7月22日，韓國(guó)化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布，公司已開(kāi)發(fā)出可應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。
source：Siegtronics
據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高... [詳內(nèi)文]
韓國(guó)首個(gè)1200V 氧化鎵SBD問(wèn)世 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分類(lèi) 功率 |