據(jù)悉，本屆IEDM上，小米集團(tuán)手機(jī)部與蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、香港科技大學(xué)合作的論文成功入選，率先報(bào)道了應(yīng)用于移動(dòng)終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器，并在GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices分會(huì)場首個(gè)亮相。

小米技術(shù)官方微信表示，此次入選標(biāo)志著氮化鎵高電子遷移率晶體管技術(shù)在移動(dòng)終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破，并獲得國際頂尖學(xué)術(shù)平臺(tái)的高度認(rèn)可。

1、研究背景

小米指出，在當(dāng)前移動(dòng)通信技術(shù)從5G/5G-Advanced向6G演進(jìn)的關(guān)鍵階段，手機(jī)射頻前端器件正持續(xù)面臨超高效率、超寬帶、超薄化與小型化的多重技術(shù)挑戰(zhàn)。以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高臨界擊穿電場與優(yōu)異的熱導(dǎo)性能，被視為突破當(dāng)前射頻功放性能瓶頸的重要技術(shù)方向之一。

傳統(tǒng)GaN器件主要面向通信基站設(shè)計(jì)，通常需在28V/48V的高壓下工作，無法與手機(jī)終端現(xiàn)有的低壓供電系統(tǒng)相兼容，這成為其在移動(dòng)設(shè)備中規(guī)?；瘧?yīng)用的關(guān)鍵障礙。

為攻克這一難題，研究團(tuán)隊(duì)聚焦于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)路線，通過電路設(shè)計(jì)與半導(dǎo)體工藝的協(xié)同創(chuàng)新，成功開發(fā)出面向手機(jī)低壓應(yīng)用場景的射頻氮化鎵高遷移率電子晶體管（GaN HEMT）技術(shù)，并率先在手機(jī)平臺(tái)上完成了系統(tǒng)級(jí)性能驗(yàn)證，為6G時(shí)代終端射頻架構(gòu)的演進(jìn)奠定了關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。

2、研究方法和實(shí)驗(yàn)

在外延結(jié)構(gòu)方面，本研究重點(diǎn)圍繞降低射頻損耗與優(yōu)化歐姆接觸兩大關(guān)鍵問題展開技術(shù)攻關(guān)。

一方面，通過實(shí)施原位襯底表面預(yù)處理，并結(jié)合熱預(yù)算精確調(diào)控的 AlN成核層工藝，顯著抑制了Si基GaN外延中的界面反應(yīng)與晶體缺陷，有效降低了射頻信號(hào)傳輸過程中的襯底耦合損耗與緩沖層泄漏，使其射頻性能逼近當(dāng)前先進(jìn)的SiC基GaN器件水平。

另一方面，通過開發(fā)高質(zhì)量再生長歐姆接觸新工藝，在降低界面勢壘與提升載流子注入效率方面取得突破，實(shí)現(xiàn)了極低的接觸電阻與均勻一致的方塊電阻，為提升器件跨導(dǎo)、輸出功率及高溫穩(wěn)定性奠定了工藝基礎(chǔ)。

圖片來源：小米技術(shù)

得益于外延設(shè)計(jì)優(yōu)化與工藝創(chuàng)新，該#晶體管 能夠在10V工作電壓下，實(shí)現(xiàn)了功率附加效率突破80%、輸出功率密度達(dá)2.84W/mm的卓越性能。

圖片來源：小米技術(shù)

結(jié)合手機(jī)終端產(chǎn)品的器件需求定義，我們進(jìn)一步制定了器件的具體實(shí)現(xiàn)方案。該方案針對(duì)耗盡型高電子遷移率晶體管（D-Mode HEMT）的常開特性，設(shè)計(jì)了專用的柵極負(fù)壓供電架構(gòu)，通過精確的負(fù)壓偏置與緩啟動(dòng)電路，確保器件在開關(guān)過程中保持穩(wěn)定可靠，有效規(guī)避誤開啟與擊穿風(fēng)險(xiǎn)。

在模組集成層面，通過多芯片協(xié)同設(shè)計(jì)與封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了GaN HEMT工藝的功放芯片與Si CMOS工藝的電源管理芯片在模組內(nèi)進(jìn)行高密度封裝集成。最終，該器件在手機(jī)射頻前端系統(tǒng)中完成了關(guān)鍵性能指標(biāo)的全面驗(yàn)證，為低壓氮化鎵技術(shù)在下一代移動(dòng)通信終端中的應(yīng)用提供重要參考。

3、結(jié)語
小米認(rèn)為，相較于傳統(tǒng)的GaAs基功率放大器，在保持相當(dāng)線度性的同時(shí)，研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)的低壓氮化鎵功放展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。最終，該器件實(shí)現(xiàn)了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同時(shí)兼顧通信系統(tǒng)的線性度和功率等級(jí)要求，在系統(tǒng)級(jí)指標(biāo)上達(dá)成重要突破。

這一成果的實(shí)現(xiàn)，標(biāo)志著低壓硅基氮化鎵射頻技術(shù)從器件研發(fā)成功跨越至系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用。這不僅從學(xué)術(shù)層面驗(yàn)證了該技術(shù)的可行性，更在產(chǎn)業(yè)層面彰顯了其在新一代高效移動(dòng)通信終端中的巨大潛力。小米將持續(xù)深化與產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新，推動(dòng)該技術(shù)向更復(fù)雜的通信場景拓展，加速其在移動(dòng)終端領(lǐng)域的規(guī)模化商用進(jìn)程。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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一、戰(zhàn)略收縮：巨頭的理性“止損”與資產(chǎn)優(yōu)化

