圖片來源：公示截圖

其中，陜西固勤材料技術(shù)有限公司申報的“擴建碳化硅、氮化硅及復合材料制品生產(chǎn)與研發(fā)項目”以及陜西新興熱噴涂技術(shù)有限責任公司與西安泰格爾先進復合材料有限公司聯(lián)合申報的“耐高溫SiC涂層材料及涂層制備項目”，均聚焦太陽能光伏領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)突破，涉及的SiC/Si3N4粉體表面改性及其等離子涂層制備技術(shù)、光伏電池片用碳化硅舟托與小舟制品制備關(guān)鍵技術(shù)，將為光伏產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供重要材料支撐。

陜西固勤材料技術(shù)有限公司成立于2014年，位于西安市鄠邑區(qū)，是專注半導體級碳化硅產(chǎn)品的國家級高新技術(shù)企業(yè)，依托高校科研資源深耕自主研發(fā)，擁有成熟CVD-SiC制造工藝及核心技術(shù)優(yōu)勢，產(chǎn)品覆蓋大硅片外延組件、晶舟、碳化硅爐管等，廣泛應(yīng)用于第三代半導體、集成電路等高端領(lǐng)域，致力于實現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品的進口替代與材料替代。

圖片來源：固勤材料官網(wǎng)

固勤2014年落地鄠邑灃京工業(yè)園，擁有成熟CVD-SiC工藝，產(chǎn)品已切入大硅片外延組件、晶舟、爐管等半導體級場景；其“擴建碳化硅、氮化硅及復合材料制品生產(chǎn)與研發(fā)項目”此次上榜。最新現(xiàn)場顯示，固勤二廠2號車間正滿負荷試產(chǎn)，1號、3號車間與研發(fā)中心仍處安裝/裝修，原定“2025年一季度全面投產(chǎn)”已順延，官方尚未更新時點，三期120畝土地已平整完畢，總投資將擴至13.5億元。

陜西新興熱噴涂技術(shù)有限責任公司成立于2009年，是國內(nèi)規(guī)模較大的熱噴涂專業(yè)企業(yè)，2020年獲評高新技術(shù)企業(yè)，2023年躋身 “專精特新”“小巨人” 企業(yè)行列，擁有咸陽生產(chǎn)基地、山東分公司，與高校深度合作，累計獲3項發(fā)明專利及30余項技術(shù)專利、軟件著作權(quán)，研發(fā)的耐腐蝕耐磨損涂層產(chǎn)品覆蓋新能源、航空航天等多個關(guān)鍵行業(yè)。

據(jù)悉，2025年12月初，該公司“一種耐高溫SiC涂層材料及涂層制備方法”已獲國家發(fā)明專利授權(quán)（公告號CN119061346B），為聯(lián)合揭榜項目提供了核心自主知識產(chǎn)權(quán)支撐。

西安泰格爾先進復合材料有限公司成立于2022年，是一家專注高性能纖維及復合材料制造的企業(yè)，泰格爾在本次聯(lián)合申報中主要提供高性能纖維預(yù)制體與復合材料界面解決方案，與新興熱噴涂的涂層工藝形成“纖維+涂層”協(xié)同，提高SiC層韌性及熱震壽命。

依托咸陽、西安兩地已有的熱噴涂與復材生產(chǎn)線，雙方計劃2025年二季度前完成中試線搭建，三季度向隆基、奕斯偉等本地光伏客戶送樣驗證，力爭2026年實現(xiàn)年產(chǎn)2000套光伏電池片碳化硅舟托/小舟的規(guī)模化供應(yīng)。

（集邦化合物半導體 Emma 整理）

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圖片來源：企查查截圖

工商變更信息顯示，此次融資后積塔半導體新增中電金投控股有限公司等多位股東，同時有重慶元榮晶鑫企業(yè)管理合伙企業(yè)等股東退出，公司注冊資本也從1690740.3918萬元增至1790638.7534萬元，增幅約5.91%。

在本次融資之前，積塔半導體已經(jīng)完成多次融資。包括2021年11月完成80億元戰(zhàn)略融資，由華大半導體有限公司領(lǐng)投；2023年9完成135億元融資，創(chuàng)下當年碳化硅產(chǎn)業(yè)單筆最高融資額，融資后估值約達306億元。

