12月3日，英諾賽科（Innoscience）與安森美（Onsemi）半導(dǎo)體共同宣布，雙方簽署諒解備忘錄，探討利用Innoscience經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的200毫米氮化鎵對(duì)硅工藝，擴(kuò)大氮化鎵（GaN）功率器件的生產(chǎn)。
圖片來(lái)源：英諾賽科新聞稿截圖
此次合作將結(jié)合Onsemi的系統(tǒng)集成、驅(qū)動(dòng)和封裝專(zhuān)業(yè)知識(shí)，配合Innoscience的氮化鎵晶圓及大規(guī)模制造領(lǐng)導(dǎo)力，力求更快地將成本效益高、節(jié)能的解決方案推向市場(chǎng)，加速氮化鎵的普及。
雙方合作將擴(kuò)大Onsemi的低壓和中壓氮化鎵功率組合，并將氮化鎵制造規(guī)模擴(kuò)大到全球，從而加快市場(chǎng)供應(yīng)和更廣泛的采用。
雙方將依托#安森美 的GaN功率解決方案與英諾賽科的領(lǐng)先晶圓制造技術(shù)，共同瞄準(zhǔn)GaN功率器件市場(chǎng)——該市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到29億美元總體市場(chǎng)規(guī)模，為雙方帶來(lái)數(shù)億美元的潛在價(jià)值。
圖片來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖
兩家公司的技術(shù)預(yù)計(jì)將為工業(yè)、汽車(chē)、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)及人工智能數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)提供更小、更高效的氮化鎵解決方案。
多領(lǐng)域深度綁定：英諾賽科的氮化鎵生態(tài)版圖
英諾賽科是全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片企業(yè)，在蘇州、珠海擁有兩座8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)基地。采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，專(zhuān)注于氮化鎵芯片與電源模塊的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造，可提供15V至1200V全電壓譜系的氮化鎵晶圓、分立器件、集成功率集成電路及模組產(chǎn)品。產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、數(shù)據(jù)中心、可再生能源及工業(yè)電源等領(lǐng)域。
英諾賽科作為氮化鎵領(lǐng)域龍頭，合作企業(yè)既涵蓋英偉達(dá)、意法半導(dǎo)體這類(lèi)全球頂尖半導(dǎo)體及科技巨頭，同時(shí)還與美的、聯(lián)合電子等終端領(lǐng)域企業(yè)深度綁定，覆蓋半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及新能源、家電等應(yīng)用領(lǐng)域。
其中，今年10月，英諾賽科宣布成為英偉達(dá)800V直流電源架構(gòu)合作商名錄中唯一的中國(guó)芯片企業(yè)，為其提供氮化鎵功率器件，攜手推動(dòng)該架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；瘧?yīng)用，助力單機(jī)柜功率密度突破300kW，推動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心邁入兆瓦級(jí)供電時(shí)代。
稍早一點(diǎn)的4月，意法半導(dǎo)體與英諾賽科正式簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議，雙方攜手推進(jìn)氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃，目標(biāo)是攻克下一代氮化鎵技術(shù)，并在未來(lái)幾年內(nèi)共同推動(dòng)該技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用的光明前景。
國(guó)內(nèi)合作方面，今年7月，英諾賽科與聯(lián)合電子共建氮化鎵聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，聚焦車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵電驅(qū)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，以此支撐新能源汽車(chē)的高壓快充和電機(jī)控制需求，推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在新能源汽車(chē)電力電子系統(tǒng)中的落地。
此外，英諾賽科與美的集團(tuán)旗下多個(gè)子公司與英諾賽科達(dá)成合作，其中700V高壓氮化鎵產(chǎn)品已在美的抽油煙機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，還和美的威靈在空調(diào)電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域開(kāi)展戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在家電領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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