文章分類： 功率

EV不振、產(chǎn)能過剩，日美歐功率半導體廠抑制投資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 25 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
近期，外媒報道，因電動汽車市場成長較預期放緩，功率半導體產(chǎn)能過剩，這一背景下，日美歐功率半導體廠抑制投資， 其中，日本瑞薩電子（Renesas Electronics）調(diào)降稼動率（產(chǎn)能利用率），上季（2024年10-12月）稼動率降至3成左右。而瑞薩原先計劃在2025年初期利用甲...  [詳內(nèi)文]

功率半導體設備相關(guān)廠商科瑞爾完成新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 20 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
近期媒體報道，科瑞爾科技宣布完成數(shù)千萬元A+輪融資，資方為浙創(chuàng)投，資金將用于產(chǎn)品研發(fā)與運營資金補充。此前，該公司已經(jīng)獲得中車資本戰(zhàn)略投資。 資料顯示，科瑞爾科技成立于2014年，是業(yè)內(nèi)同時具備IGBT模塊自動化產(chǎn)線設計和單站核心設備研發(fā)能力的企業(yè)，主營產(chǎn)品已經(jīng)獲得國內(nèi)大多數(shù)頭部功...  [詳內(nèi)文]

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:02 |
| 分類: 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而...  [詳內(nèi)文]

東芝功率半導體后道生產(chǎn)新廠房竣工

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 9:46 |
| 分類: 功率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導體工廠的車載功率半導體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財年的水平增加一倍以上，并將于2025財年上半年開始全面生產(chǎn)。 功率器件是提高各種電氣和電子設備能源效率的重要元件，在電力供應和...  [詳內(nèi)文]

1.25億元大手筆！SiC大廠被收購

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 11 日 14:08 |
| 分類: 企業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
據(jù)外媒最新消息，SK keyfoundry（SK啟方半導體）在3月7日舉行的董事會會議上宣布，已成功達成從SK集團收購其子公司SK Powertech98.59%股權(quán)的協(xié)議，交易金額高達250億韓元（約1.25億元人民幣）。此舉標志著SK hynix旗下的SK keyfoundr...  [詳內(nèi)文]

揚杰科技中央研究院獲批省重點實驗室，助力功率半導體技術(shù)突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 11 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
據(jù)揚州市刊江區(qū)人民政府網(wǎng)消息，3月10日，揚杰科技中央研究院正式獲批成為省級重點實驗室，標志著其在半導體功率電子領(lǐng)域的研發(fā)實力和創(chuàng)新能力得到了官方的高度認可。 據(jù)悉，該實驗室的成立旨在聚焦半導體功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)問題，通過產(chǎn)學研深度融合，推動我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。 ...  [詳內(nèi)文]

長城汽車取得驅(qū)動電路和驅(qū)動系統(tǒng)專利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 10 日 17:51 |
| 分類: 功率
近期，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，長城汽車股份有限公司取得一項名為“驅(qū)動電路和驅(qū)動系統(tǒng)”的專利。 專利摘要顯示，本實用新型公開了一種驅(qū)動電路和驅(qū)動系統(tǒng)，所述驅(qū)動電路包括： 第一驅(qū)動模塊，所述第一驅(qū)動模塊與功率器件連接；第二驅(qū)動模塊，所述第二驅(qū)動模塊與所述功率器件、所述第一驅(qū)動模塊連接...  [詳內(nèi)文]

元芯半導體、賽微電子等公司氮化鎵新動態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 10 日 17:12 |
| 分類: 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
氮化鎵作為第三代半導體材料的代表，以其高頻、高電子遷移率、強輻射抗性、低導通電阻以及無反向恢復損耗等顯著優(yōu)勢，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出極大的應用潛力，并吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。 近期，市場傳出元芯半導體、賽微電子等公司在氮化鎵領(lǐng)域的新動態(tài)。 元芯推出高性能氮化鎵功率器件 近日，元芯半導體正...  [詳內(nèi)文]

三個SiC項目迎來最新進展，簽約/開工/投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 10 日 17:09 | | 分類: 功率 , 射頻 , 碳化硅SiC
近日，碳化硅市場新增三大碳化硅項目，其中新疆北屯40億元半導體材料項目簽約、元山電子啟動二期車規(guī)級SiC項目，廣西梧州龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園開工，年產(chǎn)30噸合成碳化硅晶體。 01新疆北屯40億元半導體材料項目簽約，打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)高地 據(jù)第十師北屯市公眾號消息，近日，新疆第十師北...  [詳內(nèi)文]

加碼中國市場，碳化硅龍頭蘇州基地正式建成投產(chǎn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 07 日 15:00 |
| 分類: 企業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
近日，據(jù)博世汽車電子事業(yè)部最新消息，博世汽車電子中國區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，這標志著其碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)進入新階段。 source：博世半導體 （圖為碳化硅功率模塊本地化生產(chǎn)項目團隊） 據(jù)悉，該基地總投資約70億人民幣，聚焦新一...  [詳內(nèi)文]