12月10日，恩智浦一紙關(guān)廠公告，疊加此前臺積電的代工停擺，給火熱的氮化鎵賽道澆了一盆冷水。然而，這種“巨頭離場”的表象之下，實則暗流涌動：英諾賽科在港交所敲鐘上市并大幅擴產(chǎn)，全球功率霸主英飛凌砸下50億歐元擴建馬來西亞超級工廠，德州儀器（TI）試圖用12英寸產(chǎn)線將成本殺至地板價，MACOM則吞下Wolfspeed的資產(chǎn)筑起軍工堡壘。舊時代的帷幕剛剛落下，新巨頭的角斗場才真正開啟。
一、戰(zhàn)略收縮：巨頭的理性“止損”與資產(chǎn)優(yōu)化
2025年下半年，兩大行業(yè)巨頭的動作揭示了資本對射頻氮化鎵市場的重新定價。
1、恩智浦：5G夢醒后的決斷
近期，隨著分析機構(gòu)EJL Wireless Research在Linkedin上的一則爆料，#恩智浦 正式確認(rèn)將關(guān)閉其位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的“Echo”晶圓廠，該廠定于2027年第一季度生產(chǎn)最后一批晶圓后謝幕。
“Echo”晶圓廠并非泛泛之輩，它是恩智浦于2020年9月高調(diào)投產(chǎn)的旗艦項目。彼時，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理保羅·哈特（Paul Hart）曾對其寄予厚望，豪言該廠將于當(dāng)年底達到滿負(fù)荷生產(chǎn)。為此，恩智浦在2018至2020年間投入約1億美元（超7億人民幣），專門打造6英寸GaN-on-SiC產(chǎn)線，意圖主宰5G基站射頻功率放大器（PA）市場。
然而，僅僅運行不到五年，該工廠便黯然落幕。財報數(shù)據(jù)揭示了背后的無奈：2024年，恩智浦“通信基礎(chǔ)設(shè)施及其他”業(yè)務(wù)收入下滑近20%，不足17億美元；進入2025年，前九個月收入同比進一步暴跌25%，僅余9.62億美元。
嚴(yán)酷的現(xiàn)實表明，在復(fù)蘇前景黯淡的射頻市場空耗現(xiàn)金流已不合時宜。恩智浦選擇向“Fab-Lite”（輕晶圓廠）模式轉(zhuǎn)型，關(guān)閉老舊產(chǎn)線，將資源聚焦于核心的汽車電子與工業(yè)控制，或通過參與德國ESMC等合資項目獲取更具成本優(yōu)勢的300mm產(chǎn)能。
2、臺積電：AI浪潮下的“戰(zhàn)略性斷舍離”
作為晶圓代工霸主，#臺積電 在2025年7月做出逐步退出GaN代工業(yè)務(wù)的決定，同樣震動了業(yè)界。臺積電明確表示，將在2027年中前完全停止GaN代工服務(wù)，并將原本負(fù)責(zé)該業(yè)務(wù)的新竹Fab 5廠逐步轉(zhuǎn)型為先進封裝（CoWoS）產(chǎn)能。
這一決策背后是極致的資源博弈。在AI芯片需求井噴的當(dāng)下，先進制程與封裝產(chǎn)能“寸土寸金”。雖然GaN業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長，但其基于6英寸晶圓的營收貢獻與利潤率，遠(yuǎn)無法與服務(wù)于英偉達（NVIDIA）等客戶的12英寸AI產(chǎn)線相提并論。臺積電的退出，實質(zhì)上是先進邏輯制程對特色功率工藝的一次資源擠出。
此舉迫使供應(yīng)鏈迅速重構(gòu)：格芯（GlobalFoundries）借機承接了溢出的商業(yè)與國防訂單，利用美國《芯片與科學(xué)法案》資金強化本土制造；而力積電則利用其在存儲制造中的成本控制經(jīng)驗，開發(fā)基于180nm節(jié)點的200mm GaN-on-Si工藝，成為了Fabless（無晶圓設(shè)計）廠商新的避風(fēng)港。
二、陣痛與洗牌：Fabless模式邁入調(diào)整期
臺積電的離場，將高度依賴代工服務(wù)的Fabless廠商推向了風(fēng)口浪尖，其中納微半導(dǎo)體（Navitas）的遭遇尤為典型。
受臺積電業(yè)務(wù)調(diào)整影響，納微被迫在2025年宣布將其主要晶圓代工方轉(zhuǎn)移至力積電。在半導(dǎo)體行業(yè)，更換晶圓廠風(fēng)險大、耗時長，涉及長達12-24個月的重新認(rèn)證周期與良率爬坡風(fēng)險，期間極易被競爭對手搶占市場份額。
供應(yīng)鏈危機疊加業(yè)績壓力，引發(fā)了納微管理層的劇烈動蕩。聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Gene Sheridan于2025年8月卸任，CTO Dan Kinzer也辭去高管職務(wù)。創(chuàng)始團隊的集體淡出，標(biāo)志著納微“創(chuàng)業(yè)講故事”時代的終結(jié)，公司被迫進入由職業(yè)經(jīng)理人主導(dǎo)的“止血求生”階段。
與此同時，美國獨立IDM陣營在2024-2025年間也經(jīng)歷了劇烈整合。Wolfspeed為了全力押注碳化硅（SiC），以1.25億美元的“白菜價”將射頻GaN業(yè)務(wù)剝離給MACOM，以支撐其莫霍克谷工廠的巨額開支；曾被視為技術(shù)標(biāo)桿的Transphorm則被日本瑞薩電子收購，標(biāo)志著美國本土又失去了一家獨立的GaN技術(shù)持有者。
三、西線反擊：歐美IDM巨頭的差異化進擊
與代工業(yè)務(wù)的收縮相反，擁有垂直整合能力（IDM）的歐美巨頭正在通過差異化路線瘋狂擴張。
