圖片來源：鎵仁半導體

半導體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽為“第四代半導體”的氧化鎵，憑借其更耐高溫、更耐高壓、性能更優(yōu)等特性，成為下一代電力電子器件領(lǐng)域的“理想材料”，備受全球關(guān)注。

不過，作為新興材料，氧化鎵仍面臨較大技術(shù)難題。比如氧化鎵在高溫熔融狀態(tài)下性質(zhì)很不穩(wěn)定，用主流方法很難讓它規(guī)規(guī)矩矩地結(jié)晶。同時，它的結(jié)晶過程就像在鍛造一件精密瓷器，對“火候”（溫度）和環(huán)境的要求極高，稍有偏差，晶體就會產(chǎn)生缺陷甚至碎裂，難以得到完整、高質(zhì)量的單晶。因此，穩(wěn)定制備大尺寸氧化鎵單晶的挑戰(zhàn)，曾是其邁向大規(guī)模應(yīng)用的主要瓶頸。

這一背景下，杭州鎵仁半導體有限公司聚焦氧化鎵單晶制備技術(shù)攻關(guān)，依托自主研發(fā)的“鑄造法”，在材料生長上取得重要突破。該方法具備成本低、效率高、工藝簡單可控、尺寸易放大等優(yōu)勢。

今年初，杭州鎵仁半導體有限公司團隊成功發(fā)布全球首顆8英寸氧化鎵單晶，標志著我國在超寬禁帶半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“換道超車”。該成果可與現(xiàn)有硅基8英寸產(chǎn)線完全兼容，為氧化鎵從實驗室走向規(guī)?；瘧?yīng)用奠定了堅實基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導體整理）

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“晉江產(chǎn)經(jīng)報道”官微消息，近日，晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個產(chǎn)業(yè)化項目，專注于第四代超寬禁帶半導體材料——氧化鎵科技企業(yè)“鎵創(chuàng)未來”正式落戶晉江并完成千萬級天使輪融資。

資料顯示，鎵創(chuàng)未來半導體科技（晉江）有限公司，依托于西安電子科技大學—-寬帶隙半導體技術(shù)國家重點學科實驗室和寬禁帶半導體國家工程研究中心，也是晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個產(chǎn)業(yè)化項目，目前已具備異質(zhì)外延片小批量生產(chǎn)能力。公司創(chuàng)始人團隊均為微電子學與固體電子學博士，在材料外延生長、摻雜及器件制備等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)積累了近10年的經(jīng)驗。

該公司董事長彭博透露，公司氧化鎵一個最突出的優(yōu)勢就是它的寬禁帶度更寬，能耐更高的電壓通更大的電流，目前新能源車要做快充，基本800伏平臺的充電器約30分鐘把一輛車車從空電充到滿電，如果使用鎵創(chuàng)未來氧化鎵的器件，7分鐘就可以把它電充滿。

彭博介紹，前期已與二十多家科研機構(gòu)建立合作關(guān)系，與多家半導體客戶簽訂采購合同。目前，隨著項目正式入駐晉江，彭博將聯(lián)合團隊專注產(chǎn)品落地，滿足不同應(yīng)用場景的需求。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：西安電子科技大學——圖為郝躍（中）團隊在實驗室

氧化鎵因其超寬禁帶特性在高壓、大功率應(yīng)用中具備顯著優(yōu)勢，但其本身的熱導率僅為硅的約五分之一，工作時容易出現(xiàn)過熱問題。金剛石的熱導率高達約2000?W·m?1·K?1，是已知材料中最高的散熱介質(zhì)，理論上可以大幅降低器件溫升。

然而，直接將氧化鎵貼合在金剛石上會因晶格和熱膨脹系數(shù)的差異產(chǎn)生界面缺陷，導致散熱效果不佳。為此，團隊在兩者之間引入單層或多層石墨烯，石墨烯既能提供柔性匹配，又保持極高的熱傳導通道，使熱流能夠快速從氧化鎵傳遞到金剛石。

實驗結(jié)果顯示，加入石墨烯后，散熱阻降低約十倍，器件工作溫度下降30?°C以上，顯著提升了功率密度和可靠性。采用該散熱方案的Ga?O?功率開關(guān)器件在5kV以上的擊穿電壓下仍保持低正向壓降和高速開關(guān)特性，適用于5G/6G基站、雷達、衛(wèi)星通信以及電動汽車功率模塊等高壓高功率場景。

