資料顯示，蘇州固锝是國內功率器件制造商，擁有分立半導體芯片設計、晶圓制造、封裝測試、銷售與服務的垂直一體化IDM產業(yè)模式，產品涵蓋各類功率整流管、保護器件、小信號、橋式整流器、MOSFET、IGBT單管及模塊、SiC器件等，50多個系列、7000多種產品，廣泛應用于消費類電子、5G通訊、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、光伏能源、AI人工智能、汽車電子等諸多領域。

對于上述合作，蘇州固锝表示，這將加速我國功率半導體技術的自主創(chuàng)新與產業(yè)化進程。

此次依托聯(lián)合實驗室，借助能源研究院先進的功率半導體封測中試平臺資源，將有力推動蘇州固锝整合創(chuàng)新鏈，加速高端功率器件的國產化進程。蘇州固锝將以十足的誠意和務實態(tài)度，與能源研究院緊密協(xié)作，在先進封裝設計、關鍵工藝開發(fā)、可靠性提升等核心領域深入鉆研，力求取得豐碩的創(chuàng)新成果。

（集邦化合物半導體整理）

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1、芯邁半導體港交所IPO

近日，杭州芯邁半導體技術股份有限公司（簡稱“芯邁半導體”）正式向香港交易所遞交上市申請。

圖片來源：芯邁半導體上市申請書截圖

這家成立于2019年的功率半導體公司，憑借其在電源管理IC（PMIC）和功率器件領域的技術積累，曾獲得了包括小米基金、寧德時代以及國家集成電路產業(yè)投資基金二期（“大基金二期”）等知名機構的投資。招股書顯示，芯邁半導體主要采用創(chuàng)新驅動的Fab-Lite集成器件制造商(IDM)業(yè)務模式，其核心業(yè)務聚焦電源管理IC和功率器件的研發(fā)、生產與銷售。自2020年組建功率器件團隊以來，公司在該領域進展迅速，功率器件產品累計出貨量已突破5億顆。

在電源管理IC方面，芯邁半導體主要面向移動和顯示應用提供定制化PMIC解決方案，為智能手機、顯示面板及汽車行業(yè)客戶提供電源管理服務。

在功率器件方面，芯邁半導體擁有全面的產品組合，涵蓋傳統(tǒng)硅基器件（如SJ MOSFET、SGT MOSFET）以及新興的碳化硅（SiC）MOSFET。公司憑借自主開發(fā)的工藝平臺和器件設計，旨在提供高性能產品。其電源解決方案應用廣泛，包括汽車電子、電信與計算（包括AI服務器）、工業(yè)與能源，以及消費電子產品等關鍵領域。在電機驅動、電池管理系統(tǒng)（BMS）、通信基站、數(shù)據(jù)中心和機器人等市場，芯邁半導體的市場份額有所增長。

財務數(shù)據(jù)顯示，芯邁半導體在近年面臨營收下滑和虧損擴大的情況。2022年、2023年及2024年，公司營收分別為16.88億元、16.40億元、15.74億元，呈逐年減少趨勢。同期，公司年內虧損分別為1.72億元、5.06億元、6.97億元，逐年增加。毛利率從2022年的37.4%降至2024年的29.4%，主要原因系電源管理IC產品收入受海外客戶需求減少影響。

報告期內，電源管理IC產品貢獻了公司超過90%的收入，而境外市場仍為主要收入來源，占比超過68%。

據(jù)悉，芯邁半導體已開發(fā)并量產多款車規(guī)級SiC MOSFET產品，功率覆蓋650V至1700V。這些產品主要應用于電動汽車的主逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉換器。其高壓SiC MOSFET已通過AEC-Q101車規(guī)認證，并已進入國內多家新能源汽車整車廠供應鏈。其中，某款800V SiC MOSFET已在頭部新勢力車型中實現(xiàn)批量供貨。

在先進工藝平臺方面，芯邁半導體正與戰(zhàn)略合作伙伴富芯半導體緊密合作，共同推進12英寸SiC晶圓制造工藝的開發(fā)與優(yōu)化。富芯半導體作為芯邁半導體的獨家產業(yè)投資者，已建設專為高性能PMIC與功率器件優(yōu)化的12英寸晶圓生產線。目前，該產線正進行SiC外延生長和器件制造的良率爬坡，目標是在2026年實現(xiàn)更大規(guī)模、更高效率的SiC器件生產。

