相關(guān)資訊:氧化鎵

鎵仁半導(dǎo)體完成近億元Pre-A輪融資

作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 17:27 | 分類 企業(yè)
8月7日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)迎來了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領(lǐng)投,普華資本共同投資。公司天使輪投資機(jī)構(gòu)藍(lán)馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見證此次融資簽約儀式。 source:鎵仁半導(dǎo)體 鎵仁半導(dǎo)體表示,本輪融資資金的...  [詳內(nèi)文]

日本團(tuán)隊(duì)不使用銥坩堝研制出直徑約2英寸氧化鎵晶體

作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
作為一種新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,氧化鎵具備大禁帶寬度(4.8eV)、高臨界擊穿場強(qiáng)(8MV/cm)和良好的導(dǎo)通特性,與碳化硅和氮化鎵相比,氧化鎵在大功率和高頻率應(yīng)用中具有優(yōu)勢,且導(dǎo)通電阻更低,損耗更小。 目前,中國、日本、韓國等國的研究機(jī)構(gòu)和團(tuán)隊(duì)在氧化鎵材料的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方...  [詳內(nèi)文]

韓國首個1200V 氧化鎵SBD問世

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分類 功率
7月22日,韓國化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布,公司已開發(fā)出可應(yīng)用于高速開關(guān)的氧化鎵(Ga2O3)肖特基勢壘二極管(SBD)。 source:Siegtronics 據(jù)悉,氧化鎵是一種寬帶隙(WBG)材料,與碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)相比,具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體制備出3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分類 企業(yè)
7月15日,據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息,鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底,據(jù)稱為目前國際上已報(bào)導(dǎo)的最大尺寸。 source:鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹,在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中,(010)襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先,(0...  [詳內(nèi)文]

聚焦氧化鎵,鎵仁半導(dǎo)體與邁姆思達(dá)成戰(zhàn)略合作

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)
6月28日,據(jù)蘇州納米城官微消息,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體)近日與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱邁姆思)于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進(jìn)半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域展開深度合作。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉,邁姆思將與鎵仁半導(dǎo)體協(xié)作實(shí)現(xiàn)SiC和氧化...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料方面實(shí)現(xiàn)新突破

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 06 日 14:30 | 分類 企業(yè)
據(jù)北京順義消息,北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“銘鎵半導(dǎo)體”)在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實(shí)現(xiàn)新突破,已領(lǐng)先于國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 銘鎵半導(dǎo)體董事長陳政委表示,半絕緣型(010)鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延,目前國際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率
4月9日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source:鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn),使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]

超越碳化硅?三菱電機(jī)投資氧化鎵功率半導(dǎo)體

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 01 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月26日,在三菱電機(jī)舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上,三菱電機(jī)宣布將對有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵(Ga2O3)進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車(xEV)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體相比,三菱電機(jī)稱這一布局是“為擴(kuò)大更高電壓的市場”。 三菱電機(jī)表示,2024年~2030年,...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)首個6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化公司誕生

作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分類 企業(yè)
3月20日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)氧化鎵公司晶旭半導(dǎo)體獲億元投資

作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 04 日 18:10 | 分類 企業(yè)
2月3日, 睿悅投資官微發(fā)文稱,睿悅投資與福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司(下文簡稱“晶旭半導(dǎo)體”)簽署戰(zhàn)略投資協(xié)議。 據(jù)悉,此次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨(dú)家戰(zhàn)略投資人,對晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣,助力其實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達(dá)產(chǎn)。 公開資料顯示,福...  [詳內(nèi)文]