7月23日，浙江晶越半導體有限公司宣布已成功研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，這標志晶越成功進入12英寸SiC襯底梯隊。
圖片來源：浙江晶越半導體有限公司
2025年上半年，晶越半導體已經(jīng)成功量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底，后續(xù)持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場設(shè)計、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調(diào)整和優(yōu)化工藝，成功攻克12英寸襯底。
公開資料顯示，晶越半導體成立于2020年，總部位于浙江省嵊州市，聚焦8-12英寸導電型碳化硅襯底及其外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源車輛、充電樁、高速鐵路、通信基站等領(lǐng)域。2021年，晶越半導體完成A輪融資，隨后2022年又完成了一輪融資。
同日，山西天成半導體材料有限公司也宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料。
圖片來源：天成半導體
據(jù)了解，天成半導體先后攻克了大尺寸擴徑工藝和低缺陷N型單晶材料的生長工藝，此次12英寸N型碳化硅單晶材料的成功研發(fā)是天成半導體在大尺寸碳化硅單晶材料領(lǐng)域的重要里程碑事件。
天成半導體成立于2021年，是一家專注于第三代半導體碳化硅（SiC）襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)及晶體生長裝備制造的高新技術(shù)企業(yè)。2022年實現(xiàn)了6英寸導電型和半絕緣型碳化硅晶錠的小批量生產(chǎn)，2024年公司實現(xiàn)了8英寸SiC單晶技術(shù)研發(fā)突破，2025年月，其自主研發(fā)12英寸碳化硅長晶爐已進入爐體組裝和工藝調(diào)試階段，計劃于2025年第三季度投放市場。
12英寸SiC襯底主要玩家
研制12英寸碳化硅（SiC）襯底是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢，大尺寸襯底的核心優(yōu)勢在于提升單位面積芯片產(chǎn)出效率。并且全球半導體制造業(yè)已形成以12英寸硅基晶圓為主的成熟產(chǎn)線，而碳化硅襯底的尺寸升級需與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)體系兼容。
大尺寸SiC襯底的研制過程本身就是對材料質(zhì)量的極致考驗。當前我國在12英寸SiC襯底領(lǐng)域已形成技術(shù)突破的核心企業(yè)主要包括天岳先進、天科合達、晶越半導體、浙江晶瑞、晶馳光電、南砂晶圓、爍科晶體，而三安光電此前披露12英寸SiC襯底正在開發(fā)中。
天岳先進作為全球碳化硅襯底技術(shù)革新者，已實現(xiàn)12英寸全系列襯底（N型、P型、半絕緣型）的研發(fā)與量產(chǎn)布局。其12英寸高純半絕緣襯底憑借光學性能優(yōu)勢，已成為AR眼鏡光波導鏡片的核心材料。
天科合達推出12英寸熱沉級襯底，并計劃于2025年下半年推出12英寸光學級襯底，2026年實現(xiàn)8英寸光學級襯底的小規(guī)模量產(chǎn)，主要面向AR眼鏡、先進封裝等新興市場。其12英寸產(chǎn)品通過軟件仿真與硬件革新雙重賦能，成功實現(xiàn)大尺寸晶體生長，并開發(fā)出適配8-12英寸晶體的單晶生長爐。
浙江晶瑞2025年5月實現(xiàn)12英寸導電型SiC單晶生長技術(shù)突破，晶體直徑達309mm，其8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)，12英寸產(chǎn)品的研發(fā)為我國SiC產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供了技術(shù)支撐。
晶馳光電展示了12英寸導電型SiC晶錠，并規(guī)劃了總計70萬片的產(chǎn)能布局（含保定、淶源、保定新材料工廠）。公司通過多工廠協(xié)同生產(chǎn)，逐步提升大尺寸襯底的規(guī)?；?yīng)能力。
南砂晶圓2025年正式展示12英寸導電型SiC襯底，擁有廣州、中山、濟南三大生產(chǎn)基地，形成完整的碳化硅單晶生長和襯底制備生產(chǎn)線。其產(chǎn)品覆蓋6英寸、8英寸及12英寸，技術(shù)路線成熟。
爍科晶體作為中電科旗下企業(yè)，展示了12英寸N型導電型襯底，依托集團資源在半導體材料領(lǐng)域具備較強的研發(fā)與量產(chǎn)能力。其技術(shù)路線聚焦于功率器件應(yīng)用，為國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈提供關(guān)鍵材料支持。
我國12英寸SiC襯底梯隊正在逐步擴大，隨著AR眼鏡、先進封裝等新興市場的崛起，12英寸襯底的應(yīng)用場景將進一步拓展，推動我國SiC產(chǎn)業(yè)鏈向高端化、規(guī)模化發(fā)展。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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