文章分類： 氮化鎵GaN

年產(chǎn)10萬片，遼寧將增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 10 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“百思特達(dá)”）氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目傳來新進(jìn)展：該項(xiàng)目已進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段。 據(jù)此前披露消息，項(xiàng)目于2019年11月開工建設(shè)，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車間、1棟芯片封裝及...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目進(jìn)展順利

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 06 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
1月6日，捷捷微電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司南通“高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”一期進(jìn)度符合預(yù)期，主要是針對(duì)產(chǎn)能及良率來設(shè)定預(yù)期，公司生產(chǎn)的產(chǎn)品良率也在預(yù)期內(nèi)，保持在95%以上。 此前，捷捷微電稱，目前公司推出的車規(guī)級(jí)SGT MOSFETs產(chǎn)品，部分產(chǎn)品已在新能源車上實(shí)現(xiàn)車用，客...  [詳內(nèi)文]

GaN上車提速，納微、英諾賽科等12大廠商誰跑得更快？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 06 日 10:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著世界各地脫碳行動(dòng)加速提上日程，電動(dòng)汽車行業(yè)發(fā)展如日中升。盡管短期內(nèi)，電動(dòng)汽車的銷量仍受疫情、地緣政治等不穩(wěn)定因素的影響，但部分地區(qū)得益于供需關(guān)系改善，近期汽車行業(yè)產(chǎn)銷兩旺，如中國市場(chǎng)。 根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，6月中國電動(dòng)汽車滲透率為23.8%，產(chǎn)量和銷售分別是59萬輛...  [詳內(nèi)文]

多元化GaN設(shè)計(jì)，市場(chǎng)進(jìn)入高速成長(zhǎng)期

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 04 日 16:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng) GaN最具爆發(fā)力 全球電力設(shè)備數(shù)量與規(guī)格不斷提升，帶動(dòng)功率半導(dǎo)體需求持續(xù)成長(zhǎng)，且在第三類半導(dǎo)體材料導(dǎo)入下，整體市場(chǎng)蓬勃發(fā)展；其中，全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)從2021年1.1億美元成長(zhǎng)到2025年13.2億美元，CAGR達(dá)86%。因基期較低，GaN成...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體作為西部重點(diǎn)，深圳發(fā)展計(jì)劃即將發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 30 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
深圳是中國重要的電子技術(shù)中心，多年來十分重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，旨在培育產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈，形成產(chǎn)業(yè)協(xié)同聯(lián)動(dòng)效應(yīng)。其中，第三代半導(dǎo)體作為近幾年的新興技術(shù)，也已經(jīng)成為政府重點(diǎn)培育的產(chǎn)業(yè)之一，相關(guān)利好政策不斷出臺(tái)。 近日，深圳舉辦了2022中國（深圳）集成電路峰會(huì)，會(huì)上透露...  [詳內(nèi)文]

比亞迪投資了第三代半導(dǎo)體設(shè)備廠邑文科技

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 26 日 17:02 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查官網(wǎng)顯示，12月23日，無錫邑文電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：邑文科技）發(fā)生工商變更，新增比亞迪等新股東，注冊(cè)資本變更為1947.6655萬元。 邑文科技成立于2011年3月，專注于半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、制造，主要產(chǎn)品為刻蝕工藝設(shè)備和薄膜沉積工藝設(shè)備，應(yīng)用于半導(dǎo)體（IC及...  [詳內(nèi)文]

應(yīng)用材料將建下一代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 23 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，應(yīng)用材料宣布，計(jì)劃在美國的創(chuàng)新基礎(chǔ)設(shè)施上投資數(shù)十億美元，并從現(xiàn)在到2030年擴(kuò)大其全球制造能力。 該公司計(jì)劃在加州森尼維爾建立下一代基礎(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)和工藝設(shè)備研發(fā)中心，其規(guī)模將取決于政府的支持。這項(xiàng)投資計(jì)劃于2023年初在硅谷啟動(dòng)。 此外，該公司還在對(duì)其全球各地的基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行...  [詳內(nèi)文]

55所牽頭承擔(dān)的“寬帶射頻功率放大器”項(xiàng)目成功獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:24 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國家科技部公布了2022年國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃立項(xiàng)資助名單。55所牽頭承擔(dān)的“寬帶射頻功率放大器”項(xiàng)目成功獲批。 “寬帶射頻功率放大器”項(xiàng)目基于第三代半導(dǎo)體GaN開展超寬帶射頻功率管的設(shè)計(jì)與制造研究，計(jì)劃研究一套寬頻帶射頻功率放大器，實(shí)現(xiàn)寬帶射頻功放在超高場(chǎng)磁共振的工程應(yīng)用，為...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科出貨量破億

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 16:41 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)外媒報(bào)道，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。 據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，英諾賽科的8英寸晶圓產(chǎn)線自2019年開始大規(guī)模生產(chǎn)，并于2021年成為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，產(chǎn)能足以支撐全球市場(chǎng)對(duì)GaN FETs的強(qiáng)勁需求。2022年，英諾賽...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導(dǎo)體在4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)領(lǐng)域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：銘鎵半導(dǎo)體）使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，并且進(jìn)行了多次重復(fù)性實(shí)驗(yàn)，成為國內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。 銘...  [詳內(nèi)文]