市場最新消息顯示，2月28日，士蘭微電子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目（廈門士蘭集宏一期）正式封頂。
據悉，士蘭集宏項目總投資120億元，分兩期建設，總建筑面積達23.45萬㎡，一期投資70億元，預計2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產，達產后年產能42萬片8英寸SiC芯片；二期投產后總產能將提升至72萬片/年，成為全球規(guī)模領先的8英寸SiC功率器件產線。
該項目以SiC MOSFET為核心產品，主要服務于新能源汽車主驅逆變器、光伏逆變器、智能電網等高需求領域。
公開資料顯示，士蘭集宏項目達產后可滿足國內40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求，并帶動上下游產業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導體材料、設備國產化進程。
碳化硅市場現(xiàn)狀：產能擴張引價格波動，資本追捧熱度不減
近年來，全球碳化硅襯底產能大幅提升，這在一定程度上導致了供過于求的現(xiàn)象。
行業(yè)多方消息顯示，碳化硅襯底市場價格在2024年中期，6英寸碳化硅襯底的價格已跌至500美元以下，到2024年第四季度，價格進一步下降至450美元，并還在持續(xù)走低。?價格的下降一方面是由于技術提升和規(guī)?；苿映杀窘档?，另一方面也是為了促進下游應用的擴展。在這種市場環(huán)境下，各大碳化硅襯底廠商均在加碼推進技術突破，以獲得更高的市場份額。
回顧2024年，我國就有超100家企業(yè)在碳化硅領域進行布局，其中2024年就有超50個碳化硅項目迎來最新進展，涉及的企業(yè)包括三安半導體、天科合達、重投天科、天岳先進、晶盛機電、同光股份、東尼電子、科友半導體等。其中合盛新材多家企業(yè)在8英寸襯底、外延、晶體生長以及設備等多領域的突破值得關注。
在襯底方面，國外多家大廠已與我國天科合達、天岳先進等企業(yè)簽訂了長期供貨協(xié)議。
多方行業(yè)人士表示，中國的碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領域，國內襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產品，無論是從產品的質量、產能還是價格，都已經具備了明顯的競爭力。預計未來幾年，國內頭部襯底企業(yè)將成為國際市場8英寸襯底的主要供應商，市場占比遠超目前的6英寸。
盡管市場存在價格波動等挑戰(zhàn)，但碳化硅產業(yè)鏈仍持續(xù)受到資本追捧。
據集邦化合物半導體數(shù)據顯示，2024年以來，碳化硅產業(yè)鏈就有44家公司獲得融資。其中廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、蘇州悉智科技有限公司等7家公司在年內均已完成兩輪融資。?從國內碳化硅產業(yè)鏈來看，襯底、器件、設備等細分領域均有企業(yè)完成新一輪融資。在產業(yè)擴產浪潮中，設備領域相關企業(yè)由于率先受益于產線建設需求，獲得了投資機構的加碼，2024 年有近半數(shù)的融資事件發(fā)生在該領域。
邁入2025年，忱芯科技、芯暉裝備、伏爾肯、易星新材料、翠展微電子、青禾晶元、純水一號、聚芯半導體、中江新材料、臻驅科技、瞻芯電子等超10家企業(yè)獲得新一輪融資，公開披露的融資金額總計超30億元。
總體而言，我國碳化硅產業(yè)近年來發(fā)展迅速，市場規(guī)模不斷擴大，其中在上游碳化硅襯底和外延制備技術方面取得了顯著進展，不斷縮小與國際先進水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國際大廠還存在較大差距。
目前我國有披露相關投產動態(tài)的8英寸碳化硅器件產線主要是士蘭微、芯聯(lián)集成、湖南三安、方正微四條產線。?其中士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線（一期）已全面封頂，安意法半導體8英寸碳化硅項目也在近日實現(xiàn)了通線投產；芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產線已于2024年通線；湖南三安投產在即，將正式轉型為8英寸SiC垂直整合制造商；方正微電子的Fab2的8英寸碳化硅生產線已于2024年底通線，2025年，方正微電子將具備年產16.8萬片車規(guī)級碳化硅MOS的生產能力。
而在技術層面，碳化硅功率器件技術仍在不斷發(fā)展完善。例如，在芯片封裝與測試方面，目前碳化硅芯片仍主要沿用硅基半導體技術，難以滿足其自身發(fā)展需求，急需創(chuàng)新。
在市場競爭方面，隨著越來越多的企業(yè)入局碳化硅產業(yè)，行業(yè)競爭日益激烈。企業(yè)不僅要在技術創(chuàng)新上發(fā)力，以提升產品性能、降低成本，還要注重產業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作，提前開展技術合作，共同應對市場挑戰(zhàn)。