氮化鎵x機(jī)器人,中科半導(dǎo)體發(fā)布新品

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 07 月 22 日 15:01 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN

7月21日,中科半導(dǎo)體宣布正式發(fā)布氮化鎵機(jī)器人智能快充芯片。

據(jù)了解,本次發(fā)布的氮化鎵(GaN)ASIC智能快充芯片(包括:CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901)四個(gè)型號(hào),通過“氮化鎵ASIC芯片+GaN功率管”集成的差異設(shè)計(jì),是為機(jī)器人定制化的快充專用芯片。

圖片來源:中科半導(dǎo)體

該芯片包括了1000W、200W、100W、65W四種規(guī)格,芯片內(nèi)置了快充協(xié)議,為響應(yīng)1000W超充場景下即時(shí)監(jiān)測電池狀態(tài)、通過人工智能算法技術(shù)和高采樣率的ADC監(jiān)測,對電子遷移過程形成全周期充電閉環(huán)監(jiān)控和管理。對電池充電過程的電壓、電流、電池?zé)崾Э亍⑦^充保護(hù)、電流突變和劣質(zhì)電池進(jìn)行安全監(jiān)測,降低異常電流引起的電子遷移風(fēng)險(xiǎn)和極端工況下的斷充響應(yīng),以降低“高倍率大容量電池”在家庭環(huán)境下的充電安全,是專業(yè)為家庭機(jī)器人、工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療機(jī)器人等高功率高倍率電池充電應(yīng)用場景設(shè)計(jì)的專用智能超充ASIC芯片解決方案。

中科半導(dǎo)體介紹道,(CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901)“氮化鎵ASIC芯片+GaN HEMT”設(shè)計(jì),內(nèi)置超充協(xié)議,電池監(jiān)測管理技術(shù)和ADC高速采樣監(jiān)測技術(shù),即時(shí)監(jiān)控和管理電池充電過程的電子遷移風(fēng)險(xiǎn),精準(zhǔn)契合具身機(jī)器人在家庭環(huán)境下充電安全的核心需求。

圖片來源:中科半導(dǎo)體

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,具有寬禁帶、高電子遷移率等特性,其開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅基器件快 100 倍,導(dǎo)通損耗降低 70% 以上。近年來,氮化鎵(GaN)在機(jī)器人領(lǐng)域開始邁向規(guī)?;瘧?yīng)用的實(shí)質(zhì)性跨越。

近期,業(yè)界最新消息顯示,我國頭部具身智能廠商上海智元機(jī)器人已經(jīng)開始搭載英諾賽科的氮化鎵(GaN)芯片,標(biāo)志著GaN器件正式突破消費(fèi)電子領(lǐng)域,成為人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的 “功率神經(jīng)”。據(jù)介紹,目前,智元人形機(jī)器人已在脖子、手肘等關(guān)鍵活動(dòng)關(guān)節(jié)的3個(gè)電機(jī)中應(yīng)用GaN器件,每個(gè)電機(jī)集成3顆GaN芯片,GaN器件已裝配至數(shù)百臺(tái)人形機(jī)器人。

此前4月中旬,由中國浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心人形機(jī)器人創(chuàng)新研究院聯(lián)合鏡識(shí)科技有限公司、杭州凱達(dá)爾焊接機(jī)器人股份有限公司共同發(fā)布的中國“黑豹2.0”四足機(jī)器人,便是搭載GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),功率密度提升至15kW/kg(行業(yè)平均水平為 8-10kW/kg),能效轉(zhuǎn)換效率達(dá)95%,控制響應(yīng)延遲壓縮至2 毫秒以內(nèi),支撐其實(shí)現(xiàn) 10 米 / 秒的極限奔跑速度。

5月17日,中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵(GaN)驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人關(guān)節(jié)模組(型號(hào):ZK-RI 0–PRO–B),具有250Hz高頻神經(jīng)反射與5ms全鏈路時(shí)延,峰值扭矩<18Nm和長時(shí)間持續(xù)工作低溫升特點(diǎn),適用于工業(yè)機(jī)器人、具身機(jī)器人及特種寬溫機(jī)器人設(shè)備等智能傳動(dòng)領(lǐng)域。

(集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理)

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