文章分類： 碳化硅SiC

南京年產(chǎn)250萬件IGBT/SiC功率器件項(xiàng)目正式投產(chǎn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 25 日 14:04 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月23日，丹佛斯動力系統(tǒng)官方宣布，他們的南京功率模塊園區(qū)正式啟用。 source：丹佛斯動力系統(tǒng) 結(jié)合官方和南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，丹佛斯南京園區(qū)設(shè)有兩家工廠，分別隸屬于賽米控丹佛斯和丹佛斯Editron事業(yè)部，分別投資了不同的項(xiàng)目。 其中，IGBT半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目總投資約1億...  [詳內(nèi)文]

廣納四維、爍科晶體、國納智造聯(lián)手，加速碳化硅AR光波導(dǎo)量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 25 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，廣納四維、爍科晶體、國納智造達(dá)成戰(zhàn)略合作，聚焦碳化硅刻蝕衍射光波導(dǎo)的研發(fā)與量產(chǎn)，旨在推動AR眼鏡核心光學(xué)器件的國產(chǎn)化，加速消費(fèi)級AR產(chǎn)品普及。 source：廣納院 本次合作的核心目標(biāo)是圍繞碳化硅基底刻蝕制備衍射光波導(dǎo)鏡片這一關(guān)鍵技術(shù)展開深度協(xié)同創(chuàng)新，并加速其量產(chǎn)落地。此...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)越州大舉擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 24 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月23日，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（以下簡稱“芯聯(lián)集成”）發(fā)布了《發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買資產(chǎn)暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案）》。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 報告顯示，芯聯(lián)集成計(jì)劃通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式，向包括紹興濱海新區(qū)芯興股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）在內(nèi)的1...  [詳內(nèi)文]

濟(jì)南打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目建設(shè)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 23 日 16:10 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟(jì)南發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國家支持。 近年濟(jì)南市依托政...  [詳內(nèi)文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 23 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域動作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術(shù)路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤微電子、派恩杰半導(dǎo)體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內(nèi)文]

芯干線第三代半導(dǎo)體打入多個全球一線品牌供應(yīng)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 22 日 15:43 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，南京芯干線科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動力，在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲能領(lǐng)域連破壁壘，成功打入多個全球一線品牌供應(yīng)鏈。 source：芯干線科技 AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率器...  [詳內(nèi)文]

兩家大廠推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 22 日 15:34 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。 01 清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺 4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（Si...  [詳內(nèi)文]

電網(wǎng)領(lǐng)域開啟碳化硅產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用新藍(lán)海，天岳先進(jìn)助力行業(yè)新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 21 日 14:10 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，中國電機(jī)工程學(xué)會電力系統(tǒng)電力電子器件專委會主任委員邱宇峰在接受央媒《經(jīng)濟(jì)日報》采訪時表示，“作為成熟的第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅取代現(xiàn)行的硅基是必然趨勢。碳化硅產(chǎn)業(yè)會有兩波應(yīng)用浪潮，第一波在電動汽車領(lǐng)域，第二波在電網(wǎng)領(lǐng)域?？梢钥隙ǖ氖?，碳化硅在電網(wǎng)上的需求將堪比新能源汽車。”...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電、拉普拉斯2024年報出爐

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 21 日 14:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，拉普拉斯、晶盛機(jī)電兩家碳化硅領(lǐng)域相關(guān)公司相繼公布2024年報。   1、拉普拉斯?fàn)I收同比增長93.12% 拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入57.28億元，同比增長93.12%；歸屬凈利潤7.29億元，同比增長77.53%。 2024年，拉普拉斯研發(fā)費(fèi)用為2.96億元，同比增...  [詳內(nèi)文]

碳化硅液冷超充模塊助力，致瞻科技斬獲歐洲頭部企業(yè)數(shù)億元戰(zhàn)略訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 18 日 13:36 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
致瞻科技與歐洲行業(yè)頭部企業(yè)正式簽署長期保障供貨協(xié)議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術(shù)和液冷超充系統(tǒng)集成能力，成為該客戶在超充領(lǐng)域的核心供應(yīng)商，將以確定性產(chǎn)能鎖定方式在未來數(shù)年內(nèi)持續(xù)供應(yīng)價值數(shù)億元的碳化硅液冷超充模塊。 source：致瞻科技 據(jù)悉，致瞻科技（上海）有限公司是一家聚...  [詳內(nèi)文]