此外，在市場拓展方面，芯邁半導體的SiC產品線除電動汽車外，還在積極布局工業(yè)電源、光伏逆變器和儲能系統(tǒng)市場。公司近期已與國內某大型光伏逆變器制造商簽訂長期供貨協(xié)議，為其新一代高效逆變器提供SiC二極管和MOSFET產品。

2、鉅芯科技北交所IPO獲受理

6月27日，北交所正式受理了安徽鉅芯半導體科技股份有限公司（簡稱“鉅芯科技”）IPO申請。

圖片來源：北交所鉅芯科技IPO申請相關截圖

鉅芯科技作為一家高新技術企業(yè)，專注于半導體功率器件及芯片的研發(fā)、封裝測試、生產和銷售，尤其在光伏組件保護功率器件領域具備核心競爭力。

鉅芯科技的產品線涵蓋了多樣化的功率器件。公司主要以光伏組件保護功率器件為核心，并逐步拓展至其他應用領域。其主要產品包括多種二極管，具體涵蓋整流二極管、快恢復二極管等。此外，該公司還生產廣泛應用于各類電源轉換的整流橋堆，以及主要面向中低壓產品線的MOSFET。在功率模塊方面，鉅芯科技也提供光伏模塊和IGBT等產品。

財務方面，鉅芯科技在截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個會計年度分別實現(xiàn)收入人民幣3.51億元，5.58億元，5.64億元；毛利率分別為19.29%，21.61%，16.70%；歸母凈利潤0.27億元，0.67億元，0.55億元。從財務數(shù)據(jù)來看，鉅芯科技在近年營收持續(xù)增長，但盈利能力有所波動。

截至2022年、2023年及2024年12月31日止的三個會計年度，公司分別實現(xiàn)收入人民幣3.51億元、5.58億元、5.64億元。同期毛利率分別為19.29%、21.61%、16.70%。歸母凈利潤分別為0.27億元、0.67億元、0.55億元。

此次IPO，鉅芯科技擬募集資金2.95億元，計劃投向以下幾個關鍵項目：特色分立器件產線建設項目、研發(fā)中心建設項目，以及補充流動資金。

圖片來源：鉅芯科技招股書截圖

鉅芯科技表示，此次募資旨在現(xiàn)有業(yè)務基礎上進行擴產和研發(fā)投入，以適應未來市場需求。其中，特色分立器件產線項目將有助于提高公司在消費電子及汽車電子類產品的生產規(guī)模和產品質量，從而提升市場占有率和競爭力。同時，建設研發(fā)中心將加強公司的科技創(chuàng)新能力和技術成果轉化能力，為未來新技術、新產品及服務的開發(fā)奠定基礎。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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此次融資主要用于公司柳州基地的產能擴建、中小功率產品升級、多款大功率產品市場放量、人才引進等，國家級基金與產業(yè)基金的重倉加持，將夯實颶芯科技的基礎，進一步推動氮化鎵半導體激光芯片的國產化。

圖片來源：颶芯科技

颶芯科技成立于2017年7月，聚焦氮化鎵半導體激光芯片研發(fā)與生產，致力于推動中國氮化鎵激光芯片的產業(yè)化，實現(xiàn)關鍵核心器件的自主可控。作為國內領先的氮化鎵激光芯片企業(yè)，公司以創(chuàng)新驅動為核心，在材料外延、工藝制程和先進封裝等方面不斷突破技術瓶頸，實現(xiàn)了多款自主研發(fā)產品的量產與應用，有效提升了國產芯片的性能水平，打破了該領域對海外的進口依賴。

01、科學家創(chuàng)業(yè)：國產氮化鎵激光芯片的20年情懷

颶芯科技核心團隊曾從事氮化鎵半導體激光器研究20余年，承擔了中國首個氮化鎵半導體激光器的863重大專項，2004年底在國內首次實現(xiàn)波長為405nm的脊型波導氮化鎵基激光器的電注入激射，為中國氮化鎵基激光器零的突破做出重要貢獻。