這項突破不只是實驗室成果，還解決了氧化鎵器件的“自熱”痛點，讓高導熱金剛石和氧化鎵高效“聯(lián)姻”，為解決氧化鎵器件發(fā)熱問題提供了全新思路，也為未來高性能、高可靠性電子器件的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

在該技術(shù)的基礎(chǔ)上，團隊開發(fā)了一種新的范德華極化工程異質(zhì)集成技術(shù)，成功在藍寶石襯底上生長了高質(zhì)量的氮化鎵外延層，并以此為基礎(chǔ)制備出高性能的氮化鎵基射頻器件。該器件具有高電子遷移率、高飽和電流密度和低截止電流，適用于高頻高功率放大器。

據(jù)介紹，這項技術(shù)有望在未來5G/6G通信基站、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信等關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。低缺陷密度的氮化鎵外延層還適用于電動汽車充電樁、數(shù)據(jù)中心電源等高效率、高頻率的功率開關(guān)器件。

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圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

富加鎵業(yè)成立于2019年，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及導模法(EFG法)晶體生長裝備、襯底研磨拋光裝備等。

設(shè)備領(lǐng)域，富加鎵業(yè)研制了國際上首臺具備“一鍵長晶”EFG設(shè)備，可以滿足2-6英寸晶體生長需求，可提供設(shè)備及配套工藝包。

同時，富加鎵業(yè)自行研制了全自動VB晶體生長設(shè)備，并在國內(nèi)率先突破了6英寸單晶生長技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)了大尺寸VB法單晶制備，可根據(jù)客戶需求提供VB設(shè)備及工藝包。此外，該公司還研發(fā)了2-6英寸氧化鎵單晶襯底研磨拋光設(shè)備，并根據(jù)客戶需要可提供成熟的研磨拋光及清洗工藝包。

單晶及外延片方面，富加鎵業(yè)已經(jīng)建立企業(yè)標準2項，獲得ISO9001質(zhì)量體系認證，向市場提供10mm至6英寸的多種晶向的氧化鎵單晶襯底10mm至6英寸的MOCVD氧化鎵外延片及10×15mm MBE氧化鎵外延片。

氧化鎵作為極具潛力的第四代半導體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動汽車、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，被譽為下一代高功率電子器件的“明星材料”，陸續(xù)吸引眾多廠商進行研發(fā)。

稍早之前，宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。

據(jù)悉，#鎵仁半導體 6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧秒，表明外延層結(jié)晶質(zhì)量高、晶格完整性良好。通過電容-電壓（C-V）法測試，外延層載流子濃度介于1.60E16cm?3至1.92E16cm?3之間，標準方差為6.08%，證實外延層電學均勻性良好。

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此次鎵仁半導體 的6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧秒，表明外延層結(jié)晶質(zhì)量高、晶格完整性良好。通過電容-電壓（C-V）法測試，外延層載流子濃度介于1.60E16cm?3至1.92E16cm?3之間，標準方差為6.08%，證實外延層電學均勻性良好。

圖片來源：鎵仁半導體 圖為紅外反射膜厚測試曲線

圖片來源：鎵仁半導體 圖為膜厚測試點位分布及對應(yīng)結(jié)果

圖片來源：鎵仁半導體 圖為高分辨XRD搖擺曲線及對應(yīng)點位測試結(jié)果

圖片來源：鎵仁半導體 圖為C-V測試點位分布及對應(yīng)結(jié)果

此次突破具有里程碑意義。同質(zhì)外延避免了異質(zhì)外延中常見的晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異問題，能生長出高質(zhì)量的外延層，減少缺陷密度，從而使得基于同質(zhì)外延材料制造的功率器件更接近氧化鎵材料的理論性能極限，具備更低的能量損耗、更高的擊穿電壓和更穩(wěn)定的可靠性。此外，6英寸尺寸適配主流硅基半導體產(chǎn)線，可大幅降低下游企業(yè)的產(chǎn)業(yè)化成本。

公開資料顯示，鎵仁半導體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料及設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司依托浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室和浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，已形成一支以中科院院士楊德仁為首席顧問的研發(fā)和生產(chǎn)團隊。公司開創(chuàng)了鑄造法氧化鎵單晶生長新技術(shù)，實現(xiàn)了8英寸單晶生長技術(shù)突破，成為國際首家掌握該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

