文章分類： 氮化鎵GaN

華為最新披露，1200V全垂直GaN技術(shù)進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
華為公司與山東大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日聯(lián)合宣布，他們?cè)诟邏弘娏﹄娮悠骷I(lǐng)域取得了重大突破。雙方成功開發(fā)出一種1200V全垂直GaN-on-Si溝槽MOSFET，其核心技術(shù)創(chuàng)新——氟注入終端（FIT-MOS）技術(shù)——顯著提升了器件的性能，使其達(dá)到了與成本高昂的GaN襯底器件相當(dāng)?shù)乃?。這...  [詳內(nèi)文]

韓國650V氮化鎵功率半導(dǎo)體，實(shí)現(xiàn)首次量產(chǎn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，韓國半導(dǎo)體公司ChipScale宣布，已經(jīng)成功量產(chǎn)650V氮化鎵功率半導(dǎo)體，成為韓國首家實(shí)現(xiàn)這一技術(shù)的公司。 ChipScale是一家韓國無晶圓廠（Fabless）半導(dǎo)體公司，位于京畿道，專注于氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與開發(fā)。據(jù)悉該公司的核心技術(shù)人員來自于韓國電子通...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科第三代700V氮化鎵全面上市

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 20 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月18日，英諾賽科宣布其第三代(Gen3) 700V 增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列正式全面上市。 圖片來源：英諾賽科 相較Gen2.5，英諾賽科Gen3產(chǎn)品核心性能實(shí)現(xiàn)躍升，具體包括： 芯片面積縮減30%：通過先進(jìn)的工藝優(yōu)化與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，助力實(shí)現(xiàn)更高功率密度設(shè)計(jì)...  [詳內(nèi)文]

超過碳化硅！新型氮化鎵晶體管已突破800℃高溫

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，由賓夕法尼亞州立大學(xué)電氣工程教授Rongming Chu領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)，設(shè)計(jì)出了一種可在800?℃下工作的氮化鎵晶體管——足以熔化食鹽的高溫。這項(xiàng)技術(shù)突破不僅挑戰(zhàn)了現(xiàn)有半導(dǎo)體材料的物理極限，更可能重塑極端環(huán)境下電子設(shè)備的設(shè)計(jì)邏輯。 傳統(tǒng)硅基晶體管因帶隙較窄（1.12eV），...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)積電宣布退出/調(diào)整6、8英寸產(chǎn)能，SiC、GaN受關(guān)注！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）披露，董事會(huì)已決定在未來兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對(duì)第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。 臺(tái)積電在聲明中指出，此項(xiàng)決定不會(huì)影響公司先前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)，即2025年美元營收將增長(zhǎng)約30...  [詳內(nèi)文]

深圳在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳國資”官微消息，近期由市屬國企深重投集團(tuán)與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)（以下簡(jiǎn)稱“國創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。 國創(chuàng)中心首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。這一成果...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed、英諾賽科動(dòng)態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動(dòng)IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動(dòng)力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動(dòng)能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車...  [詳內(nèi)文]

國際首次突破！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室攻克GaN/SiC單片集成技術(shù)瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室官微宣布，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室近日在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內(nèi)文]

中芯國際：未來將配合建立SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績(jī)會(huì)上表示，公司未來將根據(jù)國際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著中芯國際在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展，旨在滿足國內(nèi)市場(chǎng)對(duì)高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)射頻新篇章，歐益睿芯6英寸GaN工藝平臺(tái)開放

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
隨著5G/6G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應(yīng)用場(chǎng)景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。在國際廠商主導(dǎo)的市場(chǎng)格局下，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的自主化進(jìn)程對(duì)高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺(tái)需求日益迫切。 近日，合肥歐益睿芯科技有限公...  [詳內(nèi)文]