2025年下半年，兩大行業(yè)巨頭的動(dòng)作揭示了資本對(duì)射頻氮化鎵市場的重新定價(jià)。

1、恩智浦：5G夢醒后的決斷

近期，隨著分析機(jī)構(gòu)EJL Wireless Research在Linkedin上的一則爆料，#恩智浦 正式確認(rèn)將關(guān)閉其位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的“Echo”晶圓廠，該廠定于2027年第一季度生產(chǎn)最后一批晶圓后謝幕。

“Echo”晶圓廠并非泛泛之輩，它是恩智浦于2020年9月高調(diào)投產(chǎn)的旗艦項(xiàng)目。彼時(shí)，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理保羅·哈特（Paul Hart）曾對(duì)其寄予厚望，豪言該廠將于當(dāng)年底達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。為此，恩智浦在2018至2020年間投入約1億美元（超7億人民幣），專門打造6英寸GaN-on-SiC產(chǎn)線，意圖主宰5G基站射頻功率放大器（PA）市場。

然而，僅僅運(yùn)行不到五年，該工廠便黯然落幕。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)揭示了背后的無奈：2024年，恩智浦“通信基礎(chǔ)設(shè)施及其他”業(yè)務(wù)收入下滑近20%，不足17億美元；進(jìn)入2025年，前九個(gè)月收入同比進(jìn)一步暴跌25%，僅余9.62億美元。

嚴(yán)酷的現(xiàn)實(shí)表明，在復(fù)蘇前景黯淡的射頻市場空耗現(xiàn)金流已不合時(shí)宜。恩智浦選擇向“Fab-Lite”（輕晶圓廠）模式轉(zhuǎn)型，關(guān)閉老舊產(chǎn)線，將資源聚焦于核心的汽車電子與工業(yè)控制，或通過參與德國ESMC等合資項(xiàng)目獲取更具成本優(yōu)勢的300mm產(chǎn)能。

2、臺(tái)積電：AI浪潮下的“戰(zhàn)略性斷舍離”

作為晶圓代工霸主，#臺(tái)積電 在2025年7月做出逐步退出GaN代工業(yè)務(wù)的決定，同樣震動(dòng)了業(yè)界。臺(tái)積電明確表示，將在2027年中前完全停止GaN代工服務(wù)，并將原本負(fù)責(zé)該業(yè)務(wù)的新竹Fab 5廠逐步轉(zhuǎn)型為先進(jìn)封裝（CoWoS）產(chǎn)能。

這一決策背后是極致的資源博弈。在AI芯片需求井噴的當(dāng)下，先進(jìn)制程與封裝產(chǎn)能“寸土寸金”。雖然GaN業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長，但其基于6英寸晶圓的營收貢獻(xiàn)與利潤率，遠(yuǎn)無法與服務(wù)于英偉達(dá)（NVIDIA）等客戶的12英寸AI產(chǎn)線相提并論。臺(tái)積電的退出，實(shí)質(zhì)上是先進(jìn)邏輯制程對(duì)特色功率工藝的一次資源擠出。

此舉迫使供應(yīng)鏈迅速重構(gòu)：格芯（GlobalFoundries）借機(jī)承接了溢出的商業(yè)與國防訂單，利用美國《芯片與科學(xué)法案》資金強(qiáng)化本土制造；而力積電則利用其在存儲(chǔ)制造中的成本控制經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)基于180nm節(jié)點(diǎn)的200mm GaN-on-Si工藝，成為了Fabless（無晶圓設(shè)計(jì)）廠商新的避風(fēng)港。

二、陣痛與洗牌：Fabless模式邁入調(diào)整期

臺(tái)積電的離場，將高度依賴代工服務(wù)的Fabless廠商推向了風(fēng)口浪尖，其中納微半導(dǎo)體（Navitas）的遭遇尤為典型。

受臺(tái)積電業(yè)務(wù)調(diào)整影響，納微被迫在2025年宣布將其主要晶圓代工方轉(zhuǎn)移至力積電。在半導(dǎo)體行業(yè)，更換晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)大、耗時(shí)長，涉及長達(dá)12-24個(gè)月的重新認(rèn)證周期與良率爬坡風(fēng)險(xiǎn)，期間極易被競爭對(duì)手搶占市場份額。

供應(yīng)鏈危機(jī)疊加業(yè)績壓力，引發(fā)了納微管理層的劇烈動(dòng)蕩。聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Gene Sheridan于2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辭去高管職務(wù)。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)的集體淡出，標(biāo)志著納微“創(chuàng)業(yè)講故事”時(shí)代的終結(jié)，公司被迫進(jìn)入由職業(yè)經(jīng)理人主導(dǎo)的“止血求生”階段。

與此同時(shí)，美國獨(dú)立IDM陣營在2024-2025年間也經(jīng)歷了劇烈整合。Wolfspeed為了全力押注碳化硅（SiC），以1.25億美元的“白菜價(jià)”將射頻GaN業(yè)務(wù)剝離給MACOM，以支撐其莫霍克谷工廠的巨額開支；曾被視為技術(shù)標(biāo)桿的Transphorm則被日本瑞薩電子收購，標(biāo)志著美國本土又失去了一家獨(dú)立的GaN技術(shù)持有者。