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近期，國內(nèi)氧化鎵領(lǐng)域頻頻傳出重大進展。

富加鎵業(yè)突破6英寸VB法氧化鎵單晶制備技術(shù)

9月15日，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱富加鎵業(yè)）宣布在氧化鎵晶體生長領(lǐng)域取得重大突破——利用垂直布里奇曼法（VB法）在國內(nèi)首次成功制備出6英寸氧化鎵單晶晶錠，晶體等徑高度達30mm，為功率器件所需導電性材料，可滿足完整6英寸氧化鎵導電型襯底的加工需求。

圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

圖為6英寸VB法氧化鎵單晶錠

此前2024年12月，富加鎵業(yè)率先在國內(nèi)實現(xiàn)4英寸VB法氧化鎵晶體制備，此次6英寸單晶的突破，實現(xiàn)晶體尺寸上的跨越式升級。

迄今為止，富加鎵業(yè)進行了多輪次2-6英寸VB法氧化鎵晶體生長，不斷升級裝備性能，驗證生長裝備穩(wěn)定性。該公司已推出擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的VB法氧化鎵晶體生長設(shè)備及配套生長工藝包，加速氧化鎵領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)生態(tài)構(gòu)建，推動氧化鎵半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

未來，富加鎵業(yè)將繼續(xù)秉持創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展和繁榮氧化鎵行業(yè)的理念，積極聯(lián)合高校、科研院所及產(chǎn)業(yè)鏈上下游單位，不斷提升裝備與工藝技術(shù)水平，共同推進氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

蘇州納米所納米加工平臺在β-Ga?O? 垂直功率器件方面取得進展

近日，中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米加工平臺在氧化鎵（β-Ga?O?）功率器件領(lǐng)域取得兩項重要突破：首次基于納米加工平臺開發(fā)工藝制備了多鰭通道歐姆接觸陽極β-Ga?O?二極管（MFCD），實現(xiàn)超低漏電的千伏級擊穿電壓；同時研制出高性能增強型垂直β-Ga?O?多鰭晶體管，創(chuàng)下4.3mΩ·cm2最低比導通電阻紀錄。兩項成果可為高溫高壓應(yīng)用場景提供全新的解決方案。

1、多鰭通道二極管——打破傳統(tǒng)垂直結(jié)構(gòu)限制

圖片來源：中國科學院蘇州納米所? 圖(a) 多鰭通道β-Ga?O?二極管的示意圖，(b) 器件的關(guān)鍵工藝步驟，(c)鰭干法蝕刻后的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像， (d) 鰭寬400 nm二極管 SEM橫截面圖像

該器件通過獨創(chuàng)的歐姆接觸陽極設(shè)計替代傳統(tǒng)肖特基結(jié)構(gòu)，結(jié)合亞微米鰭溝道引發(fā)的側(cè)壁自耗盡效應(yīng)，成功解決了寬禁帶半導體器件在高電場下的漏電失控難題。在無任何場板或鈍化層輔助的情況下，0.1μm窄鰭器件展現(xiàn)出1148V擊穿電壓，反向漏電流穩(wěn)定維持在1μA/cm2的商用水平，且在150℃高溫環(huán)境下未出現(xiàn)性能衰減。歐姆接觸的引入使比導通電阻降至7mΩ·cm2，較同類溝槽肖特基二極管降低35%，這一突破性進展可為光伏逆變器、電動汽車快充樁等高壓場景提供全新的解決方案。

圖片來源：中國科學院蘇州納米所 圖(a) 垂直二極管的漏電流與擊穿電壓基準性能對比，(b) 本工作中β-Ga?O?垂直二極管和溝槽SBD的導通電阻與擊穿電壓基準性能對比，以及文獻中報道的結(jié)果對比

該成果以Kilovolt-Class β-Ga?O??Multi-Fin-Channel Diodes with Ohmic-Contact Anode為題發(fā)表在功率電子器件領(lǐng)域國際頂級會議IEEE 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2025，第一作者為中國科學院蘇州納米所郭高甫和張曉東，通訊作者為張寶順研究員和河南師范大學戴憲起教授。

