據(jù)魯晶芯城消息，4月2日，魯晶半導體技術(shù)團隊與山東大學新一代半導體材料研究院雙方達成深化合作協(xié)議，計劃聯(lián)合申報國家級科研項目，共建實驗室，并推動技術(shù)標準制定。
source：魯晶芯城
據(jù)悉，魯晶半導體將依托山東大學新一代材料研究院平臺及人才資源，強化技術(shù)研發(fā)能力；山東大學借助企業(yè)產(chǎn)業(yè)資源與市場渠道，推動科研成果快速轉(zhuǎn)化。雙方將以此次合作為起點，構(gòu)建“基礎研究+技術(shù)攻關(guān)+產(chǎn)業(yè)落地”全鏈條創(chuàng)新體系，助力國產(chǎn)半導體自主可控。
在當天，雙方重點交流了超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術(shù)進展。魯晶半導體技術(shù)團隊分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果，山東大學專家則從學術(shù)角度剖析了高頻、高效、高溫性能優(yōu)化方案。雙方一致認為，SiC功率器件憑借其耐高壓、低損耗特性，將成為未來電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)方向，而魯晶半導體的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗與山東大學的科研實力為合作提供了強有力支撐。
魯晶半導體技術(shù)團隊重點推介了SiC器件在新能源汽車、光伏儲能、充電樁等場景的應用潛力。山東大學專家則針對高功率密度、長壽命等需求提出優(yōu)化建議。雙方認為，SiC技術(shù)的規(guī)?；瘧脤@著提升能源效率，降低碳排放，為“雙碳”目標提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。（集邦化合物半導體整理）