三、西線反擊：歐美IDM巨頭的差異化進(jìn)擊

與代工業(yè)務(wù)的收縮相反，擁有垂直整合能力（IDM）的歐美巨頭正在通過差異化路線瘋狂擴(kuò)張。

1、MACOM：吃下CHIPS法案紅利的軍工巨鱷

MACOM走了一條“去商業(yè)化”的軍工高端路線。在收購Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)后，MACOM于今年1月宣布了高達(dá)3.45億美元的五年投資計(jì)劃，借助CHIPS法案資金，對(duì)其馬薩諸塞州和北卡羅來納州的工廠進(jìn)行現(xiàn)代化改造，核心是將產(chǎn)線升級(jí)為6英寸GaN-on-SiC。

2、德州儀器（TI）：95%自造率的成本碾壓

模擬芯片之王TI則試圖用“硅的邏輯”重塑GaN市場。2024年底，TI在日本會(huì)津工廠量產(chǎn)GaN器件，產(chǎn)能瞬間翻了兩番。更具威懾力的是，TI正在達(dá)拉斯總部利用12英寸產(chǎn)線進(jìn)行GaN試點(diǎn)。一旦導(dǎo)入成功，其成本將呈指數(shù)級(jí)下降。TI明確提出2030年實(shí)現(xiàn)95%芯片內(nèi)部制造的目標(biāo)，意圖通過超大規(guī)模制造壓低邊際成本，從而占領(lǐng)更大份額市場。

3、英飛凌（Infineon）：打造虛擬超級(jí)工廠

德國巨頭#英飛凌 正在執(zhí)行“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產(chǎn)能。One Virtual Fab是一種先進(jìn)的制造模式，旨在通過數(shù)字技術(shù)將不同地理位置的生產(chǎn)基地緊密連接，實(shí)現(xiàn)技術(shù)、流程和產(chǎn)能的協(xié)同優(yōu)化，以提升效率和快速響應(yīng)市場需求。

2025年，投資高達(dá)50億歐元的居林第三工廠啟動(dòng)擴(kuò)建，重點(diǎn)生產(chǎn)8英寸GaN和SiC晶圓。英飛凌正試圖確立“硅+碳化硅+氮化鎵”的全能霸權(quán)，在AI數(shù)據(jù)中心急需的鈦金級(jí)電源市場構(gòu)筑防線。

四、東線崛起：中國力量的全產(chǎn)業(yè)鏈突圍

在中國市場，一條從設(shè)計(jì)到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈正在快速發(fā)展，并展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場穿透力。

1、英諾賽科：產(chǎn)能怪獸的資本首秀

作為全球最大的8英寸硅基氮化鎵IDM廠商，#英諾賽科 被視為逼退臺(tái)積電消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)的重要推手。2024年底至2025年初，英諾賽科成功登陸港股，募資約14億港元。其招股書披露的計(jì)劃顯示，產(chǎn)能將從2024年的1.25萬片/月狂飆至2029年的7萬片/月。

基石投資者意法半導(dǎo)體（ST）的出現(xiàn)，更暗示了“歐洲設(shè)計(jì)+中國制造”的新聯(lián)盟可能。2025年上半年，英諾賽科營收大漲43%并首次實(shí)現(xiàn)毛利轉(zhuǎn)正，證明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由于持續(xù)的高額研發(fā)投入和產(chǎn)線折舊，公司在凈利潤層面仍處于虧損狀態(tài)，這在IDM企業(yè)的擴(kuò)張初期屬于典型特征。

2、三安集成與芯聯(lián)集成：車規(guī)與射頻的雙輪驅(qū)動(dòng)

三安集成在射頻與功率領(lǐng)域雙線并進(jìn)。其與意法半導(dǎo)體在重慶的合資工廠預(yù)計(jì)于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準(zhǔn)卡位中國電動(dòng)汽車市場。同時(shí)，其射頻GaN業(yè)務(wù)在5G-A基站和低軌衛(wèi)星領(lǐng)域保持了穩(wěn)定的現(xiàn)金流。

前身為中芯集成的#芯聯(lián)集成，則利用IGBT和SiC的車規(guī)經(jīng)驗(yàn)，將“零缺陷”管理引入GaN制造，并提供“系統(tǒng)代工”服務(wù)。其車規(guī)功率模塊收入在2024年實(shí)現(xiàn)翻倍增長，成功實(shí)現(xiàn)EBITDA轉(zhuǎn)正，成為汽車Tier 1廠商的重要合作伙伴。

此外，潤新微憑借D-Mode技術(shù)實(shí)現(xiàn)差異化發(fā)展，新微半導(dǎo)體在硅光與射頻SOI領(lǐng)域進(jìn)行工藝孵化，氮矽科技在驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)上取得突破，他們共同構(gòu)成了中國GaN產(chǎn)業(yè)豐富而堅(jiān)韌的生態(tài)底色。

五、結(jié)語：產(chǎn)業(yè)邏輯的深刻嬗變

縱觀2025年的產(chǎn)業(yè)全景，我們可以提煉出驅(qū)動(dòng)市場變革的三大底層邏輯。

首先，射頻與功率徹底分道揚(yáng)鑣。NXP和Wolfspeed退出的皆是射頻GaN，而英飛凌、TI與英諾賽科爭奪的則是功率GaN。前者回歸軍工與特種應(yīng)用，后者則在AI與汽車?yán)顺敝杏瓉肀l(fā)。

