文章分類： 企業(yè)

士蘭微、方正微電子碳化硅新動(dòng)態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 17 日 14:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，國內(nèi)碳化硅廠商方正微電子、士蘭微電子最新產(chǎn)品動(dòng)態(tài)曝光。 1、方正微電子發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品 近期，方正微電子正式發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，在第一代的高可靠基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實(shí)現(xiàn)了在行...  [詳內(nèi)文]

河南，發(fā)力碳化硅等相關(guān)材料領(lǐng)域！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 16 日 12:59 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，河南省工業(yè)和信息化廳、河南省財(cái)政廳、河南省科學(xué)院聯(lián)合關(guān)于發(fā)布《河南省重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2025版）》的通告，涉及碳化硅等碳材料： 鋁基碳化硅復(fù)合材料薄板 (1)厚度0.05mm至1.0mm；(2)屈服強(qiáng)度≥320MPa；(3)延伸率≥3%；(4)熱導(dǎo)率≥12...  [詳內(nèi)文]

實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)！英諾賽科發(fā)布氮化鎵新產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 16 日 12:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 公告介紹，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢(shì)，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源...  [詳內(nèi)文]

SK集團(tuán)擬151億元出售SK Siltron多數(shù)股權(quán)？

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 16 日 12:53 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)韓媒近日?qǐng)?bào)道，韓國SK集團(tuán)正在與私募基金Hahn & Company商討出售其持有的硅晶圓制造商SK Siltron的多數(shù)股權(quán)，交易估值約3萬億韓元（約合人民幣151億元）。 source：SK hynix 此次出售的股份總計(jì)70.6%，其中包括SK集團(tuán)直接持有的51...  [詳內(nèi)文]

獨(dú)家對(duì)話方正微電子彭建華：碳化硅領(lǐng)域的突破與展望

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 15 日 13:05 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
Q1：近期貴公司在碳化硅芯片領(lǐng)域取得了哪些突破？ 彭建華：方正微電子從2023年底實(shí)現(xiàn)車規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片量產(chǎn)，2024年進(jìn)一步提升生產(chǎn)制造質(zhì)量與良率，夯實(shí)基礎(chǔ)。 在關(guān)鍵的新能源汽車市場(chǎng)，無論是產(chǎn)品性能質(zhì)量，還是出貨量，方正微電子均處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。另外在光儲(chǔ)充UPS等工規(guī)...  [詳內(nèi)文]

上海成立一家芯片公司，或發(fā)力功率半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 15 日 13:01 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
企查查官網(wǎng)顯示，近期，海馭能科半導(dǎo)體（上海）有限公司成立，注冊(cè)資本為1億元，該公司主營半導(dǎo)體分立器件制造、電力電子元器件制造、電子專用材料制造等業(yè)務(wù)。 股權(quán)穿透顯示，海馭能科半導(dǎo)體（上海）有限公司由華域汽車旗下華域汽車系統(tǒng)（上海）有限公司、上海國策綠色科技制造私募投資基金合伙企業(yè)...  [詳內(nèi)文]

亞洲氧化鎵技術(shù)迎新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:44 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導(dǎo)體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動(dòng)著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢(shì)，掀起一場(chǎng)新的半導(dǎo)體革命。 氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]

12英寸碳化硅設(shè)備，三家企業(yè)實(shí)現(xiàn)突破！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:41 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期我國多家企業(yè)在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，推動(dòng)了我國在第三代半導(dǎo)體材料裝備制造方面的自主創(chuàng)新能力。 其中，晶馳機(jī)電成功開發(fā)出電阻法12英寸碳化硅晶體生長設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了同一爐臺(tái)8英寸和12英寸碳化硅單晶的穩(wěn)定量產(chǎn)；山西天成的12英寸碳化硅長晶爐也已進(jìn)入爐體組裝和工藝調(diào)試階段，計(jì)...  [詳內(nèi)文]

國際大廠擴(kuò)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)能！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:35 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月10日，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布了一項(xiàng)全面戰(zhàn)略計(jì)劃，旨在通過重塑制造布局和優(yōu)化全球成本基礎(chǔ)，提升其在半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。該計(jì)劃涉及先進(jìn)制造技術(shù)的投資以及全球生產(chǎn)基地的整合，目標(biāo)是在快速變化的碳化硅市場(chǎng)中占據(jù)有利地位。 source：意法半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]

營收與利潤雙增，三家化合物廠商財(cái)報(bào)最新披露

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 11 日 14:07 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，揚(yáng)杰科技、長電科技和英諾賽科等三家公司陸續(xù)公布財(cái)報(bào)。從財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)來看，三家公司均實(shí)現(xiàn)了營收與利潤的雙增長，同時(shí)在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張及市場(chǎng)拓展方面展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。 1、揚(yáng)杰科技 3月31日，揚(yáng)杰科技披露了其2024年度財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示，該公司2024年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入60....  [詳內(nèi)文]