煙山科技率先打通8英寸硅基氮化鎵MicroLED混合集成工藝

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:14 | 分類 氮化鎵GaN

近日,莫干山基金已投項(xiàng)目煙山科技在MicroLED核心制造工藝上取得了重大突破。該公司率先在8英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)平臺上完成了混合集成(Hybrid Bonding)工藝的全流程打通,并成功點(diǎn)亮了大尺寸MicroLED面板。

與傳統(tǒng)鍵合集成工藝相比,Hybrid Bonding工藝為整個行業(yè)帶來了三個“顯著提升”。

首先,光提取效率顯著提升。煙山科技采用倒梯形三面反射的高出光結(jié)構(gòu),使得MicroLED芯片的光提取效率提升了數(shù)倍,從而保持更高的發(fā)光效率。

其次,加工良率顯著提升。Hybrid Bonding工藝的引入極大地降低了死點(diǎn)數(shù),能夠確保6N以上的連通率,將MicroLED的加工良率提升近乎一倍。

最后,分辨率顯著提升。由于Hybrid Bonding采用了CMOS/LED晶圓的高精度對準(zhǔn)鍵合,像素間距下降了超3倍,能夠?qū)崿F(xiàn)超20000 PPI的高清分辨率。

在最新的樣機(jī)中,煙山科技的MicroLED面板表現(xiàn)出色。測試數(shù)據(jù)顯示,該面板整體點(diǎn)亮良率顯著提升,死點(diǎn)率大幅下降,光電性能穩(wěn)定可靠。更高的光效意味著同等功耗下的亮度提升,而均勻的發(fā)光一致性則為高分辨率顯示奠定了基礎(chǔ)。

對于整個顯示產(chǎn)業(yè)而言,煙山科技率先打通的8英寸硅基MicroLED Hybrid Bonding工藝具有重要意義。高良率和高光效的實(shí)現(xiàn),將推動MicroLED加速走向量產(chǎn)階段,并使其在消費(fèi)級AR眼鏡、微投影、光通信等領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的競爭優(yōu)勢。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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