公司核心研發(fā)團隊由多名經驗豐富的博士組成，堅持嚴謹認真和自主創(chuàng)新的產業(yè)化理念，從外延的細節(jié)把控，到前道的精雕細刻，再到后道的測試分選，每一個工藝細節(jié)的錘煉，換來了產品良率的一次次提升。公司攻克了氮化鎵激光芯片生產中的八大核心技術難題，于2023年建成了國內首條氮化鎵半導體激光芯片量產線，并投入實際生產，現(xiàn)已實現(xiàn)了數(shù)千萬顆芯片的穩(wěn)定出貨。

02、國產替代：突破海外技術封鎖，推動下游應用快速發(fā)展

長期以來國內市場上應用的半導體激光芯片處于紅光、近紅外及更長波段，而覆蓋紫外/紫/藍/綠光波段的氮化鎵材料和激光芯片仍然處于待攻克和追趕的階段，面臨諸多挑戰(zhàn)。

氮化鎵激光器下游應用領域廣闊，在激光投影、光刻與直寫、照明與指示、激光加工、生物檢測、3D打印和可見光通訊等領域均有廣泛應用，并且多個細分領域都已經進入規(guī)模化放量的階段。氮化鎵激光器長期被國外廠家完全壟斷、沒有定價權，技術上存在卡脖子、商業(yè)上面臨斷供的風險，嚴重限制了下游許多重要領域的產業(yè)化發(fā)展。盡快實現(xiàn)氮化鎵激光芯片的國產替代是迫切而現(xiàn)實的需要。

03、產品矩陣齊全：覆蓋大、中、小功率的紫、藍、綠光激光二極管

氮化鎵激光芯片每平方厘米數(shù)百萬個缺陷導致光子在諧振腔中反射就好比在亞馬遜叢林中穿行一樣，容易碰撞被散射吸收，導致?lián)p耗，同時每一個缺陷都有可能成為漏電通道，造成氮化鎵激光芯片的擊穿，難以實現(xiàn)長壽命。因此，為了提升氮化鎵激光芯片的性能和量產的良率，除了對外延材料及結構進行不斷的研發(fā)，還需在生產工藝上精雕細琢。

颶芯科技8年磨一劍，具備從外延、工藝、封測的IDM全流程工程研發(fā)及量產能力，以研發(fā)驅動產品升級。2024年在國內率先實現(xiàn)大功率氮化鎵激光芯片批量供貨，逐步拓展產品矩陣，已擁有大功率、中功率、小功率的紫、藍、綠光多款氮化鎵激光芯片成熟產品，多元化的產品已成功導入下游客戶的多領域場景，推動國內光電產業(yè)的發(fā)展。

圖片來源：颶芯科技

颶芯科技創(chuàng)始人、首席科學家、董事長胡曉東表示：這輪融資，颶芯科技獲得了國家基金、半導體產業(yè)方和一線投資機構的認可，這是對颶芯科技團隊數(shù)十年如一日，持之以恒，埋頭做事的肯定。這輪融資金額較大，給颶芯科技充足的資金，推動企業(yè)自身的高速發(fā)展，進一步加快氮化鎵激光芯片國產化的進程，實現(xiàn)颶芯科技做實、做好、做大、做強的目標，為國家強盛和社會發(fā)展做出實際貢獻。

颶芯科技創(chuàng)始人、總經理宗華表示：本輪融資標志著颶芯科技產業(yè)化進程進入全面加速階段。過去一年，我們的產品在多個應用領域成功替代進口，不僅驗證了技術路線的成熟可靠，更彰顯了團隊將實驗室創(chuàng)新轉化為規(guī)模量產的核心能力。依托本土化服務網(wǎng)絡，我們能為客戶提供從產品導入到量產落地的全周期快速響應——這種貼身服務優(yōu)勢是國際廠商難以復制的。面向未來，颶芯科技將持續(xù)深化產業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，突破更多應用領域，加速完成從技術追趕到產業(yè)引領的關鍵跨越。

