文章分類： 碳化硅SiC

英諾賽科重磅新品，大功率氮化鎵來襲

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:37 |
| 分類: 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
英諾賽科宣布發(fā)布新品GaN 功率 IC： 采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。 ISG612xTD SolidGaN IC ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功...  [詳內(nèi)文]

深圳/香港，碳化硅技術(shù)研究迎來新進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:30 |
| 分類: 射頻 , 碳化硅SiC
近年來，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其卓越的高溫、高頻、高電壓性能，在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和市場(chǎng)價(jià)值。隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅技術(shù)不斷取得突破。近期，深圳與香港碳化硅研究新進(jìn)展曝光。 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室SiC襯底激...  [詳內(nèi)文]

晶升股份：公司現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長(zhǎng)的瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 11:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，晶升股份在接待機(jī)構(gòu)投資者調(diào)研時(shí)表示，由于碳化硅盲盒生長(zhǎng)的特點(diǎn)，晶體生長(zhǎng)過程中無法進(jìn)行實(shí)時(shí)觀測(cè)，因此也缺乏大量的數(shù)據(jù)積累供人工智能進(jìn)行分析和學(xué)習(xí)。 晶升股份現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長(zhǎng)的瓶頸，通過引入可視化檢測(cè)系統(tǒng)可使長(zhǎng)晶過程看得見，為數(shù)據(jù)采集提供了扎實(shí)的設(shè)備基礎(chǔ)，也意味著公司已...  [詳內(nèi)文]

江蘇集芯取得兩用碳化硅晶片倒角機(jī)專利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 11:30 |
| 分類: 碳化硅SiC
國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，近期江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司取得一項(xiàng)名為“兩用碳化硅晶片 倒角機(jī)”的專利。 專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開了一種兩用碳化硅晶片 倒角機(jī)，包括：轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸內(nèi)設(shè)有抽氣管道；打磨臺(tái)本體，打磨臺(tái)本體與轉(zhuǎn)軸可拆卸地相連，打磨臺(tái)本體具有第一氣道和支氣體通道，支氣體通道設(shè)...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。 近期，外媒報(bào)道，印度信息技術(shù)部長(zhǎng)阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時(shí)，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

中國電科、三安光電、中瓷電子碳化硅產(chǎn)品順利供貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:33 |
| 分類: 功率 , 碳化硅SiC
近日，碳化硅領(lǐng)域喜訊頻傳，中國電科、三安光電和中瓷電子紛紛在業(yè)務(wù)上取得關(guān)鍵突破，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。 中國電科：30臺(tái)套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨 近日，據(jù)中國電科官微消息，其所屬的48所成功實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計(jì)30臺(tái)套。截至目前，中...  [詳內(nèi)文]

120億元化合物半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正在加速崛起！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:29 |
| 分類: 光電 , 射頻 , 碳化硅SiC
據(jù)長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)消息，近日，先導(dǎo)化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目四座生產(chǎn)廠房中，兩座已封頂，另兩座正加緊澆筑。 source：先導(dǎo)科技集團(tuán) 消息稱，該項(xiàng)目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等，整個(gè)項(xiàng)目力爭(zhēng)2025年年底...  [詳內(nèi)文]

江蘇再添一碳化硅項(xiàng)目！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 11:15 |
| 分類: 功率 , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，連云港市生態(tài)環(huán)境局公布了對(duì)“連云港鴻蒙硅材料有限公司年產(chǎn)1.5萬噸碳化硅高級(jí)研磨材料及年產(chǎn)10萬件碳化硅陶瓷制品項(xiàng)目”環(huán)評(píng)文件擬審批意見。 source：連云港市生態(tài)環(huán)境局 據(jù)介紹，本項(xiàng)目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導(dǎo)體、復(fù)合材料...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶預(yù)計(jì)，6英寸SiC襯底價(jià)格將保持穩(wěn)定

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 11:11 |
| 分類: 碳化硅SiC
環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭近日表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國臺(tái)灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025年對(duì)SiC的市場(chǎng)預(yù)期仍較為保守，但2026年的前景似乎更為樂觀。 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)指出，SiC在汽車、可再生...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲得新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 10:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要細(xì)分領(lǐng)域，近年隨著新能源、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求與日俱增，也愈發(fā)受到資本市場(chǎng)關(guān)注。近期，市場(chǎng)傳出三家功率半導(dǎo)體相關(guān)公司獲得新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領(lǐng)域。 01瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資 2月17日，“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]