文章分類(lèi)： 氮化鎵GaN

AI、機(jī)器人、氮化鎵等浪潮來(lái)襲，英飛凌四大新品亮劍

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 31 日 15:35 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話(huà)題展開(kāi)了深度探討，其首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

新凱來(lái)、電科裝備、高測(cè)股份大動(dòng)作，瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體等發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 27 日 12:34 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
SEMICON China 2025正如火如荼在上海召開(kāi)，半導(dǎo)體設(shè)備參展廠商活躍，吸引觀眾駐足。值得一提的是，本次展會(huì)上，圍繞第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域，包括新凱來(lái)、電科裝備、高測(cè)股份等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商拿出了最新產(chǎn)品與方案。 1、新凱來(lái)展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！ ...  [詳內(nèi)文]

日本住友利用二英寸金剛石襯底制備出氮化鎵器件

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 27 日 12:02 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
日本住友電氣工業(yè)株式會(huì)社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過(guò)革命性散熱架構(gòu)設(shè)計(jì)，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]

全球首創(chuàng)！我國(guó)九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮化鎵材料新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 24 日 14:17 | | 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)九峰山實(shí)驗(yàn)室3月22日消息，九峰山實(shí)驗(yàn)室的科研團(tuán)隊(duì)在全球首創(chuàng)性地實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備，這一成果不僅標(biāo)志著我國(guó)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重大進(jìn)步，更為未來(lái)諸多前沿技術(shù)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 1、技術(shù)突破：氮極性氮化鎵材料的制備 ...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 21 日 14:47 | | 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，意法半導(dǎo)體（ST）與重慶郵電大學(xué)正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議，開(kāi)啟深度合作新篇章。 據(jù)悉，此次簽約是落實(shí)2023年11月意法半導(dǎo)體與重慶高新區(qū)《人才培養(yǎng)與聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)際合作備忘錄》的重要舉措，旨在服務(wù)重慶“33618”現(xiàn)代制造業(yè)集群建設(shè)戰(zhàn)略，助力智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)聯(lián)合，攻關(guān)8英寸外延片功率器件工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 21 日 14:42 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)深圳國(guó)資消息，3月18日，重投天科與鵬進(jìn)高科、尚陽(yáng)通科技正式簽署合作協(xié)議，共同聚焦于8英寸外延片功率器件工藝的聯(lián)合攻關(guān)。這一合作標(biāo)志著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在關(guān)鍵材料技術(shù)領(lǐng)域的深度協(xié)同，旨在突破高端功率器件制造中的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。 source：深重投集團(tuán) 8英寸外延片是半導(dǎo)體制造中的...  [詳內(nèi)文]

華潤(rùn)微旗下公司發(fā)力，氮化鎵外延片項(xiàng)目將投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 20 日 16:06 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
海創(chuàng)集團(tuán)官微消息，近日，潤(rùn)新微電子集團(tuán)有限公司與大連海創(chuàng)集團(tuán)有限公司下屬建設(shè)發(fā)展公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作，宣布入駐黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園。 上述項(xiàng)目是第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延材料和電子元器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的重要基地總建筑面積6238.38平方米，同時(shí)配套有占地面積2966.6平方米的附屬設(shè)...  [詳內(nèi)文]

EPC專(zhuān)利被判決無(wú)效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:19 |
| 分類(lèi): 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 氮化鎵GaN
3月19日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英諾賽科”）宣布，其在與美國(guó)宜普公司（EfficientpowerConversionCorporation，EPC）發(fā)起的專(zhuān)利侵權(quán)案中取得決定性勝利。 3月18日,美國(guó)專(zhuān)利局（USPTO）對(duì)EPC涉案專(zhuān)利(US’294號(hào)專(zhuān)...  [詳內(nèi)文]

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專(zhuān)利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:07 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器”的專(zhuān)利。 專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上...  [詳內(nèi)文]

杭州第三代半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目迎新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:04 | | 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息，愛(ài)矽科技園項(xiàng)目已完成40%的施工進(jìn)度。計(jì)劃今年年底，園區(qū)全部結(jié)頂竣工，爭(zhēng)取明年5月投入使用。 該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開(kāi)工，項(xiàng)目計(jì)劃打造臨安首個(gè)集芯片設(shè)計(jì)研發(fā)、先進(jìn)封裝封測(cè)、功率器件封裝封測(cè)等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬(wàn)平方...  [詳內(nèi)文]