01、納微半導(dǎo)體：營(yíng)收承壓，聚焦氮化鎵

5月5日，納微半導(dǎo)體 公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。

公告顯示，納微半導(dǎo)體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。本季度的GAAP運(yùn)營(yíng)虧損為2,530萬美元，相比2024年同期的3,160萬美元虧損和2024年第四季度的3,900萬美元虧損有所減少。非GAAP運(yùn)營(yíng)虧損為1,180萬美元，與2024年同期持平，低于2024年第四季度的1,270萬美元。截至2025年3月31日，現(xiàn)金及現(xiàn)金等價(jià)物為7,510萬美元。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

在業(yè)務(wù)展望上，納微半導(dǎo)體表示預(yù)計(jì)2025年第二季度凈營(yíng)收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預(yù)計(jì)為38.5%，上下浮動(dòng)0.5%，非GAAP運(yùn)營(yíng)費(fèi)用預(yù)計(jì)約為1,550萬美元。

此外，納微半導(dǎo)體表示，在未來的12月里，納微氮化鎵將在AI數(shù)據(jù)中心、太陽能微逆和電動(dòng)汽車等新主流市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用增長(zhǎng)。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“納微在第一季度取得了多個(gè)行業(yè)首創(chuàng)成果，包括全球首款量產(chǎn)級(jí)雙向氮化鎵功率芯片、一款12kW AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計(jì)，以及氮化鎵和碳化硅技術(shù)達(dá)到了前所未有的可靠性標(biāo)準(zhǔn)。”
納微半導(dǎo)體成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。

此前3月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器。4月，納微半導(dǎo)體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

source：納微芯球

02、天岳先進(jìn)：營(yíng)收微降，加碼研發(fā)

4月30日，天岳先進(jìn) 發(fā)布了2025年一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，2025年第一季度公司營(yíng)業(yè)總收入4.08億元，同比下降4.25%；歸母凈利潤(rùn)851.82萬元，同比降幅達(dá)81.52%；扣非凈利潤(rùn)359.58萬元，同比下降91.75%?；久抗墒找?.02元，加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率0.16%，同比下降0.72個(gè)百分點(diǎn)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

天岳先進(jìn)在報(bào)告中強(qiáng)調(diào)，業(yè)績(jī)波動(dòng)主要受大尺寸產(chǎn)品研發(fā)費(fèi)用增加、管理費(fèi)用中介費(fèi)增加以及其他收益進(jìn)項(xiàng)稅加計(jì)抵扣減少所致。

據(jù)2025年一季報(bào)，天岳先進(jìn)加大了研發(fā)投入，一季度研發(fā)支出4494萬元，同比激增101.67%，占營(yíng)收比例達(dá)11.02%，重點(diǎn)投向12英寸碳化硅襯底、光學(xué)級(jí)碳化硅材料等前沿領(lǐng)域。

市場(chǎng)布局方面，天岳先進(jìn)碳化硅襯底出貨量持續(xù)增長(zhǎng)，公司同步推進(jìn)碳化硅材料在新能源汽車800V高壓平臺(tái)、AI算力基礎(chǔ)設(shè)施及AR眼鏡等新興場(chǎng)景的應(yīng)用。

作為全球碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍企業(yè)，天岳先進(jìn)專注于高品質(zhì)碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于2022年1月12日在A股科創(chuàng)板上市。

此前在SEMICON China2025展會(huì)上，天岳先進(jìn)全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電p型及12英寸導(dǎo)電n型碳化硅襯底。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點(diǎn)展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V 雙向器件（VGaN）、大功率合封氮化鎵 ISG6121TD、2kW四相交錯(cuò)Buck、4.2kW服務(wù)器電源方案以及在數(shù)據(jù)中心和人形機(jī)器人應(yīng)用中的多款解決方案。

source：英諾賽科

英諾賽科公開介紹道， 其中一款100V GaN產(chǎn)品，全球首款量產(chǎn)，先進(jìn)的雙面散熱 En-FCLGA 封裝，與傳統(tǒng)的封裝相比，導(dǎo)熱率高出 65%。