其次，IDM模式加冕，F(xiàn)abless日漸式微。臺(tái)積電的退出與納微的危機(jī)證明，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，器件性能高度依賴材料與工藝的耦合。無法掌控生產(chǎn)流程的Fabless模式，在成本與良率上難以與IDM抗衡。

最后，供應(yīng)鏈邏輯正在深刻重構(gòu)。在追求自主可控與供應(yīng)穩(wěn)定的趨勢下，氮化鎵產(chǎn)業(yè)正從單一的市場競爭，轉(zhuǎn)向以區(qū)域化布局為特征的深度深耕。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來源：VisIC Technologies官網(wǎng)新聞稿截圖

聲明表示，資金將專項(xiàng)用于氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體技術(shù)的迭代升級(jí)及車載應(yīng)用場景的規(guī)?；茝V。如第三代750V GaN芯片和功率模塊的優(yōu)化、認(rèn)證和發(fā)布；研發(fā)適用于全系列電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)的第四代1350V GaN技術(shù)；穩(wěn)定供應(yīng)鏈并提高用于牽引逆變器的氮化鎵產(chǎn)品交付能力；擴(kuò)展氮化鎵解決方案，以應(yīng)用于新興的800V數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用等。

作為專注于電動(dòng)汽車牽引逆變器核心器件研發(fā)的創(chuàng)新企業(yè)，VisIC憑借其獨(dú)特的氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)方案，在高耐壓、高功率密度、低損耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)突出，其產(chǎn)品可有效提升電動(dòng)汽車的能源轉(zhuǎn)換效率、縮短充電時(shí)間，并助力整車實(shí)現(xiàn)輕量化設(shè)計(jì)。VisIC的D3GaN?平臺(tái)為400V和800V電動(dòng)汽車架構(gòu)帶來了全新的效率、可擴(kuò)展性和可靠性，從而實(shí)現(xiàn)了更輕、更小、更節(jié)能的牽引逆變器。

值得關(guān)注的是，現(xiàn)代汽車與起亞的戰(zhàn)略入局成為本輪融資的一大亮點(diǎn)。當(dāng)前，全球新能源汽車行業(yè)正加速向“800V高壓平臺(tái)”轉(zhuǎn)型，氮化鎵作為適配高壓場景的核心功率器件，已成為車企提升產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵布局方向。通過投資VisIC，現(xiàn)代起亞將進(jìn)一步強(qiáng)化在車載氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈話語權(quán)，為其未來新能源車型的性能升級(jí)儲(chǔ)備核心技術(shù)資源，雙方有望在牽引逆變器等關(guān)鍵部件上展開深度合作，推動(dòng)氮化鎵器件在量產(chǎn)車型中的規(guī)模化應(yīng)用。

VisIC首席執(zhí)行官Tamara Baksht表示：“這項(xiàng)投資對(duì)VisIC和全球電動(dòng)汽車行業(yè)而言都是一個(gè)重要的里程碑。我們的D3GaN技術(shù)正在重新定義電動(dòng)汽車的電力電子技術(shù)，而戰(zhàn)略合作伙伴的支持將加速我們?yōu)橄乱淮鲂刑峁└咝?、可擴(kuò)展解決方案的使命。”

現(xiàn)代汽車公司和起亞汽車表示：“現(xiàn)代汽車公司和起亞汽車致力于推進(jìn)可持續(xù)出行。與VisIC的合作使我們能夠?qū)⒓舛说腉aN技術(shù)集成到我們的電動(dòng)汽車平臺(tái)中，從而提高效率、可靠性和性能，共同塑造電動(dòng)交通的未來?！?/p>

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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圖片來源：英諾賽科

該系統(tǒng)采用#英諾賽科 650V高壓氮化鎵功率器件，創(chuàng)新整合車載充電器（OBC）與車載直流變換器（DC-DC）功能，形成二合一電源產(chǎn)品，核心性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平：整機(jī)功率密度提升30%至4.8kW/L，綜合效率較傳統(tǒng)硅基方案高出2%，整機(jī)重量降低20%，不僅解決了新能源汽車“輕量化、高效率”的核心訴求，還通過優(yōu)化設(shè)計(jì)為整車節(jié)省了車內(nèi)空間，提升了集成設(shè)計(jì)靈活性。

作為國內(nèi)新能源汽車動(dòng)力系統(tǒng)獨(dú)立供應(yīng)商領(lǐng)軍企業(yè)，聯(lián)合動(dòng)力聚焦電驅(qū)與電源系統(tǒng)研發(fā)，擁有豐富的車載部件集成經(jīng)驗(yàn)和整車適配能力；英諾賽科則是全球氮化鎵工藝創(chuàng)新和功率器件制造的領(lǐng)導(dǎo)者，GaN工藝節(jié)點(diǎn)電壓范圍覆蓋15V至1200V。

聯(lián)合動(dòng)力作為長安汽車的核心零部件供應(yīng)商，此前已在電驅(qū)系統(tǒng)、傳統(tǒng)硅基電源產(chǎn)品等領(lǐng)域建立長期合作關(guān)系。此次氮化鎵OBC裝車，是在原有合作基礎(chǔ)上的技術(shù)升級(jí)延伸——長安汽車提供量產(chǎn)車型的應(yīng)用場景、整車參數(shù)及驗(yàn)證資源，聯(lián)合動(dòng)力則結(jié)合英諾賽科的器件優(yōu)勢，定制化開發(fā)適配長安車型的電源系統(tǒng)。

