截至2025年11月，碳化硅市場正經(jīng)歷關(guān)鍵的價值重估與結(jié)構(gòu)性分化。在價格端，低端大宗原料成本推升價格上漲，而主流6英寸襯底則因產(chǎn)能過剩而持續(xù)暴跌。但在應(yīng)用端，SiC憑借其卓越散熱性能，極有可能成為NVIDIA Rubin平臺和臺積電先進(jìn)封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略性關(guān)鍵材料，預(yù)示SiC產(chǎn)業(yè)將迎來由HPC應(yīng)用驅(qū)動的第二波高價值增長。
1、SiC價格趨勢分析：基礎(chǔ)原料上揚(yáng)與高階襯底價格戰(zhàn)
近期碳化硅（SiC）市場價格呈現(xiàn)出明顯的結(jié)構(gòu)性分化特征。
一方面，SiC大宗流通價格（如黑碳化硅、綠碳化硅的流通粉末或顆粒）受多重因素推動而走強(qiáng)。根據(jù)CIP商品行情網(wǎng)、生意社等價格網(wǎng)站披露，過去一周SiC流通價報(bào)每公噸6,271人民幣，實(shí)現(xiàn)0.21%的周漲幅。
這波上漲主要由三股力量驅(qū)動：原材料成本的堅(jiān)挺、下游需求應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)擴(kuò)大，以及供應(yīng)端因環(huán)保檢查或產(chǎn)能限制所導(dǎo)致的供應(yīng)整頓。這些因素共同作用，將成本壓力傳導(dǎo)至市場流通環(huán)節(jié)，推動基礎(chǔ)原料價格上揚(yáng)。
另一方面，用于功率器件的高階6英寸SiC晶圓襯底市場卻面臨激烈的價格競爭。由于全球主要制造商產(chǎn)能的快速釋放，市場一度出現(xiàn)供過于求的風(fēng)險(xiǎn)，導(dǎo)致SiC襯底價格持續(xù)暴跌。
供應(yīng)鏈消息顯示，襯底價格在2024年年中至Q4期間已跌至500美元/片以下，降幅超過20%。進(jìn)入2025年后，價格競爭仍在持續(xù)，主流報(bào)價保持在400美元/片左右或更低，部分產(chǎn)品報(bào)價甚至逼近生產(chǎn)商的成本線，市場競爭格局正在加速洗牌。
圖片來源：千庫網(wǎng)
2、應(yīng)用趨勢聚焦：AI高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的結(jié)構(gòu)性爆發(fā)
SiC在高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的導(dǎo)入確定性，成為截至2025年11月最新的強(qiáng)勁增長驅(qū)動力。隨著AI算力芯片（如GPU）的功率飆升，傳統(tǒng)散熱材料難以應(yīng)對，SiC憑借其卓越的導(dǎo)熱性能（熱導(dǎo)率高達(dá)500W/mK）成為解決方案的核心。
行業(yè)最新消息顯示，全球龍頭企業(yè)的布局已透露出最新進(jìn)展：
NVIDIA平臺導(dǎo)入SiC襯底作為中介層：英偉達(dá)（NVIDIA）傳出將在2025年推出的Rubin平臺中導(dǎo)入SiC技術(shù)。計(jì)劃與臺積電合作，將現(xiàn)行的CoWoS先進(jìn)封裝工藝中的硅中介層升級為碳化硅（SiC Interposer），以應(yīng)對高功耗散熱挑戰(zhàn)。
臺積電推動12英寸SiC載板供應(yīng)鏈：晶圓代工巨頭#臺積電（TSMC）正積極推動供應(yīng)鏈配合，研究將12英寸單晶碳化硅應(yīng)用于散熱載板，以取代現(xiàn)有的陶瓷基板，解決未來HPC芯片極限熱功耗問題。襯底龍頭企業(yè)之一天岳先進(jìn)也已在2025年Q1推出全系列12英寸SiC襯底，為此應(yīng)用提供材料基礎(chǔ)。
數(shù)據(jù)中心架構(gòu)轉(zhuǎn)型：受惠于NVIDIA推動數(shù)據(jù)中心過渡至800V HVDC架構(gòu)，對SiC功率元件的需求可望大幅躍升，進(jìn)一步擴(kuò)大SiC在AI服務(wù)器電源供應(yīng)鏈中的市場份額。
新興光學(xué)應(yīng)用：VR/AR/MR眼鏡：SiC因其折射率高達(dá)2.6-2.7（遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)玻璃），有潛力用于制造AR/MR眼鏡的核心光學(xué)元件，幫助設(shè)備實(shí)現(xiàn)更輕薄、視場角更廣（例如70度以上）的設(shè)計(jì)，有望成為下一代消費(fèi)電子光學(xué)元件的關(guān)鍵材料。
這些舉措標(biāo)志著SiC不僅限于電力電子，更將深度參與到HPC的核心散熱體系中，開辟了SiC產(chǎn)業(yè)的第二成長曲線。
3、結(jié)語
截至2025年11月，SiC市場正經(jīng)歷從產(chǎn)能擴(kuò)張到應(yīng)用升級的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。盡管高階襯底市場的價格戰(zhàn)和整合仍在持續(xù)，但資本市場已將目光從短期價格波動轉(zhuǎn)向SiC在AI/HPC領(lǐng)域的長期戰(zhàn)略價值。
預(yù)期未來幾年，隨著NVIDIA和TSMC平臺SiC方案的落地，產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入需求結(jié)構(gòu)性爆發(fā)期，技術(shù)領(lǐng)先且具備成本控制優(yōu)勢的企業(yè)將主導(dǎo)市場，并引領(lǐng)SiC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一個更高價值、更廣應(yīng)用的新紀(jì)元。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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