INV100FQ030C是英諾賽科全球首款100V 雙向器件（VGaN），支持雙向?qū)ê碗p向關(guān)斷，采用FCQFN4x6封裝，具備超低導(dǎo)通電阻和更寬的SOA邊界，可在48V BMS系統(tǒng)、48V總線負(fù)載開關(guān)中實(shí)現(xiàn)電池保護(hù)。

大功率合封氮化鎵 ISG6121TD是一款行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產(chǎn)品，集成了柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的GaN功率IC，采用TO-247-4L封裝，能夠幫助設(shè)計(jì)人員開發(fā)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關(guān)方案，可應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器PSU，車載OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。

2kW四相交錯(cuò)Buck是2025年全新發(fā)布的方案，該方案采用四相交錯(cuò)Buck拓?fù)?，每相使?顆INS2002FQ和4顆INN100EA035A實(shí)現(xiàn)功率傳輸，具備靈活的拓展性，效率超98%。

4.2kW服務(wù)器電源方案是英諾賽科與客戶合作開發(fā)，與傳統(tǒng)電源相比，其輕中載電能損耗可減少至少30%，實(shí)現(xiàn)超過96%的轉(zhuǎn)換效率。

此外，本月早些英諾賽科發(fā)布公告宣布其自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺(tái)，可提升車載充電效率并縮小體積，擴(kuò)大續(xù)航里程并降低成本。

作為氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒，英諾賽科致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造。此次多款突破性產(chǎn)品的集中亮相，不僅印證了氮化鎵材料在高頻、高效場(chǎng)景中的核心價(jià)值，更彰顯了英諾賽科通過技術(shù)深耕推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的戰(zhàn)略定力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

通過展示和交流，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)能夠更好的發(fā)揮自身在科研、中試、分析檢測(cè)、設(shè)計(jì)仿真等領(lǐng)域的綜合優(yōu)勢(shì)，協(xié)同產(chǎn)業(yè)合作伙伴開展深度合作，打造第三代及第四代功率半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新高地。

資料顯示，根據(jù)科技部統(tǒng)一部署，深圳市從2021年開始承接國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)建設(shè)任務(wù)，2022年設(shè)立深圳平湖實(shí)驗(yàn)室作為建設(shè)和運(yùn)營(yíng)主體， “一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同創(chuàng)新聯(lián)動(dòng)”為建設(shè)原則，聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域器件物理研究、材料研究、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品中試，第四代半導(dǎo)體材料器件前沿研究，致力于打造世界領(lǐng)先的第三代及第四代功率半導(dǎo)體創(chuàng)新、中試及共享的平臺(tái)。

2024年11月，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)正式建成發(fā)布。
目前，該綜合平臺(tái)已在碳化硅、氧化鎵等多個(gè)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。

SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域

SiC由于莫氏硬度高達(dá)9.5，是很難加工的材料。1顆SiC晶錠，厚度為20 mm，單片損失按照300μm，理論產(chǎn)出晶片30片，單片材料損耗率達(dá)到46%。為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝。其工藝過程示意圖如下所示：

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

激光剝離工藝與多線切割工對(duì)照：

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室表示，激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對(duì)于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著重要意義。

氧化鎵理論研究方面

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代材料與器件課題組針對(duì)氧化鎵價(jià)帶能級(jí)低和p-型摻雜困難等問題，采用銠固溶方式理論開發(fā)了新型β相銠鎵氧三元寬禁帶半導(dǎo)體。該成果已在《Advanced Electronic Materials》期刊上發(fā)表并受邀提供期刊封面設(shè)計(jì)。該文章也被收錄到《Progress and Frontiers in Ultrawide bandgap Semiconductors》專題。

半導(dǎo)體材料的功率特性（巴利加優(yōu)值）與其帶隙的立方成正比。氧化鎵具有超寬的帶隙（4.9電子伏）和成熟的制備方法，是功率器件的理想材料。

然而，已有氧化鎵器件的功率特性仍顯著低于材料的理論極限，原因在于氧化鎵價(jià)帶頂能級(jí)低，能帶色散關(guān)系平坦。雜質(zhì)摻雜受主能級(jí)多在1電子伏以上，難以實(shí)現(xiàn)有效的p-型導(dǎo)電。目前氧化鎵器件多基于肖特基勢(shì)壘或與其他氧化物(如氧化鎳)形成p-n異質(zhì)結(jié)。較低的肖特基勢(shì)壘及p-n異質(zhì)結(jié)的高界面態(tài)限制了氧化鎵器件的功率特性。如何實(shí)現(xiàn)氧化鎵的p-型摻雜成為當(dāng)下研究的一個(gè)關(guān)鍵問題。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室（β相氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖）

