英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉參觀兩款首次于國內進行實體展示的晶圓

01材料革新與系統(tǒng)重構：英飛凌定義能效新范式

作為全球功率半導體領域的領軍企業(yè)，英飛凌科技通過在氮化鎵（GaN）、機器人及人工智能領域的深度布局，持續(xù)展現(xiàn)出強大的技術創(chuàng)新能力與市場競爭力。

在此次峰會中，英飛凌重點發(fā)布的四大創(chuàng)新產品矩陣尤為矚目：

PSOC Control C3 MCU：實現(xiàn)電機和功率轉換系統(tǒng)的實時控制?；贏rm? Cortex?-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列產品，具有實時控制功能和差異化控制外圍元件，頻率最高可達180MHz。在ModusToolbox系統(tǒng)設計工具和軟件的支持下，這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率、高可靠性且安全的電機控制和功率轉換系統(tǒng)。無論是在家用電器、智能家居，還是在光伏逆變器等應用中，PSOC Control C3都能提供卓越的性能和可靠性。

新一代中壓CoolGaN半導體器件：具備出色的性能、更高的功率密度和高可靠性，可以將系統(tǒng)效率提升至96%，同時有助于降低能耗與運營成本。該系列半導體器件能夠助力中壓電機系統(tǒng)實現(xiàn)更小的尺寸，為電信和數據中心提供更高的效率，在音頻應用中實現(xiàn)更高的功率密度、更輕量級的系統(tǒng)和更佳的音頻性能。

CoolMOS 8高壓超結（SJ）MOSFET：提供了全新的“一體化”超級結（SJ）技術，產品系列覆蓋了從低功率到高功率的所有消費類和工業(yè)應用。作為寬禁帶半導體的高性價比替代方案之一，能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的功率密度，同時確保器件的可靠性。CoolMOS 8可以輕松替換CoolMOS 7，集成了快速二極管，可提供600V和650V兩種電壓等級，其中650V特別提供了額外的50V緩沖，用于滿足數據中心和電信領域對交流輸入電壓的特定要求。

XDP數字電源（DigitalPower）：包括XDP XDPP1140/48數字控制器和3kW DR-HSC 12V-48V穩(wěn)壓IBC，均能夠實現(xiàn)效率與功率密度的雙提升，展示出在系統(tǒng)設計與可靠性層面的雙重優(yōu)勢，使用靈活，同時又能夠優(yōu)化成本。

同時，英飛凌還于近期推出了新一代高密度功率模塊，即OptiMOSTDM2454xx四相功率模塊也在國內首次亮相。而在大會的主題展區(qū)，英飛凌還展示了雙足機器人、具身智能人形機器人“五指靈巧手”、IoT智能小車、8kW高效高密AI數據中心電源模塊、用于數據中心和人工智能訓練模型的12kW PSU等展品。

ICIC 2025主題展區(qū)吸引了大量與會者參觀體驗

總體來看，在氮化鎵技術領域，該公司不僅實現(xiàn)了300mm GaN功率半導體晶圓的量產突破，其新一代中壓CoolGaN器件更將系統(tǒng)效率提升至96%，顯著降低數據中心、電信及家電領域的能耗和成本。與此同時，英飛凌在硅基半導體領域也持續(xù)突破創(chuàng)新，推出的20μm超薄硅晶圓技術助于大幅提高功率轉換解決方案的能效、功率密度和可靠性。

在機器人領域，英飛凌提供從電源產品、傳感器、微控制器、連接芯片到電機驅動的全棧解決方案，通過模塊化設計加速產品上市周期，推動機器人領域的創(chuàng)新。其展示的”五指靈巧手”具身智能系統(tǒng)與雙足機器人技術，展現(xiàn)了在人機協(xié)作與智能制造等智能機器人應用場景中的前沿探索。
針對人工智能基礎設施的高能效需求，英飛凌全面構建了硅、碳化硅與氮化鎵協(xié)同共進的混合技術矩陣，為AI服務器和數據中心提供高效電源解決方案。特別值得一提的是，英飛凌推出的12kW PSU電源模塊可用于數據中心及支持AI訓練模型部署。得益于AI浪潮的推動，預計2025財年，英飛凌AI業(yè)務營收將突破6億歐元，2027年有望突破10億歐元。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)市場營銷負責人劉偉在ICIC 2025上發(fā)表主題演講

