近日， 英諾賽科在慕尼黑上海電子展（Electronica China）和武漢九峰山論壇暨化合物半導體產業(yè)博覽會（CSE）上展出的氮化鎵產品及解決方案，引發(fā)行業(yè)高度關注。
其中在數據中心領域，英諾賽科重點展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V 雙向器件（VGaN）、大功率合封氮化鎵 ISG6121TD、2kW四相交錯Buck、4.2kW服務器電源方案以及在數據中心和人形機器人應用中的多款解決方案。
source：英諾賽科
英諾賽科公開介紹道， 其中一款100V GaN產品，全球首款量產，先進的雙面散熱 En-FCLGA 封裝，與傳統(tǒng)的封裝相比，導熱率高出 65%。
INV100FQ030C是英諾賽科全球首款100V 雙向器件（VGaN），支持雙向導通和雙向關斷，采用FCQFN4x6封裝，具備超低導通電阻和更寬的SOA邊界，可在48V BMS系統(tǒng)、48V總線負載開關中實現電池保護。
大功率合封氮化鎵 ISG6121TD是一款行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產品，集成了柵極驅動和短路保護的GaN功率IC，采用TO-247-4L封裝，能夠幫助設計人員開發(fā)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關方案，可應用于數據中心/AI服務器PSU，車載OBC和DC-DC轉換器，實現功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。
2kW四相交錯Buck是2025年全新發(fā)布的方案，該方案采用四相交錯Buck拓撲，每相使用1顆INS2002FQ和4顆INN100EA035A實現功率傳輸，具備靈活的拓展性，效率超98%。
4.2kW服務器電源方案是英諾賽科與客戶合作開發(fā)，與傳統(tǒng)電源相比，其輕中載電能損耗可減少至少30%，實現超過96%的轉換效率。
此外，本月早些英諾賽科發(fā)布公告宣布其自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產品已實現量產，這款1200V氮化鎵（GaN）產品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本。
作為氮化鎵技術領域的創(chuàng)新先鋒，英諾賽科致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造。此次多款突破性產品的集中亮相，不僅印證了氮化鎵材料在高頻、高效場景中的核心價值，更彰顯了英諾賽科通過技術深耕推動產業(yè)升級的戰(zhàn)略定力。
（集邦化合物半導體 niko 整理）