深創(chuàng)投團隊指出：深創(chuàng)投新材料基金作為國家制造業(yè)轉型升級基金的特定投資載體，肩負著推動我國新材料產業(yè)“鍛長板、補短板”的重要戰(zhàn)略使命。氮化鎵激光芯片及關鍵材料，長期被海外企業(yè)壟斷，技術壁壘高，國產替代需求緊迫，是我們的重點關注領域。颶芯科技核心團隊在氮化鎵領域深耕20余年，技術底蘊深厚，且率先在國內實現(xiàn)氮化鎵激光芯片量產，有力推動了氮化鎵半導體激光器的國產替代進程。深創(chuàng)投新材料基金愿全力支持諸如颶芯科技這樣的優(yōu)秀企業(yè)，持續(xù)為之提供資源與助力，推動產業(yè)升級，為我國新材料產業(yè)的高質量發(fā)展貢獻更多力量。

國風投投資方表示：氮化鎵激光芯片是顯示、照明、制造加工等多領域的核心光電器件，具有廣闊的應用場景?；谕怀龅募夹g壁壘和行業(yè)Knowhow，多年來國內市場基本被國外企業(yè)所壟斷。颶芯科技作為國內氮化鎵激光芯片的技術領軍企業(yè)，率先實現(xiàn)了大功率氮化鎵激光芯片的批量出貨。國風投基金投資颶芯科技，就是要發(fā)揮國家級基金的引領作用，瞄準我國“卡脖子”技術薄弱環(huán)節(jié)，堅定不移支持企業(yè)開展關鍵技術攻關，努力改變國內產業(yè)受制于人的狀況，為提高我國高端光電產業(yè)的自主可控、加快新質生產力發(fā)展做出應有貢獻。

廣發(fā)信德投資方表示：珠三角擁有發(fā)達的電子供應鏈，激光芯片終端客戶眾多，這些終端客戶創(chuàng)新不斷，既有存量，又有增量，能提供給國產激光芯片廠商嘗試的機會。颶芯科技的青年創(chuàng)業(yè)團隊學習能力極強又深扎一線，能快速捕捉市場機遇，又能打磨出符合客戶需求的產品，八年來帶領颶芯不斷成長，贏得了市場和客戶的信賴與贊譽。我們非?？春蔑Z芯能夠引領行業(yè)發(fā)展，將來為國家科技自主可控和產業(yè)升級貢獻更大力量。

盛景嘉成投資方表示：盛景嘉成致力于具有頂尖技術研發(fā)和產業(yè)化實力的科技企業(yè)投資。氮化鎵激光芯片由于其高技術壁壘量產難度大，長期被國外企業(yè)壟斷。颶芯科技團隊在半導體激光器領域具有20余年技術研發(fā)積累，突破了氮化鎵同質外延、激光芯片制造關鍵核心技術，成功實現(xiàn)大批量出貨，隨著氮化鎵激光器國產替代需求日益迫切，公司業(yè)務進入快速增長階段。我們堅定看好颶芯科技發(fā)展前景，期待成為全球領先的氮化鎵激光器龍頭企業(yè)。

荷塘創(chuàng)投投資方表示：我們一直關注氮化鎵激光產業(yè)鏈，并圍繞上下游來布局，颶芯科技作為IDM企業(yè)，創(chuàng)新性地解決了氮化鎵激光芯片國產卡脖子的難題。作為老股東，一路見證公司攻克研發(fā)、工程化難題，并實現(xiàn)了規(guī)模化量產。此輪融資后，公司將會更上一個臺階，進入新的發(fā)展階段。

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資料顯示，賽英電子是國內專業(yè)從事研發(fā)和生產大功率半導體器件用陶瓷管殼系列的企業(yè)，主要產品是晶閘管用陶瓷管殼、平板壓接式IGBT用陶瓷管殼、平底型散熱基板、針齒型散熱基板，是國家級專精特新“小巨人”、國家高新技術企業(yè)、江蘇省民營科技企業(yè)、無錫市瞪羚企業(yè)。

賽英電子于2025年4月14日登陸新三板，目前屬于基礎層，交易方式為集合競價轉讓。6月25日賽英電子發(fā)布公告稱，公司將于6月26日（星期四)開市起停牌，公司披露相關事項后恢復轉讓交易。停牌原因為：向境內證券交易所申請公開發(fā)行股票并上市。

6月27日，賽英電子發(fā)布2024年全年業(yè)績報告。2024年1月1日-2024年12月31日，公司實現(xiàn)營業(yè)收入4.57億元，同比增長42.65%，盈利7390.15萬元，同比增長34.20%，基本每股收益為2.4500元。