01、氮化鎵OBC為何成為車企下一代核心選擇

車載充電機(jī)（On-Board Charger，簡稱OBC）是新能源汽車（純電、插混）三電系統(tǒng)的核心組成部分，屬于車輛的 “內(nèi)置大功率智能充電核心”，是連接電網(wǎng)與車載動(dòng)力電池的關(guān)鍵樞紐。

OBC的功率決定了車輛通過交流充電樁（如家用或公共慢充樁）充電的效率。例如，6.6kW OBC在220V電壓下可實(shí)現(xiàn)約30A的電流輸入，而11kW OBC則能提供更高的充電速度（需配套更高電壓或電流的充電樁）。注：國內(nèi)車企幾乎清一色地把OBC限制在6.6kW（因此沒有必要購買11kW交流充電樁）了。

OBC的核心功能圍繞 “安全、高效充電” 展開，主要包括將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為電池可用的直流電；與BMS（電池管理系統(tǒng)）協(xié)同工作，確保充電安全；支持多種充電協(xié)議（如GB/T、IEC 62196等）。

OBC在電動(dòng)汽車（EV）的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，其性能將影響充電時(shí)間和電池壽命。車載充電機(jī)（OBC）需要在效率、可靠性、緊湊性和成本效益之間取得平衡。將氮化鎵（GaN）技術(shù)集成到車載充電機(jī)設(shè)計(jì)中，將能實(shí)現(xiàn)更小的體積、更高的效率和更大的功率密度。

效率更高：氮化鎵開關(guān)速度極快，幾乎無反向恢復(fù)損耗，適合高頻工作場景，使得車載充電系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率大幅提升，不僅能縮短充電時(shí)間，還能減少行駛中的能源消耗，間接提升整車?yán)m(xù)航里程。

體積更?。旱壍母哳l特性可大幅縮小相關(guān)元件體積，結(jié)合集成化設(shè)計(jì)能進(jìn)一步精簡系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，讓電源產(chǎn)品更小巧輕便，既節(jié)省車內(nèi)空間，又契合新能源汽車“輕量化”的發(fā)展趨勢。

可靠性更強(qiáng)：經(jīng)車規(guī)級(jí)認(rèn)證的氮化鎵器件，可適應(yīng)寬溫度范圍工作，抗震動(dòng)、抗電磁干擾能力滿足汽車行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過長期可靠性測試，在各類嚴(yán)苛條件下仍能保持穩(wěn)定性能，解決了早期半導(dǎo)體材料“實(shí)驗(yàn)室性能優(yōu)異、裝車可靠性不足”的痛點(diǎn)。

成本更具潛力：隨著相關(guān)企業(yè)規(guī)?；慨a(chǎn)推進(jìn)，器件良率持續(xù)提升，單位成本正快速下降，未來有望與中高端硅基方案持平，成為車企兼顧性能與成本的最優(yōu)解。

02、行業(yè)密集跟進(jìn)，氮化鎵OBC量產(chǎn)加速落地

除上述事件外，隨著氮化鎵技術(shù)在效率、體積、可靠性等方面的優(yōu)勢持續(xù)凸顯，越來越多車企與Tier1廠商加速布局，推動(dòng)氮化鎵OBC從技術(shù)驗(yàn)證走向規(guī)?；慨a(chǎn)。

2024年10月，長安汽車正式發(fā)布了全球首個(gè)基于氮化鎵（GaN）的商用車載充電器技術(shù)平臺(tái)，并將該平臺(tái)應(yīng)用于當(dāng)時(shí)即將量產(chǎn)的長安啟源?E07車型。平臺(tái)采用納微半導(dǎo)體（Navitas）提供的GaN功率IC（GaNSafe系列），實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的96%以上充電效率和約6?kW/L的體積功率密度，標(biāo)志著長安汽車在新能源汽車電源系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)了氮化鎵技術(shù)的首次量產(chǎn)裝車。

2025年初，陽光電動(dòng)力推出6.6kW氮化鎵二合一OBC方案，其采用氮化鎵器件與創(chuàng)新單級(jí)拓?fù)浼軜?gòu)，取代傳統(tǒng)兩級(jí)式拓?fù)?，僅需一次隔離變換即可實(shí)現(xiàn)交直流雙向功率控制。該方案額定輸出功率6.6kW，全電壓充電效率達(dá)96.2%，峰值效率超98%，功率密度更是達(dá)到6.1kW/L，較傳統(tǒng)方案重量減輕25%以上，同時(shí)通過去除母線電解電容提升了使用壽命，可直接適配新能源車型的車載電源需求，屬于成熟的可落地裝車類氮化鎵OBC產(chǎn)品。

2025年8月，欣銳科技發(fā)布車載電源9代平臺(tái)“銳虎”，該平臺(tái)實(shí)現(xiàn)全行業(yè)首次基于雙向氮化鎵器件的單級(jí)矩陣變換器拓?fù)淞慨a(chǎn)技術(shù)。此平臺(tái)方案是與某頭部主機(jī)廠聯(lián)合攻關(guān)研發(fā)且經(jīng)多次測試驗(yàn)證，具備多重安全架構(gòu)與超緊湊設(shè)計(jì)，適配全行業(yè)車型，兼容獨(dú)立與大集成產(chǎn)品形態(tài)。欣銳科技此前已為比亞迪、小鵬、理想等100多家主機(jī)廠供應(yīng)車載電源產(chǎn)品。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：中國光谷

