華為近日公布了兩項(xiàng)涉及碳化硅散熱技術(shù)的專利，分別為《導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用》和《一種導(dǎo)熱吸波組合物及其應(yīng)用》。
前者專利提供了一種導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用。
圖片來源：國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利信息截圖
該導(dǎo)熱組合物包括基體材料和導(dǎo)熱填料；導(dǎo)熱填料包括大粒徑填料和小粒徑填料，所述大粒徑填料與小粒徑填料的平均粒徑的比值在3以上，所述大粒徑填料至少包括平均球形度在0.8以上的碳化硅填料。該導(dǎo)熱組合物的大粒徑填料包括球形度在0.8以上的碳化硅填料，可使得含這樣的導(dǎo)熱填料的導(dǎo)熱組合物的流動(dòng)性較高，且導(dǎo)熱性能優(yōu)良，便于滿足電子設(shè)備領(lǐng)域?qū)C合性能優(yōu)異的導(dǎo)熱材料的需求。
后者專利提供了一種導(dǎo)熱吸波組合物及其應(yīng)用。
圖片來源：國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利信息截圖
該組合物包括包括有機(jī)基體、導(dǎo)熱填料和吸波填料；導(dǎo)熱填料包括大粒徑導(dǎo)熱粒子和小粒徑導(dǎo)熱粒子，大粒徑導(dǎo)熱粒子包括高球形度高純碳化硅填料；其中，高球形度高純碳化硅填料的球形度在0.8以上，碳化硅的質(zhì)量含量大于或等于99.0％；吸波填料包括球形羰基鐵和片狀羰基鐵。該組合物中大粒徑導(dǎo)熱粒子包括上述碳化硅填料，使得該組合物的流動(dòng)性及導(dǎo)熱性能好，再加上該碳化硅填料與球形羰基鐵、片狀羰基鐵的協(xié)同配合，還可使得該組合物的吸波性能良好，能滿足電子設(shè)備領(lǐng)域?qū)C合性能優(yōu)異的導(dǎo)熱和/或吸波功能材料的需求。
碳化硅成為芯片散熱新路線
碳化硅材料以其高達(dá)500W/mK的熱導(dǎo)率而聞名，遠(yuǎn)超硅的150W/mK和陶瓷基板的200~230W/mK，且其熱膨脹系數(shù)與芯片材料匹配，適合高功率AI芯片的散熱需求。
隨著AI芯片功率的不斷提升，散熱問題日益突出，尤其是英偉達(dá)的GPU芯片功率已從700W提升至1400W，未來可能接近2000W。
此前有媒體報(bào)道，#英偉達(dá) 計(jì)劃在其新一代Rubin處理器中將中間基板材料從硅更換為碳化硅，以提高散熱性能，預(yù)計(jì)將在2027年開始大規(guī)模應(yīng)用。
針對碳化硅散熱，多家公司在投資者互動(dòng)平臺(tái)有所披露：
天岳先進(jìn)表示，公司在前瞻性技術(shù)創(chuàng)新上繼續(xù)布局，除供應(yīng)應(yīng)用于功率器件、射頻器件的碳化硅襯底材料外，公司還廣泛布局了光波導(dǎo)、TF-SAW濾波器、散熱部件等新興領(lǐng)域的碳化硅產(chǎn)品及技術(shù)。
三安光電表示，公司持續(xù)推進(jìn)碳化硅襯底在AI/AR眼鏡、熱沉散熱等方向的應(yīng)用，熱沉散熱用碳化硅材料早已開始研發(fā)，目前處于送樣階段。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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