該設(shè)備專為砷化物/磷化物應(yīng)用設(shè)計(jì),采用創(chuàng)新的注入器和先進(jìn)溫控技術(shù),使關(guān)鍵層的晶圓均勻性較前代產(chǎn)品提升4倍,同時(shí),具備全自動(dòng)盒到盒操作能力,并通過原位清洗確保工藝穩(wěn)定性,為高質(zhì)量PIC生產(chǎn)提供了可靠保障。
愛思強(qiáng)成立于1983年,其技術(shù)解決方案廣泛應(yīng)用于激光/LED、顯示技術(shù)、數(shù)據(jù)傳輸、電源管理等前沿領(lǐng)域。
SMART Photonics是愛思強(qiáng)的長期合作伙伴,成立于2012年,依托埃因霍溫理工大學(xué)的技術(shù)支持,已成為歐洲領(lǐng)先的InP PIC代工廠。
此次設(shè)備交付,標(biāo)志著兩家公司在磷化銦光子集成電路制造領(lǐng)域的合作進(jìn)入新階段,將為全球光電子產(chǎn)業(yè)鏈提供更強(qiáng)大的技術(shù)支持。
業(yè)界指出,近年,得益于5G/6G通信、醫(yī)療健康、人工智能等領(lǐng)域的快速發(fā)展,以及汽車激光雷達(dá)等傳感技術(shù)的廣泛應(yīng)用,基于磷化銦的光子集成電路市場需求快速上升。愛思強(qiáng)G10-AsP系統(tǒng)有望提升SMART Photonics在GaAs/InP材料領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)能力,助力其應(yīng)對(duì)快速增長的市場需求。(集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理)
source:先導(dǎo)科技集團(tuán)
消息稱,該項(xiàng)目位于高新六路以南、光谷五路以東,建筑面積26萬平方米,共19棟建筑,包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等,整個(gè)項(xiàng)目力爭2025年年底實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)運(yùn)營。未來,半導(dǎo)體襯底、外延材料就將自這4座生產(chǎn)廠房下線,有力補(bǔ)強(qiáng)光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈。
此次封頂?shù)?棟生產(chǎn)廠房將承擔(dān)核心材料制造,具體來看:
M1廠房?? 砷化鎵襯底生產(chǎn)線(應(yīng)用于5G射頻芯片)
M2廠房?? 磷化銦襯底生產(chǎn)線(光通信激光器核心材料)
M3廠房?? 可調(diào)諧激光器量產(chǎn)線
M4廠房?? 鍺片生產(chǎn)基地(紅外探測器關(guān)鍵材料)
資料顯示,先導(dǎo)科技集團(tuán)有限公司是全球稀散金屬龍頭企業(yè)。2024年3月,該項(xiàng)目落戶光谷,投資120億元建設(shè)高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目。項(xiàng)目投產(chǎn)后具備砷化鎵襯底、磷化銦襯底、鍺片、可調(diào)諧激光器及其他產(chǎn)品等生產(chǎn)能力。
“這相當(dāng)于在光谷建造了一個(gè)‘化合物半導(dǎo)體超市’。”項(xiàng)目總工程師李明透露,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可年產(chǎn)8英寸襯底材料50萬片,滿足全球15%的高端需求。
化合物半導(dǎo)體呈現(xiàn)多元化態(tài)勢化合物半導(dǎo)體被視為“后摩爾時(shí)代”的戰(zhàn)略材料。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,我國砷化鎵襯底進(jìn)口依存度仍高達(dá)83%,磷化銦更是超過90%。
化合物半導(dǎo)體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展與關(guān)鍵變革的重要節(jié)點(diǎn)。從市場規(guī)模來看,隨著5G通信、光通信、汽車電子、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料需求的持續(xù)攀升,化合物半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)出增長態(tài)勢。業(yè)界預(yù)測,未來幾年全球化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模有望保持兩位數(shù)的年增長率,市場前景極為廣闊。
在技術(shù)創(chuàng)新層面,各國科研團(tuán)隊(duì)與企業(yè)不斷加大研發(fā)投入,致力于攻克技術(shù)難題。在材料生長工藝上,分子束外延(MBE)和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等先進(jìn)技術(shù)持續(xù)優(yōu)化,能夠生長出更高質(zhì)量、更大尺寸的化合物半導(dǎo)體材料,為后續(xù)芯片制造奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。在芯片設(shè)計(jì)與制造工藝方面,也取得了諸多突破,例如新型器件結(jié)構(gòu)的研發(fā),有效提升了化合物半導(dǎo)體芯片的性能與集成度。
競爭格局呈現(xiàn)多元化態(tài)勢。國際上,歐美日等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)的企業(yè)憑借長期積累的技術(shù)、品牌和市場優(yōu)勢,在高端產(chǎn)品領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。
美國的Wolfspeed在碳化硅(SiC)領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源等對(duì)功率器件要求嚴(yán)苛的高端領(lǐng)域,為提升系統(tǒng)效率與可靠性發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
博通有限公司在砷化鎵(GaAs)等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品方面技術(shù)成熟,產(chǎn)品在5G通信、航空航天等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,例如其生產(chǎn)的射頻芯片為眾多通信設(shè)備提供了穩(wěn)定高效的信號(hào)處理能力。
