相關(guān)資訊：第三代半導(dǎo)體

23億元，浙江麗水簽約第三代半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 02 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
11月29日，據(jù)“麗水發(fā)布”官微消息，近日在浙西南革命老區(qū)發(fā)展論壇主旨會(huì)議上，浙江麗水舉辦項(xiàng)目簽約儀式，其中包括一個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目。 source：麗水發(fā)布 據(jù)介紹，該項(xiàng)目為麗水經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會(huì)簽約的第三代半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目，總投資23億元，屬于新能源汽車、智能電網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

芯谷第三代半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)正式封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 21 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
11月20日，據(jù)“吳中發(fā)布”官微消息，芯谷半導(dǎo)體研發(fā)智造項(xiàng)目兩幢研發(fā)樓主體結(jié)構(gòu)近日正式封頂，預(yù)計(jì)明年12月底即可交付使用。 source：吳中發(fā)布 該項(xiàng)目占地面積110.9畝，建筑面積約30萬平方米，計(jì)劃總投資16.8億元，規(guī)劃建造2幢研發(fā)辦公樓、4幢高標(biāo)準(zhǔn)廠房。 目前，廠房主...  [詳內(nèi)文]

寶士曼功率半導(dǎo)體項(xiàng)目明年投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 19 日 18:00 | 分類 企業(yè) , 功率
11月13日，據(jù)“吳中發(fā)布”消息，江蘇省蘇州市吳中區(qū)近期全力沖刺第四季度加力提速重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)，其中涉及一個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目——蘇州寶士曼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡稱：寶士曼）第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項(xiàng)目占地面積50畝，建筑面積約...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體檢測設(shè)備企業(yè)國科測試完成數(shù)千萬融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
10月29日，據(jù)天眼查披露消息，第三代半導(dǎo)體檢測設(shè)備企業(yè)蘇州國科測試科技有限公司（以下簡稱：國科測試）近日完成數(shù)千萬元人民幣A輪融資，由鑫霓資產(chǎn)獨(dú)家投資，本輪融資資金將會(huì)用于批量產(chǎn)業(yè)化、人才建設(shè)、晶圓AOI研發(fā)和市場開拓。 source：國科測試 官網(wǎng)資料顯示，國科測試成立于2...  [詳內(nèi)文]

3.61億元，奧特維擬收購三代半設(shè)備廠部分股權(quán)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 10 日 18:00 | 分類 企業(yè)
10月9日晚間，無錫奧特維科技股份有限公司（以下簡稱：奧特維）發(fā)布公告稱，擬收購其控股子公司無錫松瓷機(jī)電有限公司（以下簡稱：松瓷機(jī)電）部分股權(quán)。 根據(jù)公告，奧特維擬使用自有和自籌資金36056.68萬元收購其控股子公司松瓷機(jī)電之少數(shù)股東持有的松瓷機(jī)電33.21%股權(quán)。本次交易完成...  [詳內(nèi)文]

北京順義第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目披露最新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 09 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
10月8日，據(jù)順義區(qū)融媒體中心消息，位于北京順義區(qū)的第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）建設(shè)進(jìn)度已過半。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項(xiàng)目包括生產(chǎn)廠房、綜合樓、動(dòng)力中心等11棟單體建筑，總投資6.3億元，總占地面積4萬平方米，總建筑面積6.47萬平方米。 目前，該項(xiàng)目...  [詳內(nèi)文]

必創(chuàng)科技擬控股創(chuàng)世威納，布局半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 03 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月2日，北京必創(chuàng)科技股份有限公司（以下簡稱：必創(chuàng)科技）發(fā)布公告稱，其擬通過兩步取得北京創(chuàng)世威納科技有限公司（以下簡稱：創(chuàng)世威納）控制權(quán)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 第一步，必創(chuàng)科技擬于2024年內(nèi)通過增資取得創(chuàng)世威納約10%股權(quán)，該次交易完成后創(chuàng)世威納將成為必創(chuàng)科技參股公司；...  [詳內(nèi)文]

第三輪通知丨第2屆第三代半導(dǎo)體與先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨半導(dǎo)體展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 22 日 17:30 | 分類 企業(yè)
大會(huì)背景 半導(dǎo)體材料作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的重要基石，已經(jīng)上升到大國科技競爭的核心領(lǐng)域。隨著新能源、5G通訊、人工智能以及低空經(jīng)濟(jì)等先進(jìn)生產(chǎn)力的快速發(fā)展，對半導(dǎo)體材料的需求急劇增長，然而硅基半導(dǎo)體材料正面臨著摩爾定律逼近物理極限的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)并繼續(xù)推動(dòng)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與...  [詳內(nèi)文]

“國家隊(duì)”下場，各國角逐三代半產(chǎn)業(yè)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 07 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，已在新能源汽車、光儲(chǔ)充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出較高應(yīng)用價(jià)值，并具有較大的遠(yuǎn)景發(fā)展空間。以碳化硅為例，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power ...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體13項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)有新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 31 日 17:20 | 分類 功率
近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）公布了13項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)新進(jìn)展，包括2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案、2項(xiàng)SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見、9項(xiàng)SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。 ...  [詳內(nèi)文]