當(dāng)下,新能源汽車、5G通訊、光伏、儲能等下游領(lǐng)域迸射出的強(qiáng)烈需求,正驅(qū)動著碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)在高速發(fā)展,與此同時多方紛紛加強(qiáng)研發(fā)力度,旨在突破技術(shù)壁壘,搶占市場先機(jī)。
其中,作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節(jié)點,8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。
下一個拐點尺寸:8英寸SiC...  [詳內(nèi)文]
8英寸時代:國產(chǎn)SiC襯底如何升級? |
作者 huang, Mia | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:30 | | 分類: 功率 |