團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人李思超博士說，該成果目前已完成概念驗(yàn)證，即將開始中試驗(yàn)證，預(yù)計(jì)3-5年內(nèi)量產(chǎn)，屆時(shí)可滿足千億級(jí)市場需求。

1、吉瓦級(jí)算力爆發(fā)式增長，AI數(shù)據(jù)中心能耗缺口凸顯

當(dāng)下AI算力中心是典型的“以電換算”模式，1座1吉瓦AI算力中心一年用電量達(dá)87.6億度，相當(dāng)于一座大型核電站的滿負(fù)荷發(fā)電量。其中負(fù)責(zé)將高壓電轉(zhuǎn)換為XPU（專用處理器）所需低壓電的電源模塊，年耗電量就有10億度，占中心總用電量的11%，是能耗占比極高的核心部件。

未來算力中心的能耗壓力正以“吉瓦級(jí)”為單位持續(xù)攀升，全球科技巨頭與國家層面的算力基建布局，更直觀印證了能耗問題的緊迫性，節(jié)能已成為算力產(chǎn)業(yè)不可回避的核心訴求。

谷歌與AI獨(dú)角獸Anthropic在2025年10月達(dá)成數(shù)百億美元算力合作，明確配套1吉瓦電力容量，為百萬個(gè)TPU芯片提供算力支撐，僅這一單一合作項(xiàng)目的能耗就相當(dāng)于一座大型核電站的供電規(guī)模。

OpenAI更是密集布局超大型算力集群，與博通、AMD分別推進(jìn)兩項(xiàng)10吉瓦級(jí)定制算力項(xiàng)目，疊加與甲骨文、軟銀聯(lián)合打造的8吉瓦“星際之門”算力園區(qū)，僅其公開披露的項(xiàng)目總能耗就已突破28吉瓦，相當(dāng)于紐約市峰值用電規(guī)模的兩倍以上。

但此前算力中心電源模塊多采用硅基芯片，這種傳統(tǒng)方案存在明顯短板。一方面電能轉(zhuǎn)換過程中損耗高，造成大量電力浪費(fèi)；另一方面硅基模塊體積較大，不利于算力機(jī)柜的高密度部署，且長期使用下來綜合成本也居高不下。

02、氮化鎵技術(shù)“降電革命”，破解吉瓦級(jí)算力能耗困局

氮化鎵作為新一代半導(dǎo)體材料，具有更高的電子遷移率和耐壓特性。將其制成硅基氮化鎵芯片裝入電源模塊后，電能轉(zhuǎn)換損耗能降低30%，這正是該模塊實(shí)現(xiàn)大幅節(jié)能的核心原因。同時(shí)，氮化鎵材料的特性還能讓模塊體積縮小30%，既節(jié)省機(jī)柜空間，又能適配算力中心高密度部署需求。

為了搶占未來的產(chǎn)業(yè)技術(shù)制高點(diǎn)，九峰山實(shí)驗(yàn)室在今年初組建了一支由李思超博士領(lǐng)導(dǎo)的跨部門攻關(guān)團(tuán)隊(duì)，專注于氮化鎵電源模塊的研發(fā)。盡管氮化鎵半導(dǎo)體工藝復(fù)雜，涉及上千道工序，且加工精度要求達(dá)到納米級(jí)別，但實(shí)驗(yàn)室的7名博士經(jīng)過數(shù)百輪測試與優(yōu)化，成功實(shí)現(xiàn)了氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)的閉環(huán)。

圖片來源：中國光谷

目前，九峰山實(shí)驗(yàn)室已與多家國內(nèi)數(shù)據(jù)中心電源廠商達(dá)成合作，承接商業(yè)訂單規(guī)模超過千萬元。此外，實(shí)驗(yàn)室還與光谷國資平臺(tái)合作，成功孵化了8家化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)，推動(dòng)前沿技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化與應(yīng)用。該氮化鎵電源模塊預(yù)計(jì)將滿足千億級(jí)市場需求，隨著全球AI算力中心的擴(kuò)張，電源模塊市場潛力巨大。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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會(huì)上，新微半導(dǎo)體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺(tái)發(fā)布，同時(shí)該公司氮化鎵功率全工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。

圖片來源：新微半導(dǎo)體

新微半導(dǎo)體指出，這一平臺(tái)的建成，為國內(nèi)氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)提供了強(qiáng)大而可靠的制造基石，將有力推動(dòng)高效率、高密度電源解決方案在AI計(jì)算、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新與應(yīng)用。

新微集團(tuán)總裁秦曦表示，新微將氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的縱深布局提升至核心戰(zhàn)略高度，規(guī)劃不僅涵蓋芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，更系統(tǒng)性延伸至上游材料與裝備、中游制造與封測以及下游系統(tǒng)應(yīng)用，致力于構(gòu)建一個(gè)開放協(xié)同、富有韌性的氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。

資料顯示，新微半導(dǎo)體專注化合物半導(dǎo)體晶圓代工，已在功率半導(dǎo)體方向構(gòu)建起全面的硅基氮化鎵功率工藝平臺(tái)，覆蓋從低壓（30V-100V）、中壓（100V-200V）到高壓（650V-700V）的全電壓范圍，廣泛適用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人及新能源汽車等終端場景，助力能效提升。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：英諾賽科新聞稿截圖

