文章分類： 產(chǎn)業(yè)

英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：氮化鎵市場進入高速增長爆發(fā)期

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 02 月 12 日 16:23 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
全球功率半導體領導者英飛凌（Infineon）近日正式發(fā)布白皮書《2026年GaN技術(shù)展望》，深度揭示了氮化鎵（GaN）技術(shù)在未來幾年的發(fā)展趨勢、創(chuàng)新突破及其在塑造可持續(xù)未來中的關(guān)鍵作用 。 英飛凌指出，氮化鎵（GaN）正作為一種變革性創(chuàng)新技術(shù)脫穎而出，在AI數(shù)據(jù)中心、人形機器人...  [詳內(nèi)文]

長光華芯扭虧、芯導科技并購，功率半導體釋放兩大信號！

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 02 月 12 日 16:19 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
2026年2月，長光華芯與芯導科技相繼披露了2025年業(yè)績動態(tài)：前者受益于高功率激光業(yè)務回暖實現(xiàn)扭虧為盈，后者則在披露科創(chuàng)板首份年報的同時啟動重大資產(chǎn)重組。兩家公司的最新動向，折射出當前功率半導體賽道在技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈整合層面的最新演進。 1、長光華芯：高功率激光業(yè)務驅(qū)動業(yè)績修復...  [詳內(nèi)文]

浙江：發(fā)展氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 16 日 15:08 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
近日，浙江省經(jīng)濟和信息化廳正式發(fā)布《浙江省“十五五”新型工業(yè)化規(guī)劃（征求意見稿）》（以下簡稱《規(guī)劃》），面向社會公開征求意見。 《規(guī)劃》明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體材料列為新一代半導體領域重點發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進半導體設備研發(fā)等任務協(xié)同推...  [詳內(nèi)文]

聚焦12英寸SiC，16家國內(nèi)廠商“群雄并起”

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 16 日 14:56 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
回顧2025年，這是被全球半導體界公認為“12英寸碳化硅（SiC）元年”的一年。在新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通與可再生能源等高端應用需求的強力驅(qū)動下，全球?qū)捊麕О雽w產(chǎn)業(yè)迎來關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點——12英寸（300mm）碳化硅技術(shù)從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化。 如果說此前十年，行業(yè)關(guān)注的焦點是如何...  [詳內(nèi)文]

英飛凌/意法半導體/安森美釋放擴產(chǎn)與技術(shù)突破信號

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 22 日 17:49 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
近日，巴克萊銀行第23屆全球科技年會于美國舊金山落下帷幕，全球半導體產(chǎn)業(yè)巨頭齊聚一堂，圍繞AI算力、半導體技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)等核心議題展開深度交流。其中，英飛凌、意法半導體、安森美三家公司集中披露了在碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體領域的最新產(chǎn)能規(guī)劃、技術(shù)突破與...  [詳內(nèi)文]

關(guān)閉晶圓廠，巨頭撤場，GaN市場大動蕩？

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 16 日 15:23 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 化合物半導體 , 氮化鎵GaN
12月10日，恩智浦一紙關(guān)廠公告，疊加此前臺積電的代工停擺，給火熱的氮化鎵賽道澆了一盆冷水。然而，這種“巨頭離場”的表象之下，實則暗流涌動：英諾賽科在港交所敲鐘上市并大幅擴產(chǎn)，全球功率霸主英飛凌砸下50億歐元擴建馬來西亞超級工廠，德州儀器（TI）試圖用12英寸產(chǎn)線將成本殺至地板價...  [詳內(nèi)文]

Coherent官宣：擴展300mm碳化硅平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 11 日 14:21 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
近期，Coherent高意公司宣布其下一代300毫米碳化硅（SiC）平臺達成重大里程碑，以應對AI數(shù)據(jù)中心基礎設施日益增長的熱效率需求。 該平臺核心是300毫米導電型碳化硅襯底，該襯底有著低電阻率、低缺陷密度和高均質(zhì)性的特點，能有效降低器件能耗、提升開關(guān)頻率與熱管理性能。 除了解...  [詳內(nèi)文]

研報 | 2026年人形機器人將邁向商用化的關(guān)鍵年，全球出貨量可望突破5萬臺

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 10 日 15:25 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
在全球各主要經(jīng)濟體持續(xù)推動人形機器人發(fā)展趨勢下，日本廠商持續(xù)精進傳動、感測、控制等關(guān)鍵零組件技術(shù)，以提高替代門檻，與美國、中國業(yè)者積極發(fā)表終端人形產(chǎn)品的做法形成對比。美、中、日機器人產(chǎn)業(yè)鎖定的應用場景各異，于2026年也將面臨不同發(fā)展節(jié)點。 TrendForce集邦咨詢預估，20...  [詳內(nèi)文]

研報 | AI數(shù)據(jù)中心引爆光通信激光缺貨潮，英偉達策略性布局重塑激光供應鏈格局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 09 日 14:32 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，隨著數(shù)據(jù)中心朝大規(guī)模叢集化發(fā)展，高速互聯(lián)技術(shù)成為決定AI數(shù)據(jù)中心效能上限與規(guī)?；l(fā)展的關(guān)鍵。2025年全球800G以上的光收發(fā)模塊達2400萬支，2026年預估將會達到近6300萬組，成長幅度高達2.6倍。 TrendForce集邦咨詢指...  [詳內(nèi)文]

無錫半導體設備企業(yè)再獲數(shù)億元資金，年內(nèi)完成三輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 08 日 17:11 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
近日，研微（江蘇）半導體科技有限公司（以下簡稱“研微半導體”）完成數(shù)億元A輪融資，投資方包括永鑫方舟、金圓資本、合肥產(chǎn)投等知名投資機構(gòu)。該公司成立3年已有多臺設備通過Fab廠驗證，募集資金將用于未來研發(fā)投入及擴充團隊。 公開資料顯示，研微半導體成立于2022年，總部位于無錫，主要...  [詳內(nèi)文]