同時(shí),韓國的三星、LG等企業(yè)依托自身在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積淀與大規(guī)模生產(chǎn)能力,積極布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù),在中低端市場通過成本控制與產(chǎn)能優(yōu)勢具備較強(qiáng)競爭力。
隨著中國政策的大力扶持以及企業(yè)自身的努力,近年來取得了顯著進(jìn)展。
source:穩(wěn)懋半導(dǎo)體
穩(wěn)懋半導(dǎo)體等企業(yè)專注于化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域,憑借豐富的代工經(jīng)驗(yàn)與較高的生產(chǎn)效率,在全球化合物半導(dǎo)體代工市場占據(jù)重要份額,為全球眾多設(shè)計(jì)公司提供生產(chǎn)制造服務(wù)。
而上述提到的先導(dǎo)科技集團(tuán)在光谷投資建設(shè)的120億元化合物半導(dǎo)體基地,更是國內(nèi)行業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要縮影。
越來越多的國內(nèi)企業(yè)開始涉足化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從無到有的突破,逐步縮小與國際先進(jìn)水平的差距。但整體而言,國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)實(shí)力、高端人才儲(chǔ)備以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善程度等方面,與國際領(lǐng)先水平仍存在一定差距。
從應(yīng)用領(lǐng)域拓展來看,除了傳統(tǒng)的通信、電子領(lǐng)域,化合物半導(dǎo)體在新能源汽車的功率器件、光伏的高效逆變器、醫(yī)療的高靈敏度探測器等新興領(lǐng)域的應(yīng)用也日益廣泛。業(yè)界表示,可預(yù)見的是,隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步降低,化合物半導(dǎo)體將在更多領(lǐng)域大放異彩,成為推動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。(集邦化合物半導(dǎo)體南清整理)
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]]>根據(jù)公告,兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導(dǎo)體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設(shè)“年產(chǎn)1億顆光通信半導(dǎo)體激光芯片項(xiàng)目(一期)”,并建設(shè)砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體激光晶圓制造生產(chǎn)線,主要應(yīng)用為光芯片技術(shù)領(lǐng)域的VCSEL激光芯片及光通信半導(dǎo)體激光芯片。本次投資為項(xiàng)目一期,項(xiàng)目一期建設(shè)擬投資金額不超過5億元。
資料顯示,兆馳半導(dǎo)體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,產(chǎn)品線涵蓋全色系LED芯片,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、背光、超高清顯示等多個(gè)領(lǐng)域。自2023年起,兆馳半導(dǎo)體進(jìn)一步布局光通信領(lǐng)域,已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。
近期,國內(nèi)還有多個(gè)砷化鎵、磷化銦芯片相關(guān)項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展,分別由縱慧芯光、芯辰半導(dǎo)體等廠商主導(dǎo)建設(shè)。
10月23日,縱慧芯光正式宣布,旗下“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目”已完成封頂。該項(xiàng)目總投資5.5億元,規(guī)劃用地40畝,預(yù)計(jì)明年1月投產(chǎn),達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計(jì)約5000萬顆的生產(chǎn)能力。
另據(jù)“勢能資本”消息,芯辰半導(dǎo)體外延設(shè)備已于近日投產(chǎn),覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片,致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>該項(xiàng)目將通過增加先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備,擴(kuò)建全球首個(gè)6英寸(150mm)InP生產(chǎn)線,以擴(kuò)大InP器件的規(guī)?;a(chǎn)。
6英寸InP晶圓( source:Coherent)
據(jù)悉,今年3月,Coherent宣布已建立全球首個(gè)6英寸InP晶圓生產(chǎn)能力。公司分別在其德克薩斯州謝爾曼和瑞典J?rf?lla的晶圓廠建設(shè)了6英寸InP產(chǎn)能,未來將實(shí)現(xiàn)60%以上的成本降幅,賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費(fèi)電子及可穿戴設(shè)備用先進(jìn)傳感、醫(yī)療與汽車、甚至往后的6G無線網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用場景。
Coherent預(yù)期在未來幾年,InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過渡,以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢,鞏固其在通信和傳感領(lǐng)域的可持續(xù)競爭力。