此次合作將結(jié)合Onsemi的系統(tǒng)集成、驅(qū)動(dòng)和封裝專業(yè)知識(shí)，配合Innoscience的氮化鎵晶圓及大規(guī)模制造領(lǐng)導(dǎo)力，力求更快地將成本效益高、節(jié)能的解決方案推向市場，加速氮化鎵的普及。

雙方合作將擴(kuò)大Onsemi的低壓和中壓氮化鎵功率組合，并將氮化鎵制造規(guī)模擴(kuò)大到全球，從而加快市場供應(yīng)和更廣泛的采用。

雙方將依托#安森美 的GaN功率解決方案與英諾賽科的領(lǐng)先晶圓制造技術(shù)，共同瞄準(zhǔn)GaN功率器件市場——該市場預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到29億美元總體市場規(guī)模，為雙方帶來數(shù)億美元的潛在價(jià)值。

圖片來源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖

兩家公司的技術(shù)預(yù)計(jì)將為工業(yè)、汽車、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)及人工智能數(shù)據(jù)中心市場提供更小、更高效的氮化鎵解決方案。

多領(lǐng)域深度綁定：英諾賽科的氮化鎵生態(tài)版圖

英諾賽科是全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片企業(yè)，在蘇州、珠海擁有兩座8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)基地。采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，專注于氮化鎵芯片與電源模塊的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造，可提供15V至1200V全電壓譜系的氮化鎵晶圓、分立器件、集成功率集成電路及模組產(chǎn)品。產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、數(shù)據(jù)中心、可再生能源及工業(yè)電源等領(lǐng)域。

英諾賽科作為氮化鎵領(lǐng)域龍頭，合作企業(yè)既涵蓋英偉達(dá)、意法半導(dǎo)體這類全球頂尖半導(dǎo)體及科技巨頭，同時(shí)還與美的、聯(lián)合電子等終端領(lǐng)域企業(yè)深度綁定，覆蓋半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及新能源、家電等應(yīng)用領(lǐng)域。

其中，今年10月，英諾賽科宣布成為英偉達(dá)800V直流電源架構(gòu)合作商名錄中唯一的中國芯片企業(yè)，為其提供氮化鎵功率器件，攜手推動(dòng)該架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)模化應(yīng)用，助力單機(jī)柜功率密度突破300kW，推動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心邁入兆瓦級(jí)供電時(shí)代。

稍早一點(diǎn)的4月，意法半導(dǎo)體與英諾賽科正式簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方攜手推進(jìn)氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃，目標(biāo)是攻克下一代氮化鎵技術(shù)，并在未來幾年內(nèi)共同推動(dòng)該技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用的光明前景。

國內(nèi)合作方面，今年7月，英諾賽科與聯(lián)合電子共建氮化鎵聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，聚焦車規(guī)級(jí)氮化鎵電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以此支撐新能源汽車的高壓快充和電機(jī)控制需求，推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在新能源汽車電力電子系統(tǒng)中的落地。

此外，英諾賽科與美的集團(tuán)旗下多個(gè)子公司與英諾賽科達(dá)成合作，其中700V高壓氮化鎵產(chǎn)品已在美的抽油煙機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，還和美的威靈在空調(diào)電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在家電領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：廣東致能半導(dǎo)體官微

據(jù)介紹，致能半導(dǎo)體通過導(dǎo)入行業(yè)領(lǐng)先的制造工藝及創(chuàng)新的技術(shù)平臺(tái)，產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學(xué)性能、制造一致性等核心指標(biāo)方面均較競爭技術(shù)展現(xiàn)出全面的領(lǐng)先優(yōu)勢。

資料顯示，致能半導(dǎo)體成立于2018年，是國內(nèi)第三代半導(dǎo)體氮化鎵領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，專注于氮化鎵功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。致能半導(dǎo)體核心業(yè)務(wù)聚焦硅基氮化鎵芯片及其共封裝器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，具備完整IDM能力。公司擁有TO247、TOLL、PQFN56等多種封裝類型的氮化鎵功率器件，已完成硅基氮化鎵高功率大電壓常開平面元器件研發(fā)并交付客戶。

今年7月，公司CEO黎子蘭博士在瑞典舉辦的#國際氮化物半導(dǎo)體會(huì)議（ICNS）上，首次公布硅基垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了硅襯底上垂直GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長和二維電子氣溝道構(gòu)建，還做出全球首個(gè)垂直常開、常關(guān)兩種類型器件，其中常關(guān)器件閾值電壓最高可達(dá)4V以上，憑借原創(chuàng)性貢獻(xiàn)獲得會(huì)議廣泛關(guān)注與高度評(píng)價(jià)。

融資方面，廣東致能半導(dǎo)體目前已完成多輪融資，從早期種子輪逐步推進(jìn)至C輪，投資方涵蓋知名VC資本、產(chǎn)業(yè)基金及頭部企業(yè)創(chuàng)投等。

今年1月廣東致能半導(dǎo)體完成C輪融資，投資方包括高榕資本、博世創(chuàng)投、深創(chuàng)投等。此次融資正值公司推進(jìn)氮化鎵器件量產(chǎn)的關(guān)鍵階段，資本的注入為其提升產(chǎn)能、強(qiáng)化供應(yīng)鏈體系提供了有力支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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交易方式上，代價(jià)A將由宏光半導(dǎo)體通過向賣方A各自的代名人配發(fā)及發(fā)行合共14677萬股股份的方式支付，發(fā)行價(jià)為每股0.50港元。代價(jià)B將由公司通過向賣方B發(fā)行承兌票據(jù)的方式支付，承兌票據(jù)本金額4081.6萬港元。