本工作基于第一性原理考察了銠固溶氧化鎵結(jié)構(gòu)。由于銠的原子半徑與鎵接近，銠固溶氧化鎵具有較低的混合焓，固溶構(gòu)型具有高穩(wěn)定性。這種現(xiàn)象在實(shí)驗(yàn)上也得到了證實(shí)，采用Pt-Rh坩堝生長(zhǎng)氧化鎵晶體時(shí)，銠易進(jìn)入氧化鎵晶格?；谀軒ЫY(jié)構(gòu)分析，銠固溶氧化鎵仍是寬禁帶半導(dǎo)體，其價(jià)帶頂由銠和鄰近的氧原子軌道雜化形成，對(duì)應(yīng)能級(jí)較氧化鎵價(jià)帶頂顯著上升。

此外，價(jià)帶頂附近能帶色散曲率增加，這與沿[010]晶向離域的電子態(tài)密度密切相關(guān)，故該工作作者建議在氧化鎵[010]晶向襯底外延生長(zhǎng)銠固溶氧化鎵外延層。具體地，銠固溶摩爾比濃度在0-50%范圍內(nèi)，固溶體的半導(dǎo)體帶隙在3.77和4.10電子伏之間，其價(jià)帶頂能級(jí)相較于氧化鎵上升了至少1.35電子伏。銠摩爾比為25%時(shí)，其空穴有效質(zhì)量?jī)H為氧化鎵的52.3%，這有助于實(shí)現(xiàn)p型摻雜，擴(kuò)展材料應(yīng)用范圍和改進(jìn)器件的性能。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室（圖中(a)和(b)分別為銠固溶摩爾比為25%時(shí)的晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖，(c) 銠固溶氧化鎵β-(RhxGa1-x)2O3在不同摩爾濃度x下的能帶對(duì)齊圖）

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

1、聞泰科技：AI賦能，功率半導(dǎo)體迎來新機(jī)遇

聞泰科技是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和通信技術(shù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、光學(xué)、無線和功率器件等領(lǐng)域。2024年，公司繼續(xù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域加大研發(fā)投入，特別是在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料方面取得了顯著進(jìn)展。

4月25日，聞泰科技發(fā)布2024年年報(bào)，顯示公司營(yíng)收達(dá)到735.98億元，同比增長(zhǎng)20.23%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)尤為突出，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收147.15億元，凈利潤(rùn)22.97億元，毛利率達(dá)37.47%。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

值得強(qiáng)調(diào)的是，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)區(qū)市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，收入連續(xù)四個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，中國(guó)區(qū)收入占比穩(wěn)步提升至46.91%，且在2025年第一季度同比增長(zhǎng)約24%。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，聞泰科技在碳化硅和氮化鎵方面均取得了顯著進(jìn)展。

碳化硅方面， 公司成功推出了高性能車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，該產(chǎn)品憑借其卓越的性能，已廣泛應(yīng)用于電池儲(chǔ)能、光伏逆變器等工業(yè)場(chǎng)景，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)潛力。

氮化鎵方面， 聞泰科技作為行業(yè)內(nèi)少數(shù)能夠同時(shí)提供D-mode（耗盡型）和E-mode（增強(qiáng)型）GaN器件的企業(yè)，其產(chǎn)品線覆蓋了40V至700V的電壓規(guī)格，并已在消費(fèi)電子快充以及通信基站等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付，進(jìn)一步鞏固了公司在高效能、低功耗半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

為進(jìn)一步滿足全球客戶對(duì)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，聞泰科技于2024年6月宣布計(jì)劃投資2億美元用于SiC、GaN等產(chǎn)品的研發(fā)，并將在漢堡工廠建設(shè)相應(yīng)的生產(chǎn)設(shè)施，彰顯了公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略決心。