1、碳化硅賽道領(lǐng)跑，卡位高端功率器件市場

積塔半導體成立于2017年，是中國電子旗下專注于半導體集成電路芯片特色工藝的研發(fā)和生產(chǎn)制造企業(yè)，核心業(yè)務(wù)為汽車、工業(yè)和高端消費電子等領(lǐng)域提供高性能芯片代工服務(wù)。其產(chǎn)品線圍繞特色工藝平臺展開，涵蓋硅基分立器件、碳化硅（SiC）以及各類特色集成電路（IC）和基礎(chǔ)邏輯工藝等，其中碳化硅業(yè)務(wù)已成為支撐公司高估值與產(chǎn)業(yè)影響力的核心支柱。

產(chǎn)能布局方面，積塔在上海臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩大廠區(qū)，已建和在建產(chǎn)能合計達30萬片/月（折合8英寸），其中碳化硅專用產(chǎn)線月產(chǎn)能已超1萬片（此前披露階段性產(chǎn)能7000片/月，當前已實現(xiàn)產(chǎn)能爬坡），是國內(nèi)少數(shù)具備碳化硅規(guī)?；つ芰Φ钠髽I(yè)。同時，公司是全球功率半導體龍頭英飛凌在大陸的唯一代工廠，深度綁定頭部客戶資源，為碳化硅產(chǎn)能消化提供穩(wěn)定保障。

技術(shù)研發(fā)層面，積塔是國內(nèi)較早具備碳化硅功率器件制造能力的企業(yè)，已構(gòu)建自主知識產(chǎn)權(quán)的車規(guī)級碳化硅工藝體系：覆蓋650V/750V/1200V電壓等級，形成JBS、MPS、Planar MOSFET、Planar&Trench JFET、Trench MOSFET等完整工藝平臺，可滿足新能源汽車主驅(qū)逆變、儲能、充電樁等核心場景需求。

其SiC晶圓制造生產(chǎn)線自2020年投產(chǎn)以來，已實現(xiàn)從EPI（外延）到BGBM（背面金屬化）的全流程自主制造，同時具備劃片、WLBI（晶圓級burn-in）和KGD（已知良好芯片）交付能力，工藝成熟度與良率水平處于國內(nèi)領(lǐng)先梯隊。

2、未來規(guī)劃：2026年總產(chǎn)能35萬片/月

公司整體產(chǎn)能規(guī)劃明確，2026年總產(chǎn)能（折合8英寸）將從當前30萬片/月提升至35萬片/月，其中碳化硅產(chǎn)線作為核心增長點，將同步加碼以適配臨港新片區(qū)“2026年寬禁帶半導體代工規(guī)模8萬片/月”的產(chǎn)業(yè)目標。

官方合作動態(tài)顯示，積塔已與安建半導體聯(lián)手推進新一代溝槽型碳化硅MOS器件研發(fā)（相比平面型更具成本與性能優(yōu)勢）；同時依托臨港新片區(qū)“寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新聯(lián)合體”，與電子科技大學等高校合作攻關(guān)核心技術(shù)，重點突破1700V高壓碳化硅工藝、更大尺寸襯底適配等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，技術(shù)路線與國家“卡脖子”技術(shù)突破方向一致。

此外，2025年10月，積塔成立全資子公司“上海積塔創(chuàng)能半導體有限公司”（注冊資本7.2億元），經(jīng)營范圍覆蓋半導體分立器件、電力電子元器件銷售，標志著其從晶圓制造向產(chǎn)業(yè)鏈下游延伸的戰(zhàn)略落地。

同時，作為臨港“汽車—寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”核心成員，積塔將深度聯(lián)動上汽、蔚來等終端車企，以及上海天岳（襯底）、長電科技（封裝）等上下游企業(yè)，推動全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化協(xié)同。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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圖片來源：浙江省投資項目在線審批監(jiān)管平臺截圖

據(jù)悉，該項目建設(shè)單位為寧波密克斯新材料科技有限公司，該公司2004年1月在寧波保稅區(qū)成立，主營業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅密封件、石墨材料及加工件，擁有從粉末制造、噴霧干燥、壓制、燒結(jié)到磨削拋光的完整工藝鏈。

