近期，據(jù)重慶眾致環(huán)保有限公司披露的環(huán)保驗收文件顯示，安意法半導(dǎo)體位于重慶的8英寸碳化硅（SiC）外延與芯片項目一期一階段已通過竣工環(huán)境保護(hù)驗收，并于2025年5月進(jìn)入試生產(chǎn)階段。
圖片來源：環(huán)保驗收文件截圖
目前，該條生產(chǎn)線已具備年產(chǎn)2萬片車規(guī)級MOSFET芯片的能力，產(chǎn)品將主要面向新能源汽車、光伏儲能及充電樁等高壓高功率應(yīng)用場景。
根據(jù)投資方案，安意法8英寸SiC項目總體分兩期建設(shè)，每期設(shè)計年產(chǎn)能26萬片車規(guī)級MOSFET芯片，全面達(dá)產(chǎn)后合計年產(chǎn)52萬片。一期一階段先行釋放2萬片年產(chǎn)能，后續(xù)產(chǎn)能將根據(jù)市場需求與設(shè)備搬入節(jié)奏逐年爬坡。項目總占地約30.8萬平方米，總建筑面積約25.5萬平方米，涵蓋芯片廠房、外延廠房、動力中心、廢水處理站及配套辦公樓等完整生產(chǎn)與輔助設(shè)施。
據(jù)悉，重慶三安意法半導(dǎo)體碳化硅項目包含2個工廠：安意法8英寸SiC晶圓制造廠（由三安光電和意法半導(dǎo)體共同成立），以及8英寸SiC襯底制造廠（由三安獨立運營）。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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