此外，由聞泰科技控股股東代建的臨港12英寸車規(guī)級(jí)晶圓廠已順利完成車規(guī)認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這一里程碑事件標(biāo)志著聞泰科技在車規(guī)級(jí)芯片的自主產(chǎn)能和工藝水平邁上了新的臺(tái)階，為其包括碳化硅在內(nèi)的模擬芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提供了堅(jiān)實(shí)的保障。

在報(bào)告中，聞泰科技指出，AI算力的爆發(fā)為功率半導(dǎo)體開辟了新的增長(zhǎng)點(diǎn)。在AI服務(wù)器和AI終端中，公司GaN器件能夠有效提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗和成本，并實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸，從而提高數(shù)據(jù)中心等運(yùn)算密集型應(yīng)用的效率。同時(shí)，隨著端側(cè)算力的發(fā)展，GaN FET芯片已成功在消費(fèi)電子快充客戶中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2、三安光電：深耕化合物半導(dǎo)體，碳化硅業(yè)務(wù)多點(diǎn)開花

三安光電持續(xù)聚焦化合物半導(dǎo)體核心主業(yè)，穩(wěn)步推進(jìn)LED業(yè)務(wù)，并積極拓展射頻前端、電力電子、光技術(shù)等集成電路業(yè)務(wù)。

source：三安光電

根據(jù)最新報(bào)告，三安光電在2025年第一季度實(shí)現(xiàn)主營(yíng)收入43.12億元，較上年同期增長(zhǎng)21.23%。更為顯著的是，歸屬于母公司的凈利潤(rùn)達(dá)到2.12億元，同比大幅增長(zhǎng)78.46%?？鄢墙?jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為7469萬元，較去年同期激增331.43%，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的盈利能力。

回顧2024年，三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約118.5億元，同比增長(zhǎng)約14.61%。盡管年度凈利潤(rùn)約為2.5億元，同比下降約31.02%，但值得關(guān)注的是，集成電路業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出，實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入同比增長(zhǎng)23.86%，其中碳化硅產(chǎn)品展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭，為公司整體營(yíng)收增長(zhǎng)注入了新的動(dòng)能。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

據(jù)悉，在2024年，三安光電集成電路業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)展，其中碳化硅業(yè)務(wù)是三安光電的重點(diǎn)發(fā)展方向，公司圍繞車規(guī)級(jí)應(yīng)用，加快碳化硅MOSFET技術(shù)迭代，并穩(wěn)步推進(jìn)與意法半導(dǎo)體合資的重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目落地。湖南三安作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺(tái)，已擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8英寸碳化硅襯底、外延產(chǎn)能1,000片/月，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中，擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。具體來看：

產(chǎn)品布局：湖南三安已完成650V到2000V、1A到100A的全電壓電流的碳化硅二極管產(chǎn)品梯度建設(shè)，其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，第六代低正向?qū)妷寒a(chǎn)品主要應(yīng)用于電源領(lǐng)域。

SiC MOSFET產(chǎn)品：公司已完成從650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局，應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源等工業(yè)級(jí)市場(chǎng)，部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并批量供貨。

合資項(xiàng)目進(jìn)展：湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法已于2025年2月實(shí)現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后8英寸外延、芯片產(chǎn)能為48萬片/年。湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線，全橋功率模塊已在2025年一季度實(shí)現(xiàn)批量下線。

而在射頻前端領(lǐng)域，該公司構(gòu)建了專業(yè)的射頻代工平臺(tái)和產(chǎn)品封裝平臺(tái)，提供包括射頻功放/低噪放、濾波器、SIP封裝等差異化解決方案，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、通信基站等市場(chǎng)。受益于終端市場(chǎng)需求的回暖以及客戶供應(yīng)鏈的調(diào)整，公司的砷化鎵射頻代工及濾波器業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入較上年同期實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)，鞏固了其在射頻前端國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈中的重要地位。

在氮化鎵射頻代工領(lǐng)域，公司面向通信基站市場(chǎng)提供高性能氮化鎵射頻功放代工平臺(tái)，并積極投入消費(fèi)級(jí)射頻及6G應(yīng)用工藝的研發(fā)，客戶結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)突破，與國(guó)際客戶的合作產(chǎn)品已通過初步驗(yàn)證。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