項目為擴建性質(zhì)，總投資1322.75萬元，利用寧波保稅區(qū)投資開發(fā)有限責任公司位于創(chuàng)業(yè)三路6號1幢1-5層的現(xiàn)有廠房，租賃面積6016.85平方米，通過新增臥式脫膠爐、PU膠振動機、數(shù)顯雙面研磨機、六面加熱無壓燒結(jié)爐等關(guān)鍵設(shè)備，形成年產(chǎn)2500萬件碳化硅車用密封件的生產(chǎn)能力。

據(jù)悉，從工藝路線看，項目核心新增設(shè)備為“六面加熱無壓燒結(jié)爐”，可在1900℃左右實現(xiàn)碳化硅坯體的無壓固相燒結(jié)，相比傳統(tǒng)反應(yīng)燒結(jié)，成品密度≥3.10g/cm3、彎曲強度≥400MPa，關(guān)鍵指標對標德國標準。配合后續(xù)雙面研磨、激光打標、碳膜涂覆工序，密封件平面度可控制在0.0003mm以內(nèi)，粗糙度Ra≤0.05μm，滿足IATF 16949對汽車級陶瓷件的尺寸穩(wěn)定性要求。

值得注意的是，碳化硅密封件必須與高純石墨環(huán)配對使用，兩者端面在干摩擦狀態(tài)下仍需保持低磨損率，因此寧波密克斯同步擴建石墨材料精加工單元，形成“碳化硅+石墨”成套供貨能力。

公示文件未披露建設(shè)周期，參照同類產(chǎn)線改造經(jīng)驗，預(yù)計設(shè)備進場、調(diào)試到批量出貨需6-9個月。

（集邦化合物半導體 Emma 整理）

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01、科創(chuàng)新材：6000噸碳化硅復合材料生產(chǎn)線延期一年達產(chǎn)

12月9日，洛陽科創(chuàng)新材料股份有限公司（簡稱“科創(chuàng)新材”）公告稱，公司擬將募投項目“年產(chǎn)6000噸新能源電池材料用碳化硅復合材料生產(chǎn)線”延期一年達產(chǎn)。

圖片來源：科創(chuàng)新材公告截圖

這個募投項目并非單一生產(chǎn)線，而是包含兩部分，分別是年產(chǎn)4000噸碳化硅復合材料坩堝生產(chǎn)線（一期）和年產(chǎn)2000噸碳化硅復合材料匣體生產(chǎn)線（二期），調(diào)整前計劃在2025年底達成預(yù)定可使用狀態(tài)。

根據(jù)公告，截至2025年11月30日，該項目累計投入募集資金2953.65萬元，僅完成40.09%的投入進度，還有超4600萬元募集資金待投用。

關(guān)于延期原因，#科創(chuàng)新材 表示，為適應(yīng)市場需求并控制風險，項目采用分期實施的策略。目前，年產(chǎn)4000噸坩堝生產(chǎn)線作為第一期工程，正在建設(shè)中。

而年產(chǎn)2000噸匣體生產(chǎn)線（第二期）的建設(shè)進度，則因產(chǎn)品市場原因暫緩。具體來說，下游客戶對該產(chǎn)品的批量采購需求尚未完全釋放，且市場總體容量仍存在不確定性。

科創(chuàng)新材將上述募投項目達產(chǎn)日期由2025年12月31日延期至2026年12月31日。

資料顯示，科創(chuàng)新材成立于2002年，2022年在北交所上市，是一家聚焦高溫功能型耐火材料領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)。公司產(chǎn)品分為傳統(tǒng)耐火材料和新能源碳化硅復合材料兩大核心類別。

02、浙江一碳化硅與氮化硅粉體小試開發(fā)項目獲公示

12月1日，浙江省投資項目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了關(guān)于湖州微納臻芯新材料有限公司特種陶瓷原料碳化硅與氮化硅粉體小試開發(fā)項目的備案公示。

圖片來源：公示截圖

該項目總投資700萬元，租賃6000平方米閑置工業(yè)廠房，購置生長爐、高溫爐等研發(fā)設(shè)備，研發(fā)周期預(yù)計24個月，聚焦這兩種適配半導體等領(lǐng)域的特種陶瓷原料的制造工藝研發(fā)。

