5月27日,羅姆宣布推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用,可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅動,有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。
圖片來源:羅姆半...  [詳內文]
羅姆首款高耐壓GaN驅動器IC量產 |
作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 05 月 28 日 14:16
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關鍵字:
氮化鎵
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