近年濟(jì)南市依托政策扶持、技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)鏈整合，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢(shì)。濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園匯聚山東天岳、山東晶鎵、比亞迪半導(dǎo)體等龍頭企業(yè)，涵蓋材料、芯片、器件、封測(cè)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

濟(jì)南碳化硅領(lǐng)域，以天岳先進(jìn)、中晶芯源等公司為代表

山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司成立于2010年，是一家專注于碳化硅襯底材料的高科技領(lǐng)軍企業(yè)，2022年成功登陸A股科創(chuàng)板。目前該公司已掌握世界最大尺寸12英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)技術(shù)。在SEMICON China2025展會(huì)上，天岳先進(jìn)全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電p型及12英寸導(dǎo)電n型碳化硅襯底。

source：天岳先進(jìn)

天岳先進(jìn)在p型重?fù)诫s、大尺寸碳化硅襯底制備等關(guān)鍵技術(shù)上已取得系列突破，并穩(wěn)固掌握晶體生長(zhǎng)、缺陷控制、加工檢測(cè)及部件自制等全技術(shù)鏈條。

山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司成立于2023年05月19日，注冊(cè)地位于山東省濟(jì)南市歷城區(qū)彩石街道虎山路889號(hào)，該公司專注于碳化硅（SiC）單晶襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其技術(shù)來源于山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，擁有20多年的碳化硅單晶襯底開發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

該公司與山東大學(xué)建立了全方位的產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系，設(shè)有山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)業(yè)化基地、山東大學(xué)研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地和山東大學(xué)-中晶芯源碳化硅半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。

氮化鎵領(lǐng)域，以山東晶鎵等公司為代表

山東晶鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2023年8月，主要從事氮化鎵（GaN）自支撐單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

今年4月， 媒體報(bào)道山東大學(xué)與山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司在4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底制備方面取得的重大突破：結(jié)合多孔襯底技術(shù)和應(yīng)力調(diào)控策略成功獲得了低應(yīng)力、高質(zhì)量的4英寸GaN單晶襯底。該4英寸GaN襯底在尺寸、晶體質(zhì)量（FWHM平均值為57.91″，位錯(cuò)密度為~9.6×10⁵cm^-2)、應(yīng)力均一性和表面質(zhì)量方面（無損傷、Ra<0.2 nm）均表現(xiàn)優(yōu)異，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，為高功率、高頻器件的批量制備奠定了基礎(chǔ)。

source：晶鎵半導(dǎo)體（圖為GaN襯底測(cè)試結(jié)果）

展望未來，隨著產(chǎn)業(yè)鏈完善和技術(shù)迭代，濟(jì)南有望成為全國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心增長(zhǎng)極，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控貢獻(xiàn)力量。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

Polar Semiconductor 作為美國(guó)唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導(dǎo)體代工的廠商，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域擁有深厚的技術(shù)積累和豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。瑞薩電子則是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面具備專業(yè)知識(shí)，提供完整的半導(dǎo)體解決方案。

此次雙方達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，Polar Semiconductor 將獲得瑞薩電子的硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)，并在其明尼蘇達(dá)州工廠為瑞薩電子和其他客戶制造高壓650V級(jí)硅基氮化鎵器件。

據(jù)悉，Polar Semiconductor 明尼蘇達(dá)州工廠最近擴(kuò)建了最先進(jìn)的加工和自動(dòng)化設(shè)備，旨在滿足對(duì)下一代半導(dǎo)體解決方案日益增長(zhǎng)的需求。

Polar Semiconductor 總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官 Surya Iyer 表示：“這項(xiàng)許可和商業(yè)生產(chǎn)協(xié)議強(qiáng)調(diào)了我們對(duì)加強(qiáng)美國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的承諾。GaN 是電源和射頻領(lǐng)域改變游戲規(guī)則的技術(shù)，與瑞薩電子合作，我們有能力提高商業(yè)生產(chǎn)，推動(dòng)下一波半導(dǎo)體創(chuàng)新?！?/p>

瑞薩電子電源產(chǎn)品集團(tuán)高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Chris Allexandre說：“我們很高興與Polar合作，將我們經(jīng)過驗(yàn)證的氮化鎵技術(shù)擴(kuò)展到200毫米晶圓，并在廣泛的電源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)中利用我們的專業(yè)知識(shí)，從基礎(chǔ)設(shè)施和人工智能到能源和工業(yè)到電動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車到高價(jià)值物聯(lián)網(wǎng)。”（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