湖州微納臻芯新材料有限公司 成立于2025年，主營特種陶瓷制品、非金屬礦物制品、耐火材料的制造與銷售，同時開展新材料技術(shù)研發(fā)及相關(guān)技術(shù)推廣服務(wù)。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

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12月11日消息，國際半導體大廠Wolfspeed與豐田公司達成合作，將碳化硅器件引入車載充電系統(tǒng)，為電動汽車的電氣化進程再添強勁動力。與此同時，國內(nèi)三安光電與格力電器在車用級碳化硅產(chǎn)品領(lǐng)域也捷報頻傳，不斷推動碳化硅在電動汽車領(lǐng)域的深度應(yīng)用，一場圍繞碳化硅“上車”的產(chǎn)業(yè)變革正蓬勃興起。

Wolfspeed近日宣布與豐田公司 (Toyota) 達成合作，豐田公司將在其車載充電系統(tǒng)采用 Wolfspeed 車規(guī)級 MOSFET。Wolfspeed 的碳化硅器件將被集成到豐田公司的純電動汽車中，Wolfspeed 的供應(yīng)鏈和碳化硅制造布局，確保了豐田實現(xiàn)其電氣化目標所需的穩(wěn)定性和連續(xù)性。

圖片來源：Wolfspeed官微稿件截圖

碳化硅作為高壓車載功率系統(tǒng)行業(yè)標準半導體的廣泛應(yīng)用，支持著汽車行業(yè)向清潔能源車輛的快速轉(zhuǎn)型。碳化硅以其為快速、高效、高功率密度的電動汽車動力總成系統(tǒng)賦能而聞名，其在車載輔助功率系統(tǒng)（如車載充電器）中的應(yīng)用也提供了諸多優(yōu)勢，能在車輛的整個生命周期內(nèi)提升電動汽車的整體擁有體驗。通過提供更高功率、更優(yōu)效率的功率系統(tǒng)，碳化硅能夠縮短車主的充電時間，并最大限度地減少車輛整體的能量損耗，從而提高續(xù)航里程并降低每次充電的成本。

Wolfspeed直接與OEM對接或通過一級(Tier 1)合作伙伴，支持一系列廣泛的電動汽車平臺，使其技術(shù)成為快速擴張的電動汽車生態(tài)系統(tǒng)的基本要素，進一步加速了碳化硅在電動汽車領(lǐng)域的“上車”步伐。

而在國內(nèi)，碳化硅“上車”的熱潮同樣洶涌澎湃。稍早之前，國內(nèi)三安光電與格力電器車用級碳化硅產(chǎn)品也傳出新進展。

格力電器透露，公司于2022年成立珠海格力電子元器件有限公司，全面負責第三代半導體碳化硅(SiC)晶圓制造、功率器件封裝測試及半導體檢測服務(wù)。

目前，電子元器件公司已經(jīng)通過IATF16949車規(guī)級質(zhì)量體系認證，并采用全自動化天車搬運系統(tǒng)為車規(guī)級產(chǎn)品提供了高一致性、可靠性保障；現(xiàn)在公司主要生產(chǎn)的650V及1200V電壓等級碳化硅肖特基二極管均已通過了AECQ101車規(guī)級可靠性認證，滿足了上車應(yīng)用的基本要求；另一主要產(chǎn)品碳化硅MOSFET，650V/1200V產(chǎn)品的工藝平臺的部分產(chǎn)品也通過了車規(guī)級可靠性認證。

三安光電全資子公司湖南三安半導體有限責任公司（以下簡稱“湖南三安”）近期在長沙舉行三安碳化硅芯片上車儀式，三安1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片成功搭載理想高壓平臺車型，驗證了其在性能、可靠性與批量交付能力上的市場認可度。

在未來三至五年，三安將持續(xù)加大在車規(guī)級SiC MOSFET與GaN（氮化鎵）制造服務(wù)平臺領(lǐng)域的研發(fā)投入，全力加速8英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡與良率提升，進一步鞏固其在第三代半導體產(chǎn)業(yè)中的核心競爭優(yōu)勢。