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)市場營銷負責人劉偉強調，英飛凌正通過覆蓋”電網-核心-邊緣-用戶”的全鏈路能效解決方案，為AI、機器人及家電行業(yè)提供更環(huán)保、更高效、更智能的技術解決方案，賦能產業(yè)發(fā)展和應用場景的擴維升級，特別是其邊緣AI方案結合安全芯片和連接產品的組合，已在IoT智能小車等場景實現(xiàn)落地應用。

02英飛凌加速布局機器人產業(yè)：從核心器件到生態(tài)協(xié)同

英飛凌將機器人視為未來有高增長潛力的核心賽道，其布局貫穿“以氮化鎵為代表的第三代半導體技術-涵蓋感知、連接、人機交互等核心環(huán)節(jié)的全面半導體產品組合-系統(tǒng)級解決方案”全鏈條。

氮化鎵正驅動著機器人走向輕量化革命，據英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉表示：“在機器人關節(jié)中，將氮化鎵技術用于電機驅動可將系統(tǒng)的體積縮小、重量降低，并顯著提升電池的續(xù)航能力。” 這一點在業(yè)界的相關統(tǒng)計數據中也可以窺見一斑，數據顯示，以人形機器人為例，若搭載30個采用氮化鎵技術的關節(jié)，其總重量可減少20kg，充電周期延長50%。

此外，英飛凌的創(chuàng)新技術和全棧解決方案正賦能機器人走向智能化、高效化和輕量化。英飛凌提供從MEMS傳感器、到支持實時決策的MCU，再到連接芯片和安全芯片的完整方案。在雙足機器人中，基于CoolGaN的驅動系統(tǒng)使動態(tài)響應速度提升25-50%。

目前，英飛凌正與本土伙伴聯(lián)合開發(fā)專用方案，如為某頭部企業(yè)定制的模塊化關節(jié)控制器，集成驅動、傳感與安全功能，成本降低20%。其技術團隊深度參與客戶設計，提供從器件選型到系統(tǒng)優(yōu)化的全流程支持。

03英飛凌深耕中國：本土化戰(zhàn)略的四維進階

作為深耕中國市場30年的領先半導體企業(yè)，英飛凌將繼續(xù)持續(xù)堅持“在中國、為中國”為本土化戰(zhàn)略，深化覆蓋運營、創(chuàng)新、生產、生態(tài)的立體化本土布局。

在此次ICIC 2025大會上，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉表示：“2025年是英飛凌在華30周年。在30年行業(yè)深耕的基礎之上，英飛凌將深入推進本土化戰(zhàn)略，圍繞‘運營、創(chuàng)新、生產、生態(tài)’等方面，持續(xù)為客戶增加價值，推動在華業(yè)務的長期、穩(wěn)健、可持續(xù)發(fā)展?！?/p>

對于英飛凌消費、計算與通訊業(yè)務在本土的發(fā)展，他圍繞“從電網到核心，驅動AI算力”、“從云到端，賦能AI生態(tài)”、“從首到足，加速機器人發(fā)展”系統(tǒng)介紹了英飛凌的市場策略及優(yōu)勢，表示將以機器人、AI數據中心和邊緣計算等市場為主要驅動力，依托領先的半導體技術和本土應用創(chuàng)新生態(tài)賦能客戶的價值創(chuàng)造，推動各種應用場景落地，引領行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

