文章分類： 功率

4Q23搭載SiC功率芯片逆變器市占率達15%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:48 |
| 分類: 功率
根據(jù)TrendForce集邦咨詢?nèi)螂妱榆嚹孀兤魇袌鰯?shù)據(jù)顯示，2023年第四季全球電動車逆變器裝機量達714萬套，相較2023年第三季639萬套，季增約12%，主因是去年第四季電動車季單季銷量較第三季成長。其中，逆變器市場主要的推動力來自于純電動車（BEV）。 TrendFor...  [詳內(nèi)文]

中國SiC外延片市場，繁榮與挑戰(zhàn)并存

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:43 |
| 分類: 功率
隨著電動汽車和新能源需求的持續(xù)擴大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢。對于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場長期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠主導(dǎo)，中國廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務(wù)高速增長期，近年來全球市場份額得以迅...  [詳內(nèi)文]

發(fā)展汽車、工業(yè)領(lǐng)域，瑞能半導(dǎo)通過IPO輔導(dǎo)驗收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 19 日 17:24 |
| 分類: 功率
根據(jù)中國證券監(jiān)督管理委員會官網(wǎng)資料，瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱：瑞能半導(dǎo)）已通過輔導(dǎo)驗收。 事實上，這并非瑞能半導(dǎo)首次申請上市。2020年8月，瑞能半導(dǎo)于上交所上市的申請獲得受理，但其最終于2021年6月申請撤回申請文件。 2023年7月，瑞能半導(dǎo)重整旗鼓，與西南證券...  [詳內(nèi)文]

英飛凌、羅姆產(chǎn)品新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:28 |
| 分類: 功率
近日，英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產(chǎn)品端公布了新進展。 英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)產(chǎn)品，CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。 source：英飛凌 英飛凌表示，新一代C...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體項目遍地開花

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 04 日 16:37 |
| 分類: 功率
近日，多個第三代半導(dǎo)體項目迎來最新進展。其中，重投天科第三代半導(dǎo)體項目、山東菏澤砷化鎵半導(dǎo)體晶片項目投資資金超30億。 總投資32.7億元，重投天科第三代半導(dǎo)體項目在深圳寶安啟用 據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導(dǎo)體...  [詳內(nèi)文]

SiC龍頭英飛凌重組自身業(yè)務(wù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 29 日 18:48 |
| 分類: 功率
2月28日，英飛凌表示，目前公司正在進一步加強和精簡其銷售組織。英飛凌宣布，從3月1日起，公司的銷售團隊將圍繞“汽車”、“工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施”以及“消費者、計算與通信”這三個以客戶為中心的銷售領(lǐng)域進行組建。 source：拍信網(wǎng) 其中，分銷商和電子制造服務(wù)管理（DEM）銷售組織將繼...  [詳內(nèi)文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 29 日 16:42 |
| 分類: 功率
2月27日，EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，為DC-DC轉(zhuǎn)換、快速充電、電機驅(qū)動和太陽能MPPT提供更高的功率密度。 EPC稱，這是市場上導(dǎo)通電阻最低的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，功率密度...  [詳內(nèi)文]

晶圓級立方SiC單晶生長取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 22 日 17:51 |
| 分類: 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個數(shù)量級)和高的電子親和勢(3...  [詳內(nèi)文]

GaN開啟了“無限復(fù)制”時代！

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 21 日 17:55 |
| 分類: 功率
2月21日，光州科學(xué)技術(shù)院（GIST，校長Kichul Lim）宣布，學(xué)校電氣工程與計算機科學(xué)學(xué)院的Dong-Seon Lee教授的研究團隊已經(jīng)開發(fā)出了僅采用金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體遠程同質(zhì)外延技術(shù)。 外延技術(shù)，即在半導(dǎo)體制造中將半導(dǎo)體材料生長成...  [詳內(nèi)文]

SiC營收增長93%，X-FAB全球晶圓廠將擴張

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 20 日 14:42 |
| 分類: 功率
近日，世界SiC晶圓代工龍頭X-FAB公布了其第四季度以及全年營收。 X-FAB的汽車、工業(yè)和醫(yī)療核心業(yè)務(wù)增長了31%，占總收入的91%，并且在過去五年中每年增長22%。 2024年第一季度的收入預(yù)計將在2.15億美元至2.25億美元（折合人民幣約15.5億元至16.2億元）之間...  [詳內(nèi)文]