除了InP,Coherent今年在碳化硅(SiC)與砷化鎵(GaAs)領(lǐng)域都有不同程度進(jìn)展。
·碳化硅領(lǐng)域
2024年4月,Coherent基于CHIPS法案獲得1500萬美元的資金,用于加速下一代寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體(分別為碳化硅和單晶金剛石)的商業(yè)化。
9月26日,Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延片,其350微米和500微米厚度的襯底和外延晶圓目前正在出貨中。
·砷化鎵領(lǐng)域
9月27日,為簡化運(yùn)營,Coherent將其位于英國北部達(dá)勒姆郡牛頓艾克利夫(Newton Aycliffe,County Durham)的晶圓廠出售給了英國政府,售價(jià)為2000萬英鎊。
Newton Aycliffe晶圓廠主要面向通信和航空航天與國防領(lǐng)域制造III-V族化合物半導(dǎo)體射頻微電子和光電子器件,生產(chǎn)用于戰(zhàn)斗機(jī)等軍事技術(shù)的砷化鎵半導(dǎo)體。
Coherent首席執(zhí)行官Jim Anderson表示:“剝離Newton Aycliffe工廠是公司優(yōu)化投資組合和簡化運(yùn)營努力的一部分,這使我們能夠?qū)⑼顿Y和資本集中在公司最長期增長和盈利能力的領(lǐng)域。”(集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯)
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]]>對(duì)于此次調(diào)價(jià)的原因,銦杰半導(dǎo)體指出,原材料高純銦價(jià)格自2024年1月開始持續(xù)上漲,漲幅超40%,同時(shí),其余材料成本也都有所上升,在此背景下,公司決定調(diào)整產(chǎn)品價(jià)格。
據(jù)了解,銦資源極度稀缺,是戰(zhàn)略金屬資源之一,在科技領(lǐng)域用途廣泛。據(jù)曲合期貨行情中心顯示,近一年來,銦的報(bào)價(jià)從2000元/千克上漲至今年5月10日的3000元/千克,漲幅達(dá)50%,價(jià)格創(chuàng)2016年以來新高。
而磷化銦是一種多功能的化合物半導(dǎo)體材料,在光電子和微電子行業(yè)中扮演著重要角色,尤其在5G高速通信、光模塊、自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)以及可穿戴設(shè)備傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)重要的基礎(chǔ)材料。
銦杰半導(dǎo)體致力于磷化銦化合物半導(dǎo)體多晶材料的研究與開發(fā),擁有完全自主產(chǎn)權(quán)的設(shè)備、工藝和控制系統(tǒng),據(jù)稱已實(shí)現(xiàn)核心材料進(jìn)口替代,是國內(nèi)唯一一家可以批量生產(chǎn)高純磷化銦多晶的本土企業(yè)。目前,該公司正在建設(shè)年產(chǎn)220噸磷化銦材料生產(chǎn)線項(xiàng)目。
從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)來看,磷化銦材料漲價(jià)將傳導(dǎo)至下游光電芯片等領(lǐng)域,相關(guān)廠商如三安光電、長光華芯、縱慧芯光、源杰半導(dǎo)體等。若后續(xù)更多材料廠商作出產(chǎn)品調(diào)整的通知,光電芯片等下游產(chǎn)品的價(jià)格或?qū)⑼缴蠞q。(集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理)
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]]>具體來看,Coherent在其美國德克薩斯州謝爾曼縣(Sherman, Texas)和瑞典J?rf?lla的晶圓廠分別建設(shè)了6英寸InP產(chǎn)能,未來將實(shí)現(xiàn)60%以上的成本降幅,賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費(fèi)電子及可穿戴設(shè)備用先進(jìn)傳感、醫(yī)療與汽車、甚至往后的6G無線網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用場景。
來源:Coherent官網(wǎng)
目前,Coherent正在推進(jìn)幾款基于6英寸InP平臺(tái)產(chǎn)品的驗(yàn)證,如200G電吸收調(diào)制激光器(EML)、200G分布反饋激光器、馬赫-曾德爾調(diào)制器(DFB-MZ)、100G電吸收調(diào)制激光器(EML)、高速光探測器、硅光子用高功率連續(xù)波(CW)激光器等。
Coherent表示,此次成功擴(kuò)建6英寸InP產(chǎn)能,得益于公司在創(chuàng)新與技術(shù)開發(fā)領(lǐng)域的持續(xù)投入,也是多年來在智能手機(jī)傳感用VCSEL陣列制造領(lǐng)域的投資與運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)的成果。
據(jù)了解,Coherent去年以來在VCSEL領(lǐng)域取得了不少成果。產(chǎn)品開發(fā)方面,其發(fā)布了集成VCSEL陣列的超緊湊動(dòng)態(tài)照明與傳感專利模塊架構(gòu),該產(chǎn)品針對(duì)光學(xué)傳感應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)場景中對(duì)關(guān)注區(qū)域的選擇性照明;今年初,Coherent發(fā)布了面向汽車及工業(yè)近中距離LiDAR(激光雷達(dá))應(yīng)用,推出了VCSEL照明模塊平臺(tái)。產(chǎn)品出貨量方面,截至2023年8月1日,Coherent傳感器用VCSEL發(fā)射器出貨量超2000億顆。
在未來幾年的時(shí)間里,Coherent預(yù)期InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過渡,以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢,鞏固其在通信和傳感領(lǐng)域的可持續(xù)競爭力。(來源:LEDinside)
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