng)商，將以確定性產(chǎn)能鎖定方式在未來數(shù)年內(nèi)持續(xù)供應(yīng)價值數(shù)億元的碳化硅液冷超充模塊。 source：致瞻科技 據(jù)悉，致瞻科技（上海）有限公司是一家聚...  [詳內(nèi)文]