談及本土化生產，英飛凌表示將擴大MCUs、MOSFETs等通用半導體產品的本地化生產制造。潘大偉指出，這兩款器件作為通用的半導體產品，廣泛應用于新能源、汽車、工業(yè)控制、消費電子等領域，市場需求穩(wěn)定且規(guī)模龐大。通過優(yōu)先擴大此類通用半導體器件的本地化生產，既能快速響應本土客戶需求，增強供應鏈韌性，又能為后續(xù)探討更復雜產品（如汽車高壓模塊、傳感器等）的本地化生產積累經驗。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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據悉，新公司專注光通信設備制造、集成電路芯片及產品制造、光電子器件制造、半導體分立器件制造、電子元器件制造、電子專用材料制造和研發(fā)、集成電路芯片設計及服務、半導體分立器件銷售等。

source：企查查截圖

公開資料顯示，度亙核芯成立于2017年，公司以高端激光芯片研發(fā)制造為核心競爭力，聚焦產業(yè)鏈上游器件與模塊的設計與制造，擁有覆蓋化合物半導體激光器完整工藝流程的工程技術能力和量產制造能力?，F(xiàn)有高功率芯片、單模泵浦模塊、陣列激光器、VCSEL、光纖耦合模塊構成的五大類、多系列產品矩陣，產品廣泛應用于工業(yè)加工、智能感知、光通訊、醫(yī)療美容和科學研究等領域。

值得注意的是，該公司通過其激光加工技術和設備，在碳化硅和氮化鎵的加工制造環(huán)節(jié)提供了重要的技術支持。

在碳化硅領域，該公司產品和技術可以應用于碳化硅晶錠的切片、晶圓加工等環(huán)節(jié)。例如，其碳化硅晶錠切片設備能夠實現(xiàn)碳化硅晶片從晶錠上的分離。此外，公司還提供碳化硅激光退火設備，滿足4/6寸SiC的激光退火功能。

在氮化鎵領域，度亙核芯的激光加工設備可用于氮化鎵外延片的加工，其的激光加工技術還可以應用于氮化鎵基藍綠激光器的生產。

此次在上海成立新公司，是度亙核芯在長三角地區(qū)的重要布局。上海作為中國的經濟中心和科技創(chuàng)新高地，擁有完善的產業(yè)配套、豐富的科研資源以及優(yōu)越的政策環(huán)境。新公司的成立將有助于度亙核芯更好地整合資源，同時上海的國際化視野和人才優(yōu)勢也將為度亙核芯的國際化發(fā)展提供有力支持。（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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此次新品發(fā)布精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。這些器件在電池儲能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機驅動器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應用場景中表現(xiàn)卓越。此外，在包括充電樁在內的電動汽車充電基礎設施領域同樣能發(fā)揮出眾效能。

X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實現(xiàn)從外殼頂部高效散熱。這一設計有效降低了通過PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動化電路板封裝流程。?新款X.PAK封裝器件具備Nexperia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質因數(FoM)。

其中，RDS(on)作為關鍵參數，對導通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關注該參數（常溫）的標稱值，卻忽略了一個事實，即隨著器件工作溫度的升高，標稱值可能會增加100%以上，從而造成相當大的導通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現(xiàn)出出色的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。（集邦化合物半導體整理）

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雙方將在以下三方面展開產學研資源深度融合：

共建創(chuàng)新平臺：意法半導體在智能功率技術、寬禁帶帶隙半導體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數字和混合信號技術等多個重要技術領域，都是公認的半導體技術創(chuàng)新先鋒，今年已是第七次被評為“全球百強創(chuàng)新企業(yè)”。意法半導體與重慶郵電大學在車聯(lián)網、功率電子等領域的科研能力（依托移動通信終端與網絡控制國家工程研究中心等平臺）形成合力，雙方將共建新能源汽車人才培養(yǎng)和聯(lián)合創(chuàng)新中心，突破產業(yè)技術瓶頸。

加速校企人才合作：建立“需求導向”的人才培養(yǎng)機制，強化實踐性與國際性，通過校企聯(lián)合項目培養(yǎng)適配產業(yè)的高端技術人才。

助推科研成果轉化：搭建技術轉化服務網絡，加速科研成果在重慶本土企業(yè)的應用驗證，推動創(chuàng)新鏈與產業(yè)鏈深度融合。（集邦化合物半導體整理）

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該平臺采用芯粵能自主知識產權的溝槽MOSFET結構，可顯著降低比導通電阻、提高電流密度，并在確保產品可靠性的同時，有效突破平面MOSFET性能提升瓶頸問題，進一步提升芯片性能、大幅降低成本。