公告介紹，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢(shì)，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺(tái)，可提升車載充電效率并縮小體積，擴(kuò)大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。

此外，英諾賽科表示該產(chǎn)品已經(jīng)過驗(yàn)證，已在中大功率電源方面實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，下一步將被應(yīng)用在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
英諾賽科指出，氮化鎵技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。

在不久前，英諾賽科與全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方將共同推動(dòng)該技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

核心技術(shù)突破：氮化鎵（GaN）功率器件

“黑豹2.0”的革命性突破在于其電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其中核心技術(shù)之一是采用了第三代氮化鎵（GaN）功率器件。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高頻、高效、高功率密度等優(yōu)勢(shì)，相較于傳統(tǒng)硅基器件，能夠顯著提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能。

具體而言，氮化鎵器件的應(yīng)用使得“黑豹2.0”的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了以下突破：功率密度大幅提升：功率密度提升至15kW/kg，達(dá)到行業(yè)新高，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)更加緊湊高效。

能效轉(zhuǎn)換效率高達(dá)95%：氮化鎵器件的高頻開關(guān)特性（可達(dá)3MHz）和零反向恢復(fù)損耗特性，有效降低了開關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)效率。

控制響應(yīng)延遲壓縮至2毫秒以內(nèi)：為機(jī)器人提供了更快的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力，支持其實(shí)現(xiàn)10米/秒的極限奔跑速度。

驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)小型化與輕量化：通過減小器件體積，氮化鎵器件助力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了小型化與輕量化設(shè)計(jì)。

浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心人形機(jī)器人創(chuàng)新研究院院長(zhǎng)王宏濤教授表示：在研發(fā)“黑豹2.0”的過程中，團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了兩大顛覆性突破之一就是設(shè)計(jì)出了國(guó)際領(lǐng)先的具有高功率密度、高載荷能力的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，為下一代工業(yè)四足機(jī)器人的研發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

氮化鎵功率器件的應(yīng)用不僅提升了“黑豹2.0”的運(yùn)動(dòng)性能，還為機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)的輕量化與能效革新提供了標(biāo)桿案例。其高頻開關(guān)特性和高功率密度特性，解決了傳統(tǒng)硅基器件在功率密度、熱損耗與響應(yīng)速度上的瓶頸，助力電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在更高頻率下工作，同時(shí)降低功率損耗。

氮化鎵技術(shù)的引入，為機(jī)器人產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展機(jī)遇。隨著技術(shù)的進(jìn)一步突破和市場(chǎng)需求增加，氮化鎵有望成為推動(dòng)機(jī)器人領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

1、揚(yáng)杰科技

3月31日，揚(yáng)杰科技披露了其2024年度財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示，該公司2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入60.33億元，同比增長(zhǎng)11.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)10.02億元，同比增長(zhǎng)8.50%。其中在第一到第四季度的營(yíng)收逐季增長(zhǎng)，分別為13.28億元、15.37億元、15.58億元和16.10億元?？傮w來看，在2024年度，揚(yáng)杰科技收入、毛利率、凈利潤(rùn)大體呈現(xiàn)逐季改善走高的趨勢(shì)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

財(cái)報(bào)中提到，揚(yáng)杰科技持續(xù)增加對(duì)第三代半導(dǎo)體芯片行業(yè)的投入，加大在以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)力度。其投資的SiC芯片工廠在報(bào)告期內(nèi)完成廠房裝修、設(shè)備搬入和產(chǎn)品通線，采用IDM技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多款SiC產(chǎn)品升級(jí)。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市場(chǎng)份額持續(xù)增加，當(dāng)前各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

公開資料顯示，揚(yáng)杰科技集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。報(bào)告期內(nèi)，其不斷加大Mosfet、IGBT、SiC等產(chǎn)品在新能源汽車、人工智能、工業(yè)、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期提升。