（集邦化合物半導體 秦妍 整理）

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該平臺核心是300毫米導電型碳化硅襯底，該襯底有著低電阻率、低缺陷密度和高均質(zhì)性的特點，能有效降低器件能耗、提升開關(guān)頻率與熱管理性能。

除了解決AI數(shù)據(jù)中心熱效率不足的痛點外，Coherent還計劃推動該技術(shù)規(guī)?；慨a(chǎn)，同時拓展其在AR/VR設(shè)備以及電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。比如用該技術(shù)制造更薄更高效的AR智能眼鏡與VR頭顯波導器件，也能在電力電子領(lǐng)域通過大尺寸晶圓特性降低單芯片成本。

資料顯示，Coherent成立于1971年，其業(yè)務(wù)覆蓋激光技術(shù)、光電子器件等多個核心領(lǐng)域。2022年7月，Coherent被II-VI公司以約70億美元收購，合并后沿用“Coherent”作為新公司名稱。此次整合實現(xiàn)了技術(shù)互補——原II-VI在砷化鎵、磷化銦、碳化硅等光電子材料和光器件領(lǐng)域的優(yōu)勢，與原Coherent的激光系統(tǒng)技術(shù)相結(jié)合，讓新公司具備了從材料到終端產(chǎn)品的全產(chǎn)業(yè)鏈控制能力。

Coherent高級副總裁兼總經(jīng)理GaryRuland表示：“人工智能正在改變數(shù)據(jù)中心的熱管理格局，碳化硅正成為實現(xiàn)這種可擴展性的基礎(chǔ)材料之一?！薄拔覀兊?00毫米平臺計劃大規(guī)模生產(chǎn)，帶來新的熱效率水平，直接轉(zhuǎn)化為更快、更節(jié)能的AI數(shù)據(jù)中心。”

此前7月，Coherent位于越南的SiC工廠正式落成。該工廠耗資1.27億美元（約合人民幣9.12億元），將生產(chǎn)碳化硅半導體、光學玻璃和先進光學器件。新工廠將對Coherent布局碳化硅及光學產(chǎn)品的產(chǎn)能發(fā)揮關(guān)鍵作用。

（文/集邦化合物半導體整理）

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1、山西中電科第二代立式碳化硅涂層裝備工藝迭代升級

近日，電科裝備山西中電科公司自主研發(fā)的第二代立式碳化硅涂層裝備成功實現(xiàn)工藝技術(shù)迭代升級，裝爐量提升70%，涂層周期縮短33%。

研發(fā)團隊歷經(jīng)30余次工藝試驗與結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化，成功攻克流場與溫場均勻性控制、涂層工藝匹配、減少副產(chǎn)物等技術(shù)難題。通過持續(xù)優(yōu)化工藝參數(shù)，在保障產(chǎn)品性能的前提下，較第一代立式碳化硅涂層裝備裝爐量提升70%。該裝備所生產(chǎn)的涂層產(chǎn)品技術(shù)指標全面達標，有效滿足市場多樣化、規(guī)?；枨蟆?/p>

圖片來源：電科裝備

后續(xù)，電科裝備山西中電科公司將繼續(xù)深耕半導體涂層裝備領(lǐng)域，持續(xù)提升自主創(chuàng)新與核心技術(shù)能力，助力公司高質(zhì)量發(fā)展。

2、捷佳偉創(chuàng)：半導體清洗設(shè)備、碳化硅高溫熱處理工藝設(shè)備都已出貨給客戶

12月2日，捷佳偉創(chuàng)在互動平臺表示，公司持續(xù)拓展半導體及第三代半導體領(lǐng)域，目前公司的半導體清洗設(shè)備、碳化硅高溫熱處理工藝設(shè)備都已出貨給客戶，并且公司在持續(xù)研發(fā)其他半導體及泛半導體相關(guān)設(shè)備。

早在9月份，該公司就透露，其碳化硅高溫熱處理設(shè)備已發(fā)貨給“行業(yè)頭部客戶”，半導體清洗設(shè)備亦不斷獲得新訂單，顯示出公司在第三代半導體設(shè)備領(lǐng)域的快速推進和客戶認可度。

業(yè)績層面，捷佳偉創(chuàng)延續(xù)“九連增”勢頭。該公司2025年前三季度營業(yè)收入131.06億元，同比增長6.17%；歸母凈利潤26.88億元，同比增長32.9%；毛利率29.07%、凈利率20.52%，同比分別提升1.27和4.13個百分點。