業(yè)界表示，賽英電子若成功上市，有望成為北交所功率半導體部件第一股。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：上海證券之星

今年一季度，聞泰科技公司歸母凈利潤2.61億元，同比增長82.29%，其中半導體業(yè)務實現(xiàn)營收37.11億元，同比增長8.40%，凈利潤5.78億元，經營性凈利潤同比增長65.14%，毛利率38.32%，同比上升超7個百分點，持續(xù)驗證行業(yè)領先地位與盈利能力。此外，公司經營活動現(xiàn)金流量凈額達25.23億元，同比增長29.58%；截至第一季度末，公司現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物余額增加至94.53億元，較去年同期翻倍增長，為半導體研發(fā)與產能擴張?zhí)峁﹫詫嵸Y金保障。

聞泰科技半導體業(yè)務遵循“低壓向高壓，功率向模擬”的產品拓展戰(zhàn)略，模擬芯片研發(fā)加速，同時該公司緊跟AI、機器人趨勢，產品在AI數(shù)據(jù)中心/AI服務器、AIPC/手機中增長較快。在工業(yè)機器人、協(xié)作機器人、家居機器人等領域，公司已積累深厚的客戶資源。依托車規(guī)半導體的高可靠性與安全標準，公司將有望助力更多機器人新興應用更廣泛、安全地落地。

供應鏈方面，聞泰科技半導體業(yè)務具備海內外“雙供應鏈”，保障產品供應穩(wěn)定高效。

產能方面，聞泰科技后端封測廠位于廣東東莞、江蘇無錫（在建）。同時，聞泰科技積極通過外部工廠強化產能布局，由大股東先行代建的臨港 12 吋車規(guī)級晶圓廠已實現(xiàn)車規(guī)級晶圓量產出貨，將成為半導體業(yè)務中國區(qū)產能提升、工藝升級和成本控制的有力支撐，幫助公司在中國區(qū)市場積極開拓市場份額。

（集邦化合物半導體整理）

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三篇論文工作如下：

1、He離子注入終端實現(xiàn)3kV氧化鎵功率二極管

本研究報道了一種高穩(wěn)定性的垂直結構NiO/β-Ga2O3異質結二極管，該器件實現(xiàn)了3kV的高擊穿電壓和3.10 GW/cm2的巴利加優(yōu)值。

研究團隊創(chuàng)新性地采用氦原子注入技術構建了高效低損傷的邊緣終端結構，有效抑制了異質結PN結處的高電場聚集，將Ga2O3異質結二極管的擊穿電壓從1330 V提升至3000 V。通過擬合分析反向漏電機制，揭示了氦離子注入器件的獨特擊穿特性。進一步采用氧氣退火工藝，將器件的比導通電阻從5.08 mΩ·cm2顯著降低至2.90 mΩ·cm2，并提升了器件穩(wěn)定性。

研究成果以“3 kV/2.9 mΩ·cm2 β-Ga2O3 Vertical p–n Heterojunction Diodes with Helium-implanted Edge Termination and Oxygen Post Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上并作現(xiàn)場口頭匯報，第一作者為博士生韓甲俊。

圖片來源：深圳大學材料學院

圖為具有He離子注入終端的β-Ga2O3 HJDs（a）截面示意圖和制造關鍵工藝，（b）反向擊穿特性曲線

?2、GaOx界面工程實現(xiàn)高性能氮化鎵MOS電容器

在本研究中，研究團隊采用氫化物氣相外延技術，成功生長了低位錯密度（~1.5×106 cm-2）的單晶氮化鎵襯底及其外延層，這些材料被用于制造高質量的垂直氮化鎵MOS電容器。

研究團隊引入了一種界面技術，通過等離子體增強原子層沉積在Al2O3/GaN界面處沉積一層薄薄的氧化鎵作為中間層。實驗結果顯示，這些器件的界面陷阱密度（Dit）低至~8×1010 cm-2 eV-1，且VFB遲滯僅為50 mV。引入GaOx界面技術不僅有效抑制了柵極漏電流，還鈍化了氮和氧相關的空位及懸掛鍵。這一方法為垂直氮化鎵MOSFET的制造提供了新的方法。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical GaN MOS Capacitors through GaOx Interface Technology”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，第一作者為碩士生林錦沛。

