6月5日，理想汽車官方公眾號發(fā)文表示，近期理想汽車在第37屆ISPSD（功率半導體器件和集成電路國際會議）上發(fā)表了與車規(guī)級碳化硅相關的論文。
該篇論文來自理想汽車自研SiC芯片團隊，論文題為《1200V汽車級碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術研究》，展示了碳化硅芯片是怎樣失效的，為什么會失效，還告訴大家“CT機”怎么制造，從而可以具備透視能力，將這類問題芯片挑出來。
最后，理想汽車團隊還提出了根本性的解決方法：從碳化硅晶體生長工藝著手，這對整體提升產業(yè)內SiC芯片的可靠性表現(xiàn)具有重要意義。
圖片來源：有個理想
理想汽車表示，SiC芯片在電動汽車高壓平臺上的大規(guī)模應用已成為趨勢。未來，理想汽車將深度結合汽車應用需求，持續(xù)研發(fā)、不斷前行，追求更安全、更高效的SiC芯片，讓用戶出行的每一程都更加安全無憂。
資料顯示，理想汽車在碳化硅芯片領域已實現(xiàn)從研發(fā)到量產的關鍵跨越。2025年2月，其自研的碳化硅功率芯片完成裝機，蘇州半導體生產基地同步量產自產碳化硅功率模塊，常州電驅動基地也下線了集成該技術的新一代電驅動總成。這一成果直接應用于首款純電MPV理想MEGA，該車型搭載800V SiC高壓平臺，實現(xiàn)5C快充（峰值功率超500kW），百公里能耗僅15.9kWh，四驅車型能耗低于多數(shù)純電轎車。
為保障碳化硅器件穩(wěn)定供應，理想汽車采取“自研+合作”雙軌并行模式，合作方面，理想汽車與湖南三安半導體成立蘇州斯科半導體，規(guī)劃年產能240萬只碳化硅半橋功率模塊，2024年投產，覆蓋高壓純電平臺需求；與意法半導體簽署長期供貨協(xié)議，獲取SiC MOSFET支持高壓純電戰(zhàn)略；續(xù)簽安森美EliteSiC 1200V裸芯片協(xié)議，應用于下一代800V車型。
（集邦化合物半導體 Flora 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。