公司指出，利潤增長主要得益于前期大額在手訂單的持續(xù)驗收；短期收入增速放緩則與光伏行業(yè)擴產(chǎn)節(jié)奏減緩有關(guān)。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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格力電器介紹，公司于2022年成立珠海格力電子元器件有限公司，全面負責第三代半導體碳化硅(SiC)晶圓制造、功率器件封裝測試及半導體檢測服務(wù)。

目前，電子元器件公司已經(jīng)通過IATF16949車規(guī)級質(zhì)量體系認證，并采用全自動化天車搬運系統(tǒng)為車規(guī)級產(chǎn)品提供了高一致性、可靠性保障；現(xiàn)在公司主要生產(chǎn)的650V及1200V電壓等級碳化硅肖特基二極管均已通過了AECQ101車規(guī)級可靠性認證，滿足了上車應(yīng)用的基本要求；另一主要產(chǎn)品碳化硅MOSFET，650V/1200V產(chǎn)品的工藝平臺的部分產(chǎn)品也通過了車規(guī)級可靠性認證。

產(chǎn)線與客戶方面，格力電器表示，格力碳化硅芯片工廠以“自主可控、開放代工”為核心經(jīng)營策略，已建成國內(nèi)領(lǐng)先的#碳化硅晶圓產(chǎn)線，目前對外合作客戶覆蓋超20家芯片設(shè)計公司，業(yè)務(wù)模式以晶圓代工為主，同時提供封裝測試服務(wù)，客戶領(lǐng)域涵蓋新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)控制、家用電器等，不斷推動國產(chǎn)碳化硅芯片在多場景的替代應(yīng)用。

格力碳化硅功率芯片憑借耐高壓、耐高溫、高效率特性，已從家電領(lǐng)域拓展至新能源、工業(yè)及特種場景。

（集邦化合物半導體整理）

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1、納微半導體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合

12月1日，納微半導體宣布，其全新3300V與 2300V超高壓（UHV）SiC產(chǎn)品已正式開始向市場提供樣品，覆蓋功率模塊、分立器件及裸片（KGD）等多種形態(tài)。該系列產(chǎn)品在超高壓功率電子器件領(lǐng)域樹立了全新的可靠性與性能標桿。

納微全新3300V和2300V SiC器件基于其第四代GeneSiC?平臺研發(fā)，采用TAP（溝槽輔助平面柵技術(shù)）架構(gòu)，通過多級電場管理設(shè)計顯著降低電壓應(yīng)力、提升耐壓能力，相較傳統(tǒng)trench或平面型SiC MOSFET展現(xiàn)更優(yōu)的電壓特性和可靠性。

此外，納微進一步擴展3300V/2300V UHV SiC產(chǎn)品組合，提供靈活多樣的封裝格式，以滿足客戶端不同應(yīng)用的需求。針對高功率密度與高可靠性系統(tǒng)，推出了先進的SiCPAK? G+功率模塊，支持半橋與全橋拓撲。

據(jù)悉，SiCPAK? G+模塊采用獨特的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)，相比業(yè)內(nèi)常見的硅膠灌封方案，可實現(xiàn) >60%的功率循環(huán)壽命提升，以及>10倍的熱沖擊可靠性改進。

資料顯示，納微半導體成立于2014年，是全球下一代功率半導體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，核心技術(shù)聚焦氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）寬禁帶材料，產(chǎn)品覆蓋消費電子、AI數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等領(lǐng)域，氮化鎵芯片發(fā)貨超1.25億顆。

2、威世推出1200V SiC MOSFET功率模塊

12月4日，威世（Vishay ）正式推出兩款1200V SiC MOSFET功率模塊——VS-MPY038P120與VS-MPX075P120，兩款產(chǎn)品均基于威世新一代碳化硅技術(shù)打造，針對中高頻、高功率密度的功率轉(zhuǎn)換場景進行深度優(yōu)化，為能源、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域提供高效可靠的解決方案。