圖片來源：深圳大學材料學院

圖為具有GaOx界面層的垂直GaN MOS電容（a）結構示意圖及關鍵工藝，（b）器件的界面態(tài)密度參數(shù)提取

3、高性能垂直p-NiO/n-GaN功率二極管

本研究報道了一種高性能的垂直p-NiO/n-GaN異質結二極管。

通過氫化物氣相外延技術生長的低位錯密度氮化鎵晶圓，N面經氧氣等離子體處理（OPT）有效緩解了費米能級釘扎效應，并鈍化了表面，使接觸電阻（ρc）降至3.84×10-6Ω·cm2。通過氧氣后退火處理濺射的氧化鎳薄膜，優(yōu)化了異質結界面。因此，擊穿電壓提升至1135 V，優(yōu)值（FOM）達到0.23 GW/cm2，導通狀態(tài)電阻降至5.7 mΩ·cm2。

研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical p-NiO/n-GaN Heterojunction Diodes through Plasma Treatment and Oxygen Post-Annealing”為題目發(fā)表在IEEE ISPSD 2025上，碩士生黃燁瑩、王敏為文章的共同第一作者。

圖片來源：深圳大學材料學院

圖中，（a）NiO/GaN垂直pn HJD的結構示意圖，（b）之前報道的NiO/GaN PND的FOM與擊穿電壓的對比

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應產品頁面的“設計模型”中下載

羅姆介紹，功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。

新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計算穩(wěn)定性和開關波形精度的同時，將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應用設計階段的器件評估與損耗確認的效率。

未來，羅姆將繼續(xù)通過提升仿真技術，助力實現(xiàn)更高性能以及更高效率的應用設計，為電力轉換技術的革新貢獻力量。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：羅姆半導體集團

新產品已經暫以月產100萬個的規(guī)模投入量產。前道工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產基地為OSAT（泰國）。另外，新產品已經開始通過電商進行銷售，通過電商平臺均可購買。

隨著AI技術的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負載急劇增加，服務器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務器日益普及，如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求，一直是個難題。

在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應用。另外，在服務器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流和過載時造成損壞。新產品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負荷，從而提升服務器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產品。另外，新產品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導通電阻（RDS(on)），由此既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高產品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

羅姆介紹，為了兼顧服務器的穩(wěn)定運行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負載。特別是AI服務器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A，實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實現(xiàn)了更低導通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導通電阻有助于提升服務器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。

（集邦化合物半導體整理）

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新成立的聯(lián)合實驗室將本著優(yōu)勢互補、全面合作、平等互利的原則，整合三家企業(yè)在半導體產業(yè)鏈中的資源與優(yōu)勢，重點開展：功率半導體（IGBT、SiC）的可靠性、失效分析、材料分析、產品測試、晶圓磨劃等領域合作，為客戶的產品研發(fā)和測試提供更加專業(yè)、完善的技術服務。

圖片來源：季豐電子

目前，該聯(lián)合實驗室的各項合作正有序進行中。

資料顯示，#林眾電子?致力于功率半導體芯片研發(fā)、功率半導體模組研發(fā)與制造。該公司聚焦于工業(yè)自動化、電動汽車和光伏新能源等行業(yè)，服務于海內外客戶超過400家。
瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。該公司自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產品以及工藝平臺的公司，擁有一座車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅動和控制芯片產品，并圍繞碳化硅(SiC)應用，為客戶提供一站式解決方案。

季豐電子是一家聚焦半導體領域，深耕集成電路檢測相關的軟硬件研發(fā)及技術服務的賦能型平臺科技公司。公司業(yè)務分為四大板塊，分別為基礎實驗室、軟硬件開發(fā)、測試封裝和儀器設備，可為芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導體產業(yè)鏈和新能源領域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