2、增強型垂直晶體管——破解”常開”難題

圖(a) 多鰭通道 β-Ga?O??FinFET示意圖，（b）鰭寬300 nm二極管 SEM 橫截面圖像

針對氧化鎵材料缺乏p型摻雜的核心瓶頸，研究團隊同步研發(fā)出國際領(lǐng)先的增強型垂直多鰭晶體管。通過雙柵極鰭形溝道幾何限域技術(shù)，無需依賴p型層即實現(xiàn)可靠常關(guān)特性，其閾值電壓達0.87V，開關(guān)比突破7×10?。創(chuàng)新地采用電子束光刻與非金屬掩模刻蝕工藝，實現(xiàn)350nm鰭寬精度控制，配合雙自對準平面化技術(shù)精準構(gòu)筑源漏接觸區(qū)。

最終器件在10V工作電壓下輸出760A/cm2的超高電流密度，比導通電阻僅4.3mΩ·cm2，同時維持975V擊穿電壓與0.22GW/cm2的優(yōu)異功率品質(zhì)因數(shù)（PFOM），為數(shù)據(jù)中心電源及工業(yè)電機驅(qū)動芯片國產(chǎn)化奠定關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。

圖片來源：中國科學院蘇州納米所 圖為最新垂直β-Ga?O??MOSFET器件的Vbr與R(on,sp)性能對比圖

該成果以975V/4.3mΩ·cm2?Enhancement-mode (001) β-Ga?O??Vertical Multi-fin Power Transistors為題發(fā)表在半導體領(lǐng)域國際會議9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing 2025，第一作者為中國科學院蘇州納米所郭高甫，通訊作者為張寶順研究員和河南師范大學戴憲起教授。

氧化鎵與“導熱王者”金剛石成功“牽手”

中國科學報消息，中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍團隊的教授張進成、寧靜巧妙引入石墨烯作為“翻譯官”，讓氧化鎵與“導熱王者”金剛石成功“牽手”，解決了散熱難題，讓芯片從此“冷靜”工作。相關(guān)研究成果近日發(fā)表于《自然-通訊》。

圖片來源：《自然-通訊》文章截圖

氧化鎵雖然應(yīng)用前景廣闊，但其存在散熱性差這一痛點。據(jù)悉，氧化鎵的導熱能力只有硅材料的1/5，容易導致器件損壞、性能下降。為給氧化鎵“降溫”，研究團隊起初想到了導熱性能極好的金剛石，但單晶金剛石尺寸小、價格昂貴，難以大規(guī)模使用。于是團隊轉(zhuǎn)向成本更低的“多晶金剛石”，但在多晶上生長氧化鎵薄膜時，材料會“亂長”（晶向紊亂），產(chǎn)生裂縫和應(yīng)力，散熱效果大打折扣。

最后，團隊引入“石墨烯”作為中間緩沖層，它解決了兩種材料之間的“溝通障礙”，屏蔽了多晶襯底的粗糙影響，使得氧化鎵薄膜能夠平整又高質(zhì)量地生長在多晶金剛石上。團隊還通過“氧-晶格協(xié)同調(diào)控”技術(shù)，即精細控制氧氣和原子排列，實現(xiàn)了高質(zhì)量氧化鎵薄膜的穩(wěn)定外延，從而使材料不再“亂長”，熱應(yīng)力也大幅降低。

實驗測得，氧化鎵和金剛石之間的熱阻只有2.82平方米·開爾文/吉瓦——界面熱阻大幅降低，只有傳統(tǒng)技術(shù)的1/10左右。

這項突破不只是實驗室成果，還解決了氧化鎵器件的“自熱”痛點，讓高導熱金剛石和氧化鎵高效“聯(lián)姻”，為解決氧化鎵器件發(fā)熱問題提供了全新思路，也為未來高性能、高可靠性電子器件的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

它釋放了界面熱應(yīng)力，讓熱量高效傳遞。實驗測得，氧化鎵和金剛石之間的熱阻只有2.82平方米·開爾文/吉瓦——界面熱阻大幅降低，只有傳統(tǒng)技術(shù)的1/10左右?！?/p>

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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圖片來源：Nature Communications截圖

