10月9日，武漢市舉行2025年四季度全市重大項目建設推進會。
會上，東湖高新區(qū)相關負責人表示，位于東湖高新區(qū)光谷一路的先進封裝綜合實驗平臺二期及產(chǎn)業(yè)化基地項目，計劃10月開工，明年10月通線試運行，建設國內高端芯片先進封裝量產(chǎn)線，將中試平臺創(chuàng)新成果直接導入量產(chǎn)，構建以實驗室為引領，貫穿先進封裝“基礎研究—概念驗證—研發(fā)—小試—中試—產(chǎn)業(yè)化”全鏈條的創(chuàng)新閉環(huán)。
東湖高新區(qū)相關負責人介紹，該項目將與人工智能芯片、光芯片、化合物半導體、硅光等創(chuàng)新載體聯(lián)動，在未來10年內推動超50家產(chǎn)業(yè)鏈上下游創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊落戶武漢光谷。
2023年，武漢提出打造全球化合物半導體創(chuàng)新燈塔和產(chǎn)業(yè)高地。如今，武漢已成為全國重要的化合物半導體創(chuàng)新高地。
2025年5月28日，長飛先進武漢基地首片晶圓下線，該項目總投資超200億元，一期建設內容包括年產(chǎn)36萬片外延廠、年產(chǎn)36萬片6寸碳化硅晶圓廠等。與長飛先進武漢基地相距不遠的先導稀材高端化合物半導體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地已全部封頂，計劃年底前實現(xiàn)部分投產(chǎn)，該項目投資120億元，建成后將填補武漢光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導體襯底、外延材料的空白。
圖片來源：長飛先進
此外，作為湖北省十大實驗室之一的九峰山實驗室，2023年正式投入運營，聚焦化合物半導體的研發(fā)與創(chuàng)新，已建成全球化合物半導體產(chǎn)業(yè)最先進、規(guī)模最大的科研及中試平臺，接連突破全球首片硅光鈮酸鋰集成晶圓、全球首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底等關鍵核心技術，迄今已吸引500多家企業(yè)和科研機構尋求合作，30多家上下游企業(yè)比鄰而居。
在武漢東湖高新區(qū)建設的化合體半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)，目前主體結構已封頂，預計于2026年建成投用。該基地總投資17億元，其中2/3以上用于打造千級/百級超凈潔凈室、高效冷卻設備、超純水處理系統(tǒng)、大宗氣體系統(tǒng)等半導體生產(chǎn)公共基礎設施。
（集邦化合物半導體 Niko 整理）
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