文章分類： 功率

14.5億，13萬(wàn)片，國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅襯底廠商斬獲大單

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 22 日 16:12 |
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近日，世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬(wàn)片，訂單價(jià)值約2億美元（折合人民幣約14.5億元）。 資料顯示，世紀(jì)金芯成立于2019年12月，致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研...  [詳內(nèi)文]

江蘇GaN外延制造中心動(dòng)工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 19 日 17:59 |
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張家港經(jīng)開區(qū)官微消息，4月18日上午，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。 公開資料顯示，能華半導(dǎo)體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),藍(lán)寶石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-o...  [詳內(nèi)文]

推進(jìn)碳化硅研發(fā)，院企開展合作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 18 日 17:56 |
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4月17日，賓夕法尼亞州立大學(xué)宣布，學(xué)校已和摩根先進(jìn)材料公司（下文簡(jiǎn)稱“摩根公司”）簽署了一份諒解備忘錄（MOU），以促進(jìn)碳化硅（SiC）的研發(fā)。 source：賓夕法尼亞大學(xué) 該協(xié)議包括一項(xiàng)為期五年、耗資數(shù)百萬(wàn)美元的新計(jì)劃。摩根公司承諾成為賓夕法尼亞州立大學(xué)最近發(fā)起的碳化硅創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)碳化硅外延片市場(chǎng)簡(jiǎn)析

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 15 日 9:24 |
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隨著電動(dòng)汽車和新能源需求的持續(xù)擴(kuò)大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢(shì)。對(duì)于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過(guò)去市場(chǎng)長(zhǎng)期由Resonac、Wolfspeed等國(guó)際大廠主導(dǎo)，中國(guó)廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來(lái)業(yè)務(wù)高速增長(zhǎng)期，近年來(lái)全球市場(chǎng)份額得以迅...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體推出2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 |
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4月9日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn)，使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)電子通信研究院將啟動(dòng)GaN晶圓代工服務(wù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:39 |
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據(jù)韓媒報(bào)道，近日，韓國(guó)電子通信研究院（ETRI）宣布將啟動(dòng)150nm氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體本土代工試點(diǎn)服務(wù)。 source：拍信網(wǎng) 4月4日，ETRI公布了根據(jù)科學(xué)與信息通信技術(shù)部”電信用化合物半導(dǎo)體研究代工廠”項(xiàng)目開發(fā)的150nm GaN微波集成電路（...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)釜山將新建2座8英寸化合物半導(dǎo)體工廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:37 |
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4月6日，釜山市政府宣布投資400億韓元（折合人民幣約2.14億元），在東南放射科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等新一代材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，該項(xiàng)目已獲國(guó)家及市級(jí)基金資助。 source：拍信網(wǎng) 為構(gòu)建生產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體的生態(tài)系統(tǒng)，釜山市...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)首款2300V SiC MOSFET問(wèn)世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 03 日 14:27 |
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據(jù)韓媒ETnews報(bào)道，3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布，已在韓國(guó)首次成功開發(fā)出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并將于明年初量產(chǎn)。 source：Power Cube Semi 據(jù)介紹，Power Cube Semi稱，2300V SiC M...  [詳內(nèi)文]

聯(lián)合多家頭部企業(yè)，上海打造8英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 29 日 17:50 |
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3月29日，據(jù)媒體報(bào)道，“聚勢(shì)芯港、引臨未來(lái)”2024上海全球投資促進(jìn)大會(huì)暨臨港新片區(qū)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇分享會(huì)在世界會(huì)客廳舉行。據(jù)介紹，本次活動(dòng)也是上海首次舉辦的寬禁帶半導(dǎo)體推介活動(dòng)。 會(huì)上，上海市經(jīng)信委副主任張宏韜、臨港新片區(qū)黨工委副書記吳曉華共同為“寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基...  [詳內(nèi)文]

50億美元，全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 28 日 10:56 |
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3月26日，Wolfspeed旗下耗資50億美元（折合人民幣約361億元）的8吋碳化硅（SiC）制造中心宣告封頂，美國(guó)參議員湯姆·蒂利斯 (Thom Tillis) 與Wolfspeed高管一起參加了封頂儀式。 source：Wolfspeed 該工廠以該公司已故聯(lián)合創(chuàng)始人Jo...  [詳內(nèi)文]