文章分類： 氮化鎵GaN

穩(wěn)懋半導(dǎo)體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來(lái)重大突破。近日，純化合物半導(dǎo)體代工廠#穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長(zhǎng)度D型GaN HEMT技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動(dòng)器芯片”正式商用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無(wú)線半導(dǎo)體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機(jī)器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動(dòng)器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導(dǎo)體機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片家族 “機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場(chǎng)景需求。 圖片來(lái)源：中科半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團(tuán)隊(duì)，并取消原定于2025年初的SiC功率半導(dǎo)體量產(chǎn)計(jì)劃，這一消息在半導(dǎo)體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準(zhǔn)備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設(shè)備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]

布里斯托大學(xué)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn) GaN 突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 03 日 9:24 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，英國(guó)布里斯托大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在《自然·電子學(xué)》（Nature Electronics）期刊發(fā)表突破性研究，首次揭示了氮化鎵（GaN）多通道晶體管中鎖存效應(yīng)的物理機(jī)制，并成功開發(fā)出超晶格城堡場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SLCFET）技術(shù)。 圖片來(lái)源：《自然·電子學(xué)》期刊截圖 該研究通過(guò)設(shè)計(jì)超...  [詳內(nèi)文]

羅姆首款高耐壓GaN驅(qū)動(dòng)器IC量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:16 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)，有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 圖片來(lái)源：羅姆半...  [詳內(nèi)文]

英偉達(dá)攜手納微升級(jí)電源架構(gòu)，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 23 日 16:31 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達(dá)達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計(jì)算平臺(tái)。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體 當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]

阿爾法推出氮化鎵機(jī)器人關(guān)節(jié)模組

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 20 日 15:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，氮化鎵（GaN）正以高電子遷移率、高耐壓、低損耗等特性，成為人形機(jī)器人核心部件升級(jí)的關(guān)鍵推手。近期，國(guó)內(nèi)公司傳出相關(guān)新動(dòng)態(tài)。 5月17日，中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人關(guān)節(jié)模組（型號(hào)：ZK-RI 0–PRO...  [詳內(nèi)文]

外延基地投產(chǎn)、氮化鎵芯片破億，華潤(rùn)微雙線告捷

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 19 日 15:33 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月16日，華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群旗下潤(rùn)新微電子（大連）有限公司在大連高新區(qū)黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行“氮化鎵億顆芯片慶典暨外延生產(chǎn)基地通線儀式”?；顒?dòng)上正式宣告其氮化鎵外延生產(chǎn)基地建成投產(chǎn)，并同步慶祝氮化鎵芯片累計(jì)出貨量突破一億顆。 外延生產(chǎn)基地正式通線 據(jù)官方披露，該外延生產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 12 日 14:25 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月9日，電子科技大學(xué)教授、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強(qiáng)，正式發(fā)布了全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標(biāo)志著中國(guó)在量子科技領(lǐng)域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了關(guān)鍵硬件支撐。 source：成都市發(fā)展改革委 據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實(shí)際尺寸僅有0...  [詳內(nèi)文]

氮矽科技攜手Ulike打造首款超聲炮美容儀產(chǎn)品，加速GaN元件導(dǎo)入消費(fèi)市場(chǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 30 日 16:42 |
| 分類: 氮化鎵GaN
致力于引領(lǐng)全球氮化鎵(GaN)革命的解決方案供應(yīng)商氮矽科技近日宣布，氮矽科技先進(jìn)低壓氮化鎵集成方案DXC3510S2CA產(chǎn)品成功應(yīng)用于由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10。依靠其超高頻、高效能等性能優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)方案強(qiáng)力支持產(chǎn)品超聲聚能和能...  [詳內(nèi)文]