據悉，芯粵能第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺的1200V試制品單片最高良率超過97%，23mm2芯片尺寸下導通電阻為12.5mΩ，比導通電阻為2.3mΩ?cm2，比肩國際領先廠商主流產品性能指標，溫升系數、開關損耗、抗雪崩和抗短路能力均能有效滿足產業(yè)應用要求，2025年1月已經零失效通過HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關鍵可靠性摸底測試的1000小時考核。

除第一代產品外，芯粵能也在積極研發(fā)布局第二代、第三代溝槽MOSFET，進一步鞏固其在國內的技術領先地位，實現(xiàn)對國際領先廠商的趕超。

此前2024年，芯粵能完成10億元A輪融資，由廣東省集成電路基金、國投創(chuàng)業(yè)等機構領投，資金將用于8英寸產線建設及市場拓展。據透露，芯粵能規(guī)劃總投資75億元，分兩期建設年產48萬片碳化硅晶圓生產線，目標在2026年實現(xiàn)產能全面釋放。（集邦化合物半導體整理）

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作為一家半導體產業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于成為新能源產業(yè)、智能化產業(yè)核心芯片和模組的支柱性力量。

芯聯(lián)集成通過持續(xù)的高強度研發(fā)來保障技術的創(chuàng)新性和引領性。過去幾年，公司每年研發(fā)投入在30%左右，保持每1-2年進入新的賽道，且每進入到一個新賽道，都用3-4年時間做到中國技術領先水平，6-7年躋身業(yè)界領先行列。

正是基于公司不斷推進技術創(chuàng)新，芯聯(lián)集成與聯(lián)合電子之間的合作得以持續(xù)深化。未來，芯聯(lián)集成將進一步加強與聯(lián)合電子等全球客戶的緊密合作，充分發(fā)揮自身技術優(yōu)勢，賦能客戶產品技術的創(chuàng)新與升級，攜手為行業(yè)發(fā)展注入新的活力。（集邦化合物半導體整理）

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上述聯(lián)盟主攻技術主權、供應鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點攻關2納米以下先進制程、第三代半導體材料與AI芯片架構等技術領域。

資料顯示，歐洲在第三代半導體（以碳化硅SiC和氮化鎵GaN為核心）領域擁有多家具有全球影響力的企業(yè)，這些企業(yè)在技術研發(fā)、生產制造和市場應用方面均處于行業(yè)前沿。

意法半導體是歐洲最早布局第三代半導體的龍頭企業(yè)之一，通過收購瑞典碳化硅晶圓制造商Norstel AB，以及與Cree（現(xiàn)Wolfspeed）簽訂長期SiC晶圓供應協(xié)議，構建了從材料到器件的全產業(yè)鏈能力。意法半導體SiC產品已用于特斯拉、寶馬等車企的800V高壓平臺，并計劃在意大利投資54億美元建設SiC芯片工廠，提升電動汽車專用芯片產能。

source：意法半導體

英飛凌通過收購美國國際整流器公司（IR）和德國Siltectra的冷切割技術，強化了SiC晶圓處理能力。其SiC MOSFET和GaN HEMT器件在新能源汽車、可再生能源領域占據重要份額。

此外，愛思強、Soitec等設備與材料供應商以及晶圓代工廠商格芯均有碳化硅相關業(yè)務。

業(yè)界指出，歐洲第三代半導體材料在新能源汽車、智能電網、軌道交通以及5G通訊等多個領域均發(fā)揮著至關重要的作用。隨著全球對新能源汽車的加速推廣和智能化、數字化浪潮的席卷，歐洲第三代半導體的市場需求將持續(xù)增長。特別是在新能源汽車領域，歐洲市場正在積極推動電動化進程，對SiC和GaN等第三代半導體材料的需求將大幅增加。（集邦化合物半導體 Flora 整理）

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近期，明報新聞網報道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設立兩條8英寸第三代半導體中試線，分別負責碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產，預計在今年內完成安裝及調試。