1、MACOM：吃下CHIPS法案紅利的軍工巨鱷
MACOM走了一條“去商業(yè)化”的軍工高端路線。在收購Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)后，MACOM于今年1月宣布了高達3.45億美元的五年投資計劃，借助CHIPS法案資金，對其馬薩諸塞州和北卡羅來納州的工廠進行現(xiàn)代化改造，核心是將產(chǎn)線升級為6英寸GaN-on-SiC。
2、德州儀器（TI）：95%自造率的成本碾壓
模擬芯片之王TI則試圖用“硅的邏輯”重塑GaN市場。2024年底，TI在日本會津工廠量產(chǎn)GaN器件，產(chǎn)能瞬間翻了兩番。更具威懾力的是，TI正在達拉斯總部利用12英寸產(chǎn)線進行GaN試點。一旦導(dǎo)入成功，其成本將呈指數(shù)級下降。TI明確提出2030年實現(xiàn)95%芯片內(nèi)部制造的目標(biāo)，意圖通過超大規(guī)模制造壓低邊際成本，從而占領(lǐng)更大份額市場。
3、英飛凌（Infineon）：打造虛擬超級工廠
德國巨頭#英飛凌 正在執(zhí)行“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產(chǎn)能。One Virtual Fab是一種先進的制造模式，旨在通過數(shù)字技術(shù)將不同地理位置的生產(chǎn)基地緊密連接，實現(xiàn)技術(shù)、流程和產(chǎn)能的協(xié)同優(yōu)化，以提升效率和快速響應(yīng)市場需求。
2025年，投資高達50億歐元的居林第三工廠啟動擴建，重點生產(chǎn)8英寸GaN和SiC晶圓。英飛凌正試圖確立“硅+碳化硅+氮化鎵”的全能霸權(quán)，在AI數(shù)據(jù)中心急需的鈦金級電源市場構(gòu)筑防線。
四、東線崛起：中國力量的全產(chǎn)業(yè)鏈突圍
在中國市場，一條從設(shè)計到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈正在快速發(fā)展，并展現(xiàn)出強大的市場穿透力。
1、英諾賽科：產(chǎn)能怪獸的資本首秀
作為全球最大的8英寸硅基氮化鎵IDM廠商，#英諾賽科 被視為逼退臺積電消費級業(yè)務(wù)的重要推手。2024年底至2025年初，英諾賽科成功登陸港股，募資約14億港元。其招股書披露的計劃顯示，產(chǎn)能將從2024年的1.25萬片/月狂飆至2029年的7萬片/月。
基石投資者意法半導(dǎo)體（ST）的出現(xiàn)，更暗示了“歐洲設(shè)計+中國制造”的新聯(lián)盟可能。2025年上半年，英諾賽科營收大漲43%并首次實現(xiàn)毛利轉(zhuǎn)正，證明了其IDM模式在成本控制上的成功。然而，由于持續(xù)的高額研發(fā)投入和產(chǎn)線折舊，公司在凈利潤層面仍處于虧損狀態(tài)，這在IDM企業(yè)的擴張初期屬于典型特征。
2、三安集成與芯聯(lián)集成：車規(guī)與射頻的雙輪驅(qū)動
三安集成在射頻與功率領(lǐng)域雙線并進。其與意法半導(dǎo)體在重慶的合資工廠預(yù)計于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準(zhǔn)卡位中國電動汽車市場。同時，其射頻GaN業(yè)務(wù)在5G-A基站和低軌衛(wèi)星領(lǐng)域保持了穩(wěn)定的現(xiàn)金流。
前身為中芯集成的#芯聯(lián)集成，則利用IGBT和SiC的車規(guī)經(jīng)驗，將“零缺陷”管理引入GaN制造，并提供“系統(tǒng)代工”服務(wù)。其車規(guī)功率模塊收入在2024年實現(xiàn)翻倍增長，成功實現(xiàn)EBITDA轉(zhuǎn)正，成為汽車Tier 1廠商的重要合作伙伴。
此外，潤新微憑借D-Mode技術(shù)實現(xiàn)差異化發(fā)展，新微半導(dǎo)體在硅光與射頻SOI領(lǐng)域進行工藝孵化，氮矽科技在驅(qū)動芯片設(shè)計上取得突破，他們共同構(gòu)成了中國GaN產(chǎn)業(yè)豐富而堅韌的生態(tài)底色。
五、結(jié)語：產(chǎn)業(yè)邏輯的深刻嬗變
縱觀2025年的產(chǎn)業(yè)全景，我們可以提煉出驅(qū)動市場變革的三大底層邏輯。
首先，射頻與功率徹底分道揚鑣。NXP和Wolfspeed退出的皆是射頻GaN，而英飛凌、TI與英諾賽科爭奪的則是功率GaN。前者回歸軍工與特種應(yīng)用，后者則在AI與汽車?yán)顺敝杏瓉肀l(fā)。
其次，IDM模式加冕，F(xiàn)abless日漸式微。臺積電的退出與納微的危機證明，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，器件性能高度依賴材料與工藝的耦合。無法掌控生產(chǎn)流程的Fabless模式，在成本與良率上難以與IDM抗衡。
最后，供應(yīng)鏈邏輯正在深刻重構(gòu)。在追求自主可控與供應(yīng)穩(wěn)定的趨勢下，氮化鎵產(chǎn)業(yè)正從單一的市場競爭，轉(zhuǎn)向以區(qū)域化布局為特征的深度深耕。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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