氧化鎵（β-Ga?O?）因超寬禁帶、高擊穿場強和低成本晶體生長優(yōu)勢，被視為下一代高功率、光電子器件的核心材料。然而，Ga?O?的相對較低的熱導率（約10-30W/m·K），僅為金剛石的六分之一，這給高功率半導體器件帶來了巨大挑戰(zhàn)。

隨著器件功率密度的增加，熱積累效應(yīng)迅速加劇，導致性能下降，限制了Ga?O?高功率潛力的充分發(fā)揮。因此，熱管理已成為限制Ga?O?基功率器件發(fā)展和廣泛應(yīng)用的主要技術(shù)瓶頸之一。引入熱導率高導熱的金剛石作為散熱襯底，是當前最具潛力的熱管理策略。

盡管單晶金剛石襯底具有優(yōu)異的熱導性能，但其晶圓尺寸受限、制備成本高昂，限制了其在產(chǎn)業(yè)界的規(guī)?；瘧?yīng)用。因此，在低成本的多晶襯底上實現(xiàn)高質(zhì)量β-Ga?O?外延成為更具可行性的技術(shù)路徑，但面臨晶向紊亂、界面缺陷多和熱應(yīng)力積聚等重大挑戰(zhàn)。

本研究揭示了二維材料輔助下β-Ga?O?在多晶襯底上成核取向的智能篩選和應(yīng)力的高效釋放，通過引入石墨烯作為晶格解耦層，有效屏蔽多晶金剛石襯底晶向無序帶來的晶格失配影響，借助弱界面耦合和晶格失配系數(shù)-氧表面密度調(diào)控（The oxygen-lattice co-modulation model），成功實現(xiàn)(-201)取向β-Ga?O?薄膜的可控外延，突破性闡明了二維材料輔助下在多晶襯底上實現(xiàn)單晶薄膜生長的物理機理。

本研究利用石墨烯層釋放界面由于巨大熱失配系數(shù)導致的拉應(yīng)力，大幅降低界面熱阻，實驗測得β-Ga?O?/金剛石界面的熱邊界電阻僅2.82 m2·K/GW，比現(xiàn)有技術(shù)降低一個數(shù)量級。

基于該范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備的光電探測器表現(xiàn)出高達106的光暗電流比和210A/W的響應(yīng)度，證實其在熱管理與光電性能方面的顯著優(yōu)勢，為氧化鎵基高性能功率電子器件的熱管理難題提供了全新解決路徑，實現(xiàn)了高導熱襯底與超寬禁帶半導體的高效集成，對推動下一代高功率器件發(fā)展具有重要意義。（文章來源：西電集成電路學部）

（集邦化合物半導體整理）

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深圳平湖實驗室檢測結(jié)果顯示，本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結(jié)果：22~26 arcsec。

圖片來源：鎵仁半導體

圖為8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬第三方測試結(jié)果-（深圳平湖實驗室）

馬爾文帕納科亞太卓越應(yīng)用中心檢測結(jié)果顯示，本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結(jié)果分別為：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。

資料顯示，2025年3月，鎵仁半導體發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底。

圖片來源：鎵仁半導體

目前在售的氧化鎵襯底晶圓主要以2英寸和4英寸為主，難以與主流的Fab場產(chǎn)線設(shè)備兼容，這提高了下游器件廠商研發(fā)的難度與成本，導致氧化鎵應(yīng)用推進緩慢。

鎵仁半導體表示，上述第三方檢測結(jié)果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬<30 arcsec，達到國際領(lǐng)先水平。同時，該公司指出，本次質(zhì)量檢測結(jié)果充分證明，鎵仁半導體8英寸晶圓襯底質(zhì)量能夠滿足硅基8英寸產(chǎn)線生產(chǎn)要求，這將大幅降低下游應(yīng)用端研發(fā)的難度與成本，促進產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的快速落地。

據(jù)悉，鎵仁半導體氧化鎵襯底已逐步實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，為下游客戶提供大尺寸高質(zhì)量的氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品。目前，鎵仁半導體8英寸襯底已實現(xiàn)產(chǎn)品銷售出貨。

資料顯示，氧化鎵（Ga?O?）是第四代半導體材料，因其超寬禁帶、高擊穿場強和低成本潛力，正成為電力電子、軍事雷達、電動汽車充電等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。

氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場強，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來發(fā)展?jié)摿薮?，全球競相角逐研發(fā)，我國也不例外。