2024年5月，香港立法會批準28.4億港元設立香港微電子研發(fā)院，專注第三代半導體技術研發(fā)，包括碳化硅和氮化鎵中試線，支持產學研合作。香港微電子研發(fā)院計劃拿出其中24.78億港元用于建立中試線，其余資金為5年內的運營開支。

近年，香港積極布局第三代半導體產業(yè)，重點聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術，旨在通過重大項目、政府支持及區(qū)域協(xié)同發(fā)展，打造全球半導體供應鏈的關鍵節(jié)點。

同時，香港《創(chuàng)新科技發(fā)展藍圖》明確提出支持半導體先進制造，推動“新型工業(yè)化”，重點扶持第三代半導體技術突破與產業(yè)化應用。
項目方面，除了上述兩條產線外，今年1月，杰立方半導體與香港工業(yè)總會（FHKI）正式簽署了合作備忘錄（MOU），將在香港建立第三代半導體碳化硅8英寸晶圓廠，該項目預計總投資約69億港元，計劃于2026年正式投產。達產后年產24萬片晶圓，將能滿足150萬輛新能源車的生產需求，預計年產值將超過110億港元。

該項目是香港首座第三代半導體碳化硅晶圓廠，定位為垂直整合制造（IDM）模式，結合研發(fā)與生產，目標推動大灣區(qū)芯片供應鏈自主化。

此前，亦有媒體報道，MassPhoton公司將投資2億港元在香港新建晶圓生產線，并在香港科學園設立GaN技術研發(fā)中心，目標是將其GaN晶圓應用于顯示技術、汽車和數據中心等領域。（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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包括廣東天域半導體股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、藍河科技（紹興）有限公司、深圳市納設智能裝備股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、杭州海乾半導體有限公司、揚帆半導體（江蘇）有限公司在內的產業(yè)代表參加了本次啟動會。

近年來，我國發(fā)布《關于化纖工業(yè)高質量發(fā)展的指導意見》《制造業(yè)可靠性提升實施意見》等相關政策，推動碳化硅等化合物半導體材料研發(fā)及產業(yè)化發(fā)展，鼓勵業(yè)內企業(yè)提升相關技術水平。國促會標委會攜手業(yè)內專家學者、先進企業(yè)制定該標準，旨在規(guī)范碳化硅外延片的制備過程，確保通過化學氣相沉積法生長的外延層質量更高，能夠滿足特定性能要求，從而提升碳化硅器件的整體性能和可靠性。

化學氣相沉積法（CVD）是目前碳化硅外延片制備的主流方法之一，由于其具有能夠精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點，可以更好地滿足碳化硅外延片高質量、高效率的制備需求。因此，制定針對化學氣相沉積法相關技術規(guī)范，對于推動碳化硅外延片行業(yè)發(fā)展具有重要意義。（集邦化合物半導體整理）

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source：三安光電

公開資料顯示，重慶三安8英寸碳化硅襯底生產線于2024年9月投產，是三安光電與意法半導體合資項目的配套工程。該項目總投資70億元，設計年產能48萬片，旨在為安意法半導體（三安與意法合資企業(yè)）的8英寸碳化硅晶圓廠提供核心原料。預計隨著技術優(yōu)化和產能爬坡，未來將逐步提升至每周1萬片。

三安光電表示，重慶三安的襯底產品已穩(wěn)定供應安意法產線，隨著產能提升，成本優(yōu)勢將進一步顯現(xiàn)。此外，該項目全面達產后，預計將滿足國內40%以上的車規(guī)級碳化硅需求。

目前，三安光電同步推進多地產能布局：湖南三安現(xiàn)有6英寸碳化硅襯底月產能1.6萬片，8英寸襯底及外延產能已達1000片/月，配套芯片設備正調試中；與理想汽車合資成立的蘇州斯科半導體，其全橋功率模塊已完成驗證，2025年將啟動批量生產。

當前，國產碳化硅器件在新能源汽車市場滲透率不足10%，但比亞迪、小鵬等品牌已開始導入國產SiC MOSFET。三安光電透露，其車載充電機、空調壓縮機用碳化硅產品已實現(xiàn)小批量出貨，未來將進一步拓展至人形機器人電機控制等新興領域。（集邦化合物半導體整理）

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