圖片來源：Vishay威世科技

其中，VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓撲，導通電阻低至38mΩ，在+80℃工況下可支持35A連續(xù)漏極電流；VS-MPX075P120 則采用三相逆變器拓撲，導通電阻為75mΩ，+80℃下連續(xù)漏極電流可達18A，兩款模塊均具備 1200V耐壓值與175℃最高工作結(jié)溫，能適配復雜工況下的長期穩(wěn)定運行。

目前，這兩款1200V SiC MOSFET功率模塊已正式進入量產(chǎn)階段，客戶可申請樣品測試，批量供貨周期約為13周，能夠快速響應(yīng)行業(yè)對高性能碳化硅功率器件的批量需求。

資料顯示，威世是全球電子元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，成立于1962年，專注無源與半導體器件研發(fā)制造。產(chǎn)品線覆蓋電阻、電容、電感等無源元件，以及二極管、傳感器等半導體與光電子產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費電子、航空航天等領(lǐng)域。

（集邦化合物半導體 Niko 整理）

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圖片來源：中科光智

項目落地金牛區(qū)，補強半導體封測產(chǎn)業(yè)鏈

近期，成都市金牛區(qū)人民政府與中科光智簽署投資合作協(xié)議，標志著碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中心項目在金牛高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)正式啟動。根據(jù)規(guī)劃，該項目不僅涵蓋高精度全自動貼片機及納米銀壓力燒結(jié)機等核心設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售與結(jié)算，還將同步打造半導體封裝測試驗證公共服務(wù)平臺。這一平臺將面向行業(yè)提供開放的共性技術(shù)驗證服務(wù)，有效降低中小企業(yè)的研發(fā)門檻與測試成本，成為金牛區(qū)完善電子信息產(chǎn)業(yè)生態(tài)、賦能全鏈創(chuàng)新的關(guān)鍵支撐。

對于致力于打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略備份基地的成都而言，該項目具有重要的補鏈意義。目前，金牛區(qū)已集聚了6家核心企業(yè)，主要集中在特種芯片與射頻微系統(tǒng)領(lǐng)域，但在制造環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)集中度相對薄弱，亟需優(yōu)質(zhì)項目引領(lǐng)。中科光智的入駐將直接填補金牛區(qū)在半導體制造后道環(huán)節(jié)封裝設(shè)備的空白，吸引產(chǎn)業(yè)鏈上下游集聚，增強區(qū)域產(chǎn)業(yè)競爭優(yōu)勢。

獲國資基金投資，深化西南戰(zhàn)略布局

此次落地是#中科光智 布局西南市場的關(guān)鍵一步。公司在官微透露，已完成B輪融資首家簽約，獲得成都市金牛區(qū)交子私募基金管理有限公司的數(shù)千萬元投資，并成立了中科光智（成都）科技有限公司。

成都子公司將服務(wù)于公司“立足總部，輻射全國”的戰(zhàn)略，通過建設(shè)總部與子公司之間的協(xié)同鏈路，充分發(fā)揮區(qū)域資源互補優(yōu)勢，實現(xiàn)“1+1＞2”的協(xié)同增益效應(yīng)。金牛區(qū)通過精準引育，將區(qū)域產(chǎn)業(yè)升級需求與企業(yè)戰(zhàn)略方向深度綁定，雙方將共同搶占國產(chǎn)替代的新機遇。

聚焦SiC封裝設(shè)備，實現(xiàn)核心機型國產(chǎn)替代

中科光智成立于2021年，專注于半導體封裝設(shè)備領(lǐng)域。憑借多年研發(fā)積累，公司率先在國內(nèi)推出用于高可靠性SiC芯片封裝的預(yù)貼片和納米銀燒結(jié)設(shè)備，并于2024年陸續(xù)導入客戶SiC模塊產(chǎn)線。

未來在金牛區(qū)研制的高精度全自動貼片機是公司的核心產(chǎn)品，直指國內(nèi)高端貼片裝備市場空白。該設(shè)備搭載先進運動控制與視覺識別系統(tǒng)，通過優(yōu)化貼片頭設(shè)計，在保證高精度與穩(wěn)定性的同時實現(xiàn)進口替代，大幅降低客戶成本。同時，公司的全自動多頭有壓燒結(jié)設(shè)備研發(fā)進展順利，即將投放市場，進一步完善其封裝全流程產(chǎn)品體系。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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