文章分類： 企業(yè)

10億元，揚杰科技SiC車規(guī)級功率模塊封裝項目開工！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:27 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月9日，揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）宣布其SiC車規(guī)級功率半導體模塊封裝項目正式開工。 source：揚杰科技 該項目總投資10億元人民幣，聚焦車規(guī)級框架式、塑封式IGBT模塊及SiC MOSFET模塊等第三代半導體產品的研發(fā)與生產，旨在通過技術突破實...  [詳內文]

全球首個氮化鎵量子光源芯片發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:25 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月9日，電子科技大學教授、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網前沿研究中心主任周強，正式發(fā)布了全球首個氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標志著中國在量子科技領域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網的發(fā)展提供了關鍵硬件支撐。 source：成都市發(fā)展改革委 據悉，氮化鎵量子光源芯片的實際尺寸僅有0...  [詳內文]

寧波材料所碳化硅纖維研究獲重大突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:24 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，中國科學院寧波材料技術與工程研究所（以下簡稱“寧波材料所”）宣布，其研發(fā)的高結晶連續(xù)碳化硅纖維（NIMTE-S13）在性能上實現(xiàn)了重大突破。經中國合格評定國家認可委員會（CNAS）認證的第三方檢測機構驗證，NIMTE-S13的平均拉伸強度達到2.4 GPa，拉伸模量為440...  [詳內文]

英飛凌公布最新財報并發(fā)布碳化硅新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 09 日 16:15 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月8日，#英飛凌?發(fā)布2025財年第二季度的財報（截至2025年3月31日），該季度英飛凌營收為35.91億歐元，利潤為6.01億歐元，利潤率16.7%。 source：英飛凌 受國際形勢影響，英飛凌2025年的同比增速將略有下降。英飛凌預計第三財季營收37億歐元，市場預估3...  [詳內文]

Wolfspeed預計2026財年收入低于預期

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 09 日 16:11 |
| 分類: 企業(yè)
碳化硅技術領軍企業(yè)#Wolfspeed?于5月8日發(fā)布預警，預計其2026財年收入將遠低于華爾街預期，由此前的9.587億美元下調至8.5億美元，收入預期下調主要歸因于新工廠產能爬坡挑戰(zhàn)、運營成本以及聯(lián)邦補貼的不確定性。 source：集邦化合物半導體截圖 作為SiC技術的先行...  [詳內文]

山東離子注入機迎突破，助力第三代半導體產業(yè)發(fā)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 09 日 16:07 | | 分類: 企業(yè)
近期，大眾日報報道#艾恩半導體?自主研發(fā)制造的第一代碳化硅離子注入機已經推向市場，正由芯片制造廠商進行驗證。 除已推向市場的第一代碳化硅離子注入機外，艾恩半導體對標國際領先技術水平的第二代碳化硅離子注入機目前正在緊鑼密鼓的研發(fā)過程中，有望于今年9月面市。今年6月，該公司還將推出一...  [詳內文]

納微、天岳先進發(fā)布Q1成績單：營收承壓，技術突圍

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 08 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè)
近期，全球第三代半導體行業(yè)迎來財報季關鍵節(jié)點，納微半導體和天岳先進分別交出第一季度成績單。兩家企業(yè)分別作為功率器件設計與碳化硅襯底制造領域的標桿，在當前復雜的宏觀環(huán)境下，營收規(guī)模雖呈現(xiàn)階段性收縮，但均通過核心技術深耕與戰(zhàn)略市場卡位，展現(xiàn)出穿越周期的產業(yè)韌性。 01、納微半導體：營...  [詳內文]

三家公司披露8英寸碳化硅最新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 08 日 13:59 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在半導體材料革命的浪潮中，碳化硅（SiC）以其耐高壓、高頻、高溫的卓越性能，正加速滲透各個領域。近年，我國積極發(fā)展碳化硅產業(yè)，在8英寸、12英寸取得了喜人成績。近期，國內三家公司8英寸碳化硅領域傳出新進展。 01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產 近期，南京日報深度對話超芯星聯(lián)合創(chuàng)...  [詳內文]

半導體設備大廠助力磷化銦芯片擴產

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 08 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè)
5月6日，半導體沉積設備愛思強宣布，公司最新G10-AsP系統(tǒng)已交付荷蘭磷化銦（InP）代工企業(yè)SMART Photonics。 該設備專為砷化物/磷化物應用設計，采用創(chuàng)新的注入器和先進溫控技術，使關鍵層的晶圓均勻性較前代產品提升4倍，同時，具備全自動盒到盒操作能力，并通過原位清...  [詳內文]

英飛凌、基本半導體發(fā)布碳化硅技術新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 07 日 14:26 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心材料，憑借其耐高壓、高頻、高溫等特性，正成為新能源汽車、光伏儲能和5G通信等領域的技術變革引擎。 近期，基本半導體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET產品矩陣，覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級多場景需求；英飛凌則將基于溝...  [詳內文]