業(yè)界指出，我國在氧化鎵領(lǐng)域已形成從材料生長到器件研發(fā)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，部分技術(shù)達國際領(lǐng)先水平，主要氧化鎵公司包括北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、中電科46所、鎵仁半導體等。與此同時，西安電子科技大學、浙江大學等高校也為氧化鎵技術(shù)突破做出了貢獻。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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目前最新進展是該項目整個主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預(yù)計8月可進行機電設(shè)備的入駐；此外，正在進行外部場地的平整以及污水管網(wǎng)的挖掘和鋪建。整體來看，項目正有序推進中。此前7月初，根據(jù)龍巖市融媒體中心報道，該項目預(yù)計9月份試產(chǎn)。

福建晶旭半導體基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目，位于上杭工業(yè)園區(qū)南崗金銅產(chǎn)業(yè)園，總投資16.8億元，項目建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產(chǎn)線。項目建成后，不僅可以填補國內(nèi)氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白，更將為上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力。

福建晶旭半導體科技有限公司成立于2020年，是一家專注于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片研發(fā)生產(chǎn)和服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。其技術(shù)團隊從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上，處于領(lǐng)先地位。

氧化鎵（Ga?O?）是一種寬禁帶半導體材料，其中ε相氧化鎵（ε-Ga?O?）具有優(yōu)異的壓電性能和高頻特性（能響應(yīng)極高頻率的電信號），利用這種特性，可制成聲波濾波器芯片，通過電信號激發(fā)氧化鎵薄膜的機械振動，篩選出特定頻率的信號（如5G通信所需的高頻信號），同時過濾掉雜波，實現(xiàn)信號的 “提純”。

隨著5G、6G、衛(wèi)星通信等技術(shù)發(fā)展，信號頻率從傳統(tǒng)的sub-6GHz向更高的毫米波（24GHz以上）邁進。氧化鎵基濾波器在高頻段下的信號損耗更低、穩(wěn)定性更高，能滿足高速率、大容量通信的需求，可以覆蓋通信、航天、國防等關(guān)鍵領(lǐng)域。

目前，全球高頻濾波器市場長期被國外企業(yè)壟斷，且傳統(tǒng)材料在高頻段的性能瓶頸明顯。如福建晶旭半導體的相關(guān)項目建成后，將成為全球首條氧化鎵基高頻濾波器芯片量產(chǎn)線，填補國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白，對半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控具有重要意義。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測建設(shè)項目順利封頂

5月27日，瀚薪科技通過全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測建設(shè)項目”主體結(jié)構(gòu)正式封頂。

圖片來源：瀚薪科技

這一里程碑的達成，標志著公司在第三代半導體產(chǎn)業(yè)化的征程中邁出了關(guān)鍵一步。未來瀚薪科技的產(chǎn)品生產(chǎn)將進一步實現(xiàn)自主可控，研發(fā)技術(shù)快速迭代，以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案，助力“雙碳”目標與新能源產(chǎn)業(yè)升級！

資料顯示，瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化超15年，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)及國際領(lǐng)先的芯片設(shè)計、封裝工藝與測試能力。公司產(chǎn)品已通過車規(guī)級AEC-Q101及工規(guī)級JEDEC認證，與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系。

廣州這個氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

近期，由香港科技大學霍英東研究院與香港科技大學（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進展，其位于南沙的首個先進生產(chǎn)廠房正式啟用。

該廠房配備高標準潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實現(xiàn) “從實驗室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場奠定了堅實基礎(chǔ)。

圖片來源：香港科技大學快訊

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。由香港科技大學（廣州）陳子強教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導體器件的開發(fā)，是全球獨家通過MOCVD工藝實現(xiàn)了穩(wěn)定p型導電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導電空白。

據(jù)悉，拓諾稀科技通過實現(xiàn)p型導電，使得氧化鎵材料具備構(gòu)建pn結(jié)及其他雙極型器件（如BJT、IGBT）的能力，顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機器人、電力能源等領(lǐng)域的應(yīng)用空間。團隊采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝，形成全球獨有的技術(shù)體系，支持多層pn結(jié)構(gòu)設(shè)計以實現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導體行業(yè)標準設(shè)備，具備大規(guī)模量產(chǎn)與高度產(chǎn)業(yè)化的可行性，為晶圓加工和芯片集成提供堅實支撐。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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