交易前，深圳鎵宏由宏光半導(dǎo)體全資子公司Swift Power持股約60.30%。交易完成后，深圳鎵宏將成為宏光半導(dǎo)體間接全資附屬公司，持股比例將提升至73.28%。

資料顯示，宏光半導(dǎo)體最初以LED燈珠設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造為核心業(yè)務(wù)，憑借在背光模組、顯示驅(qū)動(dòng)等細(xì)分市場的深耕，已在國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。

1、LED企業(yè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，瞄準(zhǔn)三代半賽道

近年來，面對(duì)LED需求趨緩和新能源、快充等新興應(yīng)用的增長，宏光主動(dòng)轉(zhuǎn)型，聚焦氮化鎵（GaN）功率芯片及相關(guān)射頻外延片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

圖片來源：宏光半導(dǎo)體官網(wǎng)

宏光半導(dǎo)體于2022年與協(xié)鑫集團(tuán)簽署戰(zhàn)略合作框架，雙方將在GaN功率芯片在新能源充電、儲(chǔ)能、光伏逆變器等場景的應(yīng)用展開長期合作，協(xié)鑫提供資本與供應(yīng)鏈資源，宏光提供技術(shù)與產(chǎn)品化能力。

2023年3月，宏光進(jìn)一步通過收購華芯邦科技的方式，補(bǔ)足模擬/混合信號(hào)芯片設(shè)計(jì)、先進(jìn)封裝及Fab?Lite制造能力，以形成GaN全產(chǎn)業(yè)鏈的IDM布局。這些動(dòng)作表明宏光正從單純的LED制造商向兼具材料、外延、芯片設(shè)計(jì)與封裝的綜合性第三代半導(dǎo)體企業(yè)轉(zhuǎn)變。

2、鎵宏半導(dǎo)體：聚焦氮化鎵技術(shù)

深圳鎵宏半導(dǎo)體成立于2023年，是宏光在GaN業(yè)務(wù)中的核心平臺(tái)，專注于GaN功率芯片及射頻外延片的研發(fā)、生產(chǎn)和代工。

在產(chǎn)能方面，深圳鎵宏半導(dǎo)體依托子公司江蘇鎵宏的徐州工廠實(shí)現(xiàn)核心產(chǎn)能落地，目前已達(dá)成 6 英寸氮化鎵外延片的量產(chǎn)。同時(shí)搭建的首條試驗(yàn)線，已完整覆蓋外延生長、器件制造以及模組開發(fā)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，具備從芯片到模組的全流程生產(chǎn)能力。

在技術(shù)合作方面，鎵宏半導(dǎo)體在國內(nèi)與深圳泰高技術(shù)達(dá)成全面戰(zhàn)略合作，為其提供氮化鎵射頻與功率芯片工藝研發(fā)支持及穩(wěn)定的外延片服務(wù)，合作涵蓋硅基、碳化硅基等多類型氮化鎵外延片領(lǐng)域。

國際上則與以色列 VisIC、加拿大 Gan System（已被英飛凌收購）等頂尖氮化鎵大功率芯片設(shè)計(jì)公司建立技術(shù)與業(yè)務(wù)合作，以此加速自身 IDM 項(xiàng)目建設(shè)。

3、結(jié)語

宏光半導(dǎo)體通過1.14億元收購深圳鎵宏12.98%股權(quán)，實(shí)現(xiàn)對(duì)GaN外延與制造資源的進(jìn)一步整合。兩者的協(xié)同將為宏光在新能源快充、光伏逆變、5G射頻等高增長應(yīng)用場景提供強(qiáng)有力的技術(shù)與產(chǎn)能支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：鎵未來

鎵未來指出，當(dāng)行業(yè)還在為15mΩ的導(dǎo)通電阻參數(shù)競爭時(shí)， G2E65R009系列產(chǎn)品直接將這一數(shù)值縮小至9mΩ。這帶來了眾多影響：

導(dǎo)通損耗降低60%：相比傳統(tǒng)硅基IGBT，其開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗均降低60%以上，相當(dāng)于每臺(tái)新能源汽車電機(jī)控制器可減少約150W的無效功耗，對(duì)應(yīng)續(xù)航里程提升3%~5%；

熱管理革命：僅為9mΩ的超低導(dǎo)通電阻配合TO-247PLUS-4L和ITO-247PLUS-3L封裝的優(yōu)異散熱設(shè)計(jì)，熱阻低至0.2℃/W相較傳統(tǒng)SiC MOSFET降低約40%；

效率躍升：經(jīng)過鎵未來實(shí)驗(yàn)室實(shí)測，在P-out為5.3kW時(shí)，峰值效率可達(dá)99.35%；

功率翻倍：單顆分立器件支持高達(dá)20kW的功率輸出 ，穩(wěn)居行業(yè)頂尖水平?？梢詽M足更多大功率應(yīng)用

場景需求，實(shí)現(xiàn)高功率密度和高設(shè)計(jì)自由度的結(jié)合。

目前，該產(chǎn)品已與多家頭部車企及核心Tier1供應(yīng)商攜手，進(jìn)入實(shí)質(zhì)性的研發(fā)驗(yàn)證階段，共同推進(jìn)技術(shù)落地與應(yīng)用升級(jí)。

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