2、長(zhǎng)電科技

4月9日，長(zhǎng)電科技發(fā)布2024年度業(yè)績(jī)快報(bào)及2025年第一季度主要經(jīng)營(yíng)情況。財(cái)報(bào)顯示，2024年，該公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入359.6億元，同比增長(zhǎng)21.2%；歸屬于母公司的凈利潤(rùn)為16.1億元，同比增長(zhǎng)9.52％。公司的毛利率為12.07%，同比增長(zhǎng)3.16個(gè)百分點(diǎn)；凈利率為4.56%，同比增長(zhǎng)2.10個(gè)百分點(diǎn)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

此外在2025 年第一季度經(jīng)營(yíng)報(bào)告中，長(zhǎng)電科技預(yù)計(jì)2025年第一季度實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)人民幣2.00 億元左右（未經(jīng)審計(jì)），與上年同期人民幣1.35億元相比，同比增長(zhǎng)50.00%左右。

長(zhǎng)電科技此前表示，公司正在加速擴(kuò)充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，特別是在第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件。在2024年，長(zhǎng)電科技不僅推出兩款碳化硅塑封模塊樣品，還在8月與氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器頭部廠商Allegro MicroSystems達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方合作重點(diǎn)建立高精度磁傳感器和電源管理解決方案的本地化封裝和測(cè)試能力。

3、英諾賽科

英諾賽科也于近日發(fā)布了2024年年報(bào)。年報(bào)顯示，英諾賽科2024年完成營(yíng)業(yè)收入8.29億元，同比增長(zhǎng)39.8%。利率持續(xù)大幅改善，毛損率由2023年的-61.6%縮減至2024年的-19.5%，提升42.1個(gè)百分點(diǎn)。海外銷售收入達(dá)人民幣126.4百萬元，同比增長(zhǎng)118.1%。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

英諾賽科產(chǎn)品在消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域占比持續(xù)增長(zhǎng)，收入同比增長(zhǎng)48%。在新能源汽車、AI以及人形機(jī)器人領(lǐng)域取得重大突破：車規(guī)級(jí)氮化鎵交付數(shù)量同比增長(zhǎng)986.7%，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付數(shù)量同比增長(zhǎng)669.8%，100萬關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

在生產(chǎn)制造方面，2024年其整體良率達(dá)95%，單位制造成本下降近40%；全年交付芯片6.6億顆，出貨量呈幾何級(jí)數(shù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

綜合來看，以上三家公司都呈現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿?，未來隨著新能源汽車、AI算力、光伏儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的增長(zhǎng)，相關(guān)企業(yè)有望推動(dòng)中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端化邁進(jìn)。（集邦化合物半導(dǎo)體niko整理）

該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TOLL（晶體管外形無引線）封裝，結(jié)合高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與650V GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），可顯著提升電源設(shè)計(jì)的功率密度和效率，適用于數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源及可再生能源等高需求應(yīng)用場(chǎng)景。

source：德州儀器

德州儀器工業(yè)電源設(shè)計(jì)服務(wù)總經(jīng)理Robert Taylor表示：隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)能源的需求日益增加，全球數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施供電領(lǐng)域開始使用更智能、更高效的半導(dǎo)體，先進(jìn)的芯片驅(qū)動(dòng)著人工智能的計(jì)算能力，而模擬半導(dǎo)體則是提高能源效率的關(guān)鍵。我們創(chuàng)新的電源管理技術(shù)使數(shù)據(jù)中心能夠減少其對(duì)環(huán)境的影響，同時(shí)幫助我們滿足數(shù)字世界日益增長(zhǎng)的需求。

新的功率級(jí)集成了高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與 650V GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高效率 (>98%) 和高功率密度 (>100W/in3)。這些器件還集成了先進(jìn)的保護(hù)功能，包括過電流保護(hù)、短路保護(hù)和過溫保護(hù)。這對(duì)于服務(wù)器電源等交流/直流應(yīng)用尤為重要，因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員面臨著在更小空間內(nèi)提供更大功率的挑戰(zhàn)。

此前， 德州儀器基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)，加上已有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍，大幅增強(qiáng)了其供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。

隨著AI、云計(jì)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對(duì)高能效電源的需求激增。德州儀器的GaN功率級(jí)系列可助力服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)及電動(dòng)汽車充電設(shè)備實(shí)現(xiàn)更高功率密度和更低能耗，從而降低運(yùn)營(yíng)成本并減少碳足跡。（集邦化合物半導(dǎo)體妮蔻整理）