（集邦化合物半導體整理）

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01、綜藝股份收購吉萊微

5月13日，江蘇綜藝股份有限公司（以下簡稱“綜藝股份”）發(fā)布公告，公司擬通過現(xiàn)金增資或受讓股份的方式，取得江蘇吉萊微電子股份有限公司（以下簡稱“吉萊微”）的控制權，具體投資方案和投資比例待進一步論證和協(xié)商。本次交易預計構成重大資產重組，交易完成后，吉萊微將成為綜藝股份的控股子公司。

source：江蘇綜藝股份公告截圖

公開資料顯示，吉萊微成立于2001年，專業(yè)從事功率半導體芯片及器件的研發(fā)、生產和銷售，是一家以芯片設計、晶圓制造、封裝測試的垂直一體化經營為主的功率半導體芯片及器件制造企業(yè)。

而綜藝股份當前的主營業(yè)務分為信息科技、新能源、股權投資三大板塊，其中信息科技領域主要業(yè)務涵蓋芯片設計及應用業(yè)務等。綜藝股份旗下?lián)碛卸嗉覍Ｗ⒂诟呖萍碱I域的企業(yè)，分處于芯片開發(fā)、設計、應用等不同細分領域，如天一集成（信息安全芯片）、神州龍芯（自主處理器）等企業(yè)聚焦數(shù)字芯片設計。

綜藝股份表示，此次收購吉萊微有助于公司戰(zhàn)略聚焦并補強信息科技領域核心產業(yè)板塊。吉萊微在成為公司的控股子公司后，公司將在原有芯片設計及應用業(yè)務基礎上，進入功率半導體芯片及器件的研發(fā)、生產及銷售領域，產業(yè)鏈條布局得到進一步的優(yōu)化及延伸。

值得一提的是，吉萊微曾沖刺創(chuàng)業(yè)板IPO，于2022年6月30日獲得受理。此前公司招股書（申報稿）顯示其募集資金是為了投向功率半導體器件產業(yè)化建設項目、生產線技改升級項目和研發(fā)中心建設項目等，來新建6英寸晶圓芯片生產線與封裝線等。

公告顯示，吉萊微目前擁有2條4英寸的芯片生產線，在當前全球模擬芯片公司紛紛轉向擴產12英寸生產線的趨勢下，其盈利能力或造沖擊。

不過，后因公司撤回申請，深交所于2022年12月2日終止對吉萊微IPO的審核。

02、日月光投控收購元隆電子

此外，近日另一家功率半導體晶圓廠也傳出被收購的消息。

5月14日，全球半導體封測龍頭#日月光投資控股股份有限公司（以下簡稱“日月光投控”）發(fā)布公告，其子公司#臺灣福雷電子股份有限公司（以下簡稱“福雷電子”）將以每股新臺幣9元公開收購#元隆電子股份有限公司（以下簡稱“元隆電子”）普通股，預定收購最高數(shù)量為1.51萬張，收購總金額約1.36億元新臺幣。

source：ASE日月光

此次收購完成后，日月光投控持有元隆電子股權比例將達68.18%。據(jù)悉，本次收購的核心目標在于整合元隆電子現(xiàn)有業(yè)務，推動其向AI新世代技術領域轉型。

元隆電子成立于1987年，總部位于中國臺灣，專注于分離式元件、功率半導體、集成電路以及各種半導體零組件的研究、開發(fā)、設計、制造與銷售。

據(jù)了解，元隆電子近年來在高壓技術及第三代半導體（如碳化硅、氮化鎵）領域的研發(fā)投入不足，導致其難以應對IDM大廠整合邏輯IC與功率半導體、大型晶圓代工廠委外投片的雙重競爭壓力。

據(jù)其2025年第一季度財報顯示，盡管合并營收同比增長24.6%至2.68億元新臺幣，但毛利率與營業(yè)利益率仍為負值，稅后凈虧損達1.28億元新臺幣，每股凈值轉負至-0.42元新臺幣。

日月光投控的加入，或將通過集團化資源整合，助力元隆電子突破技術瓶頸，加速向高附加值領域轉型。而對于日月光投控而言，元隆電子在功率半導體領域的制造經驗與日月光投控的封測技術形成互補，有望進一步提升在AI芯片封裝測試領域的競爭力。

03、結語

綜藝股份收購吉萊微以及日月光投控收購元隆電子，這兩起收購案是半導體行業(yè)資源整合與技術升級的具體體現(xiàn)。通過收購，企業(yè)不僅能夠補強自身產業(yè)鏈，提升綜合競爭力，還能夠加速技術迭代，搶占新興市場先機。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）